专利名称：绝缘构件及包括绝缘构件的基板处理装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于将设置在基板处理装置的处理室内的电极和处理室的内壁面之间电绝缘的绝缘构件及包括该绝缘构件的基板处理装置。
背景技术：
公知有在以液晶显示装置(IXD)为首的FPD(平板显示器Flat Panel Display) 的制造工序中、对以玻璃基板为首的各种基板实施等离子体处理的基板处理装置。在这样的基板处理装置中，具有在内部为真空区域的处理室(以下称作“腔室”) 内支承基板的基板载置台(基座)、隔着处理空间与该基座相对地配置的上部电极，对起到下部电极的作用的基座施加等离子体生成用的高频电力(RF)，并且，将处理气体导入到腔室内的处理空间中而生成等离子体，使用生成的等离子体对载置在基座上的基板实施规定的等离子体处理。基座呈与作为处理对象的基板同样的矩形，为了确保RF的绝缘，用于将基座和腔室的内壁面、例如底部壁面之间电绝缘的绝缘构件由矩形的环状体构成。绝缘构件通常主要由内侧构件、外侧构件、配置在该内侧构件和外侧构件之间的密封构件构成。内侧构件和外侧构件例如由以聚四氟乙烯(polytetrafluoroethyle ne)(商品名称Tefl0n(注册商标))为首的绝缘性的材料构成，由内侧构件围成的区域为开放于大气的大气区域。因而， 配置在内侧构件和外侧构件之间的密封构件划分出了腔室内的真空区域和由内侧构件围成的大气区域。构成绝缘构件的内侧构件和外侧构件是矩形的环状体，由于随着由近年来产业界的要求等导致的处理基板的大型化而大型化，因此，难以一体成形，从这个方面及对于形状的简化、成本降低、由构件的膨胀引起的尺寸变化的对策的方面考虑，通常形成为利用多个构成构件的组合而形成的组合体。图7的㈧ (C)是表示以往的技术中的绝缘构件的结构的图，图7的(A)是整个绝缘构件的俯视图，图7的(B)是绝缘构件的角部的局部放大俯视图，图7的(C)是绝缘构件的角部的局部放大侧视图。在图7中，绝缘构件70主要由矩形的内侧构件71和外侧构件72、以夹持在该内侧构件71和外侧构件72之间的方式配置的作为密封构件的矩形的0型密封圈73构成。内侧构件71和外侧构件72由被分割成多个的构成构件构成，各构成构件利用省略了图示的螺钉固定在腔室的底部壁面上。另外，配置在矩形的角部的构成构件分别呈L字状。绝缘构件70由于来自与处理目的相应地被加热的下部电极的导热而被加热，发生热膨胀。因而，在热膨胀时，有可能在相邻的构成构件的相互的抵接面中产生互相推挤对方的力而变形。因此，在各构成构件相互之间预先设有间隙74，该间隙74用于吸收作为热膨胀量的热膨胀部分。另外，为了防止等离子体的例如纵向的贯穿，在各构成构件相互的抵接部设有台阶部75，间隙74被台阶部75分割成两个。
但是，由于间隙74被设计成足够大的尺寸以吸收各构成构件的在各种处理条件下的热膨胀，因此，即使在进行基板处理时构成构件热膨胀，间隙74也不会完全被封闭，大多数情况下都在间隙74中留有一些间隙。在进行等离子体处理时，在各构成构件相互之间存在间隙74时，等离子体从该间隙74进入而到达被配置在外侧构件72的内侧的0型密封圈73，产生接受了等离子体照射后的0型密封圈73在短时间内劣化这样的问题。因此，为了解决随着以这样的绝缘构件、屏蔽环(shield ring)为首的腔室内部件的热膨胀而产生的问题，提出了一种这样的技术，即，安装以将构成腔室内部件的各构成构件互相拉近的方式施力的施力构件、或者对各构成构件朝向作为该构成构件的组装体的腔室内部件的中心部施力的施力构件，由此防止各构成构件相互间产生间隙(例如参照“专利文献1”)。专利文献1 日本特开2008-311四8号公报但是，并不一定易于安装施力构件，该施力构件用于对各构成构件付与向特定方向施加的作用力，该各构成构件用于形成腔室内部件。另一方面，在使用于吸收热膨胀的间隙消失的情况下，存在会导致构成构件的由热膨胀引起的变形或破损这样的问题，而且，在放置能够充分吸收热膨胀的间隙的情况下，存在等离子体从该间隙进入而例如促进配置在构成构件的内部的其他构成部件劣化这样的问题。
