等离子体显示面板的制作方法

专利名称：：等离子体显示面板的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种用于显示装置等的等离子体显示面板，特别涉及一种用于抑制长期驱动的情况下图像质量劣化的技术。
背景技术：
：近年来，要求显示器高精细化、大画面化以及平板化等，公开了各种显示器。其中，作为代表的显示器弓l人注目的是等离子体显示面板(下面称为"PDP")的气体方文电面板。PDP构造为M其间的隔壁相对设置前面面板和背面面板，在其间插入隔壁，密封双方的外周边，在两面板之间形成的空间(放电空间)中密封放电气体(例如，53.279.8kPa的Ne—Xe族气体)。前面面板具有前面玻璃基板、形成在该表面上的条状的多个显示电极、覆盖该电极的电介质玻璃层、以及覆盖在其上的电介质保护层(MgO)。另一方面，背面面板具有背面玻璃基板、形,该表面上的条状的多个寻址电极、覆盖该电极的电介质玻璃层、作为电介质玻璃层的上层，在各个寻址电极之间设立隔壁。而且，在背面面板，在由相邻的隔壁和电介质玻璃层形成的沟部中，将红(R)、绿(G)、蓝(B)的各色荧光体层形成在壁面上。作为构成各个荧光体层的荧光体一般分别使用Y203:Eu作为红色，Zn2Si04:Mn作为绿色，BaMgAlKA7:Eu"作为蓝色等。其中，为了在驱动时使面板的辉度提高，在绿色荧光体IOT其成分中含有硅元素(Si)的物质。对于上述PDP，通常具有在点灯/非点灯两个值，为了进行驱动，使用对于各个颜色将一个域分割成多个子域并按时间分害ij点灯时间，通M"其进行组合来显示中间灰度等级的方法(域内按时间分割灰度等级显示方式)。在各^T域中，通过由相对于待点灯的放电单行写入的寻址周期、在寻址周期后维持放电的维持周期这样一系列的动作构成的ADS(AddressDisplay-PeriodSeparation)方式，在面板上显示图像。如上所述，在PDP的发光驱动中，虽然是在寻址周期中被选择的放电单元中的电介质保护层的表面上形成壁电荷，通过在保持周期产生放电来而进行图像的显示，但是壁电荷的累积量受到电介质保护层的阻抗的影响。因此，即使电介质保护层的阻抗比预定的值低得多，或者相反高得多，在保持周期也不会产生正常放电，而产生所谓的黑噪声。还有，在阻抗过高的情况下，由于在保持周期中产生放电，所以需要施加高电压，从而使消耗功率变大。这里，公开了通过在电介质保护层中添加Si等的IV族元素以及锰(Mn)、镍(M)等的过渡金属、或者碱金属、碱土类金属等，使电介质保护层的阻抗成为希望的值，最适宜地设定电介质保护层中的电子划抖寺性的技术。(特开平10—334809号公报)。但是，对于PDP，在多个放电单元中的一部分中，具有随着驱动时间的推移，电介质保护层的阻抗从初期的设定值进行缓慢变动的问题。如此随着这种驱动时间的推移电介质保护层的阻抗变化时，贝赃长时间驱动盼瞎况下，在保持周期中待点灯的放电单元不产生放电，直至产生所谓的黑噪音。这种现象如上述公报中公开的PDP，在制造时即使在电介质保护层中添加&等的情况下，也具有同样的问题。本发明是针对解决上述问题而提出的，目的在于提供一种等离子体显示板，其在能得到整个面板的高的发光辉度的同时，通过抑制因驱动时间的推移的电介质保护层的阻抗的变动而引起的黑噪声的产生，与驱动时间的长短无关，能够维持高图像质量。本发明者查明在上述现有的PDP中长期驱动时变为显著的黑噪声的产生原因是驱动中向电介质保护层的表面粘着的Si、锌(Zn)、氧(O)、Mn等元素。形成这种黑噪声的产生原因的元素是在PDP的制造阶段主要包含在荧光体层中的元素，受到驱动时的放电的影响，这些元素在放电空间中飞散，粘着在电介质保护层的表面。在电介质保护层的表面粘着这些元素，当其粘着量达到一定的等级的时刻，电介质保护层的阻抗超出本，当的范围。而且，由于电介质保护层的阻抗因构成的各个荧光体的组成等的不同，而在R、G、B的各个放电单元之间具有偏差且变动，所以即使调整例如驱动电压等，也不能在整个面板抑制黑噪声的产生。根据从该研究开发得到的事项，本发明旨在提供一种控制使得可以抑制PDP长期驱动的情况下电介质保护层的阻抗的变动和由于驱动方法的调整等弓I起的黑噪声的产生。具体地说，具有如下的结构特征。(1)一种PDP，其中一对Sm以其间具有放电空间的状态相对配置，形成与上述放电空间面对、由MgO构成的电介质保护层和红色、绿色、蓝色的各个荧光体层，其特征在于构成全部三个颜色的荧光体层的各个荧光体在其组成中不含有IV族元素。对于上述(1)的PDP，在全部三种颜色的荧光体中，由于其组成中不含有IV族元素，所以即使长期驱动，在放电空间中也可以减少并抑制来自各个荧光体层的IV族元素的飞散，减少粘着在电介质保护层的表面地IV族元素的量。即，即使在荧光体层中的荧光体以外地部分中按杂质的等级添加IV族元素，作为在荧光体层中占质量比率最大的部分的荧光体，ffiii使其组成中不含有IV族元素，可以实质上不对电介质保护层的放电特性产生影响。由此，对于本发明的PDP，在设计阶段设定的电解保护层的阻抗不会由于驱动而变化。因此，对于上述(1)的PDP，如果在设计阶段将电介质保护层的阻抗设定在适当的范围内，不会增加驱动中黑噪声的产生，即使在长期驱动的情况下也不会导致由于黑噪声弓l起的图像质量劣化。(2)在上述(1)的PDP中，如果不仅构成要素中的荧光体，而且荧光体层的全部构成要素都不含有IV族元素，那么可以使由于驱动弓胞的电介质保护层的放电特性的变动不限制在O，所以进招腿。(3)—种PDP，其中一对基板以其间具有放电空间的状态相对配置，形成与上述放电空间面对、由MgO构成的电介质保护层和红色、绿色、蓝色的各个荧光体层，其特征在于在全部三个颜色的荧光体层中含有IV族元素。对于上述(3)的PDP，由于全部三个颜色的荧光体层中含有IV族元素，虽然由于驱动中的放电从各个荧光体层相对于放电空间使IV族元素飞散，但是由于在全部三个颜色的荧光体层中含有IV族元素，所以可以使三种颜色的荧光体层中的IV族元素的飞散特性相同。由lt树于该PDP，虽然由于驱动使IV族元素飞散，但是在全部的放电单元中在电介质保护层的表面同样的粘着有IV族元素。由此，对于(3)的PDP，可以使与R、G、B各个颜色的放电单元相对应的电介质保护层的阻抗的随时间的变化的方向性作为整体相一致。还有，对于(3)的PDP，由于荧光体层中含有IV族元素，在驱动中从荧光体层向放电空间飞散的IV族元素粘着在电介质保护层的表面上，由此可以得到延迟每一脉冲的实际的放电时间的效果。由此，与荧光体层中全都不含有IV族元素的情况相比，可以使面板的发光辉度提高。由此，对于(3)的PDP，通过预测随时间的阻抗的收敛，并且随时间调整驱动电压，ft可以抑制黑噪声的产生。因此，对于本发明的PDP，在利用在荧光体层中含有IV族元素會辦实现面板的发光辉度的提高的同时，即使在驱动时间长的情况下，也可以维持优良的图像质量。(4)在上述(3)的PDP中，如果设在全部的荧光体层中的IV族元素的含有比率在5000(质量ppm)以下的范围，贝U能使由于驱动弓胞的电介质保护层的阻抗的变动与实际具备完全不包含IV族元素的荧光体层的情况相同，所以优越。还有，对于(4)的PDP，由于在全部荧光体层中含有微量的IV族元素，所以可以提高并维持显示板的发光辉度还有，关于希望IV族元素的含有比率在5000(质量ppm)以下的理由，由后述的确认实验进行确认。(5)对于IV族元素的含有比率，虽然最好规定在，这种5000(质量ppm)以下，但是为了通过含有'微量的IV族元素而得到辉度提高的效果，所以最好使其下限为IOO(质量ppm)。(6)在上述(3)的PDP中三种颜色的荧光体层内，在构成至少一种颜色的荧光体层的荧光体中，优选结构为其组成中使用含有IV族元素的荧光体层。即，基于下面的观点最好在荧光体的组成中含有IV族元素。例如，在形成荧光体层的过程中，在荧光体的中混入异物的情况下，在与混合工序不完全的情况下，在混合容器的上下等，育浐生异物的分布状态为不同的状态。还有，一般地，在烧结工序中，存在在层的表面部分异物的分布比率变小，在层的内部分布比率变大的倾向。在这种荧光体层的厚度方向上在异物分布中产生不均时，贝赃PDP的驱动是长期的情况下，电介质保护层的阻抗不稳定，且在表面内产生偏差，在基板之间产生偏差。与此相对的，如上述(6)的PDP，在荧光体的组成中含有IV族元素的情况下，与荧光体的量成比例地存在添加物，艮口IV族元素，可以得至職大幅度地减轻上述这种问题的效果。(7)在上述(3)的PDP中，特点为全部的荧光体层中的IV族元素的含有比率在100(质量ppm)以上50000(质量ppm)以下，且在各个荧光体层相互大致相同。对于(7)的PDP，在M荧光体层中以100(质量ppm)以上50000(质量ppm)以下的比率含有IV族元素，该含有比率与，(4)的PDP中的含有比率相比，上限约为10倍，在所谓面板的发光辉度方面好。还有，(7)的PDP，由于R、G、B的各个颜色的荧光体层中的IV族元素的含有比率大致相同，所以可使长期驱动的情况下的电介质保护层的阻抗更均匀地收敛。由此，对于(7)的PDP，与上述(3)的PDP相同，预先设定的随时间的驱动电压的调整变的容易，更有效地抑制黑噪声的产生。因此，对于本发明的PDP，由于维持面板的高的发光辉度，从驱动初期到长期驱动时维持优良的图像质量，有j尤势。(8)在上述(7)的PDP中，如果将含有比率的偏差规定在20000(质量ppm)以内，那么基于阻抗的收敛性方面而进行优选。(9)在上述(7)的PDP中，构成全部荧光体层的各个荧光体中，特征在于选择性地使用组成中含有IV族元素的荧光体。该PDP除了上述(7)的优点，同时具有上述(6)的优点。(10)在上述(9)的PDP中，如果选择性地使用组成中含有同样的IV族元素的荧光体作为全部荧光体层中的荧光体，那么基于所谓4吏电介质保护层的阻抗的变动的方向性一致的方面，所以进行优选。(11)上述(1)或者上述(3)的PDP中，采用Si作为IV族元素，基于板的发光辉度的提高、黑噪声的产生的抑制的两个方面，所以进行4腿。(12)上述(11)的PDP中，作为具体的荧光体的组成，红色可以是Y2SlOs:Eu，绿色可以是Zn2SiO^Mn，蓝色可以是丫2&03:Ce。(13)在上述(3)的PDP中，各个荧光体层中含有IV族元素，作为不同于荧光体的化合物，也可以得到同样的效果。由此，通过将荧光体层中的IV族元素的含有比率规定在上述数值(含有比率为0质量ppm，即，不含有IV族元素盼瞎况)，可以既实现面板的发光辉度的提高，又能抑制长期驱动显示板的情况下的黑噪声的产生。通过规定含有比率得到上述的优点，除规定荧光体层中的IV组元素的含有比率的情况下以外，在规定过渡金属(W、Mn、Fe、Co、Ni)，碱金属、碱土幾属(但是，除Mg外)的含有比率的情况下，也可同样得到。