]随后，虽然未示出，但是在通过柱状间隔件来保持一定单元间隙的状态下，具有上述结构的阵列基板通过密封剂面对面稱接(facing-coupled)到滤色器基板,该密封剂形成在图像显示区的外部。在这种情况下，在滤色器基板上形成防止光泄露到TFT的黑底、选通线和数据线、实现红色、绿色和蓝色的滤色器、以及涂覆层。
[0112]在根据本实施方式的子存储电容器的结构中，下面的第一连接线108a和上面的第二连接线108b可以形成为开放结构(open structure)而不是封闭结构(closedstructure)，并且可以在结构使得存储电容器能够得以形成的情况下以各种类型来实现。
[0113]图7A至图7D是例示了作为示例的各种子存储电容器的结构的横截面图。
[0114]图7A例示了根据本发明的第一实施方式的上述子存储电容器的结构。如所例示的，第一连接线108a和第二连接线108b全部形成为封闭结构。
[0115]另一方面，图7B例示了其中上面的第二连接线108b’形成为开放结构的情况，并且图7C例示了其中下面的第一连接线108a’形成为开放结构的情况。
[0116]此外，图7D例示了其中下面的第一连接线108a’和上面的第二连接线108b’全部形成为开放结构的情况。
[0117]根据本实施方式的第二连接线可以连接到上面的像素的第二连接线和下面的像素的第二连接线，因此可以完全具有网格类型。这将通过本发明的第二实施方式来描述。
[0118]图8是示意性地例示了根据本发明的第二实施方式的用于LCD装置的阵列基板的一部分的平面图。
[0119]在阵列基板上实际上形成有由N条选通线和M条数据线之间的交叉所限定的MXN个像素，但为了描述的简明，在图中例示了一个像素。
[0120]作为示例，图8例示了用于其中公共电极和像素电极平行设置在一个基板上以产生垂直电场的IPS模式LCD装置的阵列基板的一部分。然而，本发明不限于所述IPS模式LCD装置。例如，本发明可以被应用到所有的液晶模式，例如TN模式、FFS模式和VA模式。
[0121]此外，本发明可以以各种类型来实现，例如透射型IXD装置、半透射型IXD装置和反射型IXD装置。
[0122]如在图中所例示的，根据本发明的第二实施方式的用于LCD装置的阵列基板包括:多条选通线216，其在一个方向上延伸并平行地布置在基板上；以及多条数据线217，其布置成与所述多条选通线116交叉并限定多个像素。
[0123]所述多个像素中的每一个都包括薄膜晶体管(TFT)，该薄膜晶体管包括:连接到相应的选通线216的栅极221、有源层224、连接到相应的数据线217的源极222、以及形成U形或L形通道的漏极223。
[0124]在这种情况下，有源层224可以由非晶硅薄层、多晶硅薄层或氧化物半导体形成。
[0125]在每个像素中，透明公共电极208和透明像素极218以位于它们之间的、将选通线216和数据线217隔开的空间来交替地设置。
[0126]多个所述公共电极208中的每一个的一端连接到与选通线216基本上平行布置的公共电极线108。公共电极线2081连接到在数据线区域(即，其中形成有数据线217的区域或者其中没有形成数据线217的空的空间)中形成的第二连接线208b。
[0127]在其中没有形成数据线217的空的空间中形成的第二连接线208b通过在栅绝缘层215a和保护层215b中形成的第二接触孔240b电连接到第一连接线208a，第一连接线208a形成在该第二连接线208b的下方。在这种情况下,第一连接线208a连接到与选通线216基本上平行布置的公共线208L，因此，通过该公共线208L向所述多个公共电极208提供公共电压。
[0128]根据本发明的第二实施方式的第二连接线208b可以连接到上面的像素的第二连接线208b和下面的像素的第二连接线208b，并且因而可以完全具有网格类型。
[0129]多个所述像素电极218中的每一个的一端连接到与选通线216基本上平行布置的像素电极线2181，该像素电极线2181通过在保护层215b处形成的第一接触孔240a电连接到从漏极223延伸第一存储电极223a。因此，通过该漏极223向所述多个像素电极218中的每一个提供数据信号。
[0130]这里，第一存储电极223a与公共线208L的一部分在该公共线208L上交叠，以配置主存储电容器。
