储电容器的区域被保证。然而，即使在正常结构，而不是DRD结构或TRD结构中，当由于至少一条或更多条数据线没有被形成而保证了用于形成子存储电容器的区域时，本发明可以被应用于正常结构。
[0147]图10是示意性地例示了根据本发明的实施方式的具有正常结构的IXD装置的像素结构的示图。
[0148]除了数据线的数目和选通线的数目以外，图10中例示的IXD装置具有与具有DRD结构的上述IXD装置和具有TRD结构的上述IXD装置的结构基本上相同的结构。
[0149]如所例示的，例如，在具有正常结构的IXD装置中，设置在一条水平线上的一个像素P11(P12、P13或P14)连接到一条数据线DLl (DL2、DL3或DL4)和一条选通线GLl，并且设置在下一条水平线上的一个像素P21 (P22、P23或P24)连接到这一条数据线DLl (DL2、DL3或DL4)和另外的一条选通线GL2。
[0150]例如，在这样的阵列像素中，其中施加了红色数据的红色液晶单元、其中施加了绿色数据的绿色液晶单元和其中施加了蓝色数据的蓝色液晶单元沿着列方向交替地设置。在该像素阵列中，多个像素(P11、P12、...)中的每一个都包括沿着与所述列方向交叉的行方向彼此相邻的红色液晶单元、绿色液晶单元和蓝色液晶单元。
[0151]在这种情况下，某些数据线(DL2、DL3、...)彼此相邻地设置，因此，形成其中没有形成所述某些数据线(DL2、DL3、...)的空的空间的数据线区域。与具有DRD结构的上述IXD装置和具有TRD结构的上述IXD装置类似，在该数据线区域中形成第一公共线CL和第二公共线CL。
[0152]在根据本发明的实施方式的LCD装置中，使用非晶硅薄层作为有源层的非晶硅TFT被当作一个示例来描述，但本发明不限于此。本发明可以被应用于使用多晶硅薄层和氧化物半导体作为有源层的多晶硅TFT和氧化物TFT。
[0153]此外，除了 IXD装置以外，本发明可以被应用于使用TFT的其它显示装置(例如，有机发光显示装置，其中，有机发光二极管(OLED)连接到驱动晶体管)。
[0154]如上所述，在根据本发明的实施方式的用于LCD装置的阵列基板及其制造方法中，通过使用其中在数据线区域中保证空的空间的结构作为其中数据线的数目减少一半的DRD结构，电容通过在所述空的空间的所述数据线区域中形成子存储电容器而被充分地保证，因此，主存储电容器的面积可以减小。因此，能够降低成本，此外，能够提高孔径比。
[0155]前述的实施方式和优点仅仅是示例性的，而不应被认为是限制本公开个。本教导可以容易地应用于其它类型的装置。本说明书意在是说明性的，而不限制权利要求的范围。许多替代方案、修改和变型对于本领域技术人员将是明显的。本文中所描述的示例性实施方式中的特征、结构、方法和其它特性可以以各种方式组合，以获得附加和/或替代的示例性实施方式。
[0156]由于本特征可以在不脱离其特性的情况下以数种形式来体现，因此还应当理解的是，上述的实施方式不受前述描述的任何细节所限制，除非另外说明，否则应当被广泛地视为在其如所附权利要求书限定的范围内，并且因此落入所述权利要求书的边界和界限或者这样的边界和界限的等同物内的所有改变和修改都因此意在由所附权利要求书所涵盖。
【主权项】
1.一种制造用于液晶显示LCD装置的阵列基板的方法，该方法包括以下步骤: 在基板上形成栅极、选通线、公共线和第一连接线； 在形成有所述栅极、所述选通线、所述公共线和所述第一连接线的所述基板上形成栅绝缘层； 在形成有所述栅绝缘层的所述栅极上形成有源层； 在形成有所述有源层的所述基板上形成源极和漏极，并且同时形成与所述选通线交叉以限定像素的数据线； 在形成有所述源极、所述漏极和所述数据线的所述基板上形成保护层；以及 在形成有所述保护层的所述基板上形成公共电极、像素电极和第二连接线， 其中，至少两个或更多个相邻的像素共用一条数据线或者两条相邻的数据线彼此相邻地设置在一个像素中，并且当没有形成所述数据线的空的空间的数据线区域被形成时，在所述空的空间的所述数据线区域中形成所述第一连接线和所述第二连接线。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在平行于所述选通线的方向上形成所述公共线。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，连接到所述公共线的所述第一连接线在垂直于所述选通线的方向上形成，并且形成在所述空的空间的、为非开放区域的所述数据线区域中。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述漏极的一部分沿着所述公共线在所述公共线上延伸，以形成第一存储电极。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一存储电极的一部分沿着所述第一连接线在所述第一连接线上延伸，以形成第二存储电极。