对此在下面的(14)(34)中记载。(14)一种PDP，其中一对基板以其间具有放电空间的状态相对配置，形成与战放电空间面对、由MgO构成的电介质保护层和红色、绿色、蓝色的各个荧光体层，其特征在于构成全部三个颜色的荧光体层的各个荧光体在其组成中不含有W、Mn、Fe、Co、Ni中的任何一种。(15)在上述(14)的PDP中，其特征在于全部的荧光体层分别仅由不含有W、Mn、Fe、Co、Ni中的任何一种的物质构成。(16)—禾中PDP，其中一对基板以其间具有放电空间的状态相对配置，形成与上述放电空间面对、由MgO构成的电介质保护层和红色、绿色、蓝色的各个荧光体层，其特征在于全部三个颜色的荧光体层中含有过渡金属。(17)在上述(16)的PDP中，其特征在于全部的荧光体层中的过渡金属的含有比率在30000(质量ppm)以下。(18)在上述(16)的PDP中，其特征在于，全部荧光体层中的过渡金属的含有比率在500(质量ppm)以上(30000质量ppm)以下。(19)在上述(16)的PDP中，其特征在于在构成三种荧光体层内的至少一种颜色的荧光体层的荧光体中使用其组成中含有过渡金属的荧光体。(20)在，(16)的PDP中，其特征在于过渡金属是从W、Mn、Fe、Co、Ni中选择出的至少一种。(21)在上述(20)的PDP中，其特征在于全部荧光体层中的过渡金属的含有比率在300(质量ppm)以上120000(质量ppm)以下，而且在各个荧光体层中相互大致相同。(22)在，(21)的PDP中，其特征在于全部荧光体层中的过渡金属在各个颜色荧光体层之间含有40000(质量ppm)以内的比率偏差。(23)在上述(21)的PDP中，其特征在于在构成全部荧光体层的各个荧光体中选择性使用组成中含有过渡金属的荧光体。(24)在，(23)的PDP中，其特征在于包含在各个荧光体的组成中的过渡金属在全部的荧光体层中相同。(25)—禾中PDP，其中一对基板以其间具有放电空间的状态相对配置，形成与上述放电空间面对、由MgO构成的电介质保护层和红色、绿色、蓝色的各个荧光体层，其特征在于构成全部三种颜色的荧光体层的各个荧光体的组成中不含有碱金属和碱土类金属(但是，除Mg外)中的任意一种。(26)在上述(25)的PDP中，其特征在于全部荧光体层分别仅由不含有碱金属和碱土M属(但是，除Mg外)的任意一种的物质构成。(27)—种PDP，其中一对基板以其间具有放电空间的状态相对配置，形成与上述放电空间面对、由MgO构成的电介质保护层和红色、绿色、蓝色的各个荧光体层，其特征在于全部的荧光体层中含有碱金属和W:类金属(但是，除Mg外)中的至少一种。(28)在上述(27)的PDP中，其特征在于全部荧光体层中的碱金属和碱土幾属(但是，除Mg外)的合计含有比率在60000(质量ppm)以下。(29)在上述(27)的PDP中，其特征在于全部荧光体层中的碱金属和碱土幾属(但是，除Mg外)的合计含有比率在1000(质量ppm)以上60000(质量ppm)以下。(30)在上述(29)的PDP中，其特征在于在构成三种颜色荧光体层内的至少一种颜色的荧光体层的荧光体中使用组成中含有iE金属和碱土类金属(但是，除Mg外)中的至少一种的荧光体。(31)在上述(27)的PDP中，其特征在于全部荧光体层中的碱金属和碱土幾属(但是，除Mg外)的^i十含有比率在300(质量ppm)以上U0000(质量ppm)以下，而且在各个荧光体层之间相互大致相同。(32)在上述(31)的PDP中，其特征在于全部荧光体层中的碱金属和碱土幾属(但是，除Mg夕卜)在各个荧光体层之间^i十含有为40000(质量ppm)以内的比率偏差。(33)在上述(31)的PDP中，其特征在于在构成全部荧光体层的各个荧光体中，选择性地使用组成中含有碱金属或ith类金属(但是，除Mg夕卜)的荧光体。(34)在上述(31)的PDP中，其特征在于在全部荧光体层中含有相同的碱金属或碱土^属(但是，除Mg外)中的至少一种。还有，如果考虑上述(1)、(14)、(25)的各个PDP，即使在下面的这种结构的PDP中也可得到与，PDP相同的效果。G5)—种PDP，其中一对基板以其间具有放电空间的状态相对配置，形成与J^放电空间面对、由MgO构成的电介质保护层和红色、绿色、蓝色的各个荧光体层，其特征在于构成全部三种颜色的荧光体层的各个荧光体，其组成中不含有IV族元素、W、Mn、Fe、Co、Ni、碱金属和碱土类金属(但是，除Mg外)中的任何一种。(36)在上述(35)的PDP中，其特征在于全部荧光体层分别仅由不含有IV族元素、W、Mn、Fe、Co、Ni、碱金属和碱土M属(但是，除Mg外)中的任何一种的物质构成。还有，为了将驱动初期阶段中的电介质保护层的阻抗设定在适当的范围，实现高质量图像，最好采用下面的这种结构。(37)在上述(1)、(3)、(14)、(16)、(25)、(27)、(35)的PDP中，其特征在于在电介质保护层中含有IV族元素。(38)在上述(37)的PDP中，其特征在于电介质保护层中的IV族元素的含有比率在500(质量ppm)以上2000(质量ppm)以下。(39)在上述(1)、(3)、(14)、(16)、(25)、(27)、(35)的PDP中，其特征在于在电介质保护层中含有过渡金属元素。(40)在上述(39)的PDP中，其特征在于电介质保护层中的过渡金属的含有比率在1500(质量ppm)以上6000(质量ppm)以下。(41)在上述(1)、(3)、(14)、(16)、(25)、(27)、(35)的PDP中，其特征在于电介质保护层中含有碱金属和碱土类金属中的至少一种。还有，对于包含在上述电介质保护层中的元素内的碱土类金属，虽然包含作为电介质保护层的主要构成要素的MgO的Mg，但是这里所谓的碱土l^属是所谓包含不同于该Mg的其它种类的元素。而且，具有如下3^样的构成。(42)在上述(3)、(16)、(27)的PDP中，其特征在于荧光体层中的放电空间侧面的至少一部分区域，其紫外线的M:率在80^以上，而且被荧光体保护膜覆盖，其中该荧光体保护膜具有抑制由于发光驱动中的放电，使构成该荧光体层的元素内的电介质保护层所具有的放电特性劣化的元素在放电空间中飞散的功能。对于(42)的PDP，由于电介质保护层荧光体层中的放电空间侦腼的至少一部分区域被荧光体保护膜覆盖，所以在被覆盖的区域中，由于驱动时的放电，上述元素(例如，IV族元素、过渡金属、碱金属、碱土类金属(但是，除Mg夕卜)等)在放电空间中不飞散。由此，对于(42)的PDP，即使在长期驱动后也可以维持在设计阶段设定的电介质保护层的放电特性(阻抗)，可以抑制由于长期驱动瞎况下的黑噪声的产生而引起的图像质量的劣化。还有，在(42)的PDP中，由于形成荧光体保护膜从而确保80(%)以上的紫外线透过率，所以在放电空间产生的紫外线被荧光体保护膜遮挡的比率变少，在驱动初期的面板的发光辉度降低一些，增大抑制长期驱动情况下的黑噪声的产生的效果。因此，对于(42)的PDP，一面维持整个显示板的高的发光辉度，一面在即使是在长期驱动的情况下减少黑噪声的产生，维持优良的图像质量。还有，对于本发明的PDP的结构，即使不一定在红(R)、绿(G)蓝(B)的三个颜色的荧光体层全体中不含有IV族元素、过渡金属、碱金属、碱土幾属(但是，除Mg外)等的元素的情况下，也可以有效果。例如，在仅在G荧光体层中含有IV族元素，即St等，在其它荧光体层中不含有上述元素的情况下，如果是至少G荧光体层的放电空间侧的表面被荧光体保护膜覆盖的结构，在齢显示板中，IV族元素不会由于驱动在放电空间中飞散。还有，对于该PDP，在G荧光体层中含有IV族元素等，R、G、B全部的放电单元中的驱动初期的发光辉度变高，并且，通过形成荧光体保护膜，就能抑制长期驱动情况下的黑噪声的产生。由此，对于该PDP，从驱动初期直到长期驱动结束，可以维持在设讨对设定的高图像质量。(43)在上述(42)的PDP中，其特征在于荧光体保护膜覆盖含有1000(质量ppm)以上的IV族元素、30000(质量ppm)以上的过渡金属、60000(质量ppm)以上的碱金属或碱土类金属(但是，除Mg夕卜)中至少一种的荧光体层的放电侧的表面。如此，通过由荧光体保护膜覆盖以高比率含有上述元素的荧光体层，由于在显示板的发光沐军度的提高和抑制黑噪声的产生两方面起作用，所以更^选。(44)在上述(42)的PDP中，其特征在于荧光体保护膜覆盖全部荧光体层的表面。(45)在上述(42)的PDP中，其特征在于荧光体保护膜以MgF2作为主要成分构成。(46)在上述(42)的PDP中，其特征在于荧光体保护膜具有以MgO作为主要成分的第一层和以MgF2作为主要成分的第二层的叠层结构，面对放电空间形成第一层。(46)的PDP的这种M在放电空间侦殿置由MgO构成的第一层，在荧光体层侦ij配置由MgF2构成的第二层，可以使放电时的荧光体保护膜本身的耐喷射性提高，减薄的设定总膜厚。(47)在上述(46)的PDP中，其特征在于第一层的厚度比上述第二层的厚度薄。M这种将第一层的厚度设定的比第二层的厚度薄，由于可以实现荧光体保护膜的高透过率和确保耐喷射性两个方面，所以，。图1是实施形态1的PDP的主要部分的斜视图(部分剖视图)。图2是表示确认实验中用于测量电介质保护层的阻抗的装置结构的概略图。图3是表示在确认实验中劣化加速试验装置的结构的概略图。图4是表示劣化沈验时间和电介质保护层的阻J^发光辉度的关系的特性的图。图5是表示荧光体层中Si的含有比率和劣化加速i(验后的电介质保护层的阻抗的关系的特性的图。图6是表示荧光体层中W的含有比率和劣化加速i力验后的电介质保护层的阻抗的关系的特性的图。图7是实施形态3的PDP3的主要部分的斜视图(部分剖视图)。图8是实施形态4的PDP4的主要部分的斜视图(部分剖视图)。具体实施方式(实施形态l)1一1.PDP的结构下面，参考图1针对发明的本实施形态的AC型PDP(下面，简称"PDP")1的结构进衍兑明。图1魏出PDP1的主要部分并进行图示的主要部^M视图。这里，PDP1虽然具有适合于40英寸等级的VGA的规格的面板，但是本发明并不局限于此。如图1所示，PDP1由中间具有间隔相对设置的前面面板10和背面面板构成。在作为前面面板10的基板的前面玻璃S^反11上条纹状地形成有显示电极12(扫描电极12a和维持电极12b)。在形成有显示电极12的前面玻璃基板11的表面上形成有覆盖整体的电介质玻璃层13，而且在其上形成有电介质保护层14。还有，虽然没有图示，显示电极12在由透明电极膜(ITO等)构成的下层上具有层叠的Ag细线的总线的结构。另一方面，在作为背面面板20的基板的背面玻璃基板21上条纹状地形成有寻址电极22。在形成寻址电极22的背面玻璃基板21的表面上形成有覆盖整体的电介质玻璃层23。