发明内容
本发明的课题在于提供能够防止密封构件劣化的绝缘构件及包括该绝缘构件的
基板处理装置。为了解决上述问题，技术方案1所述的绝缘构件用于在对矩形的基板实施等离子体处理的基板处理装置的处理室内将用于载置上述基板的矩形的载置台和上述处理室的内壁面之间电绝缘，其特征在于，该绝缘构件具有内侧构件、外侧构件、环状的密封构件，该环状的密封构件配置在该内侧构件和外侧构件之间且用于划分出上述处理室内的真空区域和由上述内侧构件围成的大气区域；上述外侧构件由与上述矩形的载置台的各边相对应地配置的绝缘性的长条状物的组合体构成；各长条状物以长条状物的长度方向的一端的端面抵接于相邻的另一个长条状物的长度方向的一端的侧面、长条状物的长度方向的另一端的侧面抵接于相邻的又一个长条状物的长度方向的一端的端面的方式分别被组合，该又一个长条状物与上述另一个长条状物不同；上述各长条状物以上述长条状物的长度方向的一端借助固定用的螺纹孔固定于上述处理室的内壁面、另一端借助至少1个支承用的螺纹孔被位移自由地支承的方式被排列。技术方案2所述的绝缘构件的特征在于，在技术方案1所述的绝缘构件中，上述各长条状物以能够以上述被固定的一端为起点而沿着上述长条状物的长度方向进行热膨胀或者热收缩的方式被排列。技术方案3所述的绝缘构件的特征在于，在技术方案1或2所述的绝缘构件中，上述固定用的螺纹孔在与该固定用的螺纹孔垂直的截面中是正圆形，上述支承用的螺纹孔在与该支承用的螺纹孔垂直的截面中是在上述长条状物的长度方向上较长的椭圆形或者两端为半圆的长圆。
技术方案4所述的绝缘构件的特征在于，在技术方案3所述的绝缘构件中，使安装在上述固定用的螺纹孔中的固定螺钉的紧固转矩大于安装在上述支承用的螺纹孔中的支承螺钉的紧固转矩。技术方案5所述的绝缘构件的特征在于，在技术方案1 4中任一项所述的绝缘构件中，上述外侧构件在与上述环状的密封构件的长度方向正交的截面中仅存在于上述环状的密封构件的外侧面侧。技术方案6所述的绝缘构件的特征在于，在技术方案1 5中任一项所述的绝缘构件中，上述外侧构件中的上述长条状物相互的抵接部的内侧面呈曲面，在上述长条状物的一端的侧面设有用于形成上述曲面的突出部。技术方案7所述的绝缘构件的特征在于，在技术方案1 5中任一项所述的绝缘构件中，上述外侧构件中的上述长条状物相互的抵接部的内侧面实质上形成有直角的角部，上述长条状物具有不包括突起部的矩形的外形。技术方案8所述的绝缘构件的特征在于，在技术方案1 7中任一项所述的绝缘构件中，在上述各长条状物的长度方向的一端的端面和上述相邻的另一个长条状物的长度方向的一端的侧面的抵接部形成有台阶构造的组合部。技术方案9所述的绝缘构件的特征在于，在技术方案8所述的绝缘构件中，上述台阶构造的至少一部分由嵌入构件构成，该嵌入构件由间隙配合在凹部中的绝缘材料构成， 该凹部形成于上述各长条状物的一端的端面和上述相邻的另一个长条状物的上述一端的侧面的抵接部。技术方案10所述的绝缘构件的特征在于，在技术方案9所述的绝缘构件中，在上述凹部和上述嵌入构件之间设有间隙，该间隙用于吸收上述长条状物的沿着长度方向的由热膨胀或者热收缩引起的位移。