阵列基板、显示面板以及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型至少一实施例涉及一种阵列基板、显示面板以及显示装置。
【背景技术】
[0002]随着液晶显示技术的发展，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film TransistorLiquid Crystal Display，TFT_LCD)广泛地应用在各个领域。TFT-LCD中，通过控制液晶分子的偏转，从而实现对光线强弱的控制，然后通过彩膜层的滤光作用，实现彩色图像显示。
[0003]通常，TFT-LCD以及其他电子产品具有多层结构。在制造过程中，构成多层结构的每一层一般采用沉积工艺或溅射工艺形成，然后在其上形成光刻胶，利用掩模版对光刻胶进行图案化，再以图案化的光刻胶为掩膜进行刻蚀得到图案化的膜层。在半导体器件中由于衬底基板上的半导体器件的各层的图案尺寸和图案密度不同而存在着某些工艺偏差。
[0004]TFT-LCD包括面内开关(In-Plane Switching，IPS)模式和高级超维场(Advanced-Super Dimens1nal Switching，ADS)模式。在IPS模式和ADS中，通过像素电极或公共电极边缘所产生的平行电场以及像素电极与公共电极间产生的纵向电场形成多维电场，使液晶盒内像素电极和公共电极之间、像素电极或公共电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型至少一实施例提供一种阵列基板、显示面板以及显示装置。该阵列基板通过对液晶模式的像素电极和公共电极及其排列进行改善，使得对关键尺寸偏差(CDbias)和重叠余量(overlay margin)等工艺偏差的容忍度提高，从而可实现显示亮度的均一性。
[0006]本实用新型至少一实施例提供一种阵列基板，包括衬底基板和设置在所述衬底基板上的多条栅线、多条数据线和多个子像素；
[0007]所述子像素内设置相互绝缘的第一电极和第二电极，所述第一电极包括多个第一电极条，所述第二电极包括多个第二电极条，所述多个第一电极条之间电连接，所述多个第二电极条之间电连接；
[0008]所述多个第一电极条和所述多个第二电极条在所述衬底基板上的投影中，其中一个所述第二电极条的投影和与其在第一方向上相邻的所述第一电极条的投影在平行于第一方向上的距离为SI;所述第二电极条的投影和与其在所述第一方向的相反方向上相邻的所述第一电极条的投影在平行于第一方向上的距离为S2，所述第一方向为沿所述数据线的一个延伸方向，或者，所述第一方向为沿所述栅线的一个延伸方向；
[0009]所述多个子像素包括第一畴和第二畴，所述第一畴和所述第二畴位于同一子像素中或位于不同的子像素中，所述第一畴包括SI大于S2的部分，所述第二畴包括SI小于S2的部分。
[0010]例如，在本实用新型一实施例提供的阵列基板中，所述第一畴中所述第一电极条和所述第二电极条的延伸方向相同，所述第二畴中所述第一电极条和所述第二电极条的延伸方向相同，所述第一畴和所述第二畴中的电极条的延伸方向相同或不同。
[0011]例如，在本实用新型一实施例提供的阵列基板中，所述第一畴的电极条的延伸方向和所述第二畴的电极条的延伸方向的夹角大于等于零度且小于90度。
[0012]例如，在本实用新型一实施例提供的阵列基板中，所述第一畴还包括SI小于S2的部分，所述第二畴还包括SI大于S2的部分。
[0013]例如，在本实用新型一实施例提供的阵列基板中，所述第一畴和所述第二畴位于同一子像素中，所述子像素还包括与所述第一畴呈镜像对称的第三畴以及与所述第二畴呈镜像对称的第四畴。
[0014]例如，在本实用新型一实施例提供的阵列基板中，所述第一畴和所述第二畴位于不同的子像素中，所述第一畴位于第一子像素中，所述第二畴位于第二子像素中，所述阵列基板还包括与所述第一子像素呈镜像对称的第三子像素和与所述第二子像素呈镜像对称的第四子像素。
[0015]例如，在本实用新型一实施例提供的阵列基板中，所述第一畴和所述第二畴中，所述SI大于S2的部分的面积等于所述SI小于S2的部分的面积。
[0016]例如，在本实用新型一实施例提供的阵列基板中，0.03< S1-S2|/|S1+S2 <0.3o
