Psva型液晶显示面板的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种PSVA型液晶显示面板。
【背景技术】
[0002] 主动式薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor-LCD，TFT-LCD)近年来得 到了飞速的发展和广泛的应用。就目前主流市场上的TFT-LCD显示面板而言，可分为三种 类型，分别是扭曲向列（Twisted Nematic，TN)或超扭曲向列（Super Twisted Nematic， STN)型，平面转换（In-Plane Switching，IPS)型、及垂直配向（Vertical Alignment，VA) 型。其中VA型液晶显示器相对其他种类的液晶显示器具有极高的对比度，在大尺寸显示， 如电视等方面具有非常广的应用。
[0003] VA型液晶显示面板之所以具有极高的对比度是因为在不加电的暗态时，液晶分 子垂直于基板表面排列，不产生任何相位差，漏光极低，暗态亮度很小，根据对比度计算 公式暗态亮度越低，则对比度越高。由于VA型液晶显示面板采用垂直转动的液晶，液晶 分子双折射率的差异比较大，导致大视角下的色偏（color shift)问题比较严重。为了 使VA型液晶显示面板获得更好的广视角特性，改善色偏问题，通常会采取多畴VA技术 (Multi-domain VA，MVA)，即将一个子像素划分成多个区域，并使每个区域中的液晶在施加 电压后倒伏向不同的方向，从而使各个方向看到的效果趋于平均，一致。实现MVA技术的方 法有多种，其中一种方法是将一侧的ITO像素电极处理成"米字型"图案，由于特殊的ITO像 素电极图案，其产生的倾斜电场可以诱导不同区域中的液晶分子倒向不同的方向。
[0004] 随着技术的发展，出现了相关的改进，聚合物稳定垂直配向（polymer-stabilized vertical alignment，PSVA)广视角技术能够使液晶显示面板具有较快的响应时间、及穿透 率高等优点，其特点是在配向膜表面形成聚合物突起，从而使液晶分子具有预倾角。一般的 PSVA像素结构是在阵列基板上的用于沟道保护的钝化层（Passivation)做完后，将沉积在 其上的像素电极做图案化处理。如图1、及图2所示，为现有的一种PSVA型液晶显示面板， 包括上基板100和下基板200,上基板100包括第一基板110和平面型的公共电极120,下 基板200包括第二基板210、钝化层220、及像素电极230,该像素电极230具有"米字型"图 案。然而，由于被处理成"米字型"图案的像素电极230具有向不同方向延伸的像素电极分 支与狭缝间隔的图案，导致其与对侧的上基板110上的公共电极120形成的电场不均，对应 于像素电极分支区域的电场明显强于对应于狭缝区域的电场，从而导致像素内出现亮度不 均的现象。
[0005] 为了解决传统PSVA型液晶显示面板存在的问题，人们提出一种新型的PSVA型液 晶显示面板，通过在钝化层上形成图案，得到数道沟槽，然后在整个钝化层上覆盖整面的像 素电极；相比于传统的PSVA型液晶显不面板，该PSVA型液晶显不面板具有穿透率尚、对盒 厚（cell gap)和线宽/间隔（Line/Space)不敏感等优势。然而不同的沟槽深度，会获得 不同的穿透率，而现在到底什么样的沟槽深度可以使液晶显示面板获得最优的光学表现还 尚存疑虑，这将给工艺调试带来不确定性。
【发明内容】
[0006] 本发明的目的在于提供一种PSVA型液晶显示面板，具有较高的穿透率，和良好的 像素品质，缩小了面板生产的工艺范围，从而可缩短工艺调试的时间，提高产品生产效率。
[0007] 为实现上述目的，本发明提供一种PSVA型液晶显示面板，包括上基板、与所述上 基板相对设置的下基板、及位于所述上基板与下基板之间的液晶层；
[0008] 所述上基板包括第一基板、及设于所述第一基板上的公共电极；
[0009] 所述下基板包括第二基板、设于所述第二基板上的薄膜晶体管、设于所述第二基 板与薄膜晶体管上的钝化层、以及设于所述钝化层上的像素电极；
[0010] 所述下基板具有数个像素区域，所述钝化层对应所述数个像素区域内分别形成有 相同的图案；所述图案包括向不同方向延伸的数道沟槽；
[0011] 所述像素电极为厚度均匀、连续不间断的整面电极；所述像素电极整面附着于图 案化的钝化层上而随钝化层具有相应的图案；
[0012] 所述沟槽的深度为2000-4000 A。
[0013] 所述钝化层的厚度彡,5000
[0014] 对应于每一个像素区域，该钝化层被划分为四个子区域。
[0015] 所述图案为"米字型"图案，所述钝化层在每一个像素区域内均包括竖直主干、与 所述竖直主干垂直相交的水平主干、以及分别与所述竖直主干或水平主干相连接并分别向 四周延伸的数个条状分支；所述数个条状分支相互间隔且与所述竖直主干或水平主干成一 夹角；所述沟槽位于相邻两个条状分支之间。
[0016] 所述夹角为45度。
[0017] 所述钝化层的材料为氮化硅。
[0018] 所述公共电极、及像素电极的材料为IT0。
[0019] 所述薄膜晶体管包括漏极，所述钝化层对应所述漏极的上方设有过孔，所述像素 电极穿过该过孔与所述薄膜晶体管的漏极相连接。
[0020] 所述过孔与沟槽通过一道灰阶光罩经由黄光制程同时制得。
[0021] 所述公共电极为厚度均匀、连续不间断的平面型公共电极。
[0022] 本发明的有益效果：本发明的PSVA型液晶显示面板，钝化层为图案化的钝化层， 该图案化的钝化层具有数道间隔排列的沟槽，像素电极为厚度均匀、连续不间断的整面电 极，整面的像素电极通过附着在该图案化的钝化层上而随钝化层具有相应的图案，从而使 得液晶面板具有较高的穿透率；并且通过将所述沟槽的深度设置为2000-40QO A，使液晶 面板取得了良好的光学表现的同时，缩小了面板生产的工艺范围，缩短了工艺调试的时间， 提尚了广品生广效率。
[0023] 为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细 说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
【附图说明】
[0024] 下面结合附图，通过对本发明的【具体实施方式】详细描述，将使本发明的技术方案 及其他有益效果显而易见。
[0025] 附图中，
[0026] 图1为一种现有的PSVA型液晶显示面板的立体结构示意图；
[0027] 图2为图1的PSVA型液晶显示面板的下基板的剖面结构示意图；
[0028] 图3为本发明的PSVA型液晶显示面板的立体结构示意图；
[0029] 图4为图3的PSVA型液晶显示面板的下基板的剖面结构示意图。
【具体实施方式】
[0030] 为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施 例及其附图进行详细描述。
[0031] 请参阅图3至图4,本发明提供一种PSVA型液晶显示面板，包括上基板1、与所述 上基板1相对