在位于相移区域PS与遮光区域MSA的边界附近的开口中，例如遮光图案13b (及蚀刻终止图案12b)的开口宽度d4比相移图案Ilb的开口宽度d9宽的边缘增强型相移掩膜M。同时，遮光区域MSA侧的开口图案内的相移图案11b、遮光图案13b、蚀刻终止图案12b的侧面齐平，且成为与曝光处理的曝光方向大致相等的形状。
[0064]另外，在相移区域PSA中，露出于遮光图案13b外侧的相移图案Ila的宽度(d2-dl)由对相移层11进行湿式蚀刻时的遮光图案13b的蚀刻速度决定。在此，该遮光图案13a的蚀刻速度会受到遮光层13的组成以及蚀刻终止层12与遮光层13的界面状态的影响。例如，在由以铬为主要成分的层和以氧化铬为主要成分的层这两层的膜来构成遮光层13时，如果使以铬为主要成分的层的铬成分的比率提高则能够提高蚀刻速度，另一方面，如果使铬成分的比率降低则能够降低蚀刻速度。作为遮光图案13a的蚀刻量，例如可以在200nm?100nm的范围内进行设定。
[0065]根据上述实施方式，在透明基板S上，将相移层11、蚀刻终止层12以及遮光层13按照这种顺序进行层积而构成了相移掩膜坯件MB。通过在该相移掩膜坯件MB的遮光层13上形成抗蚀剂图案RP1、RP2，并使用该抗蚀剂图案RP1、RP2来对各层进行湿式蚀刻，从而能够制造出对准标记AM的位置准确度高的边缘增强型相移掩膜M0因此，与重复进行成膜及蚀刻的现有例相比，能够减少制造工序数，并且能够提高生产效率，因此能够以高量产性来制造出尚精细且尚可视性的相移掩I旲Mo
[0066]此外，相移层11由从Cr的氧化物、氮化物、碳化物、氧化氮化物、碳化氮化物以及氧化碳化氮化物中选择出的任意一种来构成，具有充分发挥相移效果的膜厚。为了具有这种充分发挥相移效果的膜厚，蚀刻时间相对于遮光层13的蚀刻时间延长了超过I倍，但由于各层间的粘着强度足够高，因此能够进行线粗糙度为大致直线状且图案截面大致垂直的作为光掩膜而言良好的图案形成。
[0067]此外，通过使用含有Ni的膜来作为蚀刻终止层12，从而能够充分提高与含有Cr的遮光层13及含有Cr的相移层11的粘着强度。
[0068]因而，在用湿式蚀刻液来对遮光层13、蚀刻终止层12以及相移层11进行蚀刻时，蚀刻液不会从遮光层13与蚀刻终止层12的界面以及蚀刻终止层12与相移层11的界面渗入，因此能够提高所形成的遮光图案13b、相移图案Ila的CD精度，并且能够使膜的截面形状成为对于光掩膜而言良好的接近垂直的形状。
[0069]为了确认上述效果，进行了以下实验。即，在玻璃基板S上，通过溅射法，按照120nm的厚度对作为相移层11的铬的氧化氮化碳化膜进行成膜，按照30nm的厚度对作为蚀刻终止层12的N1-T1-Nb-Mo膜进行成膜，按照10nm的合计厚度对作为遮光层13的由主要成分为铬的层与主要成分为氧化铬的层这两层构成的膜进行成膜，从而得到了相移掩膜还件MB。
[0070]在该相移掩膜坯件MB上形成抗蚀剂图案RP1，隔着该抗蚀剂图案RPl使用硝酸铈铵与高氯酸的混合蚀刻液对遮光层13进行蚀刻而形成遮光图案13a，进而使用硝酸与高氯酸的混合蚀刻液对蚀刻终止层12进行蚀刻而形成了蚀刻终止图案12a。接着，使用硝酸铈铵与高氯酸的混合蚀刻液对相移层11进行蚀刻而形成了相移图案11a。
[0071]接着，形成抗蚀剂图案RP2，隔着该抗蚀剂图案RP2使用硝酸铈铵与高氯酸的混合蚀刻液对相移图案Ila进行侧面蚀刻而形成了相移图案lib。接着，去除抗蚀剂图案RP2，接着，使用硝酸与高氯酸的混合蚀刻液对蚀刻终止图案12a进行蚀刻而形成蚀刻终止图案12b，从而获得了边缘增强型相移掩膜M0
