果，能够大幅提高图案精度，实现微细且高精度的图案形成。相移层可以以氧化氮化铬系材料来形成，上述相移层的厚度可以设为针对i线具有大致180°相位差的厚度。进而，也可以以针对h线或g线能够具有大致180°相位差的厚度来形成上述相移层。在此，所谓“大致180° ”是指180°或接近180°，例如为180° ±10°以下。根据该相移掩膜，能够通过使用上述波长区域的光来实现基于相移效果的图案精度提高，从而实现微细且高精度的图案形成。据此，能够制造出高画质的平板显示器。
[0042]本实施方式的相移掩膜可以构成为例如针对FPD用玻璃基板的图案化用掩膜。如后所述，为了进行使用该掩膜的玻璃基板的图案化，在曝光光中采用i线、h线及g线的复合波长。
[0043]如图1的(a)所示，本实施方式的相移掩膜坯件MB是通过使用DC溅射法在玻璃基板S上对以Cr为主要成分的相移层11、以Ni为主要成分的蚀刻终止层12以及以Cr为主要成分的遮光层13依次进行成膜而制造出的。以下，对于从上述相移掩膜坯件MB制造出相移掩膜M的相移掩膜制造方法进行说明。
[0044]接着，如图1的(b)所示，在作为相移掩膜坯件MB的最上层的遮光层13之上形成光致抗蚀剂层PRla。光致抗蚀剂层PRla可以是正片型也可以是底片型。作为光致抗蚀剂层PRla，使用液态抗蚀剂，但也可以使用干膜抗蚀剂。
[0045]接着，如图1的(c)、(d)所示，通过对光致抗蚀剂层PRla进行曝光及显影，从而去除区域PRlb而在遮光层13之上形成抗蚀剂图案RP1。抗蚀剂图案RPl作为遮光层13的蚀刻掩膜来发挥功能，根据遮光层13的蚀刻图案而确定出适当的形状。作为一个例子，在相移区域PSA中，被设定为具有与欲形成的相移图案的开口宽度尺寸dl相等的开口宽度dl的形状。
[0046]接着，如图1的(e)所示，隔着该抗蚀剂图案RPl使用第一蚀刻液来对遮光层13进行湿式蚀刻。作为第一蚀刻液，可以使用含有硝酸铈铵(硝酸七'J第2 二々A )的蚀刻液，例如，优选使用含有硝酸或高氯酸等酸的硝酸铈铵。在此，由于蚀刻终止层12对于第一蚀刻液具有高耐受性，因此仅遮光层13被图案化而形成遮光图案13a。遮光图案13a被设为具有与抗蚀剂图案RPl相等的开口宽度dl的形状。
[0047]接着，如图1的(f)所示，隔着上述抗蚀剂图案RP使用第二蚀刻液来对蚀刻终止层12进行湿式蚀刻。作为第二蚀刻液，可以适当使用将从醋酸、高氯酸、过氧化氢水及盐酸中选择出的至少一种添加到硝酸后得到的液体。在此，由于遮光层13和相移层11对于第二蚀刻液具有高耐受性，因此仅蚀刻终止层12被图案化而形成蚀刻终止图案12a。蚀刻终止图案12a被设为具有与遮光图案13a及抗蚀剂图案RPl的开口宽度尺寸dl相等的开口宽度dl的形状。
[0048]接着，如图1的(g)所示，隔着抗蚀剂图案RP1，也就是在未去除抗蚀剂图案RPl的状态下，使用第一蚀刻液对相移层11进行湿式蚀刻。在此，遮光图案13a以与相移层11相同的Cr系材料来构成，由于遮光图案13a的侧面露出，因此相移层11被图案化而形成相移图案11a。相移图案Ila被设为具有开口宽度尺寸dl的形状。同时，遮光图案13a也进一步经过侧面蚀刻而形成具有比相移图案Ila的开口宽度尺寸dl更大的开口宽度d2的形状的遮光图案13b。此时，蚀刻终止图案12a及相移图案Ila成为具有与抗蚀剂图案RPl相等的开口宽度dl的形状。
[0049]接着，如图2的(h)所示，去除抗蚀剂图案RPI。在抗蚀剂图案RPI的去除中，由于可以使用公知的抗蚀剂剥离液，因此在此省略详细的说明。
[0050]到目前为止，针对相移区域PSA中的尺寸进行了说明，而在遮光区域MSA中，例如，蚀刻终止图案12a及相移图案Ila被设为具有与抗蚀剂图案RPl相等的开口宽度d3的形状，遮光图案13b被设为具有比相移图案Ila的开口宽度尺寸d3更大的开口宽度d5的形状。
