部22的Y方向负方向(图2的左方向)侧的外侧直至Y方向正方向(图2的右方向)侧的外侧。在导轨30上安装有例如二个臂31、32。
[0050]如图1以及图2所示，第一臂31支承作为对晶片W供给中粘度抗蚀剂液的涂敷液喷嘴的抗蚀剂液喷嘴33。第一臂31通过图2所示的喷嘴驱动部34可以在导轨30上自由移动。由此，抗蚀剂液喷嘴33能够从设置在杯部22的Y方向正方向侧的外侧的待机部35移动至杯部22内的晶片W的中心部上方，并且能够在该晶片W的表面上在晶片W的径方上移动。另外，第一臂31通过喷嘴驱动部34可以自由升降，能够调整抗蚀剂液喷嘴33的高度。
[0051]如图1所示，在抗蚀剂液喷嘴33连接有与抗蚀剂液供给源36连通的供给管37。在抗蚀剂液供给源36内存积有中粘度抗蚀剂液。在供给管37上设置有包括控制中粘度抗蚀剂液的流动的阀和流量调节部等的供给设备组38。
[0052]第二臂32支承供给例如稀释剂作为中粘度抗蚀剂液的溶剂的溶剂喷嘴40。第二臂32通过图2所示的喷嘴驱动部41在导轨30上可以自由移动，能够使溶剂喷嘴40从设置在杯部22的Y方向负方向侧的外侧的待机部42移动至杯部22内的晶片W的中心部上方。另外，第二臂32通过喷嘴驱动部41可以自由升降，能够调节溶剂喷嘴40的高度。
[0053]如图1所示，在溶剂喷嘴40连接有与溶剂供给源43连通的供给管44。在溶剂供给源43内存积有溶剂。在供给管44上设置有包括控制溶剂的流动的阀和流量调节部等的供给设备组45。此外，在以上的构成中，供给中粘度抗蚀剂液的抗蚀剂液喷嘴33和供给溶剂的溶剂喷嘴40由不同的臂支承，但也可以由相同的臂支承，利用上述臂的移动的控制，来控制抗蚀剂液喷嘴33和溶剂喷嘴40的移动和供给时刻。
[0054]上述的旋转吸盘20的旋转动作和上下动作、由喷嘴驱动部34进行的抗蚀剂液喷嘴33的移动动作、由供给设备组38进行的抗蚀剂液喷嘴33的抗蚀剂液的供给动作、由喷嘴驱动部41进行的溶剂喷嘴40的移动动作、由供给设备组45进行的溶剂喷嘴40的溶剂的供给动作等驱动系统的动作，由控制部50控制，实施后述的各步骤。控制部50例如由具有CPU、存储器等的计算机构成，例如通过实施存储在存储器的程序，能够实现抗蚀剂涂敷装置I的抗蚀剂涂敷处理。此外，用于实现抗蚀剂涂敷装置I的抗蚀剂涂敷处理的各种程序，例如存储在计算机可读取的硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁盘(MO)、存储卡等存储介质H中，能够从上述存储介质H安装在控制部50。
[0055]接着，对由如以上方式构成的抗蚀剂涂敷装置I进行的涂敷处理工艺进行说明。图3是表示涂敷处理工艺的各步骤中的晶片W的转速和中粘度抗蚀剂液以及溶剂的供给时刻的图表。此外，图3中的工艺的时间的长度，由于使技术的理解的容易度优先，所以并不一定对应实际的时间的长度。
[0056]搬入到抗蚀剂涂敷装置I的晶片W首先被旋转吸盘20吸附保持。接着，待机部42的溶剂喷嘴40通过第二臂32移动至晶片W的中心部的上方。接着，如图3所示，在晶片W停止的状态下，从溶剂喷嘴40对晶片W的中心部供给规定量的溶剂。由此，在晶片W上表面的中心部形成溶剂的积液。然后，溶剂喷嘴40从晶片W的中心部上方移动，并且待机部35的抗蚀剂液喷嘴33通过第一臂31移动至晶片W的中心部上方。
[0057]接着，控制吸盘驱动机构21利用旋转吸盘20使晶片W例如以10000rpm/sec的加速度上升至第一转速，之后使晶片W以第一转速旋转例如0.5秒钟。此外，本发明者们确认，作为第一转速，在后述的确认试验中优选不到200rpm，在本实施方式中例如为lOOrpm。然后，一边使晶片W以第一转速旋转，一边从抗蚀剂液喷嘴33开始供给中粘度抗蚀剂液(图3的步骤SI)。在该步骤SI中，由于晶片W的转速为10rpm的非常低的旋转，所以例如如图4所示，在形成于晶片W上的溶剂Q的积液内形成中粘度抗蚀剂液R的积液，中粘度抗蚀剂液R不扩散至晶片W的端部。此外，来自抗蚀剂液喷嘴33的中粘度抗蚀剂液R例如以ImL/sec的流量供给。
