专利名称：等离子显示器及其制造方法
技术领域：
本发明是有关等离子显示器制造方法的技术，尤其是有关能够扩大放电空间的一种等离子显示器及其制造方法。
(2)背景技术等离子显示器(PLASMA DISPLAY PANEL简称PDP)是用He+Xe、Ne+Xe及He+Ne+Xe等气体放电时发生的147nm紫外线使荧光体发光，以此显示包括文字或图形在内的画像。这样的等离子显示器不仅容易进行薄膜化和大型化，而且借助于最近的技术开发，提供得到大幅改善的画质。
根据图1，图1表示具有下部基板14和上部玻璃基板16的交流驱动方式的等离子显示器。下部基板14内置地址电极2，上部玻璃基板16内置双支撑电极4。
内置地址电极2的下部基板14上形成了分割下部电介质(DielectricSubstance)18和放电单元的隔墙8。下部电介质18和隔墙8的表面涂抹荧光体6。荧光体6被等离子放电时产生的紫外线发光，以此产生可视光线。
内置双支撑电极4的上部基板16上依次形成了上部电介质12和保护膜10。
上部电介质12在等离子放电时，积累壁电荷(固定电荷)；保护膜10在等离子放电时，保护气体离子溅射(Sputtering)的双支撑电极4和上部电介质12的同时，起着提高2次放出效率的作用。这样的等离子显示器放电单元密封了He+Xe或Ne+Xe的混合气体。
隔墙8起着防止放电单元间的电和光学串扰(crosstalk)的作用。于是，隔墙8是针对显示质量和发光效率的最重要因素，并随着显示器的大型化和高精细化，进行隔墙8的多种研究。
特别是，利用面板的高精细化方式、高射频等离子显示器、阳极区模式的等离子显示器为例，为了放电空间的确保，相对要求较高高度的隔墙8。
作为隔墙8制造方法，有印刷法、光电法、喷砂处理(Sandblasting)法。
印刷法因其工程较为简单，可以形成200μm以上的隔墙，但在印刷过程中，若出现屏幕和玻璃基板的位置错位，隔墙8就会变形，因此，存在隔墙8的两面不大平整，并且图像精密度低下的短处。
光电法是在曝光(Exposure)时，因紫外线的透射厚度有限，很难形成较高的隔墙。
下面，参照图2a至图2e，步骤性地说明利用喷砂处理法的隔墙制造方法。
首先，如图2a所示那样，在下部基板14形成地址电极2，使覆盖地址电极2，把下部电介质18涂抹在上述下部基板14的整面。下部电介质18上形成隔墙用浆糊20。使隔墙用浆糊20具有一定高度，以印刷法或涂层(coating)法形成。之后，干燥隔墙用浆糊20。
如图2b所示那样，隔墙用浆糊20上粘干膜(Dry Film Resist简称为DFR)22a。在这里，使干膜22a和下部基板14适当结合在一起，运行层压工程。层压工程是以一定温度加热，并施加均匀压力的工程，通过这一层压工程，干膜22a和下部基板14粘合在一起。
之后，如图2c所示那样，在干膜22a上排列旨在形成隔墙的掩膜24。掩膜是以一定间隔设置，光透射部24a和光切断部24b交叉形成。光透射部24a相当于隔墙将要形成的领域，并透过照射的光，使干膜22a露在光线中；光切断部24b切断照射的光，防止干膜22a露在光线。干膜22a通过曝光和显影工程后，如图2d所示那样，使露在光线领域的干膜22a留下，没露在光线领域的干膜22a被消除，以此在隔墙用浆糊20上形成干膜方式22。在显影工程，为了显示干膜方式22而使用的显影液是Na2O3、NaOH、KOH中的任意一个。
之后，如图2e所示那样，利用没有图示的喷砂处理设备，把砂粒子喷在隔墙用浆糊20上，对隔墙用浆糊20进行制定模式，以此形成隔墙8。在这里，砂粒子消除没有形成干膜方式22领域的隔墙用浆糊20。