[0051]此外，在位于相移区域PSA与遮光区域MSA的边界附近的开口处，例如，蚀刻终止图案12a及相移图案Ila被设为具有与抗蚀剂图案RPl相等的开口宽度d6的形状，遮光图案13b被设为具有比相移图案Ila的开口宽度尺寸d6更大的开口宽度d4的形状。
[0052]接着，如图2的(j)所示，在玻璃基板S上的整个面，形成光致抗蚀剂层PR2a。此时，光致抗蚀剂层PR2a被设置为覆盖玻璃基板S上的整个面，也包括通过遮光图案13b、相移图案11a、蚀刻终止图案12a而形成的开口的内部。
[0053]接着，如图2的(k)、(m)所示，通过对光致抗蚀剂层PR2a进行曝光及显影，从而去除区域PR2b而形成抗蚀剂图案RP2。此时，抗蚀剂图案RP2被设置为覆盖玻璃基板S上的开口图案的整个面，也包括通过遮光图案13b、相移图案11a、蚀刻终止图案12a而形成的开口的内部。抗蚀剂图案RP2被设为与玻璃基板S上的开口图案相类似的图案形状，也就是与抗蚀剂图案RPl相类似的平面形状，并且被形成为其开口宽度尺寸不同。
[0054]具体而言，在相移区域PSA以及位于相移区域PSA与遮光区域MSA的边界附近的开口中，抗蚀剂图案RP2被设为具有比抗蚀剂图案RPl的开口宽度尺寸dl、d6更小的开口宽度dlO、d7的形状。也就是，对于抗蚀剂图案RP2，在这些以设定光强度为零的位置来提高图案化精度为着眼点的图案部分中，其宽度尺寸被设定为覆盖由上述遮光图案13b、相移图案11a、蚀刻终止图案12a层积后形成的开口图案内部的侧面。
[0055]此外，在遮光区域MSA中，抗蚀剂图案RP2被设为具有与抗蚀剂图案RPl的开口宽度尺寸d3相等的开口宽度的形状，其宽度尺寸被设定为在开口内部的经层积后形成的侧面中仅覆盖遮光图案13b的侧面且使相移图案11a、蚀刻终止图案12a的侧面露出。
[0056]接着，如图2的(η)所示，隔着抗蚀剂图案RP2，也就是在被抗蚀剂图案RP2覆盖的状态下，使用第一蚀刻液来对相移图案Ila进行湿式蚀刻。在此，遮光图案13b由于无论在相移区域PSA及遮光区域MSA的哪一个中都被抗蚀剂图案RP2覆盖，因而不被蚀刻。
[0057]同时，在相移区域PSA中，相移图案Ila由于被抗蚀剂图案RP2覆盖，因而不被蚀刻。
[0058]此外，在遮光区域MSA中，由Cr系材料构成的相移图案Ila经过侧面蚀刻而形成相移图案lib。相移图案Ilb被设为具有开口宽度尺寸d5、d9的形状。同时，遮光图案13b不被蚀刻。其结果，能够将相移图案Ilb的开口宽度尺寸设定为与遮光图案13b相同的开口宽度d5。另外，蚀刻终止图案12a维持具有与此工序之前相等的开口宽度d3、d6的形状。
[0059]接着，如图2的(ρ)所示，去除抗蚀剂图案RP2。抗蚀剂图案RP2可以与抗蚀剂图案RPl同样地去除。
[0060]然后，如图2的(q)所示，使用上述第二蚀刻液来进一步对蚀刻终止图案12a进行湿式蚀刻。据此，蚀刻终止图案12b的开口宽度被设为与遮光图案13b的开口宽度d2、d4和d5相同。
[0061]由此，如图2的(q)所示，能够获得在相移区域PSA中遮光图案13b (及蚀刻终止图案12b)的开口宽度d2比相移图案Ilb的开口宽度dl宽的边缘增强型相移掩膜M。
[0062]该相移掩膜M中，在遮光区域MSA中，相移图案11b、遮光图案13b、蚀刻终止图案12b的开口宽度d5相等，也就是，成为对准标记AM的开口图案内的相移图案11b、遮光图案13b、蚀刻终止图案12b的侧面齐平，且成为与曝光处理的曝光方向大致相等的形状。
[0063]而且，能够获得