Smd发光二极管支架改良结构的制作方法

专利名称：Smd发光二极管支架改良结构的制作方法
技术领域：
一种SMD发光二极管支架改良结构，尤其是指一种于SMD发光二极 极管支架改良结构。
背景技术：
近年来，由于发光二极管(Light Emitting Diode, LED )具有耗电量低、 元件寿命长、无须暖灯时间及反应速度快等优点，加上其体积小、耐震动、 适合量产，因此发光二极管已普遍使用于资讯、通讯及消费性电子产品的指 示灯与显示装置上，如行动电话及个人数位助理(Personal Digital Assistant, PDA)萤幕背光源、各种户外显示器、交通号志灯及车灯等。
通常发光二极管晶片是通过表面粘贴技术(Surface Mount Device, SMD ) 固接于SMD发光二极管支架内，而SMD发光二极管支架的内部结构对于 发光二极管晶片的出光效果是具有直接性的影响，以下将说明一种已知的 SMD发光二极管支架结构。
请参考图1A所示，图IA是为已知SMD发光二极管支架结构支架未 弯折剖面图。已知SMD发光二极管支架结构，其包含第一支架91、第二 支架92、电性连"t妄部93。
第一支架91的上表面911的一端用以固接发光二极管晶片94,发光二 极管晶片94可以通过第一支架91产生电性连接，第一支架91以提供发光 二极管晶片94所需的一种电性极性，或是可以与其他电子装置(未绘示) 进行电性连接。
第二支架92的上表面921的一端用以与第一支架91所固接的发光二极 管晶片94通过打线接合(wire bonding)技术形成电性连接，第二支架92以提供发光二极管晶片94所需的另外一种电性极性，或是可以与其他电子 装置进行电性连接。
电性连接部93自第一支架91以及第二支架92延伸i殳置，用以与外部 电源电性连接，第一支架91所延伸的电性连接部93电性连接其中一种电性 极性，并且以提供发光二极管晶片94其中一种电性极性；第二支架92所延 伸的电性连接部93电性连接至另外一种电性极性，并且以提供发光二极管 晶片94另外一种电性极性。
第一支架91以及第二支架92通过射出成型制程被封装于胶座95内， 而使得第一支架91以及第二支架92个别的电性连接部93外露于胶座95之外。
请参考图1B以及图1C所示，图1B是为已知SMD发光二极管支架结 构支架弯折剖面图；图1C是为已知SMD发光二极管支架结构支架弯折局 部放大剖面图。
在将电性连接部93进行弯折且贴合于胶座95外侧时，由于胶座95是 为热塑性树脂所形成，当受到外力所挤压时，将无法承受挤压时的外力，因 此会造成胶座95受外力挤压的部分造成形变，使得第一支架91或第二支架 92于弯折部分的内侧弯折半径r将小于第一支架91或第二支架92的厚度T， 并且第一支架91或第二支架92的厚度T小于第一支架91或第二支架92 于弯折部分的外侧弯折半径R。
由于第一支架91或第二支架92于弯折部分的外侧弯折半径R大于第一 支架91或第二支架92的厚度T,则会导致弯折部分的外侧与胶座95产生 分离的情况(如图1C所示)，导致形成第一支架91或第二支架92于弯折 部分外侧与胶座95之间的空隙96,会使得水气自此空隙96渗入，影响到 发光二极管晶片94的发光功效，甚至导致发光二极管晶片94失去效用。
对于上述第一支架91或第二支架92于弯折部分外侧与胶座95之间所 产生的空隙96使得水气渗入的问题，更有人进一步提出了一种改善方式， 如图2A所示，图2A是为已知SMD发光二极管支架改良结构支架未弯折 剖面图。以下将针对改良结构所改良的部份加以说明，其余与先前技术相同部份