6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一存储电极与所述公共线的一部分在所述公共线上交叠，以形成主存储电容器。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二存储电极在左右两个像素中的每一个中配置子存储电容器，所述左右两个像素在一个数据线区域中被上下划分并且彼此相邻。
8.根据权利要求1所述的方法，其中， 多个所述公共电极中的每一个的一端连接到与所述选通线平行布置的公共电极线，并且 所述公共电极线连接到在数据线区域中形成的所述第二连接线，其中，所述数据线区域即为形成有所述数据线的区域或者没有形成所述数据线的空的空间。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，多个所述像素电极中的每一个的一端连接到与所述选通线平行布置的像素电极线。
10.一种用于液晶显示IXD装置的阵列基板，该阵列基板包括: 栅极、选通线、公共线和第一连接线，其形成在基板上； 栅绝缘层，其形成在形成有所述栅极、所述选通线、所述公共线和所述第一连接线的所述基板上； 有源层，其形成在形成有所述栅绝缘层的所述栅极上； 源极和漏极以及数据线，所述源极和所述漏极形成在形成有所述有源层的所述基板上，所述数据线与所述选通线交叉以限定像素； 保护层，其形成在形成有所述源极、所述漏极和所述数据线的所述基板上；以及 公共电极、像素电极和第二连接线，其形成在形成有所述保护层的所述基板上， 其中，至少两个或更多个相邻的像素共用一条数据线或者两条相邻的数据线彼此相邻地设置在一个像素中，并且当没有形成所述数据线的空的空间的数据线区域被形成时，在所述空的空间的所述数据线区域中形成所述第一连接线和所述第二连接线。
11.根据权利要求10所述的阵列基板，其中，在平行于所述选通线的方向上形成所述公共线。
12.根据权利要求10所述的阵列基板，其中，连接到所述公共线的所述第一连接线在垂直于所述选通线的方向上布置，并且布置在所述空的空间的、为非开放区域的所述数据线区域中。
13.根据权利要求10所述的阵列基板，其中，所述漏极的一部分沿着所述公共线在所述公共线上延伸，以配置第一存储电极。
14.根据权利要求13所述的阵列基板，其中，所述第一存储电极的一部分沿着所述第一连接线在所述第一连接线上延伸，以配置第二存储电极。
15.根据权利要求13所述的阵列基板，其中，所述第一存储电极与所述公共线的一部分在所述公共线上交叠，以配置主存储电容器。
16.根据权利要求14所述的阵列基板，其中，所述第二存储电极与所述第一连接线的一部分在所述第一连接线上交叠，以配置第一子存储电容器。
17.根据权利要求16所述的阵列基板，其中，所述第二存储电极与所述第二连接线的一部分在所述第二连接线的下面交叠，以配置第二子存储电容器。
18.根据权利要求17所述的阵列基板，其中，所述第二存储电极在左右两个像素中的每一个中配置子存储电容器，所述左右两个像素在一个数据线区域中被上下划分并且彼此相邻。
19.根据权利要求10所述的阵列基板，其中， 多个所述公共电极中的每一个的一端连接到与所述选通线平行布置的公共电极线，并且 所述公共电极线连接到在数据线区域中形成的所述第二连接线，其中，所述数据线区域即为形成有所述数据线的区域或者没有形成所述数据线的空的空间。
20.根据权利要求10所述的阵列基板，其中，多个所述像素电极中的每一个的一端连接到与所述选通线平行布置的像素电极线。
【专利摘要】公开了一种用于液晶显示装置的阵列基板及其制造方法。通过使用在数据线区域中保证空的空间的结构作为数据线的数目减少一半的DRD结构，电容通过在所述空的空间的所述数据线区域中形成子存储电容器而被充分地保证，因此，可以减小主存储电容器的面积。因此，能够降低成本，此外，能够提高孔径比。
【IPC分类】G02F1-1343, G02F1-1362
【公开号】CN104635391
【申请号】CN201410643110
【发明人】赵诚俊, 郑英敃, 尹奎相, 张衍喜
【申请人】乐金显示有限公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2014年11月7日
【公告号】US20150129877