阵列基板和显示面板及其制作方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板和显示面板及其制作方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]随着薄膜场效应晶体管液晶显示器件(TFT-1XD)的生产成本降低、制造工艺的日益完善，使其成为平板显示领域的主流技术。液晶显示器件的主要结构为对盒的薄膜晶体管阵列基板和彩色滤光片，在阵列基板和彩色滤光片之间填充有液晶。其中，阵列基板包括交叉分布的栅线和数据线，用于限定像素区域。
[0003]在液晶显示技术中，需要给液晶提供一定的预倾角，使得液晶按一定规则排列。现有技术中，所述预倾角由专门制作的取向膜提供，具体的，所述取向膜上具有通过摩擦工艺形成的沟槽，所述沟槽用于为液晶提供一定的预倾角。
[0004]显然，为了给液晶提供一定的预倾角，需要增加制作取向膜的材料和工艺，增加了液晶显示器件的生产成本。
【发明内容】
[0005]本发明提供一种阵列基板和显示面板及其制作方法、显示装置，用以简化制作工艺，降低生成成本。
[0006]为解决上述技术问题，本发明实施例中提供一种阵列基板，包括设置在衬底基板上的透明电极，所述透明电极位于所述阵列基板的最外层，所述透明电极上设置有感光层，所述感光层与所述透明电极的图案一致，且所述感光层的表面形成有用于对液晶分子进行取向的沟槽。
[0007]本发明实施例中提供一种阵列基板的制作方法，包括:
[0008]在衬底基板上形成透明电极，所述制作方法还包括:
[0009]在所述透明电极上形成感光层，所述感光层与所述透明电极的图案一致；
[0010]在所述感光层的表面形成用于对液晶分子进行取向的沟槽。
[0011]本发明实施例中提供一种显示面板，包括如上所述的阵列基板。
[0012]本发明实施例中提供一种显示装置，包括如上所述的显示面板。
[0013]本发明实施例中提供一种显示面板的制作方法，所述显示面板包括阵列基板和彩膜基板，所述制作方法包括采用如上所述的制作方法制得所述阵列基板。
[0014]本发明的上述技术方案的有益效果如下:
[0015]上述技术方案中，阵列基板包括位于最外层的透明电极，所述透明电极为像素电极或公共电极。所述透明电极上设置有感光层，并通过同一构图工艺形成所述透明电极和感光层，使得所述透明电极和感光层的图案一致，并在所述感光层的表面形成用于对液晶分子进行取向的沟槽，为液晶分子提供一定的预倾角，从而缺省了现有技术中的取向膜，简化了制作工艺，降低了生产成本。
【附图说明】
[0016]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1表示本发明实施例中ADS型TFT阵列基板的结构示意图；
[0018]图2表示本发明实施例中感光层的局部放大示意图；
[0019]图3表示本发明实施例中ADS型TFT显示面板的结构示意图。
【具体实施方式】
[0020]本发明提供一种阵列基板，所述阵列基板包括位于最外层的透明电极，所述透明电极为像素电极或公共电极。所述透明电极上设置有感光层，并通过同一构图工艺形成所述透明电极和感光层，使得所述透明电极和感光层的图案一致，并在所述感光层的表面形成用于对液晶分子进行取向的沟槽，为液晶分子提供一定的预倾角，从而缺省了现有技术中的取向膜，简化了制作工艺，降低了生产成本。
[0021]具体的，在制作所述透明电极的构图工艺中，首先在制作所述透明电极的透明导电薄膜上涂覆感光薄膜，然后对所述感光薄膜进行曝光，显影，形成所述感光层，以所述感光层为阻挡刻蚀所述透明导电薄膜，形成所述透明电极，其中，所述感光层与所述透明电极的图案一致。不同于现有技术中的是，本发明在所述构图工艺中，最后不剥离其上的感光层，而是在所述感光层的表面形成有用于对液晶分子进行取向的沟槽，取代现有技术中的取向膜。
[0022]下面将结合附图和实施例，对本发明的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
[0023]结合图1和图2所示，本发明实施例中提供一种阵列基板，包括设置在衬底基板100上的透明电极1，透明电极1为像素电极或公共电极，位于阵列基板的最外层，在对盒形成液晶显示面板时，透明电极1位于所述阵列基板靠近液晶分子10的一侧，如图3所示。
[0024]透明电极1上设置有感光层2，具体可以以感光层2为阻挡进行刻蚀工艺，形成透明电极1，使得感光层2的图案与透明电极1的图案一致，且感光层1的表面形成有用于对液晶分子进行取向的细微沟槽11，沟槽11用于为液晶分子10提供一定的预倾角。