然后，如图2f所示那样，消除隔墙8残留的干膜方式22后，以一定温度烧成隔墙8。这时，为消除干膜方式22的消除液使用胺类碱性水溶液。
用于这样的喷砂处理法的隔墙用浆糊因其粒子相对大，并且不够稠密，加工成200μm以上高度时，隔墙用浆糊的中间部份过分被腐刻，造成隔墙倒塌的问题。
如果更详细说明，如图3所示那样，为了对隔墙用浆糊进行制定模式，喷射的砂粒子21被隔墙用浆糊反射时，隔墙用浆糊20的中间部份第2次被过分腐刻。这时，因隔墙中心部份的宽度比隔墙的最顶部的宽度小，发生隔墙被倒塌的情况。
(3)发明内容本发明的目的在于解决上述现有技术中存在的问题，使隔墙高度形成为较高的高度，以此提供能够扩大放电空间的一种等离子显示器及其制造方法。
为了实现上述目的，根据本发明实施例的等离子显示器具有如下特点具有基板上形成的粉末材质的第1隔墙和比上述第1隔墙的粉末材质的稠密度低的第2隔墙；上述第2隔墙包括上述第1隔墙上重叠的多数层隔墙；上述多数隔墙从上述第1隔墙越向上，粉末的稠密度就越低；上述第1隔墙包括的粉末大小是最大1μm；上述第2隔墙包括的粉末大小是3～5μm；上述第1隔墙和第2隔墙重叠的总高度为至少500μm。
另外，根据本发明实施例的等离子显示器具有如下特点形成洞的基板和在除了上述洞以外的领域，形成的隔墙。
隔墙具有上述基板上形成的第1隔墙和比上述第1隔墙，粉末稠密度低的第2隔墙为特点。
上述第2隔墙包括上述第1隔墙上重叠的多数层隔墙，上述多数层隔墙从上述第1隔墙越向上，粉末的稠密度低为特点。
追加具有上述洞内形成的地址电极和形成在上述地址电极上形成的电介质为特点。
上述洞的深度为100～200μm为特点。
上述洞的深度和隔墙高度合计为至少500μm为特点。
根据本发明实施例的等离子显示器制造方法是包括两个步骤为特点，即，在基板上形成第1隔墙的步骤和把低于上述第1隔墙玻璃粉末稠密度的第2隔墙形成在上述第1隔墙上的步骤。
形成上述第1隔墙的步骤包括如下步骤为特点在上述基板上形成以稠密度相对较高粉末组成的隔墙材料的步骤；在上述隔墙材料形成干膜方式的步骤；利用上述干膜方式，对上述隔墙材料进行制定模式的步骤；烧成上述制定模式的隔墙材料的步骤。
上述形成第2隔墙的步骤又分如下步骤为特点在上述基板上形成以稠密度相对较低的粉末组成的隔墙材料步骤；在上述隔墙材料上形成干膜方式的步骤；利用上述干膜方式，对上述隔墙材料进行制定模式的步骤；烧成上述制定模式的隔墙材料的步骤。
上述烧成制定模式的隔墙材料的温度是550～660度为特点。
上述形成第2隔墙的步骤是以上述第1隔墙上形成多数层隔墙为特点。
上述多数曾隔墙是以从上述第1隔墙越向上，粉末的稠密度就越低为特点。
根据本发明实施例的等离子显示器的制造方法是包括基板上形成洞的步骤以及形成上述洞的基板上和除了上述洞以外的领域上形成隔墙的步骤为特点。
形成上述隔墙的步骤分为在上述基板上形成第1隔墙的步骤和形成粉末稠密度低于上述第1隔墙的第2隔墙的步骤为特点。
形成上述第1隔墙的步骤包括如下步骤为特点在上述基板上形成以稠密度相对较高的玻璃粉末组成的隔墙材料的步骤；在上述隔墙材料形成干膜方式的步骤；利用上述干膜方式，对上述隔墙材料进行制定模式的步骤；烧成上述制定模式的隔墙材料的步骤。
形成上述第2隔墙材料的步骤又分如下步骤为特点在上述基板上形成以稠密度相对较低的粉末组成的隔墙材料的步骤；在上述隔墙材料上形成干膜方式的步骤；利用上述干膜方式，对上述隔墙材料进行制定模式的步骤；烧成上述制定模式的隔墙材料的步骤。
上述烧成制定模式的隔墙的温度是550～660度为特点。
追加包括上述洞内形成地址电极的步骤和在上述地址电极形成电介质的步骤为特点。
