导电性支持体,感光体,图像形成装置以及处理卡盒的制作方法_3

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测量长度。
[0134] 多分辨率解析对于间隔剔除的处理结果进行第2次小波变换。
[0135] 图4(C)是根据进行第2次小波变换的数据的计算结果的一个例子。图4(C)以从 上往下按频率下降的顺序进行图示。
[0136] 第7频率分量的图线G7是通过第2次小波变换作为最高频率分量的第7频率分 量LHH的图线。
[0137] 第8频率分量的图线G8是作为比第7频率分量LHH低1个的频率分量的第8频 率分量LHL的图线。
[0138] 第9频率分量的图线G9是作为比第7频率分量LHH低2个的频率分量的第9频 率分量LMH的图线。
[0139] 第10频率分量的图线GlO是作为比第7频率分量LHH低3个的频率分量的第10 频率分量LML的图线。
[0140] 第11频率分量的图线Gll是作为比第7频率分量LHH低4个的频率分量的第11 频率分量LLH的图线。
[0141] 第12频率分量的图线G12是作为最低频率分量的第12频率分量LLL的图线。
[0142] 图4 (D)表不合成信号。
[0143] 图7是表示本发明的一实施形态所涉及的进行多分辨率解析的第2次小波变换的 数据的各频率分量的分离状态的一个例子的图。横轴是凹凸形状设为正弦波时的每Imm长 度出现的凹凸数。纵轴是分离在各频带中的比例。
[0144] 第7频率分量的频带的图线GF7是表示第7频率分量LHH的频带的图线。
[0145] 第8频率分量的频带的图线GF8是表示第8频率分量LHL的频带的图线。
[0146] 第9频率分量的频带的图线GF9是表示第9频率分量LMH的频带的图线。
[0147] 第10频率分量的频带的图线GFlO是表示第10频率分量LML的频带的图线。
[0148] 第11频率分量的频带的图线GFll是表示第11频率分量LLH的频带的图线。
[0149] 第12频率分量的频带的图线GF12是表示第12频率分量LLL的频带的图线。
[0150] 在图7中,当每Imm的凹凸数在0. 2个以下时,出现在第12频率分量的频带的图 线GF12。当例如每Imm的凹凸数是11个时,最强出现在第8频率分量的频带的图线GF8, 且出现在第8频率分量的图线G8。
[0151] 因此,由每Imm的凹凸数,即表面粗糙度决定表示在图4以及图7中的某条图线。 细小毛糙等由于是高频率,以高频率分量表示。波动等由于是低频率,以低频率分量表示。 从各频率频带的图线计算算术平均粗糙度Ra、最大高度Rz以及十点平均粗糙度Rz JIS。
[0152] 图8是表示本发明一实施形态所涉及的多分辨率解析得出的计算结果的一个例 子的图。
[0153] 多分辨率解析结果表TO表示从各频率频带的图线计算的算术平均粗糙度Ra、最 大高度Rz以及十点平均粗糙度Rz JIS。
[0154] 信号名「HHH」是周期的长度为0. 3 μπι~3 μπι的频率频带的计算结果。
[0155] 信号名「HHL」是周期的长度为1 μπι~6 μπι的频率频带的计算结果。
[0156] 信号名「ΗΜΗ」是周期的长度为2 μπι~13 μπι的频率频带的计算结果。
[0157] 信号名「HML」是周期的长度为4 μπι~25 μπι的频率频带的计算结果。
[0158] 信号名「HLH」是周期的长度为10 μπι~50 μπι的频率频带的计算结果。
[0159] 信号名「HLL」是周期的长度为24 μπι~99 μπι的频率频带的计算结果。
[0160] 信号名「LHH」是周期的长度为26 μπι~106 μπι的频率频带的计算结果。