技术方案11所述的绝缘构件的特征在于，在技术方案10所述的绝缘构件中，上述凹部中的供上述嵌入构件插入的插入口利用侧封堵构件封堵。技术方案12所述的绝缘构件的特征在于，在技术方案1 11中任一项所述的绝缘构件中，上述环状的密封构件的一部分嵌合于设置在上述处理室的内壁面的凹部中。技术方案13所述的绝缘构件的特征在于，在技术方案1 12中任一项所述的绝缘构件中，上述内侧构件由组合多个构成构件而成的组合体构成，在各构成构件相互之间设有用于吸收热膨胀的间隙。为了解决上述课题，技术方案14所述的基板处理装置包括技术方案1 13中任一项所述的绝缘构件。采用本发明，由长条状物的组合体构成绝缘构件中的外侧构件，该绝缘构件具有内侧构件、外侧构件、配置在内侧构件和外侧构件之间的环状的密封构件，各长条状物以长条状物的长度方向的一端的端面抵接于相邻的另一个长条状物的长度方向的一端的侧面、 另一端的侧面抵接于与相邻的另一个长条状物不同的相邻的又一个长条状物的长度方向的一端的端面的方式分别被组合，固定各长条状物的一端，并且位移自由地支承其另一端， 因此，以不会在外侧构件的构成构件相互之间形成间隙的方式吸收热膨胀来阻止等离子体向配置在外侧构件的内侧的密封构件进入，由此，能够防止密封构件因照射等离子体而导致的劣化。
图1是表示包括本发明的实施方式的绝缘构件的基板处理装置的概略结构的剖视图。图2是表示本发明的实施方式的绝缘构件的结构的俯视图。图3是表示在将图2的绝缘构件装入到图1的基板处理装置中的状态下的主要部分的剖视图。图4的㈧ (D)是绝缘构件的角部的局部放大图，图4的㈧及图4的(C)是表示热膨胀前的状态的图，图4的(B)及图4的(D)是表示热膨胀后的状态的图。图5的(A) (B)是表示本发明的实施方式的绝缘构件的变形例的主要部分的图，图5的(A)是表示第1变形例的主要部分的图，图5的(B)是表示第2变形例的主要部分的图。图6的(A) (B)是表示本发明的实施方式的绝缘构件的变形例的主要部分的图，图6的(A)是表示第3变形例的主要部分的图，图6的(B)是表示第4变形例的主要部分的图。图7的㈧ (C)是表示以往技术中的绝缘构件的结构的图，图7的㈧是整个绝缘构件的俯视图，图7的(B)是绝缘构件的角部的局部放大俯视图，图7的(C)是绝缘构件的角部的局部放大侧视图。
具体实施例方式下面，参照附图详细说明本发明的实施方式。图1是表示包括本发明的实施方式的绝缘构件的基板处理装置的概略结构的剖视图。该基板处理装置例如是对液晶显示装置(LCD)制造用的玻璃基板实施等离子体蚀刻处理的装置。在图1中，基板处理装置10具有用于收容例如1边为几m的矩形的玻璃基板G (以下简称作“基板”)的处理室(腔室)11，在该腔室11内部的图中下方配置有用于载置基板 G的载置台(基座)12。基座12例如利用由表面被铝阳极化处理后的铝、不锈钢等构成的基材13构成，基材13隔着绝缘构件14支承在作为腔室11的内壁面的底部平面上。绝缘构件14将基座12和腔室11的底部平面之间电绝缘。基材13的截面呈凸型，其上部平面为用于载置基板G的基板载置面13a。以包围基板载置面13a的周围的方式设有屏蔽环(shield ring) 15。基材13的上部内置有静电电极板16，其起到静电吸盘的作用。静电电极板16与直流电源17连接，对静电电极板16施加正的直流电压时，在载置于基板载置面13a的基板G中的靠静电电极板 16侧的面(以下称作“背面”)上感应出负电荷，由此，在静电电极板16和基板G的背面之间产生电场，利用由该电场引起的库仑力或者约翰逊·拉别克(Johnson · Ranbec)力将基板G吸附保持在基板载置面13a上。在基材13的内部设有温度调节机构(省略图示)，该温度调节机构用于调节基材 13和载置在基板载置面13a上的基板G的温度。将例如冷却水、Galden(注册商标)等制冷剂循环供给到该温度调节机构中，利用该制冷剂冷却后的基材13将基板G冷却。
