电荷 输送物质。电子输送物质是例如不对称联苯醌衍生物、芴衍生物、或萘二甲酰亚胺衍生物等 的电子受容性物质。电子输送物质可以是单独或2种以上的混合物。正空穴输送物质最好 是电子供与性物质。正空穴输送物质是例如恶唑衍生物，恶二唑衍生物，咪唑衍生物，三苯 胺衍生物，丁二烯衍生物。正空穴输送物质是例如9-(P-二乙氨基蒽）、1，1-双-(4-二苄 氨基苯基）丙烷、苯乙烯基蒽恶唑衍生物、恶二唑衍生物、咪唑衍生物、三苯胺衍生物、丁二 烯衍生物等。正空穴输送物质是例如苯乙烯基吡唑啉、苯基腙、α-苯基芪衍生物、噻唑衍 生物、三唑衍生物、吩嗪衍生物等。正空穴输送物质是例如吖啶衍生物、苯并呋喃衍生物、苯 并咪唑衍生物、噻吩衍生物等。正空穴输送物质可以是单独或者2种以上的混合物。
[0196] 还有，正空穴输送物质也可以是高分子电荷输送物质。高分子电荷输送物质是例 如具有聚-N-乙烯基咔唑等的咔唑环的聚合物、特开昭57-78402号公报等中记载的具有腙 结构的聚合物等。高分子电荷输送物质是例如特开昭63-285552号公报等中记载的聚矽烷 聚合物、或者特开2001-330973号公报等中记载的芳香族聚碳酸酯等。高分子电荷输送物 质可以是单独或者2种以上的混合物。高分子电荷输送物质为了静电特性良好，最好是特 开2001-330973号公报等中记载的芳香族聚碳酸酯。
[0197] 高分子电荷输送物质在将交联型树脂表面层层叠时，与低分子型的电荷输送物质 相比，由于构成电荷输送层81的成分向交联型树脂表面层的渗出少，可以减少交联型树脂 表面层的固化不良。还有，高分子电荷输送物质因高分子量化具有耐热性，因此，使得交联 型树脂表面层成膜时，可以减少固化热产生的劣化。
[0198] 电荷输送层81的粘合剂成分中使用的高分子化合物是例如聚苯乙烯，聚酯，聚乙 烯醇，聚芳酯，聚碳酸酯，丙烯酸树脂，或有机硅树脂等。电荷输送层81的粘合剂成分中使 用的高分子化合物是例如氟树脂，环氧树脂，三聚氰胺树脂，聚氨酯树脂，酚醛树脂，醇酸树 脂等。电荷输送层81的粘合剂成分中使用的高分子化合物是热塑性或热固性树脂。
[0199] 对于电荷输送层81的粘合剂成分中使用的高分子化合物，为了使得电荷移动特 性良好，优选聚苯乙烯、聚酯、聚芳酯、或聚碳酸酯。还有，由于电荷输送层81上层叠交联型 树脂表面层，电荷输送层81不需要机械强度，因此，电荷输送层81的粘合剂成分也可以是 聚苯乙烯等的透明性强、机械强度较弱的材料。电荷输送层81的粘合剂成分中使用的高分 子化合物可以是单独或者2种以上的混合物。电荷输送层81的粘合剂成分中使用的高分 子化合物也可以是单独或2种以上混合物的单体2种以上组成的共聚物。电荷输送层81 的粘合剂成分中使用的高分子化合物也可以和电荷输送物质共聚合化。
[0200] 为了改良电荷输送层81，使用电惰性高分子化合物时，电荷输送层81的粘合剂成 分中使用的高分子化合物优选具有芴等的笨重骨架的卡尔聚合物型聚酯或聚对苯二甲酸 乙酯等。电荷输送层81的粘合剂成分中使用的高分子化合物优选对于聚萘二甲酸等的聚 酯或C型聚碳酸酯等的双酚型的聚碳酸酯、酚醛树脂成分3, 3'部位进行烷基置换的聚碳酸 酯等。电荷输送层81的粘合剂成分中使用的高分子化合物优选双酚A的孪位甲基通过碳 原子数2个以上的长链的烷基置换的聚碳酸酯等。电荷输送层81的粘合剂成分中使用的 高分子化合物优选具有联苯或联苯醚骨架的聚碳酸酯等。电荷输送层81的粘合剂成分中 使用的高分子化合物优选具有聚己内酯或聚己内酯等的长链烷基骨架的聚碳酸酯等（例 如特开平7-292095号公报等中记载）。电荷输送层81的粘合剂成分中使用的高分子化合 物优选丙烯酸树脂、聚苯乙烯、或氢丁二烯等。