[0017]例如，在本实用新型一实施例提供的阵列基板中，0.4μπι<S1-S2 <0.6μπι。
[0018]例如，在本实用新型一实施例提供的阵列基板中，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极，或者，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极。
[0019]例如，在本实用新型一实施例提供的阵列基板中，所述第一电极和所述第二电极异层设置或者同层设置。
[0020]例如，在本实用新型一实施例提供的阵列基板中，所述第一电极和所述第二电极均为透明导电电极。
[0021]例如，在本实用新型一实施例提供的阵列基板中，所述多个第二电极条在所述衬底基板上的投影和所述多个第一电极条在所述衬底基板上的投影间隔且交替地排列。
[0022]本实用新型至少一实施例还提供一种显示面板，包括上述任一阵列基板。
[0023]本实用新型至少一实施例还提供一种显示装置，包括上述任一显示面板。
[0024]有益效果:本实用新型至少一实施例提供的阵列基板通过对第一电极和第二电极(像素电极和公共电极)及其排布的设计，在存在工艺偏差的情况下，通过第一畴和第二畴的光透光率的补偿，使得通过相邻的子像素或一个子像素内不同区域的光可以通过相互补偿来达到光强均一的效果，从而使采用该阵列基板的整个显示面板的子像素的光通过率均勾，提尚广品质量和画面品质。
【附图说明】
[0025]为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本实用新型的一些实施例，而非对本实用新型的限制。
[0026]图1a为一种阵列基板的平面示意图；
[0027]图1b为图1a中虚线框A所示区域示意图；
[0028]图1c为图1b中沿B-B’向剖面示意图；
[0029]图1d为图1b中沿C-C’向剖面示意图；
[0030]图2为本实用新型实施例一提供的一种阵列基板的平面示意图；
[0031]图3为图2中沿B-B’向的剖面示意图；
[0032]图4为图2中沿C-C’向的剖面示意图；
[0033]图5为本实用新型实施例一提供的一种阵列基板的电极关键尺寸偏差与液晶效率的关系不意图；
[0034]图6为本实用新型实施例一提供的一种阵列基板的电极偏移偏差与液晶效率的关系不意图；
[0035]图7为本实用新型实施例一提供的另一种阵列基板的平面示意图；
[0036]图8为本实用新型实施例二提供的一种阵列基板的平面示意图；
[0037]图9为本实用新型实施例二提供的另一种阵列基板的平面示意图；
[0038]图10为本实用新型实施例二提供的另一种阵列基板的平面示意图；
[0039]图11为一种阵列基板剖面示意图。
[0040]附图标记:
[0041 ] 101-衬底基板；102-栅线；103-过孔；104-薄膜晶体管；1041-栅极；1042-栅极绝缘层；1043-有源层(半导体层)；1044-漏极；1045-源极；105-像素电极；1050-像素电极的电极条；106-数据线；107-第一电极；1070-第一电极条；108-第二电极；1080-第二电极条；109-公共电极；1090-公共电极的电极条；1101-第一畴；1102-第二畴；1103-第三畴；1104-第四畴;01-子像素;011-第一子像素;012-第二子像素;013-第三子像素;014-第四子像素；131-第一绝缘层;132-第二绝缘层;010-S1大于S2的部分;020-S1小于S2的部分。
【具体实施方式】
[0042]为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例的附图，对本实用新型实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本实用新型的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0043]除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本实用新型所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
[0044]例如，在IPS模式和ADS中，像素电极和/或公共电极可包括多个电极条，对于多个电极条主要是关键尺寸偏差(CD bias