在基材13的周围配置有作为侧封堵构件的绝缘环18，该绝缘环18将包含屏蔽环 15和基材13的抵接部在内的侧面覆盖。绝缘环18由绝缘性的陶瓷、例如氧化铝构成。在将腔室11的底部平面、由绝缘构件14围成的空间部及基材13贯穿的通孔中能够升降地贯穿有升降销21。升降销21在将载置于基板载置面13a的基板G输入及输出时工作，在将基板G输入到腔室11内或者将基板G从腔室11输出时，该升降销21上升至基座12的上方的输送位置，除此之外时以埋设状态收容在基板载置面13a内。在基板载置面13a中开口有省略了图示的多个导热气体供给孔。多个导热气体供给孔连接于导热气体供给部，作为导热气体，自导热气体供给部将例如氦(He)气供给到基板载置面13a和基板G的背面间隙中。被供给到基板载置面13a和基板G的背面的间隙中的氦气能够在基板G和基座12之间有效地进行导热，例如能够将基板G的热排出到基座12 中而有效地将基板G冷却。用于供给高频电力的高频电源23经由匹配器M连接于基座12的基材13。自高频电源23例如施加13. 56MHz的高频电力(RF)，基座12起到下部电极的作用。匹配器M 降低来自基座12的高频电力的反射而使对基座12施加高频电力的效率最大。在基板处理装置10中，由腔室11的内部侧壁和基座12的侧面形成侧方排气路径 26。该侧方排气路径沈经由排气管27连接于排气装置观。作为排气装置^WTMP(涡轮分子泵Turbo Molecular Pump)和DP(干式泵Dry Pump)或者MBP(机械增压泵 Mechanical Booster Pump)(均省略图示)对腔室11内进行抽真空来减压。具体地讲，DP 或MBP将腔室11内从大气压减压至中真空状态(例如1.3X101^(0. ITorr)以下)，TMP 与DP或MB P协作而将腔室11内减压至作为比中真空状态低的压力的高真空状态(例如 1.3X 10-3Pa(l· OX I(T5Torr)以下)。另夕卜，腔室11内的压力利用APC阀(省略图示)来控制。在腔室11的顶部分，与基座12相对地配置有簇射头30。簇射头30具有内部空间31，并具有用于将处理气体喷出到簇射头30与基座12之间的处理空间S中的多个气孔 32。簇射头30被接地，其与起到下部电极的作用的基座12 —同构成一对平行平板电极。簇射头30经由气体供给管36连接于处理气体供给源39。在气体供给管36上设有开闭阀37和质量流量控制器38。另外，在腔室11的侧壁上设有基板输入-输出口 34， 该基板输入-输出口 34能够利用闸阀35开闭。于是，经由该闸阀35将作为处理对象的基板G输入到腔室11中或者从腔室11中输出。在基板处理装置10中，自处理气体供给源39经由处理气体导入管36供给处理气体。供给的处理气体经由簇射头30的内部空间31和气孔32被导入到腔室11的处理空间 S中。导入的处理气体被从高频电源23经由基座12向处理空间S施加的等离子体生成用的高频电力(RF)励起而成为等离子体。等离子体中的离子被朝向基板G引入，对基板G实施规定的等离子体蚀刻处理。基板处理装置10所包括的控制部(省略图示)的CPU根据与等离子体蚀刻处理相对应的程序来控制基板处理装置10的各构成部件的动作。图2是表示本发明的实施方式的绝缘构件的结构的俯视图。在图2中，绝缘构件14主要由内侧构件41、外侧构件42、以夹持在该内侧构件41 和外侧构件42之间的方式配置的环状的密封构件(以下称作“0型密封圈”)43构成。
