专利名称：：等离子体显示面板的制作方法
技术领域：
：示例性实施方案涉及等离子体显示面板。
背景技术：
：等离子体显示面板包括在由障壁(BarrierRib)和多个电极所分隔的放电单元内部的荧光体层。当对等离子体显示面板的电g加驱动信号时，放电单元内部发生放电。换言之，当由于驱动信号而在放电单元内部产生放电时，填充在放电单元中的放电气体产生真空紫外线，其由此引起位于障壁之间的荧光体发光，然后产生可见光。通过该可见光，在等离子体显示面板的屏幕上显示出图像。
发明内容示例性实施方案提供包括介电层的等离子体显示面板，所述介电层包括分别具有不同厚度的多个部分。本发明的示例性实施方案的另外的特征和优点将在随后的描述中进行阐述，并且由于该描述将部分地变得显而易见，或者可通过实施本发明的示例性实施方案而获悉。通过尤其是在撰写的说明书及其权利要求书以及附图中所指出的结构，可实现和获得本发明示例性实施方案的目的及其它优点。一方面，提供一种等离子体显示面板，包括前J41;面对所述前基底的后基板，所述后基tl包括在所述后基仗上的介电层；位于有源区中的障壁；和在虚设区(dummyarea)中设置在前基&和后基板之间的密封剂，其中虚设区中的介电层包括具有第一厚度Tl的第一部分和具有第二厚度T2的第二部分，第一厚度T1不同于第二厚度T2。第一厚度Tl可大于第二厚度T2。3密封剂可包含多个珠。第一厚度Tl可基本等于有源区中介电层的厚度。密封剂可直楱接触第二部分。第二部分可设置在密封剂和障壁之间。等离子体显示面板还可包括在第二部分和障壁之间的伪障壁。介电层可包括玻璃料。该玻璃料可包括约55~80重量份的氧化铅(PbO)、约1~10重量份的氧化铝(A1203)、约1~9重量份的氧化硼(B203)、约8~40重量份的二氧化硅(Si02)和约0.1~12重量份的氧化铋(Bi203),均以100重量份的玻璃料计。第一厚度Tl和第二厚度T2可基本满足下式0.538^T2/T1^0.995。第一厚度Tl和第二厚度T2可基本满足下式0.846ST2/T1S0.995。应理解以上概述及其后的详述二者均是示例性和说明性的，意图是为所要求保护的本发明的实施方案提供进一步的说明。用以提供对本发明的进一步理解并引入本说明书作为本说明书一部分的附图示出本发明的实施方案，并与说明书一起用于解释本发明的原理。附图中图1和2示出根据一个示例性实施方案的等离子体显示面板的结构；图3和4示出等离子体显示面板的介电层；图5示出在密封剂中包^^珠的一个实施例；图6~9示出等离子体显示面板的结构随第一和第二部分厚度变化的变化；图IO示出伪障壁；图11示出第二部分位置的变化；和图12示出用于形成第二部分的一个示例性方法。具体实施方式现在将参考本发明的详细的实施方案，其实施例示于附图中。图l和2示出根据一个示例性实施方案的等离子体显示面板的结构。如图1所示，等离子体显示面板100可包括前基板101、后Mlll以及前基板101和后J41111之间的密封剂200。密封剂200可使前基板101粘合至后基板111，从而密封前141101和后J4！111之间的放电空间。图2详细显示等离子体显示面板100的结构。如图2所示，等离子体显示面板100可包括其上设置有相互平行的扫描电极102和支持电极103的前ljfeLl01以及其上设置有与扫描电极102和支持电极103相交叉的寻址电极113的后基板111。可在扫描电极102和支持电极103上形成上部介电层104，以限制扫描电极102和支持电极103的放电电流并且提供扫描电极102和支持电极103之间的绝缘。可在上部介电层104上形成保护层105以利于放电调节。保护层105可由具有高的二次电子发射系数的材料例如氧化镁(MgO)形成。