[0025]本发明的技术方案通过与公共电极或像素电极由同一构图工艺形成的感光层来取代现有技术中的取向模，简化了制作工艺，降低了生产成本。
[0026]其中，感光层2的材料通常为感光树脂，具有足够大的光透过率，不会影响正常的显示。感光层2的材料具体可以为正性光刻胶或负性光刻胶。
[0027]优选地，结合图2和图3所示，感光层2表面的沟槽11内设置有锚定层12，用于增加对液晶分子10进行取向的锚定力，改善由于存在不规则电磁场造成液晶分子10不规则偏转的问题。
[0028]本发明实施例中，制作锚定层12的材料分子结构包括液晶态的主链和光聚合的侧链，锚定层12位于感光层2表面的沟槽11内，沟槽11用于为液晶分子10提供一定的预倾角，使液晶分子10规则排列。锚定层12的主链与液晶分子10的结构相似，能够增加对液晶分子10的销定力，减小液晶分子10的预倾角，从而减小干扰电磁场对液晶分子10偏转的影响，使得液晶分子10的取向效果良好，提升显示品质。而锚定层12的侧链具有光聚合特性，能够使得制作锚定层12的材料聚合固化在沟槽11内，与沟槽11配合实现对液晶分子10的锚定，并增加锚定力的作用。
[0029]具有上述分子结构的材料具有介晶性，也称为液晶态，与液晶显示用的液晶分子10具有相似的主链，不同的侧链。
[0030]目前，薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)按照显示模式可以分为:扭曲向列(TN，Twisted Nematic)型、平面转换(IPS，In Plane Switching)型和高级超维场开关(ADS,Advanced Super Dimens1n Switch)型。其中，ADS型TFT-LCD主要是通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。ADS技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。
[0031]对于ADS型TFT-1XD，其公共电极和像素电极均形成在阵列基板上，公共电极和像素电极均由透明导电材料制得。本发明实施例中的透明电极1位于阵列基板的最外侧，为狭缝电极，其上具有多个狭缝。所述透明电极1可以为公共电极，也可以为像素电极。
[0032]通过采用本发明的技术方案，能够缺省现有技术中的取向模，简化ADS型TFT阵列基板的制作工艺，降低生产成本。
[0033]如图1所示，以ADS型TFT阵列基板为例，本发明实施例中的阵列基板具体包括:
[0034]衬底基板100，为透明基板，如:玻璃基板、石英基板、有机树脂基板；
[0035]设置在衬底基板100上的多条栅线和多条数据线(图中未示出)，限定多个像素区域；
[0036]每个像素区域包括:
[0037]设置在第一衬底基板100上的薄膜晶体管4，薄膜晶体管4包括栅电极5、有源层6、源电极7和漏电极8，在栅电极5和有源层6之间设置有栅绝缘层101，栅绝缘层101的材料可以选用氧化物、氮化物或者氮氧化物，可以为单层、双层或多层结构。具体地，栅绝缘层101的材料可以是SiNx，Si0x或Si (ON)xo源电极4和漏电极5的至少一部分与有源层3接触设置；
[0038]像素电极3，像素电极3与薄膜晶体管4的漏电极8电性连接；
[0039]覆盖薄膜晶体管4和像素电极3的保护层102，保护层102的材料同样可以选用氧化物、氮化物或者氮氧化物；
[0040]设置在保护层102上的公共电极1，与像素电极3的位置对应，公共电极1上具有多个狭缝，用于与像素电极3配合形成驱动电场；
[0041]位于公共电极1上的感光层2，感光层2与公共电极1的图案一致，感光层2的表面形成有用于对液晶分子进行取向的沟槽11，如图2所示。
[0042]其中，薄膜晶体管4可以为底栅型薄膜晶体管，也可以为顶栅型薄膜晶体管、共面结构薄膜晶体管，在此并不作限定。说明书附图中仅以底栅型薄膜晶体管为例进行示意。
[0043]对于ADS型TFT阵列基板，由于栅线和数据线的线宽受到曝光机精度的限制，无法无限窄。因此，在栅线和数据线的上方没有规则的电磁场，导致周边液晶分子会发生不规则偏转。本发明的技术方案中通过在感光层2上的取向沟槽11中设置锚定层12，能够增加对液晶分子的锚定力，有效改善上述不规则电磁场造成的液晶分子取向效果不好的问题，提升显示质量。
[0044]如图3所示，本发明实施例中还提供一种显示面板，包括彩膜基板10和如上所述的阵列基板，用以简化制作工艺，降低生产成本。
[0045]当所述显示面板应用于显示装置上时，不仅能够降低产品的制作成本，还能够提升显示品质。
[0046]基于同一发明