[0161] 信号名「LHL」是周期的长度为53 μπι~183 μπι的频率频带的计算结果。
[0162] 信号名「LMH」是周期的长度为106 μπι~318 μπι的频率频带的计算结果。
[0163] 信号名「LML」是周期的长度为214 μπι~551 μπι的频率频带的计算结果。
[0164] 信号名「LLH」是周期的长度为431 μπι~954 μπι的频率频带的计算结果。
[0165] 信号名「LLL」是周期的长度为867 μπι~1654 μπι的频率频带的计算结果。
[0166] 使用施以面粗糙化的导电性支持体的感光体形成图像时的莫尔条纹和多分辨 率解析得出的计算结果的关系通过多变量解析表示。多变量解析是由例如统计软件JMP Ver. 5. Ola (SAS Institute公司制)等实现。通过多变量解析,莫尔条纹的产生可以说与在 周期长度为26 μ m~106 μ m的频率频带中的算术平均粗糙度Ra、第7频率分量LHH的算术 平均粗糙度WRa的相关性强。
[0167] 通过指定与莫尔条纹产生相关性强的在周期长度为26 μπι~106 μπι的频率频带 的第7频率分量LHH的算术平均粗糙度WRa的导电性支持体,可以使莫尔条纹的产生减少。
[0168] 还有,通过使用指定在周期长度为26 μπι~106 μπι的频率频带中的第7频率分量 LHH的算术平均粗糙度WRa的导电性支持体的感光体、处理卡盒以及图像形成装置,可以形 成减少莫尔条纹的图像。
[0169] 图9是表示本发明一实施形态所涉及的感光体的构成的一个例子的图。图9是感 光体表面的截面图。
[0170] 图9 (A)是表示感光体为具有导电性支持体80、电荷输送层81和电荷发生层82的 构成的一个例子的图。
[0171] 图9 (B)是表示感光体为具有导电性支持体80、电荷输送层81、电荷发生层82和 基底层83的构成的一个例子的图。
[0172] 导电性支持体80具有体积电阻IOwQ ^cm以下的导电性材料。材料是将例如铝, 镍,铬,镍铬合金,铜,银,金,铂,铁等的金属、氧化锡或氧化铟等的氧化物,通过蒸镀或者 溅涂覆盖到薄膜状或圆筒状的塑料或纸等形成的物质。材料是铝,铝合金,镍,不锈钢等的 板材。材料通过拉伸压平法、冲击压平法、挤压压平法、挤压拉伸法、或者切割法等的工艺使 其导电性支持体化后,使用切割、超精加工以及研磨等表面处理的管等。
[0173] 电子照相感光体优选构成为在导电性支持体80和感光层之间设有基底层83。设 置基底层83的结构是可以提高粘接性、减少莫尔条纹、改良上层涂布性、减少来自导电性 支持体80的电荷注入等的结构。设置基底层83的结构是通过减少来自导电性支持体的电 荷注入可以减少图像的黑斑或尘埃的结构。
[0174] 基底层83是由树脂做为主要成分的材料构成。当在基底层83上涂布感光层时, 用于基底层83的树脂优选难溶于有机溶剂的热固化性树脂。
[0175] 用于基底层83的树脂为聚氨酯树脂、三聚氰胺树脂、或醇酸三聚氰胺树脂。树脂 可以使用四氢呋喃、环已酮、二恶烷、二氯乙烷、或丁酮等溶剂,适当稀释后形成涂料。
[0176] 基底层83为了调节导电率以及减少莫尔条纹,也可以加入金属或金属氧化物等 的微粒。微粒最好是氧化钛。微粒使用四氢呋喃、环已酮、二恶烷、二氯乙烷、或丁酮等溶剂, 通过球磨机、超微粉碎机、或砂磨机等分散,包含在混合分散液和树脂成分的涂料中。
[0177] 基底层83通过对上述涂料使用浸涂法、喷涂法、或熔珠涂覆法等在支持体上成 膜。基底层83也可以通过加热固化形成。