将不再进行赘述；此一已知SMD发光二极管支架改良结构所改良的部分在 于第一支架91的上表面911及第二支架92的上表面921分别设置凹槽97, 并且凹槽97被封装于胶座95内。
请参考图2B以及图2C所示，图2B是为已知SMD发光二极管支架改 良结构支架弯折剖面图；图2C是为已知SMD发光二极管支架改良结构支 架弯折局部放大剖面图。
通过所设置的凹槽97，可以有效的增加水气的行进5各径，使得发光二 极管晶片94可以延长水气渗入的时间，藉此增加发光二极管晶片94的寿命。
但是，在将电性连接部93进行弯折且贴合于胶座95外侧时，所产生的 弯折部分的外侧与胶座95产生分离的情况(如图2C所示)，于第一支架 91或第二支架92于弯折部分外侧与胶座95之间所产生的空隙96，依然会 使得水气渗入，仍会影响发光二极管晶片94的发光功效，甚至导致发光二 极管晶片94失去效用。故此已知SMD发光二极管支架改良结构仅为延长水 气渗入的时间，并不能将水气渗入问题加以解决。
因此，已知SMD发光二极管支架改良结构仍然未能解决第一支架91 或第二支架92于弯折部分外侧与胶座95之间所产生的空隙96，而使得水 气渗入的问题。
综上所述，可知先前技术中长期以来一直存在SMD发光二极管支架结 构在弯折电性连接部时，由于胶座结构受损而造成水气渗入的问题，因此有
必要提出改进的技术手段，来解决此一问题。
实用新型内容
有鉴于先前技术存在SMD发光二极管支架结构在弯折电性连接部时， 由于胶座结构受损而造成水气渗入的问题，本创作遂揭露一种SMD发光二 极管支架改良结构，其中
本创作所揭露的SMD发光二极管支架改良结构，其包含第一支架、 第二支架、胶座、电性连接部以及主要弯折部。
6第一支架用以固接发光二极管晶片于第一支架的上表面一端；第二支架 的上表面一端与发光二极管晶片产生电性连接；胶座是将第一支架及第二支 架部分地埋置于胶座内；电性连接部，自第一支架以及第二支架延伸设置， 并设置于胶座外部，用以与外部电源电性连接；主要弯折部，设置于第一支 架及第二支架的下表面与电性连接部交界处，并设置有弯折槽。
本创作所揭露的SMD发光二极管支架改良结构如上所述，与先前技术 之间的差异在于本创作通过配置于第一支架及第二支架的下表面与电性连 接部交界处的主要弯折部所设置的弯折槽，并将第一支架及第二支架封装于 胶座中，再将电性连接部进行弯折贴合于胶座时，由于所设置的弯折槽可以 避免胶座受到弯折时的外力挤压所造成的变形，不会造成胶座结构的受损， 并使得第一支架及第二支架能紧密贴合胶座，可以有效的防止水气进入所造 成发光二极管晶片发光功效的影响。
通过上述的技术手段，本创作可以达成SMD发光二极管支架结构有效 防止水气渗入的技术功效。


图1A为已知SMD发光二极管支架结构支架未弯折剖面图。
图1B为已知SMD发光二极管支架结构支架弯折剖面图。
图1C为已知SMD发光二极管支架结构支架弯折局部放大剖面图。
图2A为已知SMD发光二极管支架改良结构支架未弯折剖面图。
图2B为已知SMD发光二极管支架改良结构支架弯折剖面图。
图2C为已知SMD发光二极管支架改良结构支架弯折局部放大剖面图。
图3A为本创作SMD发光二极管支架改良结构支架未弯折剖面图。
图3B为本创作SMD发光二极管支架改良结构支架弯折剖面图。
图3C为本创作SMD发光二极管支架改良结构支架弯折局部放大剖面图。
图4A至图4D为本创作SMD发光二极管支架改良结构的弯折槽剖面示意图。
具体实施方式
以下将配合图式及实施例来详细说明本创作的实施方式，藉此对本创作 并据以实施。
首先介绍本创作所揭露的SMD发光二极管支架改良结构，并请参照图 3A所示，图3A是为本创作SMD发光二极管支架改良结构支架未弯折剖面 图。
