抗蚀剂层的薄膜化装置的制造方法
【技术领域】
[0001 ]本实用新型涉及抗蚀剂层的薄膜化装置。
【背景技术】
[0002] 随着电气及电子部件的小型化、轻量化、多功能化，对于以回路形成用的干膜抗蚀 剂(dry film resist)、焊料抗蚀剂(solder resist)为首的感光性树脂(感光性材料），为 了对应于印刷配线板(printed wiring board、PWB)的高密度化而要求高分辨率。由这些感 光性树脂实现的图像形成通过在将感光性树脂曝光后显影来进行。
[0003] 为了对应于印刷配线板的小型化、高功能化，感光性树脂有薄膜化的倾向。在感光 性树脂中有涂敷液体而使用的类型（液状抗蚀剂、liquid resist)和干膜类型（干膜抗蚀 剂）。最近，开发了厚度为15μπι以下的干膜抗蚀剂，其产品化正在推进。但是，在这种薄的干 膜抗蚀剂中，与以往的厚度的抗蚀剂相比，密接性及对凹凸的追随性不充分，有发生剥离或 空隙(void)等的问题。
[0004] 为了解决这些问题，提出了在使用较厚的感光性树脂的同时能够实现高分辨率的 手段。例如，在通过减去（subtractive)法制作导电图案的方法中，公开了下述导电图案的 形成方法，其特征在于，在绝缘层的单面或两面上设置金属层而成的层叠基板上粘贴蚀刻 抗蚀剂用的干膜抗蚀剂而形成抗蚀剂层后，进行抗蚀剂层的薄膜化工序，接着，进行回路图 案的曝光工序、显影工序、蚀刻工序(例如参照专利文献1)。此外，在形成焊料抗蚀剂图案的 方法中，公开了下述焊料抗蚀剂图案的形成方法，其特征在于，在具有导电性图案的回路基 板上形成由焊料抗蚀剂构成的抗蚀剂层后，进行抗蚀剂层的薄膜化工序，接着进行图案曝 光工序，再次进行抗蚀剂层的薄膜化工序(例如参照专利文献2及3)。
[0005] 此外，在专利文献4中公开了一种抗蚀剂层的薄膜化装置，至少包括:薄膜化处理 单元，将形成有抗蚀剂层的基板浸渍(dip)到高浓度的碱性水溶液(薄膜化处理液）中而将 抗蚀剂层的成分的胶束先不溶化，使其不易溶解扩散到处理液中；胶束除去处理单元，通过 胶束除去液喷雾而将胶束一下子溶解除去。
[0006] 使用图7所示的概略剖视图对作为专利文献4所公开的薄膜化装置的一部分的薄 膜化处理单元11和胶束除去处理单元12进行说明。在薄膜化处理单元11中，从投入口7投入 基板3。在基板3表面形成有抗蚀剂层。基板3从浸渍槽的入口辊对4向浸渍槽2中运送。而且， 通过浸渍槽的运送辊对8，在浸渍在薄膜化处理液1中的状态下向浸渍槽2中运送，进行抗蚀 剂层的薄膜化处理。然后，基板3向胶束除去处理单元12运送。在胶束除去处理单元12中，对 于由胶束除去处理单元的运送辊9运送来的基板3,通过胶束除去液供给管20从胶束除去液 用喷嘴21供给胶束除去液喷雾22。在薄膜化处理单元11内部的浸渍槽2中，通过作为高浓度 的碱性水溶液的薄膜化处理液1，基板3的抗蚀剂层中的成分被胶束化，该胶束对于薄膜化 处理液1先不溶化。然后，通过用胶束除去液喷雾22将胶束除去，抗蚀剂层被薄膜化。
[0007] 在图7所示的抗蚀剂层的薄膜化装置中，在从浸渍槽的出口辊对5到边界部的运送 辊对6之间，基板3上的抗蚀剂层表面成为被从浸渍槽2带出的薄膜化处理液1的液膜覆盖的 状态。由于薄膜化处理液1是高浓度的碱性水溶液，所以若覆盖状态下的基板3向胶束除去 处理单元12中运送，则胶束除去液的pH上升。
[0008] 通过胶束除去液的pH维持在5.0~10.0的范围，能够保持抗蚀剂层向胶束除去液 的溶解扩散性为一定，能够进行稳定的连续薄膜化(例如参照专利文献3)。但是，在基板3上 的抗蚀剂层表面不平坦的情况下、或基板3的厚度大的情况下，抗蚀剂层表面上的薄膜化处 理液1的覆盖量及基板3表面的薄膜化处理液1的附着量增多，有胶束除去液的pH更容易上 升的倾向。进而，在以快的运送速度进行连续处理的情况下，单位时间带入胶束除去处理单 元12的薄膜化处理液量增多。这样一来，胶束除去液的pH过度上升，有pH的控制困难，在胶 束除去性能上发生离散，抗蚀剂层的薄膜化处理量不均匀的情况。
[0009] 这样，若薄膜化处理量变得不均匀，在薄膜化后的抗蚀剂层中存在更薄的部分，则 在减去法的导电图案形成中成为回路的断线的原因，在焊料抗蚀剂的图案形成中成为耐候 性下降的原因，有哪种都带来生产中的成品率的下降的问题。
[0010] 专利文献1:国际公开第2009/096438号手册，
[0011] 专利文献2:日本国特开201H92692号公报，
[0012] 专利文献3:国际公开第2012/043201号手册，
[0013] 专利文献4:日本国特开2012-27299号公报。 【实用新型内容】
[0014] 本实用新型的课题在于提供一种抗蚀剂层的薄膜化装置，即使从薄膜化处理单元 向胶束除去处理单元带入的薄膜化处理液量增多，也能够防止胶束除去液的pH过度上升， 解决抗蚀剂层的薄膜化处理量不均匀的问题。