可在寻址电极113上形成下部介电层115以提供寻址电极113的绝缘。障壁112可以以条型、井型、A型或蜂窝型结构形成在下部介电层115上，以分隔放电空间(即放电单元)。可在前基tll01和后基仗lll之间形成发射红光的第一放电单元、发射蓝光的第二放电单元、发射绿光的笫三放电单元。除第一、第二和第三放电单元之外，还可形成发射白光或黄光的第四放电单元。第一、第二和第三放电单元的宽度可彼此基^目等。第一、第二和第三放电单元中至少一个的宽度可不同于其它放电单元的宽度。例如，第一放电单元可具有最小宽度，而第二和第三放电单元的宽度可大于第一放电单元的宽度。第二放电单元的宽度可基本等于或不同于第三放电单元的宽度。因此，等离子体显示面板100上所显示的图像的色温可得到改善。障壁112可包括彼此交叉的第一障壁112a和第二障壁112b，第一障壁112a的高度可不同于第二障壁112b的高度。第一障壁112a可平行于后111的长侧，第二障壁112b可平行于后M111的短侧。障壁112可具有各种结构以及图2中所示的结构。例如，其中在第一障壁112a或第二障壁112b中至少一个上形成可用作排放途径的沟道的沟道型障壁结构、其中在第一障壁112a或第二障壁112b中至少一个上形成中空的中空型障壁结构等。虽然图2已经显示和描述了第一、第二和第三放电单元布置在同一条线上的情况，但是第一、第二和第三放电单元也可以布置为不同的图案。例如，第一、第二和第三放电单元布置为三角形形状的A型结构是可适用的。此外，放电单元可具有各种多边形形状，如五边形形状和六边形形状以及矩形形状。虽然图2已经显示了障壁112形成在后基tl111上的情况，但是障壁112也可形成在前^41101或后基敗111中至少一个上。通过障壁112所分隔的每个放电单元可填充有放电气体。在放电单元内部可形成荧光体层114,以在寻址放电期间发射用于图像显示的可见光。例如，在放电单元内部可形成分别产生红光、蓝光和绿光的第一、第二和第三荧光体层。除第一、第二和第三荧光体层之外，还可形成产生白光和/或黄光的第四荧光体层。第一、第二和第三荧光体层中的至少一个的厚度可不同于其它荧光体层的厚度。例如，第二荧光体层或第三荧光体层的厚度可大于第一荧光体层的厚度。第二荧光体层的厚度可与第三荧光体层的厚度基本相同或不同。虽然图2已经显示了上部介电层104和下部介电层115均具有单层结构的情况，但是上部介电层104和下部介电层115中的至少一个也可具有多层结构。在障壁112上还可形成能够吸收外界光的黑层(未显示)，以防止外界光被障壁112所反射。此外，在对应于障壁112的前基&101的预定位置处还可形成另一个黑层(未显示)。虽然寻址电极113可具有基本恒定的宽度或厚度，但是放电单元内部的寻址电极113的宽度或厚度可不同于放电单元外部的寻址电极113的宽度或厚度。例如，放电单元内部的寻址电极113的宽度或厚度可大于放电单元外部的寻址电极113的宽度或厚度。图3和4详细示出等离子体显示面板的介电层。如图3所示，下部介电层115可包括具有第一厚度Tl的第一部分310和具有不同于第一厚度Tl的第二厚度T2的第二部分300。第一部分310和第二部分300可位于有源区外设置有障壁112的虚设区中。第一厚度Tl可大于第二厚度T2。第一厚度Tl可基本等于有源区的下部介电层115的厚度。如图4所示，下部介电层115的第二部分300可直捲接触密封剂200。该直接接触可增大密封剂200和下部介电层115之间的接触面积。因此，前基板101和后141111之间的粘合强度可得到改善。图5示出在密封剂中包含珠的一个实施例。如图5所示，前141101和后^！111之间的密封剂200可包括多个珠210。珠210可使前基板101和后基板111之间的距离保持基本恒定，并防止在等离子体显示面板100的驱动期间可经常产生的前141101和障壁112之间的碰撞。