本创作所揭露的SMD发光二极管支架改良结构，其包含第一支架10、 第二支架20、月交座60、电性连接部30以及主要弯折部40。
第一支架IO用以固接发光二极管晶片50于第一支架IO的上表面11 一 端，发光二极管晶片50可以通过第一支架IO产生电性连接，以提供发光二 极管晶片50所需的一种电性极性，或是可以与其他电子装置(图中未绘示) 进行电性连接。
第二支架20的上表面21 —端与发光二极管晶片50通过打线接合(wire bonding)技术形成电性连接，以提供发光二极管晶片50所需的另外一种电 性极性，或是可以与其他电子装置进行电性连接。
上述第一支架10以及第二支架20是由铜、铁或其他导电性佳的金属或 合金材料一体成型所制成，也就是说，第一支架10以及第二支架20所延伸 的电性连接部30的材质可以是铜、铁或其他导电性佳的金属或合金。
第一支架IO上表面11以及第二支架20上表面21是可电镀一层金属反 射层(图中未绘示)，金属反射层是为反光性佳的金属材料，以增加第一支 架10以及第二支架20表面的光反射率，使其发光二极管晶片50可藉由金 属反射层提高发光亮度。
上述的第一支架10以及第二支架20是部分地埋置于胶座60内，胶座 60是为中空的长多边形体，胶座60的材质可为聚碳酸酯(Polycarbonate, PC)、聚邻苯二曱酰胺(Polyphthalamide， PPA)或其他常用来作为SMD发光二极管支架结构的胶座的热塑性树脂。
胶座60中设有内凹的功能区61，功能区61是由胶座60的一端面62 向内凹射成型，并以埋入射出(insert molding)的方式^f吏得第一支架10以 及第二支架20部分地埋设置于胶座60内，并使得第一支架10 —端(即为 固接于发光二极管晶片50的端部)以及第二支架20的一端(即为与发光二 极管晶片50形成电性连接的端部)是暴露于胶座60的内凹的功能区61内， 并且电性连接部30自第一支架10以及第二支架20延伸设置于胶座60夕卜。
胶座60功能区可以设计将发光二极管晶片50所发射的光线集中，以提 高发光亮度，并且可自功能区61中通过表面粘贴技术(Surface Mount Device, SMD )将发光二极管晶片50固接于第一支架IO上，以产生电性连 接。
电性连接部30，自第一支架10以及第二支架20延伸设置，并设置于 胶座60外部，用以与外部电源电性连接，第一支架IO所延伸的电性连接部 30电性连接其中一种电性极性，并且以提供发光二极管晶片50其中一种电 性极性；第二支架20所延伸的电性连接部30电性连接至另外一种电性极性， 并且以提供发光二极管晶片50另外一种电性极性。
并且，第一支架10以及第二支架20与其他电子装置进行电性连接方式， 即通过第一支架10以及第二支架20的电性连接部30，换言之，固接于第 一支架10的发光二极管晶片50即是通过第一支架10及第二支架20的电性 连接部30而与其他电子装置电性连接。
主要弯折部40配置于第一支架10的下表面12及第二支架20的下表面 22与电性连接部30交界处，并设置有弯折槽41。
请参考图1A至图1C所示，先前技术于第一支架91以及第二支架92 中，并未设置任何的弯折槽，因此，在将电性连接部93进行弯折且贴合于 胶座95外侧时，由于胶座95是为热塑性树脂所形成，当受到外力所挤压时， 将无法承受挤压时的外力，因此会造成胶座95受外力挤压的部分造成形变， 使得第一支架91或第二支架92于弯折部分的内侧弯折半径r将小于第一支 架91或第二支架92的厚度T，并且第一支架91或第二支架92的厚度T小 于第一支架91或第二支架92于弯折部分的外侧弯折半径R。