并且，在电介质玻璃层23上，与相邻的寻址电极22和寻址电极22的间隙重合直立设置隔壁24。并且，在由电介质玻璃层23和相邻的两个隔壁24形成的沟部的壁面上，在每个沟中分别形成红(R)、绿(G)、蓝(B)的荧光体层25R、25G、25B。各种颜色的荧光体层25R、25G、25B主要成分是荧光体，其组成中包括含有IV族元素，即Si的以下成分。红色(R):Y2Si05:Eu绿色(GX'Zn2Si04:Mn蓝色(B):Y2Si03:Ce在显示电极12和寻址电极22交叉的方向上设置前面面板10和背面面板20，以使电介质保护层14和荧光体层25R、25G、25B相面对重合，由外周电介质保护层14、隔壁24和荧光层25R、25G、25B围成的放电空间30R、30G、30B中在预定的压离(例如，53.279.8kPa)下密封由氦(He)、氙(Xe)、氖(Ne)等不活泼气体成分构成的放电气体。相邻的隔壁24之间是放电空间30R、30G、30B，且一对扫描电极12a及维持电极]2b和一个寻址电极22夹住放电空间30R、30G、30B的交叉区域与图像显示的单元相对应。并且，由相邻的R、G、B三个单元构成一个象素。对于本实施形态的PDP1，例如，单元间距在X方向是1080(um),在Y方向是360(txm)。由相邻的R、G、B三个单元构成一个象素(例如，1080umx1080,)。1一2.PDP1的制造方法接下来对上述PDP1的制造方法进行说明。(前面面板10的制作)在由碱石灰玻璃构成的前表面玻璃基板ll(例如厚度约2.6mm)的一个的主表面的^面上，j顿喷溅法形成厚度约0.12(um)的ITO(由氧化铟和氧化锡构成的透明导体)薄膜，{顿光亥)跌形成宽度150(um)的条纹状(间隔为0.05mm)的电极底层(未图示)。接下来，在其上全面涂覆感光性的银(Ag)膏并形成薄膜后，使用光刻法在上述电极底层之上形成宽度30("m)的条纹状的Ag总线(未图示)。并且，在约550(°C)下烧成Ag总线从而形成显示电极12。接下来，在形成有显示电极12的前表面玻璃基板11的表面上全面地涂覆混合了由软化点为550600CC)的电介质玻璃粉(氧化铅系或氧化铋系)和二甘醇二乙醚醋酸盐等构成的有机粘接剂的膏。并且，在对其进行干燥以后，在550650(°C)下烧结并形成电介质玻璃层13。接下来，相对JlM电介质玻璃层13的表面，例如，使用EB蒸发法形成厚度为700(nm)的电介质保护层14。具体的说，使用小球状的MgO(平均颗粒直径3腿5mm，纯度99.95%以上)作为蒸发源，根据将皮尔斯式电子枪作为加热源的反应性EB蒸发法，在真空度6.5x10—3(Pa)、氧气导入量10(sccm)、氧气分压90(%)以上、速率2(nm/s)、^Jt:150(°C)的条件下进行。电介质保护层14的材料可以从MgO、MgF2、MgA10中选择。还有，电介质保护层14的形成也可以使用上述方法以外的CVD(化学蒸发法)等的方法。(背面面板20的制造)在由碱石灰玻璃构成的背面玻璃基板21(例如厚度约2.6mm)的一个主表面的旨表面上涂覆感光性的银(Ag)膏(厚度约为5um)从而形成薄膜后，使用光刻法以条纹状，M51在约550CC)下对ltbiS行烧结形成寻址电极22。接下来，在形成有寻址电极22的背面玻璃基板21的表面上，使用与，前面面板10中的电介质玻璃层13相同的方法，形成电介质玻璃层23。但是，对于背面面板20中的电介质玻璃层23的形成也可以使其中含有氧化钛(Ti02)。其后，使用铅系玻璃材料制造玻璃膏，通过丝网印刷法分多次在电介质玻璃层23之上将玻璃膏涂覆成条纹状，i!31烧结形成隔壁24。隔壁24的形成地点位于相邻的寻址电极22和寻址电极22之间，其高度最终约为60100(um)。还有，在本实施形态中，当构成隔壁24的铅系玻璃材料中含有Si成分时，由于提高抑制电介质保护层14的阻抗上升的效果，所以优选。并且，即使在玻璃的组成中含有Si成分，也可以在玻璃材料中添加Si成分。对于形成有隔壁24的背面玻璃基板20，虽然由相邻的两个隔壁24和电介质玻璃层23形成沟部，但是相对于该沟部可以在每个沟中涂覆含有i^各种颜色荧光体的荧光体墨水。fflil在各个子域内注入50(质量％)的量的，各个荧光体，对其投入乙烯纤维素0.1(质量％)、^豁IJ(a—路品醇)49(质量％)，利用辗轮式混砂丰腿行搅拌混合，将粘度调整为15x10—3(Pa's)来制造荧光体墨水。将如此制造出的荧光体墨水按每种颜色注入到与泵连接的容器中，并且利用泵压力从直径60("m)的喷嘴喷射并涂覆到各个隔壁24之间的沟部壁面上。对于荧光体墨水的涂覆M沿着隔壁24的长度方向移动喷嘴而形成条纹状。在所有的隔壁24之间涂覆了各种颜色的荧光体墨水以后，将背面玻璃S^及21在约500(。C)下烧结IO(min)左右，形成荧光体层25R、25G、25B。这些荧光体层25R、25G、25B中包含的各个荧光体全都含有Si，具有，的组成。(PDP1的完成)顿密封用玻璃将制造出的前面面板10和背面面板20贴合。其后，将放电空间30R、30G、30B的内部排气成高真空(1.0x10—3Pa)的程度，在其中以预定的压力(这里是，例如53,279.8kPa)密封入Ne-Xe系和He-Ne-Xe-Ar系等放电气体。Mil以上过程完成PDPl。1一3.PDP1的基本动作上述结构的PDP1由对显示电极12和寻址电极22送电的未图示的驱动部进行驱动。对于该驱动部，为了31ilON/OFF的逻辑控制对各个单元的发光进行控制以及灰度等级显示，将来自外部的输入图像，即时间序列的各个帧F分割成例如6个子帧。进行加权并设定各个子帧的保持(维持放电)的发光次数使得各个子帧中的^it相对比率为例如1:2:4:8:16:32。各4^帧分配为复位周期、寻址周期和保持周期。对于复位周期而言，为了防止因其之前的单元的照明而产生的影响(存储的壁电荷的影响)，复位周期是进行消除整个画面的壁电荷(初始化)的周期。在所有的显示电极12施加^il表面放电开始电压的正极性的复位脉冲。与此一样，为了防止背面面板20侧的带电和离子冲击，在所有的寻址电极22施加正极性脉冲。通过施加脉冲的上升沿和下降沿，在所有单元产生强的表面放电，在所有的放电单元中大部分壁电荷消失，使整个画面成为同样的非带电状态。寻址周期是根据被分割成子帧的图像信号进行被选择的单元的寻址(点灯/不点灯的设定)的周期。使扫描电极12a相对于接地电位偏置为正电位，使所有的维持电极12b偏置为负电位。在该状态，从面板上部顶端中的线(对应于一对显示电极的横列的放电单元)一条线一条线地顺序选择各个线，对该维持电极12b施加负极性的扫描脉冲。还有，对于与可点灯时的放电单元相对应的寻址电极22，施加正极性的寻址脉冲。在寻址中，不产生放电，反在可点灯的放电单元累积壁电荷。保持周期是为了确保与灰度等级7K平相对应的亮度，维持设定的点灯状态的周肌为了防止不必要的放电，使所有的寻址电极22偏置到正极性电位，对所有的维持电极12b施加正极性保持脉冲。此后，对于扫描电极12a和维持电极12b交替施加保持脉冲，反复进行预定的周期放电。还有，复位周期和寻址周期的长度虽然与辉度的分量无关，是一定的，但是保持周期的长度是辉度的分量越大就越长。即，各个子帧的显示周期的长度彼此不同。对于PDP1，ilil将这种R、G、B各种颜色的子帧单元相互组合，实现多颜色多灰度等级显示。1一4PDP1具有的优点对于具有，结构的本实施形态1的PDP1，在R、G、B的各种颜色荧光体层25R、25G、25B中，ffiil使用在其组成中含有IV族元素，即Si的荧光体，使各种颜色荧光体层25R、25G、25B中IV族元素(Si元素)是100(质量ppm)以上50000(质量ppm)以下的比率，而且，在所有的荧光体层25R、25G、25B中含有相同的比率。通il采用这种方法，得到电介质保护层14的阻抗随时间变化的方向一致的效果。具体的说，ffiil在所有的荧光体层25R、25G、25B中添加IV族元素，tet应于R、G、B所有颜色的放电单元中，电介质保护层14的阻抗随着时间上升到相同程度。由此对于本实施形态l，由于可以抑制对应于所有R、G、B各个颜色的电介质保护层14的阻抗随时间变化量的偏移，可以使其变化的方向性在三个颜色全者睏定地一致，所以可以抑制由于随时间采取的按照阻抗变化的驱动方法而弓l起的黑噪音的发生。由此，对于PDP1，例如，预测与R、G、B的各个颜色的放电单元相对应的电介质保护层14的阻抗变化程度，制造PDP1时在预先驱动电路侧中，将电压设定界限提高一些设定，或者随时间改变寻址周期的施加电压和保持周期的施加电压的平衡，由于可得至,于使黑噪音的产生降低等、持续保持良好的图像显示性能的非常有效的方法。还有，对于本发明虽然设在荧光体的组成中存在Si，但是除lfet外也可以添力口Si以外的IV族元素、过渡金属、碱金属、碱土^^属(但是，除Mg外)，在形成电介质保护层14时，也可以在荧光体以外的层中添加这些元素。过渡金属具有抑制电解质保护层14的阻抗降低的效果。针对这种变形在后述的实施形态14中描述。1一5.确认实验这里针对上述实施形态1和其它的本发明形态制造的各个实施例和比较例(PDP和测量用样品)，并进行确认实验。(实施形态l)下面，针对本发明的实施形态l的PDP的制造方法进fri兑明。作为用于荧光体层的RGB各种颜色的荧光体，4顿含有^的材料作为基材的荧光体作为红色和蓝色荧光体。<实施形态1的各种颜色荧光体>红色荧光体Y2Si05:Eu绿色荧光体Zn2Si04:Mn蓝色荧光体Y2Si03:Ce(比较例1)还有，对用于比较对照的比较例的PDP进行串隨。在此j柳如下所示的荧光体材料的组合。<比较例1的各种颜色荧光#>红色荧光体Y203;Eu3+绿色荧光体Zn2Si04:Mn蓝色荧光体Ba2MgAl1()017:Eu2+其它的工序与实施形态1相同。特别是构成电介质保护层的MgOM抑律'J上述杂质质质的混入的方法(腔室内的Eb蒸发法)来形成。为了调查上述实施形态1的PDP的性能，制造与该PDP具有同样性能的阻抗观糧用样品和长时间劣化沈验用样品。(阻抗测量装置和劣化加速试验装置)首先，使用图2和图3针对用于实验的阻抗测量装置和劣化加速试验装置进fiH兑明。如图2(a)所示，阻抗测量装置由在表面形成有由ITO构成的电极112的玻璃基板lll(50mmx40mm)和在相同的表面上形成有由ITO构成的电极122的玻璃基板121(50mmx40mm)构成。配置玻璃基板111和玻璃基板121以使电极112和电极122具有0.7(拜)的间隙且相对。在电极112和电极122之间是作为测量对象的电介质保护层130(厚度700nm)。如图2(b)所示，电极112由共同具有蛇行图案的电极112a和电极112b构成。