一种掩膜板及阵列基板的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种掩膜板及阵列基板的制造方法。
【背景技术】
[0002]在TFT (英文:Thin Film Transistor ;中文:薄膜晶体管)液晶面板中，为了减小液晶面板的边框宽度，通常是通过GOA (英文:Gate On Array ;中文:阵列基板行驱动)技术，将栅极驱动电路集成在液晶面板的阵列基板上，来代替外接的驱动芯片，从而实现液晶面板的显示功能。而阵列基板一般包括GOA区域和显示区域，在GOA区域中，需要通过形成贯穿GI (英文:Gate Insulator ;中文:栅绝缘)层的过孔，将栅线与源漏金属层进行连接；在显示区域中，同样需要通过形成过孔将TFT的漏极与像素电极进行连接。
[0003]现有技术通常是制作两块掩膜板，即，采用GI掩膜板和VIA (中文:过孔)掩膜板分别形成位于GOA区域和显示区域的过孔。但是，制作两块掩膜板会增加产品的制造成本。
【发明内容】
[0004]为了解决现有技术的问题，本发明实施例提供了一种掩膜板及阵列基板的制造方法。所述技术方案如下:
[0005]一方面，提供了一种掩膜板，所述掩膜板包括:对应阵列基板行驱动电路GOA区域的第一区域和对应阵列基板显示区域的第二区域；
[0006]所述第一区域具有至少一个第一开口，所述至少一个第一开口用于在所述阵列基板GOA区域形成栅绝缘层GI过孔，所述GI过孔用于暴露出栅线；
[0007]所述第二区域具有至少一个第二开口，所述至少一个第二开口为半色调掩膜开口，所述至少一个第二开口用于在所述阵列基板显示区域形成VIA过孔，所述VIA过孔用于暴露出源漏金属层的图案。
[0008]另一方面，提供了一种阵列基板的制造方法，采用上述的掩膜板，所述方法包括:
[0009]在透明基板上形成栅线的图案；
[0010]在形成有栅线图案的基板上形成栅绝缘层；
[0011]在所述栅绝缘层的表面，采用掩膜板，通过构图工艺在阵列基板行驱动电路GOA区域形成至少一个栅绝缘层GI过孔，所述至少一个GI过孔用于贯穿所述栅绝缘层以暴露出所述栅线；
[0012]在形成有至少一个GI过孔的基板表面依次形成有源层和源漏金属层的图案，在所述GOA区域，所述栅线与所述源漏金属层的图案在所述至少一个GI过孔位置处直接相连；
[0013]在形成有有源层和数据线图案的基板上形成保护层；
[0014]在所述保护层的表面，采用所述掩膜板，通过构图工艺在所述阵列基板显示区域形成至少一个VIA过孔，所述至少一个VIA过孔用于贯穿所述保护层以暴露出所述源漏金属层的图案。
[0015]在本发明实施例中，该掩膜板上包括至少一个第一开口和至少一个第二开口，通过第一开口可以在阵列基板GOA区域形成GI过孔，通过第二开口可以在阵列基板显示区域形成VIA过孔，也即是，将形成GOA区域GI过孔的第一开口和形成显示区域VIA过孔的第二开口制作在同一个掩膜板上，两种过孔采用同一块掩膜板形成，降低了产品的制造成本。
【附图说明】
[0016]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1是本发明实施例提供的一种掩膜板结构示意图；
[0018]图2是本发明实施例提供的另一种掩膜板结构示意图；
[0019]图3是本发明实施例提供的一种阵列基板制造方法的流程图；
[0020]图4是本发明实施例提供的另一种阵列基板制造方法的流程图；
[0021]图5是本发明实施例提供的一种形成有栅线图案的基板结构示意图；
[0022]图6是本发明实施例提供的一种形成有栅极绝缘层的基板结构示意图；
[0023]图7是本发明实施例提供的一种形成有GOA区域GI过孔的基板结构示意图；
[0024]图8是本发明实施例提供的一种形成有数据线图案的基板结构示意图；
[0025]图9是本发明实施例提供的一种形成有保护层的基板结构示意图；
[0026]图10是本发明实施例提供的一种在GOA区域的保护层形成过孔的基板结构示意图；
[0027]图11是本发明实施例提供的一种在GOA区域保护层的过孔处形成ITO图案的基板结构示意图。