[0072]使用如此获得的相移掩膜M，采用g线、h线以及i线的复合波长的曝光光来进行曝光，对曝光后的图案的线宽进行测量，求出了相对于目标线宽(2.5μπι)的偏移，其结果是，确认了能够抑制到10%左右。同时，确认了对准标记AM的轮廓可视性良好。据此，判明了可以将能够以高量产性制造的相移掩膜M用于FH)用。
[0073]以上对于本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不限定于此，在不脱离发明宗旨的范围内，可以进行适当变更。
[0074]符号说明
[0075]MB…相移掩膜坯件，S…玻璃基板(透明基板)，11…相移层，Ila…相移图案，12…蚀刻终止层，12a、12b…蚀刻终止图案，13...遮光层，13a、13b…遮光图案。
【主权项】
1.一种相移掩膜，其特征在于，包括: 透明基板； 相移层，形成于该透明基板的表面，以Cr为主要成分； 蚀刻终止层，形成于离开所述透明基板的那一侧的所述相移层表面，以从N1、Co、Fe、T1、S1、Al、Nb、Mo、W及Hf中选择出的至少一种金属为主要成分；以及 遮光层，形成于离开所述相移层的那一侧的所述蚀刻终止层上，以Cr为主要成分， 所述相移掩膜具有: 相移区域，在所述遮光层上形成的遮光图案的开口宽度被设定为比在所述相移层上形成的相移图案的开口宽度宽；和 遮光区域，在所述相移层上形成的所述相移图案的所述开口宽度与在所述遮光层上形成的所述遮光图案的所述开口宽度被设定为相等。
2.一种相移掩膜的制造方法，用于制造相移掩膜，所述相移掩膜包括: 透明基板； 相移层，形成于该透明基板的表面，以Cr为主要成分； 蚀刻终止层，形成于离开所述透明基板的那一侧的所述相移层表面，以从N1、Co、Fe、T1、S1、Al、Nb、Mo、W及Hf中选择出的至少一种金属为主要成分；以及遮光层，形成于离开所述相移层的那一侧的所述蚀刻终止层上，以Cr为主要成分，所述相移掩膜具有:相移区域，在所述遮光层上形成的遮光图案的开口宽度被设定为比在所述相移层上形成的相移图案的开口宽度宽；和遮光区域，在所述相移层上形成的所述相移图案的所述开口宽度与在所述遮光层上形成的所述遮光图案的所述开口宽度被设定为相等， 所述相移掩膜的制造方法的特征在于，具有: 在所述透明基板上形成所述相移层、所述蚀刻终止层以及所述遮光层的工序； 在所述遮光层上形成具有规定的开口图案的第一掩膜的工序； 隔着该形成的第一掩膜依次对所述遮光层和所述蚀刻终止层进行蚀刻以形成遮光图案和蚀刻终止图案的工序； 隔着所述第一掩膜对所述相移层进行蚀刻以形成相移图案的工序； 形成具有规定的开口图案的第二掩膜，以使所述遮光图案表面及露出于图案开口的遮光图案被覆盖，并且使露出于所述图案开口的所述蚀刻终止图案和所述相移图案在所述遮光区域内不被覆盖而在所述相移区域内被覆盖的工序； 隔着该形成的第二掩膜依次对所述遮光图案和所述蚀刻终止图案进行蚀刻的工序；以及 去除所述第二掩膜后，进一步对所述蚀刻终止图案进行蚀刻的工序。
3.根据权利要求2所述的相移掩膜的制造方法，其特征在于，在所述蚀刻终止层的蚀刻中使用含有硝酸的蚀刻液。
【专利摘要】相移掩膜的制造方法具有如下工序：形成具有规定的开口图案的第二掩膜(RP2)，以使表面及露出于图案开口的遮光层(13)被覆盖，并且使露出于图案开口的蚀刻终止层(12)和相移层(11)在遮光区域内不被覆盖而在相移区域内被覆盖。
【IPC分类】H01L21-027, G03F1-29, G03F1-32
【公开号】CN104718496
【申请号】CN201380052684
【发明人】影山景弘, 望月圣, 中村大介
【申请人】爱发科成膜株式会社
【公开日】2015年6月17日
【申请日】2013年12月19日
【公告号】WO2014103875A1