结构。从而实现第二连接走线L12与对应的栅极和源极直接连接，无需另设跨桥结构，使得金属走线布置简化。当然，第二连接走线L12也可以由其他金属层图案化得到，例如源漏极金属层；同时，第二连接走线L12也可以设置在其他留空区，如第一预设留空区Gl等，只要能够实现栅极和漏极之间在电学上连接即可。
[0126]另外，栅极gll与源极sll可以通过跨线结构或者直接连接的方式实现电连接实现短接而形成二极管型的TFT，具体的连接方式可以采用本领域中常规的过孔结构实现，故在此不再赘述。
[0127]当然栅极gll与源极sll之间也可以通过第二连接走线L12实现相互电连接，具体连接方式类似与栅极gll与漏极dll的连接，故就不再详述。
[0128]继续参考图19和20所示，本发明实施例中的栅极动电路元件还包括至少一个二极管型的薄膜晶体管组，具体来说，二极管型的薄膜晶体管组包括多个设置于不同留空区的，相互并联的二极管型的薄膜晶体管TFT。以图19和图20中两个相互并联的二极管型的薄膜晶体管TFT为例，两者的栅极gll、源极sll、漏极dll相互并联，具体为:两个TFT的栅极gll直接连接；两个TFT的源极sll通过各自的第二源极走线Si 12直接连接；两个TFT的漏极dll通过各自的第二漏极走线dll2直接连接。
[0129]以上将多个二极管型的薄膜晶体管TFT并联形成薄膜晶体管组的原因与设置信号控制线组的目的是相同的，即降低电阻的作用。
[0130]在上述公开第一种薄膜晶体管TFT (如图11-12)实施例的基础上，本实施例公开了第二种二极管型的薄膜晶体管TFT:
[0131]以下将详细阐述栅极与源/漏极的连接方式:
[0132]如图21和22所示(图22是图21沿hh线方向的截面示意图)，以栅极gll与漏极dll相互短接为例，两者通过第二连接走线L12实现电连接。具体来说，第二连接走线L12可以通过由栅极金属层图案化形成于第二预设留空区G2，并延伸连接栅极gll和第二漏极走线dll2。如图22所示，第二连接走线L12、栅极gll和第二漏极走线dll2位于同一金属层，是属于一体化结构。从而实现第二连接走线L12与对应的栅极和漏极直接连接，无需另设跨桥结构，使得金属走线布置简化。当然，第二连接走线也可以由其他金属层图案化得到，例如源漏极金属层；同时，第二连接走线也可以设置在其他留空区，如第一预设留空区Gl等，只要能够实现栅极和漏极之间在电学上连接即可。
[0133]另外，栅极gll与源极sll可以通过跨线结构或者直接连接的方式实现电连接实现短接而形成二极管型的TFT，具体的连接方式可以采用本领域中常规的过孔结构实现，故在此不再赘述。
[0134]当然栅极gll与源极sll之间也可以通过第二连接走线实现相互电连接，具体连接方式类似与栅极gll与漏极dll的连接，故就不再详述。
[0135]继续参考图21和22所示，本发明实施例中的栅极动电路元件还包括至少一个二极管型的薄膜晶体管组，具体来说，二极管型的薄膜晶体管组包括多个设置于不同留空区的，相互并联的二极管型的薄膜晶体管TFT。以图21和图22中两个相互并联的二极管型的薄膜晶体管TFT为例，两者的栅极gll、源极sll、漏极dll相互并联，具体为:两个TFT的栅极gll直接连接；两个TFT的源极sll通过各自的第二源极走线Si 12直接连接；两个TFT的漏极dll通过各自的第二漏极走线dll2直接连接。
[0136]以下将详细阐述电容器C在阵列基板上显示区AA的具体设置方式:
[0137]如图23至图29所示(其中图23是图24中沿ii线的截面示意图；其中图26是图25中沿j j线的截面示意图)，该栅极驱动电路VSR中的电容器C，一般为平行板电容器，其中多个电容电极是相对设置于不同的金属层中，以实现电容器功能。
[0138]具体来说，每个电容器C至少包括相对设置于留空区且相对设置的第一电容电极Cll和第二电容电极C12 ;第一电容电极Cll由栅极金属层图案化形成；第二电容电极C12由源漏极金属层图案化形成。
[0139]以下将详细阐述电容电极的具体布置方式:
[0140]如图23-24所示，在上述实施例的基础上，本发明实施例中公开的第一种电容器C在留空区的设置方式:
[0141]第一电容电极Cll和第二电容电极C12相对设置于第一预设留空区G1，且两者的延伸方向平行于数据线D。
[0142]如图23、24和图29 (图29为电容器Cl是等效电路图)所示，第一电容电极Cll通过第三连接走线L13连接至第一电位VI。另外，从属金属走线简化布置的角度出发，可以将第三连接走线L13与第一电容电极Cll同层设置，即均由栅极金属层图案化形成，从而实现第三连接走线L13与对应的第一电容电极Cll直接连接，无需另设跨桥结构。当然，第三连接走线L13也可以由其他金属层图案化得到，例如源漏极金属层。
[0143]如图23、24和图29所示，第二电容电极C12通过第四连接走线L14连接至第二电位V2。为了最大程度的简化金属走线布置和提高栅极金属层的利用率，可以通过栅极金属层图案化形成第四连接走线L14。由于第二电容电极C12是位于源漏极金属层，故需要通过第四过孔结构K14实现第二电容电极C12和第四连接走线L14的电连接。当然，第四连接走线也可以由其他金属层图案化得到，只要能够保证第二电容电极C12可以连接到对应的第二电位V2即可，具体的结构和连接方式在此不做限定。