本发明的效果如上所述，根据本发明的等离子显示器及其制造方法，是以多层形成隔墙或在下部基板形成洞，并在除了这一洞以外的领域形成隔墙，以此能够提高隔墙形成的高度。这样，等离子显示器的放电空间扩大，可以提高放电效率。另外，使隔墙形成较高的高度，因荧光体涂抹面积的扩大，可以提高发光效率。
另外，根据本发明的等离子显示器可以适用要求较高高度隔墙的高射频等离子显示器和阳极区等离子显示器。
为进一步说明本发明的上述目的、结构特点和效果，以下将结合附图对本发明进行详细的描述。
(4)
图1是表示交流驱动方式的表面放电型等离子显示器的斜视图。
图2a至图2f是表示图1所示的隔墙制造方法的截面图。
图3是表示隔墙用浆糊(paste)中心部份不良的图纸。
图4是表示根据本发明第1实施例的等离子显示器的斜视图。
图5a至图5e是表示图4所示的隔墙制造方法的截面图。
图6是为说明第1隔墙和第2隔墙对准(Align)状态的图纸。
图7是表示根据本发明第2实施例的等离子显示器的斜视图。
图8a至图8e是表示图7所示的隔墙制造方法的截面图。
附图中主要部分的符号说明2、102、202地址电极4双支撑电极6、106、206荧光体 8、108、208隔墙10、100、200保护膜 18、118、218电介质14、114、214下部基板 16、116、216上部基板
(5)具体实施方式
下面，将参照图4至图8，对本发明的等离子显示器及其制造方法的实施例进行详细说明。
图4是表示根据本发明第1实施例的等离子显示器的斜视图。
根据图4，表示具有内置地址电极102的下部基板114和内置双支撑电极104的上部玻璃基板116的交流驱动方式的等离子显示器。
在内置地址电极102的下部基板114上，形成分割下部电介质118和放电单元的隔墙108。下部电介质118和隔墙108的表面涂抹荧光体106。荧光体106因等离子放电时产生的紫外线发光，以此产生可视光线。
内置双支撑电极104的上部基板116依次形成上部电介质112和保护膜110。上部电介质112在等离子放电时，积累壁电荷；保护膜110在等离子放电时，保护气体离子溅射的支撑电极双104和上部电介质112的同时，提高2次电子的放出效率。
这样的等离子显示器的放电单元密封了He+Xe或Ne+Xe的混合气体。
隔墙108以第1隔墙105和第2隔墙107的二重结构组成。第1隔墙105是使用粒子大小相对小的粉末材质形成，第2隔墙107是使用第1隔墙105上形成的粒子大小相对大的粉末形成。比如，第1隔墙105粉末大小是1μm以下，第2隔墙107粉末大小是3～5μm左右。
这样的隔墙起着防止放电单元间的电、光学串扰的作用。另外，隔墙108因其高度d2比现有技术中的隔墙高度d1高，放电空间扩大，可以使其提升放电效率。
图5a至图5e是表示根据本发明第1实施例的隔墙制造方法的截面图。
首先，如图5a所示那样，在下部基板114上形成地址电极102，使掩盖地址电极102，在上述下部基板114的整面涂抹电介质118。在电介质118，使用粒子大小相对小的粉末形成第1隔墙用浆糊120。作为隔墙用浆糊的材料，可以使用感光性玻璃等材料。用于第1隔墙用浆糊的粉末粒子的大小为1μm以下。使第1隔墙用浆糊120具有一定高度，以印刷法或涂层法形成。比如，第1隔墙用浆糊120的高度为200μm。之后，干燥第1隔墙用浆糊120。
接着，在隔墙用浆糊120上形成干膜122。在这里，使干膜122和下部基板114适当结合，运行层压工程。层压工程是以一定温度加热，并加上均匀压力的工程，因这一层压工程，干膜122和下部基板114粘在一起。
