c和第四畴51d。所述沟槽结构51中凸起部512和凹陷部511在第一畴51a、第二畴51b、第三畴51c和第四畴5Id内均相对于X轴倾斜；并且，第一畴51a和第二畴51b的凸起部512和凹陷部511与第三畴51c和第四畴51d内的凸起部512和凹陷部511关于X轴对称，第一畴51a和第四畴51d内的凸起部512和凹陷部511与第二畴51b和第三畴51c内的凸起部512和凹陷部511关于Y轴对称。具体到本实施例中，所述第一畴51a中的凸起部512和凹陷部511相对于X轴呈45°倾斜，所述第二畴51b中的凸起部512和凹陷部511相对于X轴呈135°倾斜，所述第三畴51c中的凸起部512和凹陷部511相对于X轴呈-135°倾斜，所述第四畴51d中的凸起部512和凹陷部511相对于X轴呈-45°倾斜。
[0032]如上提供的像素结构中，覆设于所述凹陷部511和所述凸起部512上的像素电极40，在第一畴51a、第二畴51b、第三畴51c和第四畴51d中分别形成具有不同的倾斜角度的条状电极，由此可以改善大视角下发生的色偏问题。进一步地，像素电极40的边缘延伸至第二沟槽52中，像素电极40的边缘不管是沿X方向还是沿Y方向，均连续平滑地延伸一定的长度。因此，像素结构边缘的液晶分子不会发生倒向紊乱，使得像素结构中可以得到更加均匀稳定的液晶分子倒向，提高了液晶面板的光线透过率。所述钝化层50需经黄光制程进行图案化处理以得到沟槽结构51和第二沟槽52，所述像素电极40连续不间断的覆盖于所述沟槽结构51和第二沟槽52上，其无需黄光制程，而是直接沉积于钝化层50的沟槽结构51和第二沟槽52上。
[0033]进一步地，如图7所示的，所述沟槽结构51中，所述凹陷部511的深度hi小于钝化层50的厚度h2，所述凹陷部511的深度值hi不固定，可根据所述钝化层50的厚度h2和设计需求进行优化调整。所述凹陷部511的宽度值dl和相邻的凸起部512的宽度值d2不固定，可根据设计需要进行变更调整，在本实施例中优选设计为dl = d20进一步地，第二沟槽52的深度h3也小于钝化层50的厚度h2，第二沟槽52的深度h3可大于或小于或等于凹陷部511的深度hl，可根据设计需要进行变更调整，在本实施例中优选设计为h3 = hi。所述第二沟槽52的宽度d3优选设计为大于所述凹陷部511的宽度，以使像素电极40的边缘具有较大的连续平滑延伸的长度，宽度d3的具体数值也不做具体限定，可根据设计需要进行变更调整。基于以上，本发明的像素结构无需高精细的沟槽结构51和第二沟槽52。
[0034]本实施例中还提供了一种液晶面板，如图8所示，该液晶面板包括如上所述的阵列基板100和与该阵列基板100相对设置的滤光基板200，还包括位于所述阵列基板100和滤光基板200之间的液晶层300。
[0035]图9是液晶面板的光线透过率曲线图。其中，曲线x-x是采用了本实施例提供的阵列基板的液晶面板，曲线y_y是采用了现有的阵列基板的液晶面板。从图中可以看出，本发明实施例提供的阵列基板，对像素结构进行改善之后，提高了液晶面板的光线透过率。
[0036]需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
[0037]以上所述仅是本申请的【具体实施方式】，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。
【主权项】
1.一种阵列基板，包括多个像素结构(20)，每一像素结构(20)包括设置于玻璃基板(10)上的薄膜晶体管(30)以及像素电极(40)，所述薄膜晶体管(30)与所述像素电极(40)之间设置有钝化层(50)，所述像素电极(40)通过设置于所述钝化层(50)中的过孔￠0)电性连接到所述薄膜晶体管(30)，其特征在于，所述钝化层(50)中设置有沟槽结构(51)，所述沟槽结构(51)包括周期性排列的多个凹陷部(511)以及间隔每两个相邻凹陷部(511)的凸起部(512);所述钝化层(50)中还设置有一第二沟槽(52)，所述第二沟槽(52)环绕于所述沟槽结构(51)的四周，所述第二沟槽(52)将多个凹陷部(511)相互连通；所述像素电极(40)呈一整面连续地覆设于所述凹陷部(511)和所述凸起部(512)上，并且，所述像素电极(40)的边缘延伸至所述第二沟槽(52)中。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔￠0)设置于所述沟槽结构(51)的中心。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，以所述过孔￠0)为原点，设置X轴和Y轴，将所述沟槽结构(51)所在区域分为第一畴(51a)、第二畴(51b)、第三畴(51c)和第四畴(51d)，所述凸起部(512)和所述凹陷部(511)在第一畴(51a)、第二畴(51b)、第三畴(51c)和第四畴(51d)内均相对于X轴倾斜；其中，第一畴(51a)和第二畴(51b)的凸起部(512)和凹陷部(511)与第三畴(51c)和第四畴(51d)内的凸起部(512)和凹陷部(511)关于X轴对称，第一畴(51a)和第四畴(51d)内的凸起部(512)和凹陷部(511)与第二畴(51b)和第三畴(51c)内的凸起部(512)和凹陷部(511)关于Y轴对称。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一畴(51a)中的凸起部(512)和凹陷部(511)相对于X轴呈45°倾斜，所述第二畴(51b)中的凸起部(512)和凹陷部(511)相对于X轴呈135°倾斜，所述第三畴(51c)中的凸起部(512)和凹陷部(511)相对于X轴呈-135°倾斜，所述第四畴(51d)中的凸起部(512)和凹陷部(511)相对于X轴呈-45°倾斜。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述凸起部(512)和所述凹陷部(511)的宽度相等。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述凹陷部(511)的深度小于所述钝化层(50)的厚度。7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第二沟槽(52)与所述凹陷部(511)的深度相等，所述第二沟槽(52)的宽度大于所述凹陷部(511)的宽度。8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极(40)的材料为ITO。9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层(50)的材料为SiNxSS1x010.一种液晶面板，包括相对设置的阵列基板(100)和滤光基板(200)以及位于所述阵列基板(100)和滤光基板(200)之间的液晶层(300)，其特征在于，所述阵列基板(100)为权利要求1-9任一所述的阵列基板。
【专利摘要】本发明公开了一种阵列基板，其包括多个像素结构，每一像素结构包括设置于玻璃基板上的薄膜晶体管以及像素电极，所述薄膜晶体管与所述像素电极之间设置有钝化层，所述像素电极通过设置于所述钝化层中的过孔电性连接到所述薄膜晶体管，其中，所述钝化层中设置有沟槽结构，所述沟槽结构包括周期性排列的多个凹陷部以及间隔每两个相邻凹陷部的凸起部；所述钝化层中还设置有一第二沟槽，所述第二沟槽环绕于所述沟槽结构的四周，所述第二沟槽将多个凹陷部相互连通；所述像素电极呈一整面地覆设于所述凹陷部和所述凸起部上，并且，所述像素电极的边缘延伸至所述第二沟槽中。本发明还公开了包含如上所述阵列基板的液晶面板。
【IPC分类】G02F1/1345, G02F1/1343
【公开号】CN105093724
【申请号】CN201510585499
【发明人】甘启明
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年9月15日