因此，可减少噪音的产生。珠210可由强度足以承受由前基tl101和后基板111所施加的压力的材料形成。珠210可由当密封剂200被焙烧时不熔融的材料形成。例如，珠210可由熔点等于或高于500'C的金属、塑料、玻璃和硅形成。其它材料也可用作珠210。以下将参考表1和图6~9详细描述下部介电层115的第一厚度Tl和第二厚度T2。表1和图69显示等离子体显示面板的结构随第一和第二部分厚度变化的变化。下表l显示当第二厚度T2对第一厚度Tl的比率T2/T1从0.212变至70.998时，前^SL和后基板之间粘合强度以及寻址电极是否发生变形。在表l中，X、〇和分别表示差的、良好和极好的特性状态。更具体地，表示前基&和后^L之间的粘合强JLA够强，或者由于寻址电极不发生变形导致等离子体显示面板的结构稳定性极好。X表示前基fcl和后14l之间的粘合强度过弱，或者由于寻址电极发生变形导致等离子体显示面板的结构稳定性差。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>如表1所示，当比率T2/T1是0.998时，粘合强度特性差。如图6所示，由于第二部分300的第二厚度T2和第一部分310的第一厚度T1之间的差异小，所以密封剂200和下部介电层115之间的接触面积可能小。因此，粘合强度特性差。当比率T2/T1为0.212~0.846时，粘合强度特性极好。由于第二部分300的第二厚度T2比第一部分310的第一厚度T1足够小，所以密封剂200和下部介电层115之间的接触面积可增大。因此，粘合强度特性极好。当比率T2/T1为0.898~0.995时，粘合强度特性良好。当比率T2/T1为0.212~0.461时，电极变形特性差。如图7所示，由于第二厚度T2过度小于第一厚度Tl，所以通过密封剂200所施加的压力可施加于位于下部介电层115下方的寻址电极113。因此，如图8所示，寻址电极113可能弯曲，并且彼此邻近的弯曲的寻址电极113可能短路。此外，如图9所示，由于通it^310所施加的压力，导致寻址电极113可能被破坏。如图8和9所示，如果寻址电极113损坏，那么由等离子体显示面板所显示的图像的品质可能变差，或者可能在等离子体显示面板上不显示图像。如图5所示，如果密封剂200包^^珠210，那么由于珠210对寻址电极113施加压力，因此可更经常产生图8和9所示的问题。另一方面，当比率T2/T1为0.846~0.998时，电极变形特性极好。由于第二部分足够厚，所以密封剂200或包含于密封剂200中的珠对寻址电极113施加压力可得到充分抑制。因此，可充分防止寻址电极113受损。当比率T2/T1为0.538~0.753时，电极变形特性良好。考虑到以上描述，第一厚度Tl和第二厚度T2可满足下式0.538^T2/T1S0.995。此外，第一厚度T1和第二厚度T2可满足下式0.846￡T2/T1^0.995。图IO示出伪障壁。如图10所示，伪障壁1000可沿平行于密封剂200的方向布置在第二部分300和障壁112之间。当形成密封剂200时，伪障壁1000可防止密封材料渗入有源区。即使使用具有低粘度的密封材料形成密封剂200，伪障壁IOOO也可防止密封材料渗入有源区。图11示出第二部分位置的变化。如图11所示，第二部分300可位于密封剂200和障壁112之间。当第二部分300位于密封剂200和障壁112之间时，可防止第二部分300下方的寻址电极受到由密封剂200或珠所导致的压力。图12示出用于形成第二部分的一个示例性方法。如图12的(a)所示，在后基板111上形成寻址电极113和下部介电层115之后，可在下部介电层115上形成阻挡层1300。