然后，排列旨在干膜122上形成隔墙的掩膜(没有图示)。通过利用这一掩膜的曝光和显影工程，对干膜122进行制定模式，以此如图5b所示那样，在第1隔墙用浆糊120上，形成干膜方式122。在显影工程，为了显示干膜方式122而使用的显影液是Na2O3、NaOH、KOH中的任意一个。
之后，利用没有图示的喷砂处理设备，把砂粒子喷射在隔墙用浆糊，对第1隔墙用浆糊120进行制定模式。在这里，砂粒子消除没有形成干膜方式122领域的第1隔墙用浆糊120。接着，消除干膜方式122后，烧成第1隔墙用浆糊120，如图5c所示那样，完成相对稠密的第1隔墙105的形成。在这里，第1隔墙用浆糊120的烧成温度是550～660度左右。
之后，在形成第1隔墙105的下部基板114上，形成使用相对较大粉末的第2隔墙用浆糊170。这时，粉末粒子的大小是3～5μm左右。使第2隔墙用浆糊170具有一定高度，以印刷法或涂层法形成。比如，第2隔墙用浆糊170的高度为200μm。之后干燥第2隔墙用浆糊170。接着，把干膜粘在第2隔墙用浆糊170上。在这里，使干膜和下部基板114适当结合，运行层压法。
之后，为了在干膜上形成隔墙，具有透射部和切断部的掩膜150和下部基板114与图6所示那样，利用对准标志135和对准洞145进行排列。这时，对准标志135单独形成在干膜上或与地址电极102同时形成，对准洞145形成为贯通与对准标志135重叠的掩膜基板。校直这一对准标志135和对准洞145，使其与形成掩膜150和第1隔墙105的下部基板对准。
通过利用第1隔墙105形成的下部基板114和排列的掩膜150的曝光或显影工程，对干膜172a进行制定模式，与图5d那样，在第1隔墙105上，形成第2隔墙用浆糊170和干膜172。
之后，利用没有图示的喷砂处理设备，把砂粒子喷射在隔墙用浆糊，对第2隔墙用浆糊170进行制定模式。在这里，砂粒子消除没有形成干膜方式172领域的隔墙用浆糊170，以此与图5e所示那样，在第1隔墙105上，完成与第1隔墙105重叠的粒子相对小的第2隔墙107的形成。
这样，第1和第2隔墙高度合在一起，形成较高高度的隔墙108。
仅用2次说明了上述隔墙形成方法，但调整隔墙粉末粒子，反复进行2次以上的上述过程，以此可以形成500μm以上的隔墙。
另外，根据本发明的隔墙除了喷砂处理法以外，也可以用光电法或印刷法形成。
图7是表示根据本发明第2实施例的等离子显示器的斜视图。
根据图7，图7表示了具有内置地址电极202的下部基板214和内置双支撑电极204的上部基板216的交流驱动方式的等离子显示器。在内置地址电极202的下部基板214上，形成分割电介质218和放电单元的隔墙208。电介质218和隔墙208的表面涂抹了荧光体206。荧光体206在等离子放电时，被紫外线发光，以此产生可视光线。
内置双支撑电极204的上部基板216上依次形成了上部电介质212和保护膜210。
上部电介质212在等离子放电时，积累壁电荷；保护膜10在等离子放电时，保护气体离子溅射的双支撑电极204和上部电介质212的同时，起着提高2次电子放出效果的作用。
这样的等离子显示器的放电单元密封了He+Xe或Ne+Xe的混合气体。
根据本发明第2实施例的等离子显示器下部基板214在将要形成地址电极202和下部电介质218的领域形成洞213。因这一洞213，上部基板216和下部基板214及隔墙208间的放电空间被扩大。即，放电空间比现有的放电空间变宽相当于洞213的深度。
隔墙208形成在除了下部基板214的洞213以外的领域。因隔墙208的高度d 3比现有技术中的隔墙的高度d1高于下部基板214的洞213的深度，放电空间扩大，可以提升放电效率，并起着防止放电单元间的电、光学串扰的作用。
图8a至图8e是表示根据本发明第2实施例的隔墙制造方法的截面图。