电极112a和电极112b之间的间隙与，PDPl相同，是50(拜)。在电极112a、112b的一端形成矩形图案区，在lt隨接有与LCR测量仪140相连的导线。在LCR测量仪140中腿接有从形成在玻璃S^及121的^面的电极122延伸的导线。在上述装置中，将电介质保护层130塞入其间具有700(kpa)压力的玻璃基板lll和玻璃基板121之间，并在施加电压1(V)、频率100(Hz)这样的条件下进行阻抗测量。并且，阻抗测量在后述的劣化加速试验的前后进行。对于阻抗而言，是本发明者一边考虑了PDP中的黑噪音的产生一边研究的结果，是额定220(kn/cm2)以上340(ka/cm2)以下。接下来，如图3(a)所示，在劣化加速i^验装置的玻璃基板311中{細与用于上述阻抗测量装置的玻璃掛反lll相同的玻璃基板。艮P，如图3(b)所示，在玻璃基板311的表面上形成由电极312a、312b构成的电极312。玻璃基板321(50mmx40mm)fflil在旨表面形成由ITO构成的电极322，形成电介质保护层323从而覆盖电极322。并且，在该表面处形成有具有后述特性的荧光体层325。还有，在该荧光体层325的表面上按PDP1的单元尺寸0.36(mm)形成隔壁(间隙壁)324。在腔室300内以将电介质保护层130夹在其间的状态使玻璃基板311和玻璃基板321重合，对其加重。并且，使用TMP350,在使腔室300内成为高真空(约1.0xlO,a)之后，通过气泵360填充具有预定组成的放电气体。各个电极312、322连接到驱动电路340，被施加与PDP1相同的脉冲。在上述状态中，自驱动电路340连续施加在一般的PDP中使用的驱动频率的5倍的频率的脉冲，实施劣化加速i^验。并且，在驱动初期和劣化试验后的各个状态中，评价该显示板的图像质量。图像质量的评价适用于接下来在表1中示出的标准。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>如表1所示，对图像质量进行5个灰度等级评价，等级高的一方表示优质的图像质量。评价等级位4和5的PDP实质上是作为出厂产品的额定等级。(评价结果)在下面的表2、表3中将上述各个测量评价结果和后述的实施形态24的数据一起表示。还有，表3中电介质保护层的阻抗表示由5个采样观懂的平均值。还有，用于PDP的电介质保护层的实质的额定阻抗的范围是基于批量生产不良的产生和设计条件推测出的假想的阻抗值的上下30(kQ/cm2)的范围。例如，在以假想阻抗值为280(kQ/cm2)驱动的情况下，如果与各个颜色的荧光体层相对应的电介质保护层的阻抗的变化集中在250(kQ/cm2)310(kQ/cm2)以下的范围内，那么就不产生黑噪声。利用根据该数值的判断标准进行各个PDP性能的评价。这里所说的"假想阻抗"理想化中，能够作为将R、G、B的各个荧光体层相对应的电介质保护层的阻抗内、劣化试验前的最大值和劣化试验后的最小值之和除以2的值导出。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>[表3]<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table>(考察)首先，从表2的来看，禾U用仅在绿色荧光体中含有Si组成的比较例l和在R、G、B全部颜色的荧光体组成中含有Si的实施形态1，驱动初期和劣化逸验后的图像质量评价几乎相同，都显示出良好的结果。然而，另一方面，从表3的阻抗观糧结果来看，在比较例l盼瞎况下，在与其各个颜色荧光体相对应的电介质保护层的阻抗中出5见了偏差。虽然可认为比较例的假想阻抗值在270(kQ/cm2)附近，以此为基准表现出劣化逸验后的比较例l的阻抗的偏差超过30(kQ/cm2)。如由此推测的，比较例l最终导致黑噪声，引起图像质量劣化。与此相对地，对于实施形态1，发现与劣化试验后的各个荧光体相对应的电介质保护层的阻抗大致一致，假想阻抗值为230(kQ/cm2)的情况下的阻抗的偏差也集中在30(kQ/cm2)以内的范围内，育g进行稳定的驱动。对于表2，m缩短设定寻址周期和保持周期的时间的简单的驱动调节，实施形态1的PDP不容易产生黑噪声，图像质量评价也为5级。包括比较例1的现有的PDP，由于分别与R及B的荧光体层和G的荧光体层的单元相对应的电介质保护层的阻抗的差过大，所以在这种驱动方法的调整的范围内不产生黑噪声是困难的。对于直到驱动方法最佳化后的比较，考虑生产偏差时，实施形态1的结构是有所谓合格率提高的效果。PDP的驱动按电介质保护层的假想阻抗范围来设定。虽然通常的假想阻抗值为280(kQ/cm2)，但是也可以在大约200(kQ/cm2)以上350(kQ/cm2)以下的范围内变化假想阻抗值。如实施形态1所示，即使与R、G、BM颜色相对应的电解质保护层的阻抗或多或少变化，各个颜色之间的阻抗变化的差变小时，可以通过利用驱动电路调整电压值来维持等级5的图像质量。但是如比较例1所示，M颜色之间的阻抗变化的差变大时，贝怀能维持高图像质量。例如实施形态1的情况下，如果电介质保护层的阻抗，驱动初期的R、G、B都为310(kQ/cm2)，劣化试验后都为为约230(kQ/cm2)，那么可以通过使驱动电源的设定值与上述阻抗的变化相符合并在驱动中进行切换来实现。另一方面，如比较例1所示，如果劣化it验后的阻抗，如R为315(kQ/cm2)、G为225(kQ/cm2)、B为315(kQ/cm2)那样，极端地具有偏差，那么虽然实际上必须在最大和最小平均值即270(kQ/cm2)附近取假想阻抗值，但是由于该情况下与各个颜色荧光体层相对应的电介质保护层地阻抗没有在上下30(kQ/cm2)的假想阻抗内，结果是图像质量等级下降。(实施形态2)下面，针对本发明的实施形态2的PDP制造方法进纟亍说明。对于本实施形态2，作为荧光体材料，使用荧光体的化学组成本身中不含有Si的荧光体材料，替代地在荧光体层中另夕卜添加S！化合物的结构。红色荧光体..Y203:Eu3+—绿色荧光体BaAl12019:Mn蓝色荧光体:BaMgAlKA7:Eu^还有，上述荧光体组成中，对于绿色荧光体，虽然表记为Bao.82Al1201182:Mn或者Bao_x)Al120(29x):Mn，但是其内容与上述相同。在本说明书中记载为BaAl12019:Mn。作为荧光体的制造方法，首先对上述各种颜色荧光体，以1000(质量ppm)的比率混合SK32粉末，进行烧结'粉碎、振动。根据Si02等的Si化合物的混合量，劣化沈验后的阻抗M^、量变化。实际上，Si化合物在100(质量ppm)到10000(质量ppm)之间的瞎况下，在假想阻抗值容易设计的范围(约200kQ/cn^以上350kQ/cn^以下)内。还有，虽然使Si化合物的混合比率低于100(质量ppm)，在理论上是可能的，但是从生产性的观点来看作为实际问题正确添加少于100(质量ppm)的量的Si化合物是困难的。还有，并不局限于Si，希望如果、添加其它的IV族元素也具有同样的效果。作为实际制造工序，最好是Ge化合物，具体地说是Ge02等。Si化合物添加之后，可以与实施形态1同样地制造荧光体层。阻抗测Sffi样品和劣化试验用样品形成单色的荧光体层。全部样品的制造方法和各个i式验方法与实施形态l相同。将得到的数据集中在表2、表3中。(考察)首先，如表2所示，PDP图像质量评价结果表明在所有的R、G、B荧光体层添加Si化合物的实施形态2的情况下，fflil劣化i^验，与比较例1相比，黑噪声的产生减少了，图像质量提高了。该实施形态2盼瞎况下，虽然假想阻抗值可以设定在270(kQ/cm2)附近，但通过设定假想阻抗值使劣化试验后的各个阻抗值相互一致，可以呈现良好的显示性能。如对这些进行的证明，根据表3的阻抗评价结果表明，在所有的R、G、B荧光体层混合Si混合物的实施形态2的情况下，可以ilil劣化试验有效地抑制电介质保护层的阻抗的上升，接M度的数值范围。(实施形态3)下面，针对本发明的实施形态3的PDP的制造方法进fri兑明。本实施形态3的特征在于结构为R、G、B的荧光体层分别存在少量(IOOO质量ppm)的Si，而且在由MgO构成的电介质保护层中也含有Si。电介质保护层的成膜工序如下面描述。作为蒸发源，将小球状的MgO与小球状的或:#^末状的Si化合物(Si02、SiO)混合。这里作为一个实施形态，在纯度99.95(%)的平均颗粒直径3(mm)的MgO小球中混合1900(质量ppm)的Si02粉末。以此作为蒸发源，通过将用作加热源的反应性Eb蒸发法进行蒸发。此时的条件设腔室内的真空度6.5Xl(T3(Pa)、氧气导入流量10(sccm)、氧气分压90(%)以上、j^l莫速率2.5(nm/s)、最终膜厚700(nm)、S^反温度150(。C)。由此，得到Si浓度700(质量ppm)的保护层。还有保护层中的Si量可以ilil调整在MgO小球中混合Si02的量进行变化。还有，作为蒸发源，也可以使用MgO与Si化合物的混合物的烧结体。还有，ilil将同样的烧结体作为革巴子的、鹏寸可以使由含有Si的MgO构成的电介质保护层形成薄膜。还有，通过f顿小球状或粉末状的MgO和NM七合物的混合物的烧结体作为蒸发源的方法，也可以使由含有M的MgO构成的电介质保护层形成薄膜。本实施形态3的电介质保护层中的Si的含量ffiilSiMS(二次离子质量分析法)测量。其它的工序与实施形态1同样地进行。阻抗测量用样品和劣化it验用样品除了形成单色的荧光体层和含有Si的电介质玻璃层外，与实施形态1同样地制造。根据测量数据的PDP的图像评价和阻抗评价、劣化试验分别按与上述实施形态l相同的方法进行。将各个M表示在表2、3、中。(考察)首先力XI:述表2来看，在全部R、G、B的荧光体中混合少量的&成分，在电介质保护层中以700(质量ppm)的浓度存在的实施形态3的情况下，与比较例1相比，在驱动初期的图像质量提高的同时，即使在劣化试验后也可以维持等级4基准的图像质量。缩短设定寻址周期和保持周期的时间时，对于本实施形态3规格的PDP，不仅不产生黑噪声，而且使驱动初期和劣化逸验后都一样，可使图像质量评价也为最高等级，即等级5。还有，可以将本实施形态3的假想阻抗值设定为260(kQ/cm2)，没有发现各个阻抗值的偏差。接下来，从表3来看，实施形态3是在所有的R、G、B荧光体中混合少量的S!，在电介质保护层中以700(质量ppm)的浓度存在的情况下，劣化试验后的阻抗>—些，其下降的幅值小，在所有R、G、B中一致且稳定。因此，能得至鹏动设计变得容易的效果。对于本实施开絲3，虽然示出的是在荧光体层和电介质保护层中含有Si的例子，但是并不局限于Sh由其它的实验确认出即使是其它的IV族元素也具有同样的效果。(实施形态4)下面，针对本发明的实施形态4的PDP的制造方法进fiH兑明。