[0058]之后，如图3所示，使晶片W例如以10000rpm/sec的加速度上升至第二转速，之后使晶片W以第二转速旋转例如5.5秒钟(图3的步骤S2)。此外，作为第二转速例如优选100rpm?3500rpm，在本实施方式中例如为2500rpm。该步骤S2中，通过使晶片W以2500rpm旋转，例如如图5所示，溶剂Q以及中粘度抗蚀剂液R在晶片W上扩散。此时，在步骤SI中，由于在溶剂Q的积液内形成有中粘度抗蚀剂液R的积液，所以在步骤S2的开始时刻，中粘度抗蚀剂液R被溶剂Q引导而在晶片W上扩散，或溶剂Q对应扩散的中粘度抗蚀剂液R起到障碍壁的作用。由此，中粘度抗蚀剂液R的顶端部分在具有规定的厚度的状态下在晶片W上向晶片W的外周部扩散。另外，在步骤S2中，中粘度抗蚀剂液R扩散至晶片W的外周部附近时，溶剂Q以及中粘度抗蚀剂液R的顶端部分的厚度逐渐减少，但是如图5所示，溶剂Q成为障碍壁而在中粘度抗蚀剂液R的顶端部分具有厚度，由此如图6所示，即使在晶片W的外周部附近，中粘度抗蚀剂液R的顶端部分也确保规定的厚度，例如确保在中粘度抗蚀剂液R的顶端部分不发生断液的情况的程度的厚度。因此，在步骤S2中，中粘度抗蚀剂液R不发生断液的情况地均匀扩散至晶片W的端部。
[0059]之后，如图3所示，使晶片W以例如2500rpm/sec的加速度减速至第三转速，然后使晶片W以第三转速旋转例如0.5秒钟(图3的步骤S3)。第三转速例如优选为50prm?500rpm，在本实施方式中例如为50rpm。在步骤S3中，以2500rpm/sec的加速度缓慢地使晶片W减速，由此例如如图7所示，在晶片W中心部的中粘度抗蚀剂液R形成具有与晶片W外周部中的中粘度抗蚀剂液R相比厚的厚度的区域。具有该厚度的区域形成在距离晶片W的中心例如半径50mm左右的范围。另外，在步骤S3中，例如在晶片W的转速达到第三转速后，停止来自抗蚀剂液喷嘴33的中粘度抗蚀剂液R的供给。当停止中粘度抗蚀剂液R的供给时，使晶片W的中心部中的中粘度抗蚀剂液R具有厚度，由此在后述的步骤S4中抑制涂敷斑的产生。
[0060]之后，如图3所示，使晶片W以例如10000rpm/sec的加速度加速至第四转速，然后使晶片W以例如比第二转速低的第四转速旋转例如I秒钟(图3的步骤S4)。此外，本实施方式中的第四转速例如为2000rpm。在步骤S4中，使晶片W加速以2000rpm旋转，由此使在晶片W的中心部具有规定的厚度的中粘度抗蚀剂液R向晶片W的外周部扩散。由此，与上述的图6的情况相同，不产生断液的情况地均匀扩散至晶片W的端部。此外，在步骤S4中，中粘度抗蚀剂液R的膜厚例如为I μ m以上，优选维持晶片W的旋转直至调整为I μ m?12 μπι的范围。
[0061]另外，在步骤S3中，通过使晶片W的中心部的中粘度抗蚀剂液R具有规定的厚度，即使在步骤S3的使从抗蚀剂液喷嘴33向晶片W的中粘度抗蚀剂液R的供给停止时中粘度抗蚀剂液R的不足比较严重、中粘度抗蚀剂液的液滴Rl落下的情况下，在步骤S4中也能够防止产生涂敷斑。即，在步骤S2中，通过使中粘度抗蚀剂液R扩散，例如如图8所示，在中粘度抗蚀剂液R的下层R2的区域中已经进干燥，当晶片W的中心部的中粘度抗蚀剂液R的厚度薄时，从抗蚀剂液喷嘴33落下的液滴Rl到达至下层R2。这样一来，液滴Rl附着在下层R2，在该状态下在步骤S4中使晶片W的转速上升时，液滴Rl不扩散至晶片W的整体，例如如图9所示，形成有线状的涂敷斑R3。在这方面，在步骤S3中使晶片W的中心部的中粘度抗蚀剂液R具有规定的厚度，由此液滴Rl不到达中粘度抗蚀剂液R的下层R2，在步骤S4中使中粘度抗蚀剂液R在晶片W的整个面均匀扩散，能够形成均匀性高的中粘度抗蚀剂液R的膜。此外，步骤SI?步骤S3中的中粘度抗蚀剂液R的供给量为约5mL，该量与利用现有的方法将中粘度抗蚀剂液R均匀地涂敷在晶片W上的情况相比为较小的值。
[0062]然后，将晶片W的背面洗净，抗蚀剂涂敷装置I的一系列的涂敷处理结束。
[0063]在此，对以下情形进行了验证:在上述步骤SI中，使晶片W的转速为第一转速即不到200rpm的情况下开始中粘度抗蚀剂液R的供给，在之后的步骤S2中使中粘度抗蚀剂液R的顶端部分具有厚度地扩散，能够不使中粘度抗蚀剂液R产生断液的情况地将中粘度抗蚀剂液R均匀地涂敷至晶片W的端部。
[0064]本发明者们进行了如下试验:在具有300mm直径的晶片W上涂敷中粘度抗蚀剂液R时，使步骤SI中的在第一转速下的旋转时间以0.5秒?1.5秒变化的情况下和使在第一转速下的旋转时间为O秒、即如现有的方式不使晶片W以第一转速旋转而使晶片W以第二转速旋转的情况(比较例)下，确认在步骤S2中以第二转速使晶片W上的中粘度抗蚀剂液R扩散后的晶片W上的中粘度抗蚀剂液R的涂敷状况如何变化。此时，第一转速为lOOprm。
[0065]其结果是，使在第一转