首先，在下部基板214上形成干膜。在这里，使干膜和下部基板214适当结合，运行层压工程。层压工程是以一定温度加热，并加均匀压力的工程，因这一层压工程，干膜和下部基板214粘在一起。
之后，排列旨在干膜上形成隔墙的掩膜(没有图示)。通过利用这一掩膜的曝光和显影工程，对干膜物质进行制定模式，以此如图8a那样，在下部基板214上形成干膜模式222。
之后，利用没有图示的喷砂处理设备，把砂粒子喷射在下部基板214，进行制定模式。在这里，砂粒子消除没有形成干膜方式222领域的下部基板214。以此在下部基板214形成洞213。比如，洞的深度为100～200μm左右。接着消除干膜方式222。另外，除了喷砂处理法以外，也可以使用激光法和蚀刻法(Etching)。
接着，如图8b所示那样，在下部基板214的洞213上，形成地址电极202；使掩盖地址电极202，在形成地址电极202的下部基板214的洞213形成电介质218。
接着，与图8c那样，在形成电介质218的下部基板214上，形成隔墙用浆糊220。使隔墙用浆糊220具有一定高度，以印刷法或涂层法形成。比如，隔墙用浆糊的高度为200μm左右。之后，干燥隔墙用浆糊220。
然后，在隔墙用浆糊220上，粘干膜。在这里，使干膜和下部基板214适当结合，运行层压工程。层压工程是以一定温度加热，并施加均匀压力的工程，因层压工程，干膜和下部基板214粘在一起。
之后，通过利用旨在干膜上形成隔墙而具有透射部和切断部的掩膜的曝光或显影工程，与图8d那样，在隔墙用浆糊220上，形成干膜方式272。
接着，利用没有图示的喷砂处理设备，把砂粒子喷射在隔墙用浆糊，对隔墙用浆糊220进行制定模式。在这里，砂粒子消除没有形成干膜方式272领域的隔墙用浆糊220。
之后，消除干膜方式272后，烧成隔墙用浆糊220，与图8e那样，完成隔墙208的形成。在这里，隔墙用浆糊220的烧成温度是550～600度左右。
这样，除了下部基板214的洞213以外的领域起着隔墙的作用，这实际上使隔墙增加。
另外，本发明的第2实施例说明的隔墙与第1实施例说明的隔墙相同，可以形成为多层(在此不重复说明)。
本技术领域中的普通技术人员应当认识到，以上的实施例仅是用来说明本发明，而并非用作为对本发明的限定，只要在本发明的实质精神范围内，对以上所述实施例的变化、变型都将落在本发明权利要求书的范围内。
权利要求
1.一种等离子显示器，其特征在于包括具有基板上形成的粉末材质的第1隔墙；和比所述的第1隔墙的粉末材质稠密度低的第2隔墙。
2.如权利要求1所述的等离子显示器，其特征在于所述的第2隔墙是包括所述的第1隔墙上重叠的多数层隔墙。
3如权利要求2所述的等离子显示器，其特征在于所述的多数层隔墙是从所述的第1隔墙越向上，粉末的稠密度就越低。
4.如权利要求1所述的等离子显示器，其特征在于所述的第1隔墙的粉末大小为最大1μm。
5.如权利要求1所述的等离子显示器，其特征在于所述的第2隔墙的粉末大小为3～5μm。
6.如权利要求1所述的等离子显示器，其特征在于所述的第1和第2隔墙重叠的总高度为至少500μm。
7.一种等离子显示器，其特征在于包括具有形成洞的基板；和在除了所述的洞以外的领域形成的隔墙。
8.如权利要求7所述的等离子显示器，其特征在于所述的隔墙是由所述的基板上形成的第1隔墙和比所述的第1隔墙的粉末材质稠密度低的第2隔墙形成的。
9.如权利要求项所述的等离子显示器，其特征在于所述的第2隔墙是包括重叠在所述的第1隔墙的多数个隔墙，所述的多数个隔墙是从第1隔墙越向上，粉末材质的稠密度就越低。
10.如权利要求7所述的等离子显示器，其特征在于还包括具有形成在所述的洞内的地址电极和形成在所述的地址电极上的电介质。