本实施形态4的特征在于具有R、G、B的荧光体层中分别存在少量(1000质量ppm)的M，而且在电介质保护层的MgO中含有Si的结构。荧光体使用下面的荧光体红色荧光体Y203;Eu3+绿色荧光体BaAl12019:Mn蓝色荧光体:BaMgAlKA7:Eu"对于以上的各个荧光体，含有适量的M。具体地说，在上述各个荧光体粉末中以1000(质量ppm)的比率混合NiO粉末，进行混合、烧结'粉碎、振动。NiO粉末的添加量容易地控制在10010000(质量ppm)的范围。由此，形成含有Ni的荧光体层。还有，并不局限于M，也可以在各个荧光体层中含有过渡金属。此种情况下在制造工序中可以使用过渡金属化合物，例如W03。接下来，禾,ill寸法进行电介质保护层的成膜。在蒸发源中，使用相对于MgO粉末以2700(质量ppm)的比率混合'烧结粉末状的Si化合物(例如Si02)的材料，最终形成Si浓度为lOOO(质量ppm)的电介质保护层。Si含有量通过SiMS来确认。还有，也可以通过喷溅法在MgO中直接混入Sl。在观ll寸的蒸发源中，除此之外也可以混合'烧结MgO和Ni化合物(NiO)，形成含有Ni的电介质保护层。阻抗测量逸验、劣化试验分别与实施形态1相同itt行。其分别表示在上述表2、表3中。(考察)首先，从表2来看，全部的R、G、B的荧光体层中含有少量的M，在电介质保护层中含有少量(1000质量ppm)的Si的情况下，可以将假想的阻抗值设定为280(kQ/cm2)，初期、以及劣化i^验后都一样，使图像质量成为最高等级，即等级5。接下来，根据表3的电介质保护层(MgO)阻抗评价结果，实施形态4，驱动初期的阻抗值稍微降低，通过劣化试验该值慢慢升高，但是其上升的幅度变小，在R、G、B的各个颜色中一致，使假想阻抗值在超过20(kQ/cm2)的值下是稳定的。因此本实施形态3的情况下可得到驱动设计变得容易的效果。还有，对于实施形态4，虽然构成在荧光体层中存在M，且在电介质保护层中含有Si的结构，但是在荧光体层中，在以其它的过渡金属、MgO作为主要成分构成的电介质保护层中即使含有其它的IV族元素，ilil其它的实验也可以证明能得到上述同样的效果。还有，即4跌用在荧光体层或电介质保护层中同时含有过渡金属、S!等的IV族元素的方法，也可以得到自由设定驱动初期和长时间驱动之后的阻抗的效果，可使放电特性最佳化进行优质的图像显示。此种情况下，在荧光体层中，按质量比，^M渡金属比多于IV族元素的3倍多。另一方面，在电介质保护层中，按质量比，im过渡金属比iv族元素的3倍少。这是IV族元素的阻抗M4、效率成为过渡金属的阻抗上升效率的约3倍的原因。由于IV族元素具有阻抗的稳定化的效果(在存在温度变化的情况下阻抗没有大幅度变化的效果)，所以在电解质保护膜中多含有比过渡金属的1/3稍多的IV族元素的方法也可以。1一6.关于实施形态1和，各个实施形态的其它的事项对于上述实施形态1和各个实施形态,虽然主要说明的是使用IV族元素或过渡金属元素作为涉及电介质保护层的阻抗的变化影响的材料，但是，本发明并不局限于此，涉及电介质保护层的阻抗的影响比IV族元素和过渡金属稍小的，来用与上述结构同样的方法，在电介质保护层和荧光体层中含有碱金属、除Mg以外的碱土类金属，可得至U几乎相同的效果。在使用这些元素的情况下，最好按下面的这种数值范围设定。(1)规定所有的R、G、B的荧光体层中的碱金属禾口碱土类金属(但是，除Mg外)的合计含有比率在300(质量ppm)以上120000(质量ppm)以下(2)规定这些元素(碱金属、碱土^^属(但是，除Mg夕卜))的含有比率在各个荧光体层之间的偏差在40000(质量ppm)以内。(3)使这些元素(碱金属、±类金属(但是，除Mg外))在所有的荧光体层中相同。(4)还有，对于这些元素(碱金属、±^属(但是，除Mg外))而言，也可包含在荧光体层中，也可以包含在作为构成要素的荧光体的组成中，或者是也可包含在除层中的荧光体以外的部分中。还有，对于本发明，在荧光体层中含有Si等IV族元素，抑制电介质保护层的阻抗上升的情况下，通过上述劣化试验调查时，给予电介质保护层的阻抗影响的IV族元素的含有量为100(质量ppm)以上。但是，包含过剩的IV族元素和劣化试验后的阻抗值将比适宜的范围变低。还有，可以适宜地控制阻抗的IV族元素的添加量在50000(质量ppm)以下。由此可知，认为最好在荧光体层中的IV族元素的添加量在IOO(质量ppm)以上50000(质量ppm)以下。还有，对于这些的含有比率，IW是对于所有的R、G、B的荧光体层按大致相同的比率含有IV族元素。具体地说，在R、G、B的各个颜色荧光体层中含有Si等IV族元素的情况下，如果各个颜色之间的IV族元素添加量的偏差超出20000(质量ppm)时，那么与劣化试验后的各个颜色荧光体层相对应的电介质保护层的阻抗的差变大。因此，为了抑制长期驱动的情况下的黑噪声的产生，最好将R、G、B的各个颜色的荧光体层中的IV族元素的含有比率的偏差集中在，数值。另一方面，在R、G、B的各个颜色的荧光体层中含有过渡金属的情况下，对劣化试验后的电介质保护层的阻抗有影响的添加量是300(质量ppm)，但多余量含有过渡金属时，劣化试验后的阻抗值比适宜的范围变高。由于可以适宜地控制阻抗的过渡金属的含有比率在120000(质量ppm)以下，所以荧光体层中的过渡金属的添加量最好是300(质量ppm)以上120000(质量ppm)以上。此时，各个颜色之间的过渡金属添加量的偏差最好预先设在40000(质量ppm)以下。而且，在由MgO构成的电介质保护层中含有Si等IV族元素的情况下，利用劣化试验调查时，对阻抗产生影响的含有比率在500(质量ppm)以上。还有，在电介质保护层中含有N!等的过渡金属的情况下，进行同样的试验时，对阻抗产生影响的含有比率在1500(质量ppm)以上。这些添加物的含有比率的上限最好是6000(质量ppm)，Mii阻抗测量实验得知。如上所述，若是在构成电介质保护层的MgO中含有的Si等的IV族元素在500(质量ppm)以上2000(质量ppm)以下的范围，而且R、G、B的各个荧光体层中含有的IV族元素在IOO(质量ppm)以上50000(质量ppm)以下的范围的PDP，那么与劣化试验后的各个颜色荧光体层相对应的电介质保护层的阻抗差变小，可以抑制黑噪声产生，进行优质的图像显示。还有，作为在电介质保护层中含有的Mn、Fe、Co、N！等的过渡金属在1500(质量ppm)以上6000(质量ppm)以下的范围，而且在R、G、B的各个荧光体层中含有的过渡金属在300(质量ppm)以上120000(质量ppm)以下的范围的PDP，与上述同样的劣化试验后的各个颜色的荧光体层相对应的电介质保护层的阻抗差变小，可抑制黑噪声，进行优质的图像显示。这里，如上所述，即使在电介质保护层、荧光体层中含有碱金属或碱土M属(但是，除Mg外)，虽然也能取得了与含有过渡金属的情况相同的效果，但对此最好的含有比率而言，以上述过渡金属的含有比率为准。如此在荧光体层中含有碱金属和碱土类金属(但是，除Mg夕卜)的情况下，最好将各个颜色之间的含有比率的偏差事先设在40000(质量ppm)以下。(对于9/29附加的修改内容中，，部分中"4000"应该是"40000"。申请确认)。还有，对于上述实施形态虽然示出的是在荧光体层或电介质保护层中存在IV族元素或过渡金属中的任一种的例子，但是各个元素也可以分别通过多个种类存在。还有，也可以存在iv族元素和过渡金属两种。(实施形态2)2—1.PDP2的结构针对实施形态2的PDP2的结构进fiH兑明。本实施形态的PDP2具有与上述图1中所示的实施形态1的PDP基本相同的结构，主要的不同点是荧光体层25R、25G、25B的组成和电介质保护层14的组成。因此，对于PDP2中的各个构成要素而言，付与与PDP1的各个构成要素相同的符号，下面主要针对与PDP1的不同点说明PDP2的结构。PDP2包括以如下所示的组成的荧光体作为主要成分的R、G、B各个颜色荧光体层25R、25G、25B。红色荧光体；Y203:Eu绿色荧光沐i顿后述的方法制造的荧光体。蓝色荧光体；BaMgAl1Q017:Mn2+还有，在R荧光体层25R和B荧光体层25B中，在荧光体以外的部分中，按100(质量ppm)以上5000(质量ppm)以下范围内的比率含有IV族元素(例如，SD。各个荧光体层25R、25B中含有的IV族元素可f柳在JiM实施形态2中说明的方法得出。还有，针对上述各个颜色荧光体内绿色荧光体的制造方法在后面进行描述。还有，在设置在前面面板10的电介质保护层14中，以1500(质量ppm)的比率含有IV族元素，即Sl2—2.PDP2的制造方法接下来，针对PDP2的制造方法进行说明，关于制造方法，由于基本上与上述实施形态l相同，所以重点说明其不同点。(前面面板10的制造)在前面玻璃基板11的主表面上直到形成显示电极12、电介质玻璃层13,与上述实施形态1相同。不同点是在下面示出的电介质保护层14的形成方法。相对于上述电介质玻璃层13的表面，ffii^顿以氧化镁(MgO)和硅化合物(例如，二氧化硅、一氧化硅等)的混合物作为蒸发源的真空蒸发法，形成例如厚度为700(nm)的电介质保护层14。作为具体的蒸发源，可以使用例如在颗粒直径35(nm)、纯度99.95(%)以上的MgO小球中以1000(质量ppm)的比率混合二氧化硅(Si02)的混合物。还有，作为具体的蒸汽方法，可以使用例如以穿透式枪作为加热源的反应性EB蒸发法。此时的形成薄膜的条件是真空度6.5X10-3(Pa;)，氧气导入量10(sccm)，氧气分压90(%)以上，速率2.5(nm/s)，基板、鹏150CC)。由此，形成以1500(质量ppm)的比率含有Si的电介质保护层。还有，在电介质保护层14的形成中可以使用除上述EB蒸发法以外的CVD法(化学蒸发法)等。还有，在电介质保护层14的主要材料中除了，MgO以外，还可以使用MgF2、MgA10等。(背面面板20的制造)在背面面板20的制造中对于在背面玻璃基板21的主表面上直到形成寻址电极22、电介质玻璃层23、隔壁24都经过与J^实施形态相同的过程。不同点是在下面示出的荧光体层25R、25G、25B的形成方法。虽然相对于形成有隔壁24的背面玻璃基板21，由相邻的两个隔壁24和电介质玻璃层23形成沟部，但是相对于该沟部在旨沟中涂覆含有J^各个颜色荧光体的墨水。荧光体墨7k在各^f域内注入50(质量％)的量的上述各个荧光体，在其中投入乙烯纤维素0.1(质量％)、f豁J(a—砲品醇)49(质量％)，禾,混砂机进行搅拌混合，将粘度调整为15x10—3(Pa's)，进行制作。将如此制造的的荧光体墨水按每种颜色注入到与泵连接的容器中，并且利用泵的压力从直径60(um)的喷嘴的泵压力喷射并涂覆，各个隔壁24之间的沟部壁面上。