’截取的横截面的示图；
[0042]图5A至图5E是顺序地例示了制造在图3中例示的根据本发明的第一实施方式的用于LCD装置的阵列基板的工艺的平面图；
[0043]图6A至图6E是顺序地例示了制造在图4中例示的根据本发明的第一实施方式的用于LCD装置的阵列基板的工艺的横截面图；
[0044]图7A至图7D是例示了作为示例的各种子存储电容器的结构的横截面图；
[0045]图8是示意性地例示了根据本发明的第二实施方式的用于LCD装置的阵列基板的一部分的平面图；
[0046]图9是示意性地例示了根据本发明的实施方式的具有TRD结构的IXD装置的像素结构的示图；以及
[0047]图10是示意性地例示了根据本发明的实施方式的具有正常结构的IXD装置的像素结构的示图。
【具体实施方式】
[0048]下面将参照附图详细地给出示例性的实施方式的描述。为了便于参照附图简要描述，相同或等同的组件将设置有相同的附图标记，并且其描述将不再重复。
[0049]在下文中，将参照附图详细地描述实施方式，使得它们可以由本发明所属的技术领域中的技术人员容易地实践。
[0050]本发明的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法将通过结合附图在下文中描述的实施方式来详细阐明。然而，本发明的实施方式可以，但是，以许多不同的形式来实现，并且不应当被解释为限于本文中所阐述的实施方式。相反地，提供这些实施方式，以使得本发明将是透彻和完整的，并且将充分地传达本发明的范围给本领域技术人员，而且本发明的范围是由本发明的权利要求范围来限定的。在整个说明书中，相同的附图标记将被用于表示相同或相似的组件。在附图中，元件的尺寸或形状可以为了描述的清楚和方便而夸大地例示。
[0051]将要理解的是，当一个元件或层被称为在另一个元件或层“上(on) ”或“连接到”另一个元件或层时，它能够直接地在另一个元件或层上面或直接连接到另一个元件或层，或者可以存在介于中间的元件或层。
[0052]相对术语，例如“下面的(lower) ”或“底部(bottom) ”和“上面的(upper) ”或“顶部(top) ”可以在本文中被用于描述一个或更多个元素与另外的元件之间的关系，如在图中例示的。将要理解的是，相对术语意在包含该装置的除了在附图中描述的方位以外的不同方位。例如，如果在图中的装置被翻转，则被描述为位于其它元件的“下面的”侧上的元件将随后被导向在所述其它元件的“上面的”侧上。示例性术语“下面的”能够因此包含“下面的”和“上面的”这两种方位，这取决于图中的特定取向。类似地，如果所述图中的一幅中的装置被翻转，则被描述为在其它元件“下方(below)”或“之下(beneath) ”的元件将随后被定向为在所述其它元件“上方”。术语“下方”或“之下”能够因此包含上方和下方这两种方位。
[0053]本文中使用的术语仅用来描述描述特定实施方式，并不意在限制示例实施方式。如本文中所使用的，除非上下文另外明确地指出，否则单数形式“一(a)”、“一个(an)”和“该(the)”也意在包括复数形式。将进一步理解的是，当在本说明书中使用术语“包含(comprises) ”和/或“包括(comprising) ”时,说明存在所述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
[0054]图2是示意性地例示了根据本发明的实施方式的具有DRD结构的IXD装置的像素结构的示图。
[0055]如图2所示，例如，在具有DRD结构的IXD装置中，设置在一条水平线上的两个像素Pll和P12(P13和P14)连接到一条数据线DLl (DL2)和两条选通线GLl和GL2 (GLl和GL2)，并且设置在下一条水平线上的两个像素P21和P22 (P23和P24)连接到这一条数据线DLl (DL2)和另外两条选通线GL3和GL4 (GL3和GL4)。
[0056]例如，在这样的阵列像素中，其中施加红色数据的红色液晶单元、其中施加绿色数据的绿色液晶单元和其中施加蓝色数据的蓝色液晶单元沿着列方向交替地设置。在该像素阵列中，多个像素(P11、P12、...)中的每一个都包括沿着与所述列方向交叉的行方向彼此相邻的红色液晶单元、绿色液晶单元和蓝色液晶单元。
[0057]在这种情况下，共用相同的数据线(DL1、DL2、...)的两个液晶单元顺序地连接到两条相邻的选通线(GL1、GL2、GL3、GL4、GL5、GL6、...)。