11.如权利要求7所述的等离子显示器，其特征在于所述的洞的深度为100～200μm。
12.如权利要求7所述的等离子显示器，其特征在于所述的洞的深度和隔墙高度合计是至少500μm。
13.一种如权利要求1所述的等离子显示器的制造方法，其特征在于包括在基板上形成第1隔墙的步骤；和把粉末的稠密度低于所述的第1隔墙的第2隔墙形成在所述的第1隔墙上的步骤。
14.如权利要求13等离子显示器的制造方法，其特征在于形成所述的第1隔墙的步骤是分如下步骤在所述的基板上，形成以稠密度较高的粉末组成的隔墙材料的步骤；在所述的隔墙材料上，形成干膜方式的步骤；利用所述的干膜方式，对所述的隔墙材料进行制定模式的步骤；烧成所述的制定模式的隔墙材料的步骤。
15.如权利要求13所达的等离子显示器的制造方法，其特征在于形成所述的第2隔墙的步骤是分如下步骤在所述的基板上，形成以稠密度较低的玻璃粉末组成的隔墙材料的步骤；在所述的隔墙材料上，形成干膜方式的步骤；利用所述的干膜方式，对所述的隔墙材料进行制定模式的步骤；烧成所述的制定模式的隔墙材料的步骤。
16.如权利要求14或15所述的等离子显示器的制造方法，其特征在于所述的烧成制定模式的隔墙材料的温度是550～600度。
17.如权利要求13所述的等离子显示器的制造方法，其特征在于形成所述的第2隔墙的步骤是包括所述的第1隔墙上形成多数层隔墙。
18.如权利要求17所述的等离子显示器的制造方法，其特征在于所述的多数层隔墙是从所述的第1隔墙越向上，粉末的稠密度就越低。
19.一种如权利要求7所述的等离子显示器的制造方法，其特征在于包括基板上形成洞的步骤；和在形成所述的洞的基板上的除了所述的洞以外的领域，形成隔墙的步骤。
20.如权利要求19所述的等离子显示器的制造方法，其特征在于形成所述的隔墙的步骤是分为在上述基板形成第1隔墙的步骤；和形成粉末稠密度低于所述的第1隔墙的第2隔墙的步骤。
21.如权利要求20所述的等离子显示器的制造方法，其特征在于形成所述的第1隔墙是包括如下步骤在所述的基板上，形成以稠密度相对较高的粉末组成的隔墙材料的步骤；在所述的隔墙材料上，形成干膜方式的步骤；利用所述的干膜方式，对所述的隔墙材料进行制定模式的步骤；烧成所述的制定模式的隔墙材料的步骤。
22.如权利要求20所述的等离子显示器的制造方法，其特征在于形成所述的第2隔墙的步骤是包括如下步骤在所述的基板上，形成以稠密度相对较低的玻璃粉末组成的隔墙材料的步骤；在所述的隔墙材料上，形成干膜方式的步骤；利用所述的干膜方式，对所述的隔墙材料进行制定模式的步骤；烧成所述的制定模式的隔墙材料的步骤。
23.如权利要求21或22所述的等离子显示器的制造方法，其特征在于所述的烧成制定模式的隔墙材料的温度是550～600度。
24.如权利要求19所述的等离子显示器的制造方法，其特征在于还包括包括所述的洞内形成地址电极的步骤；和在所述的地址电极上，形成电介质的步骤。
全文摘要
本发明是有关等离子显示器及其制造方法，是一种扩大放电空间的等离子显示器及其制造方法，本发明以具有基板上形成的第1隔墙和比第1隔墙的粉末稠密度低的第2隔墙为特点；也可以以具有形成洞的基板和在除了所述的洞以外的领域形成的隔墙为特点。本发明通过提高隔墙形成的高度，使等离子显示器的放电空间扩大，可以提高放电效率；另外，使隔墙形成较高的高度，因荧光体涂抹面积的扩大，可以提高发光效率。
文档编号H01J17/16GK1761015SQ20041006710
公开日2006年4月19日 申请日期2004年10月13日 优先权日2004年10月13日
发明者林钟来 申请人:南京Lg同创彩色显示系统有限责任公司