对于荧光体墨水的涂覆M沿着隔壁24的长度方向移动喷嘴，由此形成条纹状。在将各种颜色的荧光体墨7jC凃覆到所有的隔壁24之间以后，将背面玻璃基板21在约500CC)下烧结IO(腿)左右，形成荧光体层25R、25G、25B。3!31以上的步骤完成背面面板20，下面针对本实施形态的特征部分，即绿色荧光体的制造方法进纟亍说明。(绿色荧光体的制造方法)首先，作为制造绿色荧光体的第一阶段，分别准备预定量的在制造含有BaAluO^Mn的组成的通常的绿色荧光体时使用的材料(BaC03、Mn02、Al203)，在其中添加预定量的硅氧化物(例如，Si02)，将全部细细地碾碎。这里，推算并设定硅(Si)化合物的添加量，以便在形成绿色荧光体层25G时，层中的Si的比率集中在IOO(质量ppm)以上5000(质量ppm)以下的范围内。接下来，作为第二阶段，在对细细碾碎的混合原料烧结后，再次细细碾碎，通过筛选取出粒子直径在一定范围内的粒子。即，在制造荧光体的阶段同时添加硅化合物。经过以上的过程，制造绿色荧光体。(PDP2的完成)与，实施形态1同样地实施已完成的前面面板10和背面面板20的密封。并且，对用于在前面面板10或背面面板20弓I出和注入气体而设置的孑Ut行密封，完成PDP2。还有，放电气体中的Xe的含有量基于提高发光辉度的目的最好是设定在5(体积％)以上。在PDP2中，例如，适合40英寸尺寸的VGA，为此单元间距设为0.36(mm)，扫描电极12a和维持电极12b的电极之间的间隔设定为O.l(mm)。2—3.PDP2的驱动在PDP2驱动时采用与上述实施形态1的PDP1相同的驱动方法。因此，省略在这里的说明。2—4.PDP2的优点对于如上所述的PDP2，在显示电极12(扫描电极12a、维持电极12b)和寻址电极22之间产生放电，由放电气体产生的紫外线mi)荧光体层25的荧光体使得荧光发光。如上所述，本发明者确认出由于长期驱动情况的黑噪声的产生而弓l起的图像质量的劣化是由下面的这种机理引起的。即，对于上述现有的PDP，主要的荧光体层中的构成元素(例如，Si等)在放电空间中放电，其与前面面板中的电介质保护层的表面粘着。伴随于此，电解质保护层具有的阻抗变化。在长时间驱动的情况下，电介质保护层的阻抗将会位于预定数f直范围以外，在要点灯的单元没有点灯，产生所谓的黑噪声。这种黑噪声的产生使PDP的图像质量大大地降低。这种电介质保护层中的阻抗变动即使在除Si以外的IV族元素、或者过渡金属、碱金属、碱土类金属(但是，除Mg夕卜)粘着电解质保护膜的表面的情况下也同样发生。还有，为了使驱动初期中的电介质保护层的阻抗的值为最佳的值，即使在制造时在电介质保护层值添加Si等的IV族元素的这种PDP中，随着驱动时间的推移，使电介质保护层的阻抗变动与初始值偏离，在经过某一时间的时间点阻抗超出允许范围。与此相对地，对于本实施形态的PDP2，在红色(R)和蓝色(B)的荧光体层25R、25B中不含有Si的同时，在绿色(G)的荧光体层中25G中以100(质量ppm)以上5000(质量ppm)以下的范围的含有比率含有IV族元素，即Si。如此，PDP2M3i在荧光体层25R、25G、25B中全都不含IV族元素，即Si，或者即使含有也是规定在上述数值范围内的极少的量，由此即使长期驱动，也能限帝鹏着在电介质保护层14的表面的&量。并且，对于该限制的粘着量，电介质保护层14的阻抗几乎不变化，如果在设计阶段将电介质保护层的阻抗设定在适当的范围内，那么黑噪声的产生将就得不明显。对于该数值等级，通过后述的实验迸行确认。还有，为了沿绿色荧光体层25中的&的含有比率为0(质量ppm)，即全都不含有Si，也可选择组成中不含有Si的绿色荧光体，由仅不含有Si的物质形成层，但组成中全都不含有Si的绿色荧光体层，其辉度比含有一些a的荧光体层25G还低。因此，对于本实施形态，以组成中不含有Si的荧光体作为基本材料，制造和IOT添加了IOO(质量ppm)以上5000(质量ppm)以下的比率的这种微量的&的荧光体。还有，将Si的含有比率规定在lOO(质量ppm)以上5000(质量ppm)以下的范围内，不仅适用于绿色荧光体层25G，也适用于红色、蓝色荧光体层25R、25B。PDP2除了即使在上述这种长期驱动的情况下电介质保护层的阻抗也几乎不变化的优点，还能通过在制造阶段使电介质保护层14中含有1500(质量ppm)的比率的Sh使驱动初期中的电介质保护层14的阻抗成为最适宜的值。因此，由于PDP2在提高面板辉度的同时，与驱动时间的长短无关，将电介质保护层的阻抗保持在适当的范围，所以不增加黑噪声的发生，就维持优质的图像质量。2—5.确认实验在此，进行用于证明上述PDP2中的优越性的实验和用于对荧光体层的最适宜的各个元素含有比率进行特定的实验。(阻抗测量装置和劣化加速实验装置)对于在用于实验的P且抗测量装置和劣化加速i5t验装置而言，具有与上述实施形态l中的确认实验中所使用的各^置相同的结构。(实验l)首先，作为实验l，调查荧光体层中含有的&比率和电介质保护层的阻抗与荧光体层的辉度之间的关系。用于试验的采样在表4中示出。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table>在表4示出的3个种类的采样内，采样Na2的荧光体层使用与上述实施形态2的PDP2中的绿色荧光体层相同的方法来制造，采样Na3的荧光体层将Si的含有比率设为7000(质量ppm)。对于电介质保护层而言，各个采样都M与上述PDP2中的电介质保护层14相同的方法制造。但是，在电介质保护层中不含有Si。平均各制造五个No.13的采样，预先测量各个采样中的电介质保护层的阻抗，并实施劣化加速实验，每经过IOO(hr)、200(hr)的一定时间取出电介质保护层并对其阻抗进行观懂。还有，对劣化加速实验中的旨经过的时间的发光辉度也分别进行观懂。将采样No.13的各个种类中的五个采样的平均值作为测量结果，用图4表示。如图4所示，电介质保护层的阻抗在劣化加速实验开始前，Nal3所有的都变为310(kQ/cm2)。这里，在制造时，在电介质保护层中不含有&。对于在荧光体层中全都不含有&的采样Nal，与劣化加速试验的试验时间无关，电介质保护层的阻抗变为一定的(310kQ/cm2320kQ/cm2)。与此相对，对于在荧光体层中以200(质量ppm)的比率含有&的采样，随着谅验时间的推移电介质保护层的阻抗缓慢降低。荧光体层中Si的含有比率为7000(质量ppm)的No.3/A^样是从劣化加速i&验开始之后电介质保护层的阻抗开始大幅度降低，在经过700(hr)时，约降低到230(kQ/cm2)。接下来，如图4所示，对于发光辉度而言，直到经过400(hr)的时刻，荧光体层中Si的含有比率为7000(质量ppm)时为最高，No.3的采样也最高，接下来是No.2的采样，最低的是No.l的采样。可是，如果it验时间超过400(hr)时，No.3的采样中的发光辉度急剧下降，Si的含有比率为200(质量ppm)的No.2的采样变为具有最高的发光辉度。在综合研讨电介质保护层的阻抗的稳定性和发光辉度这两个因素的情况下，可以知道在荧光体层中以200(质量ppm)含有Si的No.2的采样最优。即，表明从发光辉度的观点来看，即使极微量，也希望含有荧光体层中的Si，从电介质保护层的阻抗的稳定性的观点来看，需要降低并抑制抑制含有比率。还有，虽然没有记录数据，但是即使在荧光体层中的Si的含有比率为lOO(质量ppm)的情况下，也能确认出发光辉度也几乎与上述No.2的采样没有差异。接下i作为实验2，制造荧光体组成和层中的&的含有比率和电介质保护层中的^的含有比率分别变化的No.ll14的采样，并进行劣化加速沈验500(k)，测量试验前后的电介质保护层的阻抗。各个采样的内容和阻抗的测量结构如表5所示。表5<table>tableseeoriginaldocumentpage34</column></row><table>还有，分别制造具有与上述No.1114的采样相同的绿色荧光体层和电介质保护层的PDP，目视在上述劣化加速试验相同的条件下进行试验时的i(验前后的图像质量，并对其进行评价。PDP的内容(绿色荧光体层、电介质保护层)和图像质量的评价结果表示在表6中。表6<table>tableseeoriginaldocumentpage34</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage35</column></row><table>还有，在表6中的No.PllP14的PDP中，J^表中示出的以外的构^^才料与上J^实施形态2的PDP2相同。还有，试验中的显示板的图像质量评价标准与，表1中示出的实施形态1的确认实验中的图像质量评价标准相同。如表5所示，对于荧光体组成是Zn2Si04:Mn的No.ll和No.l2的两个釆样，舰劣化it验，电介质保护层的阻抗大幅度降低，对于为了将驱动初期的电介质保护层的阻抗设定为265(kQ/cm2)，在电介质保护层中以1500(质量ppm)比率含有S!的No.ll的采样，劣化加速i^验后的阻抗m允许范围的下限值200(kQ/cm2)，成为190(kQ/cm2)。与此相对地，对于荧光体层中Si的含有比率为200(质量卯m)的No.13和No.l4的采样来说，劣化加速试验前后阻抗几乎不变化。特别是，对于No.13的采样，劣化加速试验前后维持在所谓260265(kQ/cm2)的优良的阻抗。接下来，如表6所示，对于No.ll的PDP采样，在驱动初期(劣化加速试验前)为等级五的图像质量评价在劣化加速试验之后下降为不合格的等级，即等级二。对于Na12的PDP采样，虽然评价等级在劣化加速试验前后相同为等级四，但是,Ai:述表2可知，驱动初期的等级四阻抗为允许范围的上限值，相反的劣化加速试验后的等级四阻抗为下限值。因此，对于该采样容易推测出，再稍继续(例如，100hr)进行劣化加速试验的情况下，电介质保护层的阻抗就SA允许范围的下限值。与此相对地，对于No.l3和No.]4的采样来说，在驱动初期的图像质量等级和劣化加il试验后的图像质量等级没有变化，此外由于比上述表2阻抗几乎没变化，所以认为即使仍旧继续该劣化加速it验，图像质量也不容易劣化。由以上的结果，对于荧光体层中的Si的含有比率高的PDP，相对于长期驱动的情况下图像质量的劣化变大，对于设荧光体层的Si的含有比率为所谓200(质量ppm)的微量的PDP来说，表明即使在长期驱动的情况下，由于黑噪声的产生弓l起的图像质量的劣化减少。还有，在上述实验结果中，采样在荧光体层中不仅含有Si还有H、Zr、Hf、C、Ge、Sn、Pb等(IV族元素全体)的构成也是同样的。(实验3)接下来，进行用于调插荧光体层中的&的含有比率最适宜的范围的实验。