[0058]例如，在具有DRD结构的LCD装置中，当具有相同极性的数据信号在一帧期间被施加到一条数据线(DL1、DL2、...)以使闪烁最小化并减少功耗时，可以实现列反转。
[0059]图3是示意性地例示了根据本发明的第一实施方式的用于LCD装置的阵列基板的一部分的平面图。
[0060]图4是示意性地例示了在图3中例示的根据本发明的第一实施方式的用于LCD装置的阵列基板的、沿着线A-A’截取的横截面的示图。
[0061]在这种情况下，在阵列基板上实际上形成有由N条选通线和M条数据线之间的交叉所限定的MXN个像素，但为了描述的简明，在图中例示了一个像素。
[0062]作为示例，图3例示了用于其中公共电极和像素电极平行设置在一个基板上以产生垂直电场的IPS模式LCD装置的阵列基板的一部分。然而，本发明不限于所述IPS模式LCD装置。例如，本发明可以被应用到所有的液晶模式，例如TN模式、边缘场切换(FFS)模式和垂直取向(VA)模式。
[0063]此外，本发明可以以不同的类型来实现，例如透射型IXD装置、半透射型IXD装置和反射型LCD装置。作为参考，透射型LCD装置和半透射型LCD装置需要背光单元，所述背光单元可以以直接型或边缘型来实现。
[0064]如图中所例示的，根据本发明的第一实施方式的用于LCD装置的阵列基板包括:多条选通线116，其在一个方向上延伸并平行布置在基板10上；以及多条数据线117，其布置成与所述多条选通线116交叉并限定多个像素。
[0065]所述多个像素中的每一个都包括薄膜晶体管(TFT)，该薄膜晶体管包括:连接到相应的选通线116的栅极121、有源层124、连接到相应的数据线117的源极122、以及形成U形或L形通道的漏极123。
[0066]在这种情况下，有源层124可以由非晶硅薄层、多晶硅薄层或氧化物半导体形成。例如，当有源层124由非晶硅薄层形成时，该有源层124的源区和漏区通过在该有源层124上形成的欧姆接触层125η电连接到源极122和漏极123。
[0067]在每个像素中，透明公共电极108和透明像素电极118以位于它们之间的、将选通线116和数据线117隔开的空间交替地设置。
[0068]多个所述公共电极108中的每一个的一端连接到与选通线116基本上平行布置的公共电极线108。公共电极线1081连接到在数据线区域(即，其中形成有数据线117的区域或者其中没有形成数据线117的空的空间)中形成的第二连接线108b。
[0069]在其中没有形成数据线117的空的空间中形成的第二连接线108b通过在栅绝缘层115a和保护层115b中形成的第二接触孔140b电连接到第一连接线108a,该第一连接线108a形成在该第二连接线108b的下方。在这种情况下,第一连接线108a连接到与选通线116基本上平行布置的公共线108L，并且因此，通过该公共线108L向所述多个公共电极108提供公共电压。
[0070]多个所述像素电极118中的每一个的一端连接到与选通线116基本上平行布置的像素电极线1181，该像素电极线1181电连接到第一存储电极123a，其从漏极123通过在保护层115b处形成的第一接触孔140a延伸。因此，通过该漏极123向所述多个像素电极118中的每一个提供数据信号。
[0071]这里，第一存储电极123a与公共线108L的一部分在该公共线108L上交叠，以配置主存储电容器。
[0072]第一存储电极123a延伸到第一连接线108a，以形成第二存储电极123b (123b’)。第二存储电极123b (123b’)与第一连接线108a的一部分在该第一连接线108a的上面交叠，以配置第一子存储电容器。另外，该第二存储电极123b(123b’)与第二连接线108b的一部分在该第二连接线108b下面交叠，以配置第二子存储电容器。
[0073]在这种情况下，第二存储电极123b (123b’)在左右两个像素中的每一个中配置子存储电容器，所述左右两个像素在一个数据线区域中被上下划分并且彼此相邻。也就是说，第二存储电极123b (123b’)在中间部分被切开，并且因此用作配置左右两个像素中的子存储电容器的存储电极。这里，切口间隙没有占据整个长度的一大部分，并且可以具有除了由第二接触孔140b所占据的区域以外的分隔距离。
[0074]如上所述，根据本发明的第一实施方式的IXD装置使用DRD结构，在所述DRD结构中，数据线