[0131]第一存储电极223a延伸到第一连接线208a，以形成第二存储电极223b (223b’)。第二存储电极223b (223b’)与第一连接线208a的一部分在该第一连接线208a的上面交叠，以配置第一子存储电容器。另外，该第二存储电极223b (223b’)与第二连接线208b的一部分在该第二连接线208b下面交叠，以配置第二子存储电容器。
[0132]在这种情况下，如上所述，第二存储电极223b (223b’)在左右两个像素中的每一个中配置子存储电容器，所述左右两个像素在一个数据线区域中被上下划分并且彼此相邻。也就是说，第二存储电极223b (223b’)在中间部分被切开，因此用作配置左右两个像素中的子存储电容器的存储电极。这里，切口间隙没有占据整个长度的一大部分，并且可以具有除了由第二接触孔240b所占据的区域以外的分隔距离。
[0133]与本发明的上述的第一实施方式类似，根据本发明的第二实施方式的LCD装置使用DRD结构，其中，数据线217的数目减少了一半，数据驱动单元的IC的数目减少了一半，而分辨率保持与现有的分辨率相同。因此，降低了 LCD装置的制造成本，另外，可以通过执行列反转方法来降低功耗。
[0134]由于数据线217的数目减少了一半，因此形成了其中没有形成数据线217的空的空间的数据线区域。在根据本发明的第一实施方式的LCD装置中，第一公共线208a和第二公共线208b形成在所述空的空间的所述数据线区域中，并且通过将公共信号施加到所述第一公共线208a和所述第二公共线208b，能够防止装置的可操作时间缩短。
[0135]具体地，在本发明的第二实施方式中，上面像素的第二连接线208b连接到下面像素的第二连接线208b，并且因而，能够更有效地施加公共信号。因此，能够解决装置的可操作时间缩短的问题。
[0136]此外，在根据本发明的第二实施方式的IXD装置中，第二存储电极223b(223b’)形成在第一公共线208a和第二公共线208b之间，因此，第一子存储电容器和第二子存储电容器与所述第二存储电极223b (223b’)一起形成。因此，能够充分地保证存储电容。
[0137]在这种情况下，由于保证了足够的存储容量，因此能够减小主存储电容器的面积，并且因此，保证了开放区域，从而提高了孔径比。
[0138]本发明可以被应用到三倍速率驱动(TRD)结构，其中，数据线的数目与上述的DRD结构相比减少了三分之一。现在将参照附图对此进行详细地描述。
[0139]图9是示意性地例示了根据本发明的实施方式的具有TRD结构的IXD装置的像素结构的示图。
[0140]除了数据线的数目减少了三分之一和选通线的数目增加了三倍以外，图9中例示的LCD装置具有与具有DRD结构的上述LCD装置的结构基本相同的结构。
[0141]如例示的，例如，在具有TRD结构的IXD装置中，设置在一条水平线上的三个像素P11、P12和P13连接到一条数据线DLl以及三条选通线GL1、GL2和GL3，并且设置在下一条水平线上的三个像素P21、P22和P23连接到这一条数据线DLl和另外的三条选通线GL4、GL5 和 GL6。
[0142]例如，在这样的阵列像素中，其中施加红色数据的红色液晶单元、其中施加绿色数据的绿色液晶单元和其中施加蓝色数据的蓝色液晶单元沿着列方向交替地设置。在该像素阵列中，多个像素(P11、P12、...)中的每一个都包括沿着与所述列方向交叉的行方向彼此相邻的红色液晶单元、绿色液晶单元和蓝色液晶单元。
[0143]在这种情况下，共用相同的数据线(DL1、DL2、...)的三个液晶单元顺序地连接到三条相邻的选通线(GL1、GL2、GL3、GL4、GL5、GL6、...)。
[0144]在具有根据本实施方式的TRD结构的IXD装置中，由于数据线(DL1、DL2、...)的数目减少了三分之一，因此形成了其中没有形成数据线(DL1、DL2...)的空的空间的数据线区域。在这种情况下，与具有DRD的上述LCD装置类似，具有根据本实施方式的TRD结构的IXD装置将公共信号施加到第一公共线108a和第二公共线108b，从而防止了装置的可操作时间缩短。
[0145]另外，在根据本实施方式的具有TRD结构的LCD装置中，第二存储电极形成在第一公共线和第二公共线之间，因此，第一子存储电容器和第二子存储电容器与该第二存储电极一起形成。因此，能够充分地保证存储电容。
[0146]本发明可以被有效地应用于DRD结构或TRD结构，其中，用于形成子存