[0144]另外，在此实施例中，第三连接走线L13需与扫描线S平行设置，故可以将其置于第四预设留空区G4中；第四连接走线L14需与扫描线S平行设置，可以将其置于第五预设留空区G5中。故第四过孔结构K14可以设置在第五预设留空区G5和第一预设留空区Gl的交叠区域。
[0145]在上述实施方式的基础上，如图25-26和图29所示，本发明实施例中还公开了的第二种电容器C在留空区的设置方式:
[0146]其中，第一电容电极Cl I和第二电容电极C12相对设置于第一预设留空区Gl，且两者的延伸方向平行于数据线D，以下将阐述与其不同之处:
[0147]第一电容电极Cll通过第三连接走L13连接到第一电位Vl上，其中，第三连接走线L13包括第一子连接走线L113和第二子连接走线L123，其中第一子连接走线L113与数据线D平行设置于第一预设留空区Gl中，且由源漏极金属层图案化形成；第二子连接走线L123与扫描线S平行设置于另一第五预设留空区G5中，属于第三连接走线L13与外接器件连接的部分，且由栅极金属层图案化形成。其中，由于第一子连接走线L113和第二子连接走线L123位于不同的金属层，两者需要通过过孔结构实现电连接。再者，由于第一电容电极Cll是由栅极金属层连接，故也是需要通过过孔结构与第一子连接走线L113实现电连接。
[0148]本实施方式中，通过将第四连接走线L14和第二子连接走线L123设置在两个相邻的第五留空区G5中，其面积大于位于子像素区域内的第四预设留空区G4，可以使得第四连接走线L14和第二子连接走线L123分别与其相邻的扫描线的寄生电容较小，减小对扫描线S上的信号干扰程度，另外从工艺角度上，可以第四连接走线L14和第二子连接走线L123与相邻的扫描线S之间发生短路现象，使得合格品的良率更高。
[0149]如图27所示，在上述实施方式的基础上，本发明实施例中还公开了的第三种电容器C在留空区的设置方式:
[0150]第一电容电极Cll和第二电容电极C12相对设置于第一预设留空区G1，其中第二电容电极C12还包括与第四连接走线L14平行设置的第一延伸电极C13，该第一延伸电极C13与第二电容电极C12为一体化结构，即是由源漏极金属层图案化形成。
[0151]具体来说，第一电容电极Cll和与其直接连接的第三连接走线L13分别设置于第一预设留空区Gl和第五预设留空区G5 ;第二电容电极C12和通过第四过孔结构K14连接的第四连接走线L14分别设置于第一预设留空区Gl和第三预设留空区G3。另外第二电容电极C12还包括沿扫描线S方向延伸的第一延伸电极C13，该第一延伸电极C13与第三连接走线L13相对设置，且设置于第五预设留空区G5。
[0152]本实施例中通过设置第一延伸电极C13，使得第三连接走线L13与其相对设置，如此可以增加第一电容电极Cl和第二电容电极C2的基板的正对面积，从而增大整个电容器的存储电荷的能力。
[0153]如图28所示，在上述第三种电容器C(图27中所示)设置方式的基础上，本发明实施例中还公开了的第四种电容器C在留空区的设置方式:
[0154]第一电容电极Cll和第二电容电极C12相对设置于第一预设留空区G1，其中第二电容电极C12还包括与第四连接走线L14平行设置的第一延伸电极C13，其相互的连接关系和形成方式与上述。第三种电容器C设置方式方向，在此就不再赘述，以下将详细阐述，与其不同之处:
[0155]如图28所示，第一电容电极Cll通过第三连接走L13连接到第一电位Vl上。其中，第三连接走线L13包括第一子连接走线L113和第二子连接走线L123，其中第一子连接走线L113与数据线D平行设置于第一预设留空区Gl中，且由源漏极金属层图案化形成；第二子连接走线L123与扫描线S平行设置于另一第五预设留空区G5中，属于第三连接走线L13的与外接器件连接的部分，，且由栅极金属层图案化形成。其中，由于第一子连接走线L113和第二子连接走线L123位于不同的金属层，两者需要通过过孔结构实现电连接。再者，由于第一电容电极Cll是由栅极金属层连接，故也是需要通过过孔结构与第一子连接走线L113实现电连接。该种电容器C的设置方式，既增大了电容电极相互之间的正对面积增大电容量，同时防止工艺上的扫描线和连接走线之间短路现象，从而提升了产品的良率。
[0156]继续参考图23至28所示，本发明实施例中的栅极动电路元件还包括至少一个电容器组，具体来说，电容器组包括多个设置于不同所述留空区，且相互并联的电容器C。
[0157]以图23至图28中两个相互并联的电容器Cl和电容C2为例，两个第一电容电极Cll通过第三连接走线L13直接连接；两个第二电容电极C12通过第四连接走线L14直接连接。
[0158]以上将多个电容器C并联形成电容器组的目的是，通过并联方式提高电容量，相互并联的电容器C的个数越多，整体电容量提高越大。可以根据实际对电容器的存储电容的大小来调节并联电容器C的个数，在此不做任何限制。
[0159]本发明通过将栅极驱动电路及其栅极驱动电路元件集成在显示区中，从而节省了现有技术中在非显示区即边框区域布置栅极驱动电路元件的空间，从而可以实现窄边框甚至无边框设计。
[0160]如图30所示，本发明还公开一种显示面板10，包括上述的TFT阵列基板10b、彩膜基板1c及位于两者之间的显示介质层10a。
[0161]如