9由于第一支架91或第二支架92于弯折部分的外侧弯折半径R大于第一 支架91或第二支架92的厚度T，则会导致弯折部分的外侧与胶座95产生 分离的情况(如图1C所示)，导致形成第一支架91或第二支架92于弯折 部分外侧与胶座95之间的空隙96,会使得水气自此空隙96渗入，影响到 发光二极管晶片94的发光功效，甚至导致发光二极管晶片94失去效用。
因此，请参考图3A以及图3B所示，图3A是为本创作SMD发光二 极管支架改良结构支架未弯折剖面图；图3B是为本创作SMD发光二极管 支架改良结构支架弯折剖面图。
本创作在第一支架10下表面12及第二支架20下表面22与电性连接部 30交界处的主要弯折部40，特别设置有弯折槽41，可以在将电性连接部30 进行弯折且贴合于胶座60外侧时，藉由弯折槽41的緩沖，使得在弯折时所 产生的挤压外力会直接作用于弯折槽41中，而使得弯折槽41的弯折槽面 42在弯折后相互贴合，弯折时所产生的挤压外力不会作用于胶座60上，使 得胶座60不会受到外力挤压而形成形变，并且在挤压过程中，则可以达到 第一支架10或第二支架20于主要弯折部40内侧弯折半径r为"O",并且第 一支架10或第二支架20于主要弯折部40外侧弯折半径R等于第一支架10 或第二支架20的厚度T。
由于第一支架10或第二支架20于主要弯折部40外侧的弯折半径等于 第一支架10或第二支架20的厚度T，因此，将不会产生主要弯折部40外 侧与胶座60产生分离的情况(如图3C所示，图3C是为本创作SMD发光 二极管支架改良结构支架弯折局部放大剖面图)，而第一支架10或第二支 架20于主要弯折部40外侧与胶座60之间也不会形成空隙，水气则无法渗 入，发光二极管晶片50的发光功效不受到影响，使得发光二极管晶片50可 以正常运作。
并且，在电性连接部30自第一支架10以及第二支架20延伸设置封装 于胶座60外，设于胶座60的较长同一侧面，并且电性连接部30弯折且贴 合于胶座60的外部，以为后续的电性连接接点，藉此，可以形成侧向型(Side View)的SMD发光二极管支架结构。
当然，电性连接部30自第一支架10以及第二支架20延伸设置封装于胶座60外，设于胶座60的较长不同侧面，并且电性连接部30可弯折且贴 合于胶座60的外部，以为后续的电性连接接点，藉此，可以形成正向型(T(jp View)的SMD发光二极管支架结构。
此外，请参考图3B所示，在电性连接部30中更可以包含次要弯折部 31，用以将电性连接部30超出胶座60的部份再加以弯折，使电性连接部 30可以具有更多种的电性连接方式。
接着，请参考图4A至图4D所示，图4A至图4D是为本创作SMD发 光二极管支架改良结构的弯折槽剖面示意图。
如图所示，弯折槽41剖面可以为V型槽71、 U型槽72、梯形槽73以 及凹型槽74的组合中任选其中一种形状，在此仅为举例，任何可以形成弯 折槽41的形状，都应包含于本创作之内，并不以此局限本创作的应用。
而弯折槽41的深度D,通常可以设计为第一支架10或第二支架20厚 度T的三分之一 (或者小于三分之一)，若弯折槽41的深度D大于厚度T 的三分之一，甚至超过第一支架10或第二支架20厚度T的一半时，则第一 支架10以及第二支架20于主要弯折部40处的强度会过小，当受到任何的 外力作用时，容易造成电性连接部30于主要弯折部40处断裂的情况发生， 因此，弯折槽41的深度D不可以过深。
值得注意的是，弯折槽41选自V型槽71的实施态样时，除了可以设 计弯折槽41的深度D为第一支架10或第二支架20厚度T的三分之一之外， V型槽71所形成的夹角a可以设计为垂直角度，在电性连接部30进行弯折 且贴合于胶座60外侧，由于V型槽71所形成的夹角a为垂直角度，因此， 可以在第一支架10或第二支架20于主要弯折部40内侧形成垂直的弯折角 度，使得电性连接部30可以贴合于胶座60外侧。
