显示器件及其制造方法
【专利说明】显示器件及其制造方法
[0001]本申请是申请日为2012年10月19日、申请号为201210402235.4、名称为“显示器件及其制造方法”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
[0002]本发明涉及一种显示器件，更具体地，涉及一种具有集成触摸屏的显示器件。
【背景技术】
[0003]参照图1-3描述现有技术的显示器件。
[0004]图1是现有技术的显示器件的一个像素区的截面图。图2和图3是图1的B部的变化的视图。如图1所示的现有技术的显示器件包括基板100、作为开关元件的薄膜晶体管、第一保护层134、第二保护层140、像素电极151、连接线161、第三保护层170以及公共电极181。
[0005]薄膜晶体管形成在单元像素区中，并且包括栅极电极110、栅极绝缘层120、有源层130、源极电极131、漏极电极132以及蚀刻阻挡层133。
[0006]第一保护层134和第二保护层140形成在薄膜晶体管上，特别地，第二保护层140由光丙烯酸形成。
[0007]像素电极151用作用于显示驱动的电极并通过在第二保护层140中形成的接触孔141连接至薄膜晶体管的漏极电极132。
[0008]连接线161，例如由金属形成的连接线161在第二保护层140上。例如，连接线161将显示驱动信号或触摸驱动信号施加至公共电极181。第三保护层170形成在连接线161、像素电极151以及第二保护层140上。
[0009]公共电极181和像素电极151形成在不同的层。在具有集成触摸屏的显示器件的显示驱动模式中，公共电极181与像素电极151 —起产生电场并且因此用作用于显示驱动的电极。在具有集成触摸屏的显示器件的触摸驱动模式中，公共电极181用作用于感测触摸的触摸电极。
[0010]另一方面，如图1的A部所示，当金属连接线161沉积在光丙烯酸第二保护层140上时，由于金属与光丙烯酸之间的粘性失效，在沉积之后的后续工序中会发生填充问题，因此，将有可能损坏连接线161。
[0011]即使连接线161并未因为填充问题而被损坏，但当在粘性表面的边界部发生填充问题时，蚀刻工序中的蚀刻溶液和剥离工序中的剥离溶液会污染粘性表面的边界部。为此，需花费额外的费用和时间以去除污染。
[0012]为了解决填充问题，可以在第二保护层140和连接线161之间形成缓冲钝化层。然而，在此情况中，这种额外的工序花费费用和时间。
[0013]另外，如图2和3所示，在形成用于连接像素电极151与漏极电极132的接触孔141时，当接触孔141的阶高很大或者在第一保护层134中发生诸如倒置锥形这样的错误时，在连接至漏极电极132的连接部中会发生像素电极151的断开，并且断开部被蚀刻溶液和剥离溶液暴露，导致漏极电极132的损坏。
[0014]以下描述现有技术的显示器件的一些局限。
[0015]首先，由于光丙烯酸第二保护层与金属连接线之间的粘性失效，会发生填充问题，导致损坏连接线和/或污染粘性表面的边界部。
[0016]第二，如果在光丙烯酸与金属之间形成用于解决填充问题的缓冲钝化层，那么额外的工序花费费用和时间。
[0017]第三，当用于连接像素电极与漏极电极的接触孔的阶高很大时或者当在第一保护层中发生倒置锥形时，像素电极会断开，并且在断开部的漏极电极受到蚀刻溶液和剥离溶液的损坏。
【发明内容】
[0018]本发明涉及提供一种显示器件以及一种用于制造该显示器件的方法，所述显示器件基本上避免了由于现有技术的局限和缺点导致的一个或多个问题。
[0019]本发明的一方面涉及提供一种显示器件，所述显示器件能够解决填充问题并且防止各个像素电极的断开和各个漏极电极的损坏。
[0020]本发明的一些实施方式的另外的优点和特征将部分地在随后的描述中进行说明，而部分地通过本领域的普通技术人员研习下文后，变得显而易见，或者可通过实践本发明而知晓。本发明的目的和其它优点可通过在说明书及其权利要求书和附图中具体指出的结构来实现和达到。
[0021]—方面，为了实现这些以及其它优点并且依据本发明的一些实施方式的目的，如在此具体和概括地描述的，本发明的显示器件可包括:包括栅极电极、源极电极以及漏极电极的薄膜晶体管；在所述薄膜晶体管上形成的第一保护层；在所述第一保护层上形成的第二保护层；在所述第二保护层上形成的像素电极，所述像素电极通过暴露出所述漏极电极的第一接触孔而连接至所述漏极电极；在所述第二保护层上与所述源极电极对应的位置处形成的第一连接线，所述第一连接线以及所述像素电极由相同的材料形成；在所述第一连接线上形成的第二连接线；在所述第二连接线、所述像素电极以及所述第二保护层上形成的第三保护层；以及在所述第三保护层上形成的公共电极，所述公共电极通过暴露出所述第二连接线的第二接触孔而连接至所述第二连接线。