[0201] 电惰性高分子化合物是不含有三芳基胺结构等的表示光导电性的化学结构的高 分子化合物。当将这些树脂做为添加剂与粘合剂树脂并用时，由于光衰减灵敏度的限制，添 加量优选相对电荷输送层81的总固形份设为50wt百分比。
[0202] 当使用低分子型的电荷输送物质时，使用量优选40~200phr，最好是70~ IOOphr左右。还有，当使用高分子型的电荷输送物质时，材料优选相对电荷输送成分100重 量份，树脂成分是〇~200重量份，最好是以80~150的重量份左右的比例共聚合的材料。
[0203] 还有，当电荷输送层81中含有2种以上的电荷输送物质时，最好是电荷输送物质 间的电离电位差低。具体地说，电离电位差最好是〇. IOeV以下，通过减少电离电位差，可以 减少一方的电荷输送物质成为另一方的电荷输送物质的电荷俘获。
[0204] 电离电位差即使在电荷输送物质中含有的电荷输送物质和固化性电荷输送物质 间也同样优选〇. IOeV以下。
[0205] 电离电位的值是由理研计器公司制的气氛型紫外线光电子分析装置AC-I测量值 表不。
[0206] 电荷输送成分的配合量为了实现高灵敏度化，最好是70phr。还有，电荷输送物质 最好是α -苯基芪化合物、联苯胺化合物、或丁二烯化合物的单量体、二量体、以及在主链 或侧链具有这些构造的高分子电荷输送物质等的电荷迀移率高的材料。
[0207] 在调制电荷输送层涂料时使用的分散溶剂是例如甲基乙基酮、丙酮、甲基异丁基 酮、环己酮等的酮类、二恶烷、或四氢呋喃等。分散溶剂是例如乙基溶纤剂等的醚类，甲苯、 二甲苯等的芳香族类，氯苯、二氯甲烷等的卤素类，乙酸丁酯乙酸乙酯等的酯类等。分散溶 剂与氯苯、二氯甲烷、甲苯、以及二甲苯相比，最好是对环境影响小的甲基乙基酮、四氢呋 喃、或环己酮。分散溶剂可以是单独或2种以上的混合物。
[0208] 电荷输送层81通过将以电荷输送成分和粘合剂成分为主要成分的混合物或共聚 合体溶解或分散于溶剂，对其进行涂布以及干燥而形成。涂装方法是例如浸渍法、喷涂法、 环涂法、辊涂法、凹版涂布法、喷嘴涂布法、或丝网印刷法等。
[0209] 电荷输送层81的膜厚为了确保必要的灵敏度以及带电能力，适合在10~40 μ m 左右，最好是15~30 μ m。
[0210] 电荷输送层81可以添加抗氧化剂、增塑剂、润滑剂、以及紫外线吸收剂等的低分 子化合物和流平剂。低分子化合物以及流平剂可以是单独或者2种以上的混合物。通过低 分子化合物以及流平剂一起使用可以减少灵敏度下降，因此，低分子化合物的使用量适合 在0. 1~20phr，最好是0. 1~lOphr，且流平剂的使用量最好是0. 001~0.1 phr左右。
[0211] 〈面粗糙化〉
[0212] 通过对导电性支持体80进行面粗糙化，可以使第7频率分量LHH的算术平均粗糙 度WRa设为所设定的值。具体地说，面粗糙化通过设定导电性支持体80的切削条件实现。
[0213] 回转鼓状的电子照相感光体用的导电性支持体广泛使用于电子照相复印机、数字 复印机、激光打印机等的电子照相装置。
[0214] 感光体是在导电性支持体80上设置感光层构成。导电性支持体80从低成本、轻 量以及便于加工性等的优点考虑，最好使用铝类材料。铝类材料形成的回转鼓状的导电性 支持体大多是对管状材料的表面进行切削加工完成。
[0215] 圆筒体表面的切削加工通过使导电性支持体80回转，使刀具、刃具向导电性支持 体80的轴向移动的方法等实现。具体地说，加工方法是CORONA公司刊行的精密工学讲座 11切削工学中做为普通车床介绍的方法等。加工方法是专利公报第3215829、专利公报第 2795357、特开平7-77814以及特开平8-276301等中记载的方法等。
