117的数目减少了一半(1/2)，数据驱动单元的IC的数目减少了一半，而分辨率保持与现有的分辨率相同。因此，降低了 LCD装置的制造成本，此外，可以通过执行列反转方法来降低功耗。
[0075]由于数据线117的数目减少了一半，因此形成其中没有形成数据线117的空的空间的数据线区域。在根据本发明的第一实施方式的LCD装置中，第一公共线108a和第二公共线108b形成在所述空的空间的所述数据线区域中，并且通过将公共信号施加到所述第一公共线108a和所述第二公共线108b，能够防止装置的可操作时间缩短。
[0076]也就是说，在该DRD结构中，虽然数据驱动单元的IC的数目减少了一半并且从而降低了成本，但是由于选通线116的数目增加了两倍，因此装置的可操作时间减少了一半，并且为了这个原因，需要考虑到充电效率和充电速率的设计。因此，在本发明中，在空的空间的数据线区域中形成第一公共线108a和第二公共线108b，并且通过将公共信号施加到所述第一公共线108a和所述第二公共线108b，能够防止装置的可操作时间缩短。
[0077]此外，在根据本发明的第一实施方式的IXD装置中，第二存储电极123b (123b’)形成在第一公共线108a和第二公共线108b之间，并且因此，第一子存储电容器和第二子存储电容器与所述第二存储电极123b (123b’)一起形成。因此，能够充分地保证存储电容。
[0078]在这种情况下，由于保证了足够的存储电容，因此能够减小主存储电容器的面积，并且因此，保证了开放区域，从而提高了孔径比。
[0079]如上所述，通过使用DRD结构，降低了成本，但是由于选通线116的数目增加了两倍，因此孔径比与选通线的数目的增加成反比地降低。在DRD结构中，在垂直方向上进一步设置了选通线116，因此，孔径比减小。存储电容器是在一帧期间保持充电电压的必要元件并且通常设置在开放区域中，因此影响了孔径比。在本发明中，存储电容器(即，子存储电容)形成在为非开放区域的数据线区域中，并且形成具有双层结构的子存储电容器，从而提高了孔径比。
[0080]在下文中，将参照附图对制造用于根据本发明的第一实施方式的具有上述结构的LCD装置的阵列基板的方法进行详细的描述。
[0081]图5A至图5E是顺序地例示了制造在图3中例示的根据本发明的第一实施方式的用于LCD装置的阵列基板的工艺的平面图。
[0082]图6A至图6E是顺序地例示了制造在图4中例示的根据本发明的第一实施方式的用于LCD装置的阵列基板的工艺的横截面图。
[0083]如在图5A和图6A中例示的，在基板110上形成栅极121、选通线116、公共线108L和第一连接线108a，该基板110由透明的绝缘体(例如玻璃)形成。
[0084]栅极121配置选通线116的一部分，并且公共线108L可以在基本上平行于选通线116的方向上形成。
[0085]连接到公共线108L的第一连接线108a基本上在垂直于选通线116的方向上形成，并且形成在空的空间的、为非开放区域的数据线区域中。
[0086]虽然未示出，但是选通线116可以两个两个地设置在一个像素中，用于应用DRD结构。
[0087]在这种情况下，在整个基板110上沉积第一导电层，并且接着，通过光刻工艺(第一掩模工艺)选择性地对该第一导电层进行构图来形成栅极121、选通线116、公共线108L和第一连接线108a。
[0088]这里，第一导电层可以由低电阻不透明导电材料(例如铝(Al)、铝合金、钨(W)、铜(Cu)、铬(Cr)、钥(Mo)和钥合金)形成。另外，该第一导电层可以形成为两种或更多种低电阻不透明导电材料堆叠的多层结构。
[0089]接着，如在图5B和图6B中所例示的，在形成有栅极121、选通线116、公共线108L和第一连接线108a的基板100的整个上形成栅绝缘层115a、非晶硅薄层和η+非晶硅薄层。
[0090]接着，通过使用光刻工艺(第二掩模工艺)选择性地去除非晶硅薄层和η+非晶硅薄层，在基板110的栅极121上形成由非晶硅薄层形成的有源层124。
[0091]此时，在有源层124上形成η+非晶硅薄层，并且形成以与该有源层124的图案基本上相同的图案被构图的η+非晶硅薄层图案125。
[0092]接着，如在图5C和图6C中所例示的，在形成有有源层124和η+非晶硅薄层图案125的基板100的整个上形成第二导电层。