[0022]所述显示器件可还包括设置在第一接触孔区域中的像素电极上的金属衬垫，所述金属衬垫以及所述第二连接线由相同的材料形成。
[0023]本发明的另一方面，一种形成本发明的显示器件的方法可包括:形成包括栅极电极、源极电极以及漏极电极的薄膜晶体管；在所述薄膜晶体管上形成第一保护层和第二保护层；图案化所述第一保护层和所述第二保护层以形成暴露所述漏极电极的第一接触孔；在所述第一接触孔和所述第二保护层上形成透明导电层；图案化所述透明导电层以形成像素电极和第一连接线；在所述像素电极、所述第一连接线和所述第二保护层上形成金属层；图案化所述金属层以在所述第一连接线上形成第二连接线；在所述第二连接线、所述像素电极和所述第二保护层上形成第三保护层；图案化所述第三保护层以形成暴露所述第二连接线的第二接触孔；在所述第二接触孔和所述第三保护层上形成公共电极层；以及图案化所述公共电极层以形成公共电极。
[0024]在形成第二连接线时，可与所述第二连接线同时，在所述第一接触孔区域中的像素电极上形成金属衬垫。在一些实施方式中，所述金属衬垫和所述第二连接线可由相同的材料形成。
[0025]应理解的是，对于本发明的上文的概括描述和下文的详细描述都仅是示例性的，旨在提供对要求保护的本发明的进一步的解释。
【附图说明】
[0026]附图提供对本发明的进一步理解并且并入说明书而组成说明书的一部分，附图图示本发明的实施例，并且与说明书文字一起用来解释本发明的原理。在附图中:
[0027]图1是现有技术的显示器件的一个像素区的截面图；
[0028]图2和3示出现有技术的显示器件的图1的B部的变化的视图；
[0029]图4是本发明的一些实施方式的显示器件的截面图；
[0030]图5是本发明的另外的实施方式的显示器件的截面图；以及
[0031]图6-15示出制造本发明的其它实施方式的显示器件的方法的截面图。
【具体实施方式】
[0032]现在将详细参照优选实施例，其实例示于附图中。尽可能地，在所有附图中使用相同的附图标记来表示相同的或相似的部件。如果认为已知的技术会误导本发明，则省略对该技术的详细描述。
[0033]以下，将参照附图详细描述本发明的实施方式。
[0034]在对本发明的实施方式的描述中，当一个结构被描述为形成在另一个结构上或下时，此描述应理解为包括所述结构彼此接触的情况以及在它们之间另设有第三结构的情况。
[0035]以下，将参照图4-5详细描述本发明的各种实施方式的显示器件。
[0036]图4是本发明的实施方式的显示器件的截面图。
[0037]如图4所示，本发明的一些实施方式的显示器件包括基板200、薄膜晶体管、第一保护层234、第二保护层240、像素电极251、第一连接线252、第二连接线261、第三保护层270、公共电极281以及狭缝290。
[0038]薄膜晶体管作为开关元件，形成在基板200上的像素区中。薄膜晶体管包括栅极电极210、栅极绝缘层220、有源层230、源极电极231以及漏极电极232。在一些实施方式中，基板200可由玻璃或透明塑料形成。
[0039]根据图4所示的实施方式的薄膜晶体管显示出栅极电极210形成在有源层230下的底栅结构。然而，其它实施方式的薄膜晶体管可具有栅极电极210在有源层230上设置的顶栅结构。此外，可在有源层230上额外地形成在蚀刻工序中保护有源层230的蚀刻阻挡层233。
[0040]第一保护层234可形成在薄膜晶体管上并且可保护薄膜晶体管。在一些实施方式中，第一保护层234可形成为钝化层。第二保护层240可形成在第一保护层234上。在一些实施方式中，第二保护层240可由光丙烯酸形成。
[0041]像素电极251可形成在第二保护层240上。此外，像素电极251可通过暴露出漏极电极232的第一接触孔241而连接至漏极电极232。此处，像素电极251可用作用于显示驱动的电极，并且可由诸如氧化铟锡(ITO)的透明导体形成。
[0042]第一连接线252形成在第二保护层240上与源极电极231对应的位置处，与第一像素电极251分开。如图4所示，第一连接线252可在完全或部分覆盖源极电极231的位置形成。此处，第一连接线252可在与像素电极251同一层上由与像素电极251相同的材料形成。此外，第一连接线252可与像素电极251同时形成而无需额外的工艺步骤。
[0043]换言之，当在第二保护层240和第二连接线261之间形成第一连接线252时，第一连接线252可以对第二保护层240具有良好的粘着强度。在一些实施方式中，第一连接线252可由ΙΤ0形成，和/或第二保护层240可由光丙烯酸形