[0028]附图标记:
[0029]1:第一区域；2:第二区域；3:第三区域；4:第四区域；
[0030]11:第一开口 ；21:第二开口 ；31:第三开口 ；41:第四开口 ；
[0031]51:透明基板；52:栅线的图案；53:栅绝缘层；54:GI过孔；55:源漏金属层的图案;56:保护层；57:过孔；58:透明电极的图案。
【具体实施方式】
[0032]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
[0033]本发明实施例提供了一种掩膜板，参见图1，该掩膜板包括:对应阵列基板GOA区域的第一区域I和对应阵列基板显示区域的第二区域2。
[0034]第一区域I具有至少一个第一开口 11，至少一个第一开口 11用于在阵列基板GOA区域形成栅绝缘层GI过孔，该GI过孔用于暴露出栅线；第二区域2具有至少一个第二开口21，至少一个第二开口 21为半色调掩膜开口，至少一个第二开口用于在阵列基板显示区域形成VIA过孔。
[0035]在本发明实施例中，该掩膜板上包括至少一个第一开口和至少一个第二开口，通过第一开口可以在阵列基板GOA区域形成GI过孔，通过第二开口可以在阵列基板显示区域形成VIA过孔，也即是，将形成GOA区域GI过孔的第一开口和形成显示区域VIA过孔的第二开口制作在同一个掩膜板上，两种过孔采用同一块掩膜板形成，降低了产品的制造成本。
[0036]需要说明的是，在本发明实施例中，半色调掩模开口是指不完全透光的开口，在实际应用的过程中，可以根据需要通过在完全透光的开口中加装滤光结构实现半色调的掩模，具体的，将至少一个第二开口 21设置为半色调掩膜开口，当通过该掩膜板形成GOA区域的GI过孔时，不会对阵列基板中显示区域的栅绝缘层产生影响。另外，在本发明实施例中，阵列基板的显示区域为该阵列基板中的有效显示区域，也即是，该阵列基板中的透光区域。
[0037]可选地，参见图2，该掩膜板还包括:对应阵列基板IC Pad(英文:IntegratedCircuit Pad;中文:集成电路接口 )区域的第三区域3。
[0038]第三区域3具有至少一个第三开口 31，至少一个第三开口 31为半色调掩膜开口，且至少一个第三开口 31用于在阵列基板IC Pad区域形成VIA过孔。
[0039]在阵列基板中不仅可以形成GOA区域的GI过孔和显示区域的VIA过孔，还可以形成IC Pad区域的VIA过孔。GOA区域的GI过孔用于暴露出栅线，并将GOA区域的栅线与源漏金属层连接，显示区域的VIA过孔用于暴露出源漏金属层的图案，并将显示区域的TFT的漏极与像素电极连接，IC Pad区域的VIA过孔也用于暴露出源漏金属层的图案，因此，基于与显示区域VIA过孔同样的理由，将用于形成IC Pad区域的VIA过孔设置为半色调掩膜开口，并且将用于形成IC Pad区域VIA过孔的第三开口也制作在同一掩膜板上，进一步降低了产品的制造成本。
[0040]可选地，该掩膜板还包括:对应阵列基板信号线区域的第四区域4。
[0041]第四区域4具有至少一个第四开口 41，至少一个第四开口 41用于形成阵列基板信号线区域的GI过孔。
[0042]在阵列基板中不仅可以形成GOA区域的GI过孔、显示区域的VIA过孔和IC Pad区域的VIA过孔，还可以形成信号线区域的GI过孔。而信号线区域的GI过孔用于暴露出栅线，因此，将用于形成信号线区域GI过孔的第四开口也制作在同一掩膜板上，进一步降低了产品的制造成本。
[0043]需要说明的是，该掩膜板上的至少一个第一开口不仅可以形成阵列基板GOA区域的GI过孔，还可以形成GOA区域的其他过孔，本发明实施例对此不做具体限定。同理，该掩膜板上的至少一个第二开口不仅可以形成阵列基板显示区域的VIA过孔，还可以形成显示区域的其他过孔；该掩膜板上的至少一个第三开口不仅可以形成阵列基板的IC Pad区域的VIA过孔，还可以形成IC Pad区域的其他过孔；该掩膜板上的至少一个第四开口也不仅可以形成阵列基板的信号线区域的GI过孔，还可以形成信号线区