可利用使用坯片(greensheet)的层压方法来形成阻挡层1300。如图12的(b)所示，可在寻址电极113和下部介电层115上形成保护膜1310。可在阻挡层1300上形成光敏膜1320以暴露出阻挡层1300。保护膜1310和光敏膜1320可布置为由其间的间距W2而彼此间隔开。如图12的(c)所示，可通过蚀刻工艺蚀刻阻挡层1300的一部分，由此形成障壁112。此外，由于下部介电层115的一部分收暴露在保护膜1310和光敏膜1320之间的区域中，所以当蚀刻阻挡层1300时，所述暴露部分一起被蚀刻。因此，可形成第二部分300。如上，第二部分300可仅通过简单工艺来形成，其中在阻挡层1300的蚀刻工艺期间，保护膜1310和光敏膜1320之间的区域(对应于间距W2)的下部介电层115—起被蚀刻。由于第二部分300是通过部分蚀刻下部介电层115而形成的，所以下部介电层115具有相对高的抗蚀刻性是有利的。如果下部介电层115的抗蚀刻性相对低，那么下部介电层115的部分可能被过度蚀刻。因此，第二部分300可能非常薄或者寻址电极113可能桄暴露。因此，下部介电层115可包括玻璃料，该玻璃料包括以下组合物。用于下部介电层115的介电组合物可包括以该介电组合物的总重量计为约50~70重量份的玻璃料。该玻璃料可包括约55~80重量份的氧化铅(PbO)、约1~10重量份的氧化铝(A1203)、约1~9重量份的氧化硼(B203)、约840重量份的二氧化硅(Si02)和约0.1~12重量份的氧化铋(Bi203)，以100重量份的玻璃料计。该玻璃料还可包括以下组分中的至少一种约0.5~10重量份的氧化锂(Li20)、约0.1~2重量份的氧化铜(CuO)和约0.5~3.5重量份的氧化铈(Ce20)，以100重量份的玻璃料计。该玻璃料还可包括以下组分中的至少一种约l12重量份的氧化磷(P20s)、约0.5~10重10量份的氧化钠(Na20)和约7~12重量份的氧化钾(K20)，以100重量份的玻璃料计。所述介电组合物可包括以100重量份的玻璃料计为约55~80重量份的高热膨胀系数的作用。更具体地，当J100重量份的玻璃料计-的PbO含量等于或者大于55重量份时，介电组合物的焙烧温度可降低，并因此可减少加工时间。当以100重量份的玻璃料计的PbO含量等于或小于80重量份时，可防止介电组合物的焙烧温度降低并可防止热膨胀系数提高。所述介电组合物可包含以100重量份的玻璃料计为约1~10重量份的A1203。A1203可起到通过减小热膨胀系数和增大高温粘度来改善介电组合物的机械和化学稳定性的作用。更具体地，当以IOO重量份的玻璃料计的Al203含量等于或大于1重量份时，可减小热膨胀系数并且可改M电组合物的机械和化学稳定性。当以100重量份的玻璃料计的^203含量等于或小于10重量份时，焙烧区中的粘度性能和热膨胀系数可以是合适的。所述介电组合物可包含以100重量份的玻璃料计为约1~9重量份的B203。B203可在形成介电组合物的网络结构中起作用。更具体地，当以100重量份的玻璃料计的8203含量等于或者大于1重量份时，可完全形成介电组合物的网络结构。当以100重量份的玻璃料计的8203含量等于或小于9重量份时，可防止介电组合物的玻璃化转变温度升高。所述介电组合物可包含以100重量份的玻璃料计为约8~40重量份的Si02。用作玻璃形成组分的Si02可起到使玻璃在化学和光学上稳定的作用，并且大大提高介电组合物的玻璃化转变温度和玻璃软化温度。更具体地，当以100重量份的玻璃料计的Si02含量等于或者大于8重量份时，介电组合物可以是化学和光学稳定的。当以100重量份的玻璃料计的Si02含量等于或小于40重量份时，可防止玻璃化转变温度过度升高。