一种滤色片基板及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示装置的组成部分，特别是涉及了一种滤色片基板及其制造方法。
【背景技术】
[0002]目前滤色片(Color Filter)的BM (挡光层或遮光层)使用Resin (树脂)制作，需要专用的生产线制作BM，相对成本及制造要求较高；虽然BM材料使用金属铬或铬氧化物也能达到挡光效果，但铬为有害物质，不满足环保要求。
【发明内容】
[0003]为了解决上述现有技术的不足，本发明提供了一种滤色片基板的制造方法，其采用了无害的金属材料作为遮光矩阵材料，同时在基板和遮光矩阵之间增加钝化层，以降低金属材料的反射率，达到质量要求及环保要求；该滤色片基板为Mono (黑白)滤色片，不需要彩色树脂作为彩色滤光层，减少制作彩色树脂的程序及相应的成本，提高生产效率且降低生产成本。本发明还提供了一种滤色片基板。
[0004]本发明所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现:
一种制造滤色片基板的方法，包括以下步骤:
提供一基板；
在基板一侧上形成限定单元区域的钝化层矩阵；
在钝化层矩阵上形成防止光泄漏的遮光矩阵；其中，
所述遮光矩阵材料为具有挡光功能的金属材料，其包括铝、铝合金、钼、钼合金、氧化钼、银或钛的至少一种。
[0005]在本发明中，所述钝化层矩阵材料包括a-Si或多晶硅或ΙΤ0。
[0006]在本发明中，在遮光矩阵上形成间隔柱。
[0007]在本发明中，所述基板另一侧形成偏光片。
[0008]在本发明中，还包括在遮光矩阵及基板上形成透明电极层的步骤。
[0009]在本发明中，在所述透明电极层和遮光矩阵之间形成有绝缘层。
[0010]在本发明中，在所述遮光矩阵的透明电极层上形成有间隔柱。
[0011]—种滤色片基板，包括:
钝化层矩阵，形成在基板一侧上，用于限定单元区域；
遮光矩阵，形成在钝化层矩阵上，用于防止光泄漏；其中，
所述遮光矩阵材料为具有挡光功能的金属材料，其包括铝、铝合金、钼、钼合金、氧化钼、银或钛的至少一种。
[0012]在本发明中，所述钝化层矩阵材料包括a-Si或多晶硅或ΙΤ0。
[0013]本发明具有如下有益效果:该滤色片基板的制造方法采用了无害的金属材料作为遮光矩阵材料，同时在基板和遮光矩阵之间增加钝化层，以降低金属材料的反射率，达到质量要求及环保要求；该滤色片基板为Mono (黑白)滤色片，不需要彩色树脂作为彩色滤光层，减少制作彩色树脂的程序及相应的成本，提高生产效率且降低生产成本；该滤色片基板可适应但不限于常白显示模式、常黑显示模式、半透半反模式等。
【附图说明】
[0014]图1为本发明的一实施例的结构示意图；
图2为本发明一实施例的剖视图；
图3为本发明另一实施例的剖视图；
图4为本发明又一实施例的剖视图。
【具体实施方式】
[0015]下面结合附图和实施例对本发明进行详细的说明。
[0016]请参考图1、2，其显示了一种滤色片基板的剖视图，该滤色片基板包括一透明基板1、形成在该基板1 一侧上用于限定单元区域的钝化层矩阵2、形成在该钝化层矩阵2上用于防止光泄漏的遮光矩阵3 ;其中，所述遮光矩阵3材料为具有挡光功能的金属材料，其包括铝、铝合金、钼、钼合金、氧化钼、银或钛的至少一种，也可以是其他具有挡光功能的无毒害金属；所述钝化层矩阵2材料包括但不限于A-Si (非晶硅)、多晶硅、ΙΤ0等高透、非高透过率物质。
[0017]本发明所使用金属的反射率较高，在基板1另一侧贴合偏光片后外观无法实现黑色显示，因此先制作钝化层，以降低金属的反射率，使外观观看趋近黑色。本发明优选采用50nm以上厚度的钼作为遮光矩阵3，采用5~30nm厚的非晶硅作为钝化层矩阵2 ;较佳地，本发明采用150nm的钼层结合20nm非晶娃层将反射率降低至10，若只采用150nm的钼层，贝lj其反射率为50。
[0018]本发明偏光片的透过率可根据具体滤色片的反射率选定，包括但不限于5%、10%、15%、20% 等。
[0019]做进一步改进，所述滤色片基板还包括在遮光矩阵3及基板1上形成一透明电极4层，如图3所示，优选为ΙΤ0电极。该透明电极4层可根据不同显示模式制作或不制作。
[0020]做进一步改进，在所述遮光矩阵3上或与该遮光矩阵3对应的透明电极4层上形成有间隔柱5 (Photo Space)，如图4所示。该间隔柱5可根据需要制作或不制作。