[0216] 圆筒体表面的切削加工通过固定导电性支持体80、使刀具、刀具在导电性支持 体80的周边回转的方法等实现。具体地说，加工方法是在特开平6-328301以及特开平 6-32830等中记载的方法等。
[0217] 车床由工作机械实现，其包括使进行加工的物体回转的主轴台、相对主轴台支撑 被加工物的另一端的尾座，和安装刀具进行送进的往复台。运行车床时，通过设定用于加工 被加工物的刀具各部分的角度、切削速度、以及送进等的切削条件，实现面粗糙化。
[0218] 〈评价结果〉
[0219] 下面，将铝合金JIS规格A6063材料通过异形孔挤压法挤压成外径Φ24. 2mm、内径 Φ23. 5mm的管状，切割成长度为254mm的材料，以此为例进行说明。样本1至样本10是对 材料以不同的切削条件进行加工的样本。以本发明一实施形态所涉及的样本1至样本10 为例进行说明。
[0220] 图10是表示本发明一实施形态所涉及的切削条件的一个例子的表。
[0221] 切削条件表Tl是表示加工样本1至样本10的切削条件的表。在切削条件表Tl 中，切削条件是主轴回转数和切削速度。关于样本9以及样本10,切削条件的切削速度在粗 切削工序和精加工工序时不同。
[0222] 样本1是以主轴回转数3000rpm，且切削速度0. 3mm/rev加工的样本。
[0223] 样本2是以主轴回转数3000rpm，且切削速度0. 2mm/rev加工的样本。
[0224] 样本3是以主轴回转数5000rpm，且切削速度0. 3mm/rev加工的样本。
[0225] 样本4是以主轴回转数5000rpm，且切削速度0. 2mm/rev加工的样本。
[0226] 样本5是以主轴回转数3000rpm，且切削速度0. 5mm/rev加工的样本。
[0227] 样本6是以主轴回转数3000rpm，且切削速度0. 4mm/rev加工的样本。
[0228] 样本7是以主轴回转数3000rpm，且切削速度0. lmm/rev加工的样本。
[0229] 样本8是以主轴回转数5000rpm，且切削速度0. lmm/rev加工的样本。
[0230] 样本9是粗切削工序以主轴回转数5000rpm、且切削速度0. 3mm/reV，精加工工序 以主轴回转数3000rpm、且切削速度0. 3mm/rev加工的样本。
[0231] 样本10是粗切削工序以主轴回转数5000rpm、且切削速度0. 3mm/rev，精加工工序 以主轴回转数5000rpm、且切削速度0. 2mm/rev加工的样本。
[0232] 测定各样本，评价用第7频率分量LHH的算术平均粗糙度WRa进行。
[0233] 图11是表示本发明一实施形态所涉及的导电性支持体的小波变换结果的一个例 子的图。图11是关于样本1的小波变换结果的一个例子。
[0234] 如图11中所示，通过小波变换的解析计算各频率频带的算术平均粗糙度Ra，用对 于莫尔条纹影响强、第7频率分量LHH的算术平均粗糙度WRa进行评价。
[0235] 图12是表示本发明一实施形态所涉及的导电性支持体的评价结果的一个例子的 表。
[0236] 评价结果表T2是在图10的切削条件表Tl中表示的各导电性支持体的评价结果。
[0237] 评价结果表T2是根据用表面粗糙度/轮廓形状测量仪73 (东京精密公司制造 SurfcomHOOD)测定作为各导电性支持体的感光体表面的测定结果的评价值。感光体表面 通过安装在表面粗糙度/轮廓形状测量仪73的传感器（E-DT-S02