[0015] 本实用新型者们发现，通过下述技术方案，能够解决这些课题。
[0016] ( 1)-种抗蚀剂层的薄膜化装置，具备:通过薄膜化处理液使形成在基板上的抗蚀 剂层中的成分胶束化的薄膜化处理单元，和通过胶束除去液将胶束除去的胶束除去处理单 元，其特征在于，
[0017] 胶束除去处理单元具有胶束除去液喷雾栗及pH传感器，
[0018] 通过该胶束除去液喷雾栗，向基板上的抗蚀剂层供给胶束除去液，
[0019] 该pH传感器设置在能够监控从基板上流下后的胶束除去液的pH的位置。
[0020] (2)如上述(1)所述的抗蚀剂层的薄膜化装置，
[0021 ]胶束除去处理单元具有酸性溶液供给机构，
[0022] 通过该酸性溶液供给机构，在胶束除去液被胶束除去液喷雾栗吸入前，向胶束除 去液添加 pH调整用酸性溶液。
[0023] (3)在上述(1)所述的抗蚀剂层的薄膜化装置中，
[0024] 胶束除去处理单元具有胶束除去液循环机构及酸性溶液供给机构，
[0025] 通过该酸性溶液供给机构，向通过胶束除去液循环机构发生的循环液流中添加 pH 调整用酸性溶液。
[0026]根据本实用新型，能够提供一种抗蚀剂层的薄膜化装置，即使从薄膜化处理单元 向胶束除去处理单元带入的薄膜化处理液量增多，也能够防止胶束除去液的pH过度上升， 解决抗蚀剂层的薄膜化处理量不均匀的问题。
【附图说明】
[0027] 图1是表示在现有技术的抗蚀剂层的薄膜化装置中，胶束除去处理单元12中的胶 束除去液10的循环路径及酸性溶液30的供给路径的一例的示意图；
[0028] 图2是表示在现有技术的抗蚀剂层的薄膜化装置中，胶束除去处理单元12中的胶 束除去液10的循环路径及酸性溶液30的供给路径的一例的示意图；
[0029] 图3是表示在现有技术的抗蚀剂层的薄膜化装置中，胶束除去处理单元12中的胶 束除去液10的循环路径及酸性溶液30的供给路径的一例的示意图；
[0030] 图4是表示在本实用新型的抗蚀剂层的薄膜化装置中，胶束除去处理单元12中的 胶束除去液10的循环路径及酸性溶液30的供给路径的一例的示意图；
[0031] 图5是表示在本实用新型的抗蚀剂层的薄膜化装置中，胶束除去处理单元12中的 胶束除去液10的循环路径及酸性溶液30的供给路径的一例的示意图；
[0032] 图6是表示在本实用新型的抗蚀剂层的薄膜化装置中，胶束除去处理单元12中的 胶束除去液10的循环路径及酸性溶液30的供给路径的一例的示意图；
[0033]图7是表示抗蚀剂层的薄膜化装置的一部分的概略剖视图。
[0034] 附图标记说明：
[0035] 1:薄膜化处理液(浸渍槽），2:浸渍槽，3:基板，4:浸渍槽的入口辊对，5:浸渍槽的 出口辊对，6:边界部的运送辊对，7:投入口，8:浸渍槽的运送辊，9:胶束除去处理单元的运 送辊，10:胶束除去液，11:薄膜化处理单元，12:胶束除去处理单元，13:薄膜化处理液贮藏 容器，14:薄膜化处理液吸入口，15:薄膜化处理液供给管(浸渍槽），16:薄膜化处理液回收 管，17:薄膜化处理液排放管，18:胶束除去液贮藏容器，19:胶束除去液吸入口（喷雾栗用）， 20:胶束除去液供给管(喷雾用），21:胶束除去液用喷嘴，22:胶束除去液喷雾，23:胶束除去 液排放管，24:胶束除去液喷雾栗，25:胶束除去液循环栗，26:胶束除去液吸入口（循环栗 用），27:胶束除去液供给管（循环用），28:pH传感器(控制、监视用），29:酸性溶液供给栗， 30:酸性溶液，31:酸性溶液供给管，32:胶束除去液供给管(喷雾栗-pH传感器），33: pH传感 器(监视用），34:胶束除去液缓冲容器，35:缓冲容器的胶束除去液，36:搅拌机，37:胶束除 去液回收袋，38:胶束除去液供给管(胶束除去液喷雾-缓冲容器），39:胶束除去液供给管 (缓冲容器-贮藏容器）。
【具体实施方式】
[0036] <薄膜化工序>
[0037]将抗蚀剂层薄膜化的薄膜化工序是包括薄膜化处理、胶束除去处理的工序。薄膜 化处理是通过薄膜化处理液使抗蚀剂层中的成分胶束化，将该胶束对于薄膜化处理液先不 溶化，使其不易溶解扩散到薄膜化处理液中的处理。薄膜化处理是通过使形成有抗蚀剂层 的基板浸渍到薄膜化处理液中而进行的处理。由于浸渍处理以外的处理方法（例如搅动 (paddle)处理、喷雾（spray)处理、涂液(brushing)、刮削（scraping)等)容易在薄膜化处理 液中发生气泡，其发生的气泡附着在抗蚀剂层表面上而有膜厚不均匀的情况，所以优选浸 渍处理。胶束除去处理是通过胶束除去液将胶束除去的处理。更具体地说，是通过胶束除去 液喷雾将胶束一下子溶解除去的处理。在胶束除去处理后，可进行水洗处理、干燥处理。