所述介电组合物可包含以100重量份的玻璃料计为约0.1~12重量份的Bi203。Bi203可起到降低介电组合物的熔融温度和玻璃化转变温度的作用。更具体地，当以100重量份的玻璃料计的Bi2O3含量等于或者大于0.1重量份时，可降低熔融温度。当以100重量份的玻璃料计的81203含量等于或小于12重量份时，可防止玻璃的回色(colorreversion)。使用具有上述组成的玻璃料可形成具有极好抗蚀刻性的下部介电层115。因此，可防止第二部分300过薄。如上所述，由于根据示例性实施方案的等离子体显示面板包括介电层，该介电层包括各自具有不同厚度的两个部分，所以可改善前基&和后^L之间的粘合强度，并且可提高等离子体显示面板的结构可靠性。在本i兌明书中，对"一个实施方案"、，，实施方案"、"示例性实施方案"等的任何引用均表示与实施方案相关的具体的特征、结构或特性包含于本发明的至少一个实施方案中。在说明书不同地方出现的这些措词不必都涉及相同的实施方案。此外，当结合任意实施方案描述具体的特征、结构或特性时，认为本领域技术人员能够理解这种特征、结构或特性与其它的实施方案的关联。虽然已经参考了本发明的大量说明性实施方案来描述实施方案，但是应理解本领域技术人员可设计大量的其它变化方案和实施方案，这些也将落入^^开内容的原理的精神和范围内。更具体地，在4^^开内容、附图和所附的权利要求的范围内，在本发明的组合排列的组成构件和/或结构中可能具有各种的变化和改变。除组成构件和/或结构的变化和改变之外，对本领域技术人员而言，可替代的用途也会是显而易见的。权利要求1.一种等离子体显示面板，包括前基板；面对所述前基板的后基板，所述后基板包括在所述后基板上的介电层；位于有源区中的障壁；和在虚设区中设置在所述前基板和所述后基板之间的密封剂，其中所述虚设区中的所述介电层包括具有第一厚度T1的第一部分和具有第二厚度T2的第二部分，所述第一厚度T1不同于所述第二厚度T2。2.根据权利要求1所述的等离子体显示面板，其中所述第一厚度Tl大于所述第二厚度T2。3.根据权利要求l所述的等离子体显示面板，其中所述密封剂包括多个珠。4.根据权利要求1所述的等离子体显示面板，其中所述第一厚度Tl基本等于所述有源区中的所述介电层的厚度。5.根据权利要求1所述的等离子体显示面板，其中所述密封剂直接接触所述第二部分。6.根据权利要求l所述的等离子体显示面板，其中所述第二部分设置在所述密封剂和所述障壁之间。7.根据权利要求l所述的等离子体显示面板，还包括在所述第二部分和所述障壁之间的伪障壁。8.根据权利要求1所述的等离子体显示面板，其中所述介电层包括玻璃料，其中所M璃料包括约55~80重量份的氧化铅(PbO)、约1~10重量份的氧化铝(A1203)、约1~9重量份的H/ttl硼(B203)、约8~40重量份的二氧化硅(Si02)和约0.1~12重量份的氧化铋、(Bi203)，以100重量份的所^L璃料计。9.根据权利要求1所述的等离子体显示面板，其中所述第一厚度Tl和所述第二厚度T2基本满足下式0.538^T2/T1^0.995。10.根据权利要求9所述的等离子体显示面板，其中所述第一厚度Tl和所述第二厚度T2基本满足下式0.846^T2/T1^0.995。全文摘要公开了一种等离子体显示面板。所述等离子体显示面板包括前基板、面对所述前基板的后基板、位于有源区中的障壁和在虚设区中设置在前基板和后基板之间的密封剂。后基板包括介电层。虚设区中的介电层包括具有第一厚度的第一部分和具有第二厚度的第二部分。第一厚度不同于第二厚度。文档编号H01J11/12GK101556891SQ20091013125公开日2009年10月14日申请日期2009年4月10日优先权日2008年4月11日发明者金渡桓申请人:Lg电子株式会社