用于实验的采样是表7所示的No.2125的五个种类，各分另蹄ij造出五个，测量与上述实验2相同的500(hr)的劣化加速i^验后的电介质保护层的阻抗。表7<table>tableseeoriginaldocumentpage36</column></row><table>如表7所示，本实验所使用的采样，使在全部的采样的电介质保护层中以，0(质量ppm)的比率含有Sh设劣化加速实验时使用的绿色荧光体层中的Si的含有比率为5个标准变化。作为基材使用的荧光体材料，与，实验1相同，也是BaAbOw:Mn。劣化加速试验后的电介质保护层的阻抗测量结果在图5中示出。对于图5，示出了No.21~25的各个标准的五个观糧结果的平均值。如图5所示，若荧光体层中&的含有比率越高，劣化加速i(验后的电介质保护层的阻抗就越显示为低的值，对于含有比率超过5000(质量ppm)的No.25的采样，皿阻抗的允许范围的下限值，即220(kQ/cm2)。根据上述图5的数据可以为了将电介质保护层的阻抗保持在允许范围的下限值以上，5000(质量ppm)为荧光体层中St的含有比率的上限值。这是因为，对于荧光体层中的Si的含有比率,5000(质量ppm)的No.25的采样，500(hr)的劣化加速试验，阻抗降低到比允许范围的下限低的量的Si粘着在电介质保护层的表面上。述实验13可知，M^谓发光辉度和电介质保护层的阻抗的稳定的观点来看，荧光体层中的IV族元素的含有比率最适宜的是在200(质量ppm)以上5000(质量ppm)以下的范围内。(实验4)对于上述实验13，对荧光体层中的IV族元素进行研讨，在本实验中，调查荧光体层中的过渡金属即钩(W)的含有比率和电介质保护层的阻抗的关系。荧光体层中的过渡金属的含有比率，本发明者研究的结果，希望是500(质量ppm)以上，这基于与上述Si等的IV族元素是同样的理由。艮P，在电介质保护层的表面粘着过渡金属的情况下，即使施加脉冲，在比较短的时间放电(发光)也会结束，但是在粘着过渡金属的情况下，放电(发光)持续比较长的时间。对于本实验，制造荧光体组成和层中W含有比率和电介质保护层中的Si和W的含有比率分别变化的No.31-34的采样，并进行500(hr)劣化加速试验，与上述实验2相同地测量试验前后的电介质保护层的阻抗。各个采样的内容和阻抗的观懂结果在表8中示出。表8<table>tableseeoriginaldocumentpage37</column></row><table>还有，在表8中，No.31、33的采样的电介质保护层中同时含有W(1000质量ppm)和Si(2000质量ppm)是因为在电介质保护层中仅含有W时，其阻抗会变得过高。还有，对于电介质保护层中含有Si不一定是必要的，为了使电介质保护层的阻抗更接近适宜范围的中心值，而使电介质保护层中含有Si。如表8所示，对于作为荧光体的具有CaW04:PbNo.31、32的采样，在驱动初期和劣化加速试验后之间的电介质保护层的阻抗的变动变大，与电介质保护层中S！和W的含有无关，劣化加速试验后的阻抗将会超出阻抗的允许范围的上限值。与此相对地，对于以1OOO(质量ppm)的比率在荧光体层中含有W的No.33、34的采样，在驱动初期和劣化加速i(验后，阻抗值仅上升5个点，是稳定的。还有，对于在电介质保护层中预先含有2000(质量ppm)的比率的Si和1000(质量ppm)的比率的W的No.33的采样，可以将驱动初期的电介质保护层的阻抗设定在更适当的数值，其倾向在劣化加速i力验后不变化。接下来，分别制造具有与Jl^No.3134的采样相同的蓝色荧光体层和电介质保护层的PDP，评价以与上述劣化加速试验相同的条件进行试验时的试验前后的图像质量。PDP的内容和图像质量的评价结果在表9中示出。表9<table>tableseeoriginaldocumentpage38</column></row><table>还有，在表9中的No.P31P34的PDP中，Jd^表中示出的以外的构成材料与上述实施形态2的PDP2相同。还有，试验中的显示板的图像质量评价标准与上述实施形态2相同地在表1中示出。如表9所示，对于在蓝色荧光体层的荧光体中使用CaW04:Pb的NoP31、P32的采样，劣化加速试验后的图像质量评价等级变为不合格等级，即等级三。这与上述表8中示出地电介质保护层的阻抗相符合。与此相对地，对于NoP33、P34的采样，即使经过劣化加速试验也没出现图像质量的劣化，维持在良好的图像质量。特别是对于电介质保护层中含有&和W的NoP33的采样，由于制造时将电介质保护层的阻抗调整到最适宜的值，所以在劣化加速试验后也可得到最高等级，即等级五。由于上述实验结果可以知道在荧光体层中的W含有比率高和PDP倍长期驱动的情况下，电介质保护层的阻抗大幅度上升，黑噪声的产生变得显著。因此，将荧光体层中W的含有比率设定在1000(质量ppm)的电介质保护层的阻抗即使在劣化加速试验后也稳定，包括此电介质保护层的PDP的图像质量劣化少。还有，作为在蓝色荧光体层中以1000(质量ppm)的比率含有W的方法，与上述实施形态2相同，使用BaMgAl1Q017:Ei^+作为基材，在其中添加與化合物(例如氧化鹤)等，经过混合、烧结、碾碎等过程来制造。(实验5)接下来，与上述实验3相同，调查荧光体层中的W地含有比率地最适宜地范围。用于实验的采样是仅变化No.4145的荧光体层中的W含有比率的五个种类，分别各制造五个，与上述实验3相同地测量500(hr)的劣化加速it验后的电介质保护层的阻抗。各个采样的内容在表10中表示，阻抗测量结果在图6中示出。表10<table>tableseeoriginaldocumentpage39</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage39</column></row><table>如表10所示，No.4145的M采样中荧光体层中的W的含有比率分别为O、10000、20000、30000、40000(质量ppm)。还有，全部采样中的电介质保护层，由于不含有W、含有1500(质量ppm)Si，所以驱动初期中的阻抗设定为270(kQ/cm2)。如图6所示，荧光体层中的W的含有比率和劣化加速it验后的电介质保护层的阻抗具有相关关系，如果含有比率越高那么劣化加速试验后的阻抗就变得越高。并且，对于荧光体层中的W的含有比率为40000(质量ppm),即No.45的采样，劣化加速逸验后电介质保护层的阻抗会超出允许范围的上限值，艮P340(kQ/cm2)。艮卩，对于包含No.45的PDP，长期驱动的情况下，可推测出黑噪声的产生变得显著，图像质量劣化到不合格等级。由该试验结果可知，荧光体层中W的含有比率的适宜的范围是500(质量ppm)以上30000(质量ppm)以下。还有，对于上述实验，虽然设荧光体层中含有W，但是除此之外，也可以在荧光体层中含有Mn、Fe、Co、Ni，即使在此种情况下，通过使含有比率在适当的范围也可以得到与含有W相同的效果。还有，虽然没有记载实验数据，但是即使在荧光体层中以10000(质量ppm)以上60000(质量ppm)以下的比率含有碱金属和紙幾属(但是，除Mg夕卜)中的至少一个，在长期驱动的情况下，黑噪声的产生也会减少，并且能得到图像质量劣化少的PDP。2—6.与实施形态2相关的其它事项对于上述实施形态2，虽然说明的是在荧光体层25R、G、B中以IOO(质量ppm)以上5000(质量ppm)以下的比率含有Si的PDP的一个例子，但是按照确认实验等示出的，即使是以同样的比率含有&以外的IV族元素也可以得到相同的效果。还有除了IV族元素以外，也可以500(质量ppm)以上30000(质量ppm)以下的比率含有初始多W的过渡金属，即使以1000(质量ppm)以上60000(质量ppm)以下的比率含有碱金属和碱土幾属(但是，除Mg夕卜)的至少一个也可以得到相同的效果。而且，也可对上述元素进行组合并包含在荧光体层中。将上述IV族元素等包含在荧光体层中的方法是在形成PDP时包含在荧光体层中的话，就不局限于上述方法。例如，也可将荧光体与乙烯纤维素、a—萜品醇等进行混合，在制造荧光体墨水的时刻，、添加上述元素。但是在此种情况下，这些元素以粘着在荧光体粒子的两个表面的形式存在，与上述实施形态1相比，在元素含有的均匀性这一点稍微差。作为基材使用的荧光体并不局限于上述实施形态等，例如在含有极微量(100质量ppm)的Si的情况下，也可以使用组成中不含有Si的荧光体。即使在含有规定量的其它元素的情况下，也可以使用组成中不含有同样含有的元素的荧光体作为基材。还有，对于上述实施形态2，虽然限制荧光体层25G中的IV族元素的含有4比率，但是即使限制面对放电空间30R、G、B其它部分的，例如没有被隔壁24中的荧光体层25覆盖的部分的各个元素(IV族元素、过渡金属、5脸属、碱土幾属)的含有比率也是有效果的。特别是，如果限制隔壁24的顶部和辅助隔壁等中的上述各个元素的含有比率，那么在抑制电介质保护层的阻抗的变动上具有进一步的效果。还有，根据上述实验结果，即使将全部的R、G、B的荧光体层构成为全都不含有IV族元素、过渡金属(W、Mn、Fe、Co、M)、碱金属、碱土M属(但是，除Mg夕卜)的结构，也可以实现抑制长期驱动时的黑噪声的产生的目的。即，在显示板驱动时，包含在荧光体层中的IV族元素等在放电空间中飞散的情况下，上述实施形态2中规定的IV族元素等的含有比率是在相对于电介质保护层的阻抗实际上几乎没影响的范围。如果考虑这些，即使是在全部的荧光体层中全都不含有IV族元素等也可以得到同样的效果。但是，按，实验的考察说明的，通过使荧光体层中含有极微少量的上述物质，由于可以实5见显示板的发光辉度的提高，所以伏选。还有，即使将由各个组成中不含有IV族元素、过渡金属(W、Mn、Fe、Co、NO，碱金属、碱土数属(但是，除Mg外)等的荧光体作为构成要素，形成全部的荧光体层，也可以得到实质上与上述相同的效果。即，虽然荧光体层中以荧光体作为构成要素占大部分，作为占该大部分的荧光体，如果其组成中不含有上述元素，贝何以实质上抑制驱动中电介质保护层的放电特性的变动。(实施形态3)3—1.PDP3的构成和优点对于实施形态3的PDP3，使用图7主要说明与上述实施形态2的差异部分。如图7所示，本实施形态的PDP3与，实施形态2的PDP2的差异是背面面板40的结构。在背面面板40中，虽然背面玻璃基板21、寻址电极22、电介质玻璃保护层23、隔壁24等的结构与J^PDP2相同，但是荧光体层25内的绿色荧光体的组成、以及在没有被隔壁24中的荧光体层25覆盖的部分形成荧光体保护膜26这一点与上述PDP2不同。首先，在构成荧光体层25的荧光体内的绿色荧光体中，可使用具有与通常用于，实施形态1的PDP1的相同的Zn2Si04:Mn的组成的绿色荧光体。