[0178] 基底层83的膜厚优选1~5 μ m左右。当电子照相感光体的剩余电位的积蓄变大 时,基底层83的膜厚优选不足3 μ m。
[0179] 感光层可以将电荷输送层81和电荷发生层82设为单层构成。感光层最好是依次 叠加的层叠型感光层。下面,以层叠型感光层为例进行说明。
[0180] 电荷输送层81是层叠型感光层的一部分,通过曝光产生电荷。
[0181] 电荷输送层81中所包含的化合物以电荷发生物质为主要成分。电荷输送层81也 可以使用粘合剂树脂。电荷发生物质使用无机类材料和有机类材料。
[0182] 无机类材料是例如结晶硒,无定形硒,硒-碲,硒-碲-卤素,硒-砷化合物,或非 晶硅等。非晶硅是用氢原子或卤素原子端接不饱和键的物质等。非晶硅是掺杂硼原子或磷 原子的物质等。
[0183] 有机类材料是例如钛酞菁、氯镓酞菁等的金属酞菁、无金属酞菁、奧盐颜料、方形 酸次甲基颜料、具有咔唑骨架的对称或不对称的偶氮颜料、具有三苯胺骨架的对称或不对 称的偶氮颜料、具有芴骨架的对称或不对称的偶氮颜料、或茈系颜料等。
[0184] 通过使用金属酞菁、具有芴骨架的对称或不对称的偶氮颜料、具有三苯胺骨架的 对称或不对称的偶氮颜料以及茈系颜料,可以提高电荷发生的量子效率。
[0185] 电荷发生物质也可以是单独或者2种以上的混合物。
[0186] 粘合剂树脂是例如聚酰胺,聚氨酯,环氧树脂,聚酮,聚碳酸酯,聚芳酯,硅酮树脂, 丙烯酸树脂,聚乙烯醇缩丁醛,聚乙烯醇缩甲醛,聚乙烯酮,聚苯乙烯,聚-N-乙烯基咔唑, 或聚丙烯酰胺等。还有,也可以使用后述的高分子电荷输送物质。其中,最好是聚乙烯醇缩 丁醛。
[0187] 粘合剂树脂也可以是单独或者2种以上的混合物。
[0188] 形成电荷发生层82的方法是例如真空薄膜制作法或溶液分散类的浇铸法。
[0189] 真空薄膜制作法是用于生成无机类材料以及有机类材料的层,是例如真空蒸镀 法、发光放电分解法,离子电镀法,溅涂法,反应性溅涂法,或CVD (化学气相成长)法等。
[0190] 为了通过浇铸法设置电荷发生层82,上述的无机类或有机类电荷发生物质使用粘 合剂树脂和四氢呋喃,环己酮,二恶烷,二氯乙烷或丁酮等的溶剂。为了通过浇铸法设置电 荷发生层82,可以由球磨机,超微粉碎机,或砂磨机等分散,对分散液进行适当稀释后涂布。 和甲基乙基酮,四氢呋喃,环己酮,氯苯,二氯甲烷,甲苯或者二甲苯相比较,可以降低对环 境影响的程度。涂布通过例如浸涂法,喷涂法,或熔珠涂覆法等进行。
[0191] 电荷发生层82的膜厚最好是大约0.01~5 μπι。电荷发生层82的膜厚为了减少 剩余电位或者高敏感化,还可以实行厚膜化。厚膜化有时会形成带电电荷的保持性或空间 电荷的形成等带电性的劣化。因此,电荷发生层82的膜厚最好是0. 05~2 μπι。
[0192] 电荷发生层82可以添加后述的抗氧化剂、增塑剂、润滑剂、或紫外线吸收剂等的 低分子化合物以及流平剂。低分子化合物可以是单独或者2种以上的混合物。
[0193] 若低分子化合物以及流平剂一起使用,有时会使灵敏度下降,因此,低分子化合物 的使用量适合在〇. 1~20phr,最好是0. 1~lOphr,且流平剂的使用量最好是0. 001~ 〇· Iphr 左右。
[0194] 电荷输送层81通过注入电荷发生层82生成的电荷,以及输送、带电,使设置的感 光体的表面电荷中和。电荷输送层81是层叠型感光层的一部分。电荷输送层81的主要成 分是电荷输送成分和使之粘结的粘合剂成分。
[0195] 电荷输送物质是例如低分子型的电子输送物质、正空穴输送物质以及高分子
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