[0093]在这种情况下，第二导电层可以由低电阻不透明导电材料(例如铝(Al)、铝合金、钨(W)、铜(Cu)、铬(Cr)、钥(Mo)和钥合金)形成，用于形成源极、漏极和数据线。另外，该第二导电层可以形成为两种或更多种低电阻不透明导电材料堆叠的多层结构。
[0094]接着，通过光刻工艺(第三掩模工艺)选择性地去除η+非晶硅薄层和第二导电层，在有源层124上形成由第二导电层形成的源极122和漏极123。
[0095]此外，通过第三掩模工艺在基板110的数据线区域中形成与选通线116 —起限定像素的数据线117。在一个像素中，数据线117可以两个两个地设置，用于应用DRD结构。在这种情况下，如上所述，可以在空的空间的数据线区域中设置第一连接线108a。
[0096]在这种情况下，在有源层124上形成η+非晶硅薄层，并且形成分别欧姆接触该有源层124的具有源极122和漏极123的源区和漏区的欧姆接触层125η。
[0097]另外，源极122的一部分在一个方向上延伸，并且连接到数据线117。
[0098]漏极123的一部分沿着公共线108L在该公共线108L上延伸，以配置第一存储电极123a。第一存储电极123a的一部分沿着第一连接线108a在该第一连接线108a上延伸，以形成第二存储电极123b (123b’)。
[0099]在这种情况下，第一存储电极123a与公共线108L的一部分在该公共线108L上交叠，以配置主存储电容器。第二存储电极123b (123b’)与第一连接线108a的一部分上在该第一连接线108a上交叠，以配置第一子存储电容器。
[0100]在本发明的第一实施方式中，如下情况作为不例来描述，但是本实施方式不限于此:通过二次掩模工艺来形成有源层124、欧姆接触层125η和数据线(S卩，源极122、漏极123和数据线117)的情况。例如，有源层124、欧姆接触层125η和数据线可以通过使用半色调掩模或衍射掩模由一次掩模工艺来形成。
[0101]接着，如在图和图6D中所例示的，在形成有有源层124、源极122、漏极123和数据线117的基板110的整个上形成保护层115b。
[0102]在这种情况下，保护层115b可以由无机绝缘层(例如SiNx或S12)或有机绝缘层(例如感光性丙烯酸类材料(photo acryl))形成。
[0103]接着，通过光刻工艺(第四掩模工艺)选择性地去除保护层115b来形成使第一存储电极123a的一部分露出的第一接触孔140a，并且通过选择性地去除栅绝缘层115a和保护层115b来形成使第一连接线108a的一部分露出的第二接触孔140b。在这种情况下，本发明并不限于形成第一接触孔140a和第二接触孔140b的位置。
[0104]接着，如在图5E和图6E所例示的，在整个基板110上形成第三导电层。
[0105]该第三导电层可以由具有良好的透射率的透明导电材料(例如铟锡氧化物(ITO)或者铟锌氧化物(IZO))形成，用于形成公共电极和像素电极。
[0106]接着，通过光刻工艺(第五掩模工艺)选择性地去除第三导电层来形成多个公共电极108和多个像素电极118，它们由像素中的第三导电层形成并且交替地设置以产生横向电场。
[0107]所述多个公共电极108中的每一个的一端连接到与选通线116基本上平行布置的公共电极线1081，并且该公共电极线1081连接到在数据线区域(即，其中形成有数据线117的区域或者其中没有形成数据线117的空的空间)中形成的第二连接线108b。
[0108]在其中没有形成数据线117的空的空间中形成的第二连接线108b通过在栅绝缘层115a和保护层115b中形成的第二接触孔140b电连接到第一连接线108a,该第一连接线108a形成在该第二连接线108b的下方。因此，通过公共线108L向多个公共电极108提供公共电压。
[0109]第二存储电极123b (123b’)与第二连接线108b的一部分在该第二连接线108b下面交叠，以配置第二子存储电容器。
[0110]如上所述，第二存储电极123b (123b’)在左右两个像素中的每一个中配置子存储电容器，所述左右两个像素在一个数据线区域中被上下划分并且彼此相邻。也就是说，第二存储电极123b(123b’)在中间部分被切开，因此用作配置左右两个像素中的子存储电容器的存储电极。这里，切口间隙没有占据整个长度的一大部分，并且可以具有除了由第二接触孔140b所占据的区域以外的分隔距离。
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