由该荧光体构成的荧光体层由于组成中含有多量的Sh每一脉冲的实质的可视光发光量变大，具有高的发光辉度。接下来，荧光体保护膜26是按约1.0(um)的膜厚形成的由氟化镁(MgF2)构成的薄膜。该荧光体保护膜26，波长147(nm)的紫外线iS31率为85(%)。这里，如果确保荧光体保护膜26的紫外线M率在80(%)以上，那么作为PDP实用上没有障碍。经过上述实施形态2的制Si程相对于直到荧光体层25形成的背面玻璃基板21，使用EB蒸发法，在形成有荧光体层25的表面上，形成按膜厚1.0Om)劍莫MgF2，由此形成，荧光体保护膜26。还有，在本实施形态的PDP3中，为了使前面面板10和背面面板40之间的间隙与上述PDP2相同，tt^事先将隔壁24的高度仅降低为荧光体保护膜26的膜厚(l.Otxm)的部分。具有上述结构的PDP3，即使发光驱动时放电，荧光体层中的元素(例如，IV族元素、过渡金属、碱金属、碱土类金属等)在放电空间不飞散。特别是，在上述这种绿色荧光体层25G中，由于使用组成中含有Si的荧光体作为构成要氣虽然层中含有多量的Sh但是由于覆盖在该层上的荧光体保护膜26的存在，所以可以抑制Si向放电空间30的飞散。即，即使由于发光驱动时的放电荧光体层中的各种元素向放电空间飞散，M覆盖荧光体层25的表面的荧光体保护膜26可以抑制飞散。还有，在放电空间露出隔壁24的情况下，虽然具有极微少量的该构成元素(例如，Si等)飞散，但是对于本实施形态的PDP3，由于隔壁24和放电空间30R、30G、30B被荧光体保护膜26遮蔽隔离，所以可以抑制从隔壁24向放电空间30的各种元素的飞散。因此，对于该PDP3，由于驱动电介质保护层14的阻抗几乎不变动，并且提高显示板整体的发光辉度。还有，如上所述，虽然荧光体保护膜26形成为膜厚1.0(um)，但是本发明并不是必须限定于该膜厚。3—2.确认实验为了确认上述实施形态3的PDP3的优点进行以下实验。首先，按荧光体保护膜26的有无、确认劣化加速i^验前后的电介质保护层的阻抗的变动的不同。用于试验的采样的内容和阻抗测量结构在表ll中示出。表ll<table>tableseeoriginaldocumentpage43</column></row><table>如表11所示，No.51、52的采样，在荧光体层上形成与上述实施形态2相同的荧光体保护膜，与此相对地，No.53、54的采样，在荧光体层上不形成荧光体保护膜。还有，对于No.51、53的采样，在电介质保护层中以1500(质量ppm)的比率含有Si,对于No.52、54的采样，则不含有。还有，在荧光体层中使用由具有Zri2Si04:Mn的组成的绿色荧光体形成的荧光体层。如表9所示，对于No.53、54的采样，劣化加速it验前后的电介质保护层的阻抗的变动大，对于在电介质保护层中含有Si的No.53的采样，最低限度为允许范围的下限值。与此相对地，在No.51、52的采样中，驱动初期和劣化加速it验后的电介质保护层的阻抗几乎不变动。接下来，调查荧光体保护膜的有无与PDP的图像质量的关系。将采样的内容和图像质量的评价结果在表12中示出。表12<table>tableseeoriginaldocumentpage43</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage44</column></row><table>如表12所示，在NoP51P54的PDP采样中，对于荧光体保护膜的有无和电介质保护层的Si的含有比率等与上述表9中的Na5154相同。如表12所示，对于NoJP53以外的采样，劣化加速试验后的图像质量为合格等级。其中，对于NaP51、P54的采样，i式验后的图像质量等级是最高的等级五。但是，结合上述表ll的结果讨论时，由于No.P54的采样，劣化加速试验前后的电介质保护层的阻抗的变动是45点，与NaP51、P52的采样相比特别大，所以如果继续劣化加速i式验，可以推测出画面的质量会急剧下降。因此，对于形成荧光体保护膜以覆盖荧光体层的PDP来说，即使在长期驱动的情况下，电介质保护层的阻抗不大幅度变动，由于黑噪声导致的图像质量的劣化变小。3—3.与实施形态3相关的其它事项对于上述实施形态3，虽然形成荧光体保护膜26以覆盖全部的荧光体层25，但是不必覆盖全部的荧光体层25的表面。例如，即使仅覆盖荧光体层中含有rv族元素即Si的绿色荧光体层的表面，至少在驱动中可以抑制&从该绿色荧光体层向放电空间飞散。还有，在荧光体层中含有过渡金属、碱金属、碱土类金属(但是，除Mg夕卜)等的情况下，如果形絲实施形态的荧光体保护膜，可以抑制由于驱动中的放电使上述元素从荧光体层向放电空间的飞散。这里，针对在仅含有IV族元素、过渡金属、碱金属、碱土^^属(但是，除Mg夕卜)的荧光体层的表面中形成荧光体保护膜的情况下得到的特别优良的效果进行说明。由于形成荧光体保护膜时，导致仅此部分使得紫外线M率减少，随一在R、G、B的全部的荧光体层的表面形成荧光体保护膜的情况下，此部分发光辉度将会降低。与此相对地，在上述中，由于在仅含有IV族元素、过渡金属、碱金属、碱土幾属(但是，除Mg外)的荧光体层的表面中形成荧光体保护膜，所以发光辉度降低仅局限在G的放电单元，对于显示板整体的发光辉度的整体而言，发光辉度提高了。并且，即使在上述这种G的放电单元中的发光辉度降低的情况下，通过驱动方法的设定和单元尺寸的设计，可以实现各个颜色放电单元之间的辉度平衡。还有，即使在绿色荧光体层中，也可以构成用荧光体保护膜26仅覆盖容易受驱动中的放电的影响的部分的结构。还有，即使在荧光体层中含有极微少量的IV族元素、过渡金属、碱金属、碱土类金属(但是，除Mg外)盼清况下，如果由本实施形态的PDP3这种荧光体保护膜对荧光体层进行覆盖薄膜，贝跑到媒，但是结合战实施形态2等考虑的情况下，在荧光体层中以高比率含有上述元素的这种情况下，荧光体保护膜的形成是特别有效的。例如，在若以超过1000(质量ppm)的这种比率含有IV族元素，若以超过60000(质量ppm)的比率的含有过渡金属、碱金属、碱土M属(但是，除Mg夕卜)等的情况下，是特别有效的。由此，通过在设计时事先以高比率含有上述元素就可以实tt个显示板的发光辉度的提高，通过事先用荧光体保护膜覆盖该荧光体层，即使在长期驱动的情况下，也可以抑制电介质保护层的阻抗的变动，可以减少由黑噪声引起的图像质量的劣化。因此，通过采用本实施形态中的结构，在可得到齡显示板的高的发光辉度的同时，随驱动时间的经过的电介质保护层的阻抗的变动也变少了，与驱动时间的长短无关的黑噪声的产生变少，可以得到高图像质量的PDP。(实施形态4)使用图8对实施形态4的PDP4进斤说明。如图8所示，本实施形态4的PDP4具有用于覆盖背面面板50中的荧光体层25的荧光体保护膜27的结构的特征。具体地说，层叠由膜厚0.3(um)的MgF2构成的下膜27a和由膜厚0.10m)的MgO构成的上膜27b形成的荧光体保护膜27。对于其它的结构与上述实施形态3的PDP3相同。对于具有上述这种结构的荧光体保护膜27的PDP4，与，实施形态3的PDP3相同，具有抑制因发光驱动中的放电而引起的来自荧光体层25的元素的飞散这样的优点。本实施形态4中的PDP4由于除上述优点外，还具有由耐喷溅性良好的MgO构成的膜作为上膜27b，所以可以使下膜27a，即由MgF2构成的膜的膜厚薄到0.3(nm)，可以使紫外线(波长147nm)的透过率为88(%)。还有，荧光体薄膜27，由于将上膜27b的膜厚设定得比下膜27a的膜厚薄，所以可以实现高透过率和确保耐喷溅性的这两个方面。因此，对于该PDP4，更确实地抑制长期驱动情况下的黑噪声的产生，更稳定地维持髙图像质量。还有，即使在本实施4的PDP4中，也与上逸实施形态3中说明的相同，对于荧光体保护膜的形成形态或者所使用的材料而言，可以采用各种变形。还有，上述实施形态3和实施形态4共通的，对于荧光体层25的表面上形成的荧光体保护膜26、27而言，并不局限于，实施形态3和实施形态4的结构。例如，也可以在允许的范围内改变各个膜的厚度。对于荧光体保护膜26、27的各个膜的厚度而言，若紫外线的M率在80(%)以上，则由于在发光辉度的方面没有障碍，所以增加膜厚直到紫外线的透过率最大成80(%)时，也可以构成驱动中更确实的抑制来自荧光体层的元素的飞散的结构。本发明的PDP有效地实现计算机和电视等的显示装置，特别是实现高精细高辉度的经过长时间图像品质也稳定的显^置。权利要求1.一种等离子体显示板，其中一对基板以其间具有放电空间的状态相对配置，该等离子体显示板形成与上述放电空间面对、由MgO构成的电介质保护层和红色、绿色、蓝色的各个荧光体层，其特征在于全部的荧光体层中含有碱金属和Mg以外的碱土类金属中的至少一种。2.根据权利要求1记载的等离子体显示板，其特征在于，全部荧光体层中的碱金属和Mg以外的碱土M属的合计含有比率在60000质量ppm以下。3.根据权利要求1记载的等离子体显示板，其特征在于Jl^全部荧光体层中的碱金属和Mg以外的碱土^^属的合计含有比率在1000质量ppm以上60000质量ppm以下。4.根据权利要求3记载的等离子体显示板，其特征在于在三种颜色荧光体层内，构成至少一种颜色的荧光体层的荧光体中使用组成中含有M^属和Mg以外的碱土类金属中的至少一种的荧光体。5.根据权利要求1记载的等离子体显示板，其特征在于，全部荧光体层中的碱金属和除Mg外的碱土类金属的合计含有比率在300质量ppm以上20000质量ppm以下，而且在各个荧光体层之间相互大致相同。6.根据权利要求5记载的等离子体显示板，其特征在于，全部荧光体层中碱金属和Mg以外的碱土l^属其合计含有率在各个荧光体层间有40000质量ppm以内的比率偏差。7.根据权利要求5记载的等离子体显示板，其特征在于在构成J^全部荧光体层的各个荧光体中选择性地使用组成中含有碱金属或Mg以夕卜的碱土类金属的荧光体。8.根据权利要求5记载的等离子体显示板，其特征在于，全部荧光体层中含有相同的碱金属或Mg以外的碱土类金属中的至少一种。全文摘要一种具有由MgO组成的电介质保护层(14)和红色、绿色和蓝色的各个荧光体层(25R，25G以及25B)形成的等离子体显示面板，其中所有的荧光体层不含有IV族元素，过渡金属，碱金属或碱土类金属，或者规定在所有的荧光体层中IV族元素，过渡金属，碱金属或碱土类金属的含有比率。由此可以抑制电介质保护层(14)的阻抗随时间变化，或者能使上述变动的方向性一致，能抑制等离子体显示面板的黑噪声的发生。文档编号H01J17/49GK101409193SQ20081016994公开日2009年4月15日申请日期2003年10月10日优先权日2002年10月22日发明者北川雅俊,森田幸弘,西谷辉申请人:松下电器产业株式会社