综上所述，可知本创作与先前技术之间的差异在于具有本创作通过配置 于第一支架及第二支架的下表面与电性连接部交界处的主要弯折部所设置 的弯折槽，并将第一支架及第二支架封装于胶座中，再将电性连接部进行弯 折贴合于胶座时，由于所设置的弯折槽可以避免胶座受到弯折时的外力挤压 所造成的变形，不会造成胶座结构的受损，并使得第一支架及第二支架能紧 密贴合胶座，可以有效的防止水气进入所造成发光二极管晶片发光功效影响
ii的技术手段。
藉由此一技术手段可以来解决先前技术所存在SMD发光二极管支架结 构在弯折电性连接部时，由于胶座结构受损而造成水气渗入的问题，进而达 成SMD发光二极管支架结构有效防止水气渗入的技术功效。
虽然本创作所揭露的实施方式如上，只是所述的内容并非用以直接限定 本创作的专利保护范围。任何本创作所属技术领域中具有通常知识者，在不 脱离本创作所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作
些许的更动。本创作的专利保护范围，仍须以所附的权利要求范围所界定者 为准。
权利要求1. 一种SMD发光二极管支架改良结构，其特征在于，其包含一第一支架，用以固接一发光二极管晶片于该第一支架的上表面一端；一第二支架，该第二支架的上表面一端与该发光二极管晶片产生电性连接；一胶座，该第一支架及该第二支架部分地埋置于该胶座内；一电性连接部，自该第一支架以及该第二支架延伸设置，并设置于该胶座外部，用以与外部电源电性连接；及一主要弯折部，设置于该第一支架及该第二支架的下表面与该电性连接部交界处，并设置有一弯折槽。
2. 如权利要求1所述的SMD发光二极管支架改良结构，其特征在于， 其中，该胶座设有一内凹的功能区，而该第一支架及该第二支架的一端是暴 露于该胶座的该内凹的功能区内。
3. 如权利要求2所述的SMD发光二极管支架改良结构，其特征在于， 其中该主要弯折部设置于该胶座外部。
4. 如权利要求1所述的SMD发光二极管支架改良结构，其特征在于， 其中该第一支架以及该第二支架的该电性连接部设于该胶座的同侧。
5. 如权利要求1所述的SMD发光二极管支架改良结构，其特征在于， 其中该第一支架以及该第二支架的该电性连接部设于该月交座的异侧。
6. 如权利要求1所述的SMD发光二极管支架改良结构，其特征在于， 其中该弯折槽可以选自V型槽、U型槽、梯形槽以及凹型槽的组合中任选 其中一种。
7. 如权利要求6所述的SMD发光二极管支架改良结构，其特征在于， 其中该弯折槽的深度是以不超过该第一支架或该第二支架厚度的三分之一 为限制。
8. 如权利要求6所述的SMD发光二极管支架改良结构，其特征在于， 其中该弯折槽为V型槽态样时，V型槽深度是为该第一支架或第二支架厚 度的三分之一，V型槽所形成的夹角是为垂直角度。
9. 如权利要求1所述的SMD发光二极管支架改良结构，其特征在于， 其中该电性连接部更包含一次要弯折部。
专利摘要一种SMD发光二极管支架改良结构，其通过配置于第一支架及第二支架的下表面与电性连接部交界处的主要弯折部所设置的弯折槽，使得当将电性连接部进行弯折贴合于胶座时，可避免胶座受到弯折时的外力挤压所造成的变形，也不会造成胶座结构受损的技术手段，可以解决SMD发光二极管支架结构在弯折电性连接部时，由于胶座结构受损而造成水气渗入的问题，藉此可以达成SMD发光二极管支架结构有效防止水气渗入的技术功效。
文档编号F21V19/00GK201259157SQ20082013692
公开日2009年6月17日 申请日期2008年9月18日 优先权日2008年9月18日
发明者朱新昌, 李廷玺 申请人:一诠精密工业股份有限公司