[0021]做进一步改进，可以在遮光矩阵3与透明电极4层之间增加绝缘层。
[0022]本滤色片可适应但不限于常白显示模式、常黑显示模式、半透半反模式等。
[0023]本发明可以在金属层与ΙΤ0电极层之间增加绝缘层。
[0024]本发明还提供了一种制造滤色片基板的方法，包括以下步骤:
提供一透明基板；
在基板一侧上沉积一层厚度约5~30nm非晶硅层，通过光刻及刻蚀工序使非晶硅层形成图案而形成钝化矩阵，该钝化矩阵将所述基板分割成多个单元区域；
在钝化矩阵上沉积一层厚度大于50nm的钼层，通过光刻机刻蚀工序使其形成图案而形成在该钝化矩阵上的遮光矩阵，其用于防止光泄露。其中，
所述遮光矩阵材料还可以是铝、铝合金、钼合金、氧化钼、银或钛的至少一种，也可以是其他具有挡光功能的无毒害金属。本发明所使用金属的反射率较高，在基板另一侧贴合偏光片后外观无法实现黑色显示，因此先制作钝化层，以降低金属的反射率，使外观观看趋近黑色。
[0025]需要说明的是，所述钝化层矩阵材料还可以是多晶硅、ΙΤ0等高透、非高透过率物质。偏光片的透过率可根据具体滤色片的反射率选定，包括但不限于5%、10%、15%、20%等。
[0026]所述滤色片基板的制作方法还包括在遮光矩阵及基板上形成一透明电极层，优选为ΙΤ0电极。
[0027]所述滤色片基板的制作方法还包括在所述遮光矩阵上或与该遮光矩阵对应的透明电极层上形成间隔柱(Photo Space)。
[0028]所述滤色片基板的制作方法还包括在遮光矩阵与透明电极层之间增加一绝缘层。
[0029]需要说明的是，该透明电极层可根据不同显示模式制作或不制作。该间隔柱可根据需要制作或不制作。
[0030]以上所述实施例仅表达了本发明的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制，但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案，均应落在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种制造滤色片基板的方法，包括以下步骤: 提供一基板； 在基板一侧上形成限定单元区域的钝化层矩阵； 在钝化层矩阵上形成防止光泄漏的遮光矩阵；其中， 所述遮光矩阵材料为具有挡光功能的金属材料，其包括铝、铝合金、钼、钼合金、氧化钼、银或钛的至少一种。2.根据权利要求1所述制造滤色片基板的方法，其特征在于，所述钝化层矩阵材料包括a-Si或多晶硅或ITO。3.根据权利要求1所述制造滤色片基板的方法，其特征在于，在遮光矩阵上形成间隔柱。4.根据权利要求1所述制造滤色片基板的方法，其特征在于，所述基板另一侧形成偏光片。5.根据权利要求1所述制造滤色片基板的方法，其特征在于，还包括在遮光矩阵及基板上形成透明电极层的步骤。6.根据权利要求5所述制造滤色片基板的方法，其特征在于，在所述透明电极层和遮光矩阵之间形成有绝缘层。7.根据权利要求5或6所述制造滤色片基板的方法，其特征在于，在所述遮光矩阵的透明电极层上形成有间隔柱。8.—种滤色片基板，其特征在于，包括: 钝化层矩阵，形成在基板一侧上，用于限定单元区域； 遮光矩阵，形成在钝化层矩阵上，用于防止光泄漏；其中， 所述遮光矩阵材料为具有挡光功能的金属材料，其包括铝、铝合金、钼、钼合金、氧化钼、银或钛的至少一种。9.根据权利要求8所述的滤色片基板，其特征在于，所述钝化层矩阵材料包括a-Si或多晶硅或ITO。
【专利摘要】本发明公开了一种制造滤色片基板的方法，包括以下步骤：提供一基板；在基板一侧上形成限定单元区域的钝化层矩阵；在钝化层矩阵上形成防止光泄漏的遮光矩阵；其中，所述遮光矩阵材料为具有挡光功能的金属材料，其包括铝、铝合金、钼、钼合金、氧化钼、银或钛的至少一种。本发明还公开了一种滤色片基板。该滤色片基板的制造方法采用了无害的金属材料作为遮光矩阵材料，同时在基板和遮光矩阵之间增加钝化层，以降低金属材料的反射率，达到质量要求及环保要求；该滤色片基板为黑白滤色片，不需要彩色树脂作为彩色滤光层，减少制作彩色树脂的程序及相应的成本，提高生产效率且降低生产成本。
【IPC分类】G02F1/1335
【公开号】CN105242450
【申请号】CN201510781643
【发明人】柳发霖, 于春崎, 李林, 何基强, 张苏杰, 万方馨
【申请人】信利半导体有限公司
【公开日】2016年1月13日
【申请日】2015年11月16日