外侧构件42呈由与矩形的基座12的各边相对应地配置的4个长条状物构成的矩形，其利用形成相对的两个短边的长条状物44、45与形成相对的两个长边的长条状物46、 47的组合体构成。长条状物44以如下述的方式配置长条状物44的固定端4 的端面抵接于相邻的另一个长条状物46的长度方向的端部(自由端)46b的侧面，作为另一端的移动端44b的侧面抵接于相邻的又一个长条状物47的端部(固定端)47a的端面，该又一个长条状物47与相邻的另一个长条状物46不同。长条状物45及长条状物47以相对于大气区域50的中心点C分别与长条状物44和长条状物46呈点对称的方式组合，该大气区域50 是由内侧构件41围成的空间部。长条状物44 47具有设置在作为其长度方向一端的固定端的固定用的螺纹孔 48、与该固定用的螺纹孔48在长条状物的长度方向上分开地设置的支承用的螺纹孔49。固定端4 47a分别利用安装在固定用的螺纹孔48中的固定螺钉(省略图示)固定在腔室11的底部平面上。另一方面，自由端44b 47b利用贯穿支承用的螺纹孔49的支承螺钉(省略图示)支承为相对于腔室11的底部平面沿着长条状物的长度方向位移自由。由此，各长条状物44 47以能够以固定端4 47a为起点而沿着长条状物的长度方向进行热膨胀或者热收缩的方式支承。固定用的螺纹孔48用于将长条状物的固定端4 47a固定在腔室11的底部平面上，其在与螺纹孔垂直的截面中形成为间隙较少的正圆形。另一方面，支承用的螺纹孔49 用于将作为与固定端4 47a相对的另一端的自由端44b 47b支承成以固定端为起点地位移自由，其在与螺纹孔垂直的截面中形成为在长条状物的长度方向上较长的椭圆形或者两端为半圆的长圆。支承用的螺纹孔49设有至少1个，但也可以与长条状物44 47的长度相应地设有两个或者两个以上。此时，各支承用的螺纹孔49例如优选等间隔地设置。支承用的螺纹孔49的长径具有即使各长条状物44 47热膨胀、安装在支承用的螺纹孔49中的支承螺钉也不会限制长条状物的热膨胀那样程度的长度，长径的长度例如优选在处理被称作第8 代的FPD用玻璃基板时是16mm 20mm，其与处理的玻璃基板的规格相应地设定。优选使安装在固定用的螺纹孔48中的固定螺钉的紧固转矩大于安装在支承用的螺纹孔49中的支承螺钉的紧固转矩。由此，能够可靠地固定长条状物44 47的固定端 44a 47a，而且，能够松弛地支承自由端44b 47b来确保长条状物44 47的热膨胀时或者热收缩时的位移。固定螺钉的紧固转矩例如为15kgf · cm 20kgf · cm (1· 5N · m 2. ON · m) 左右，支承螺钉的紧固转矩比固定螺栓的紧固转矩小一些，例如为IOkgf · cm Mkgf.Cm(L0N.m L5N.m)左右。但是，在需要限制由膨胀引起的伸长量等的情况下， 也能够在长条状物不破损的程度的范围内更强有力地加大它们的转矩，制约长条状物的位移。长条状物44 47相互的抵接部的内侧面呈曲面，在各长条状物44 47的一端的侧面设有用于形成曲面的突出部Mc 47c。由此，能够利用外侧构件42和下述的内侧构件41可靠地支承0型密封圈43的整周，从而能够可靠地将利用0型密封圈43形成的腔室11内部的真空区域和由内侧构件41围成的大气区域50划分开。另外，长条状物44 47相互的抵接部的内侧面实质上也可以是直角的角部，在这种情况下，作为长条状物44 47，可应用具有不包括突起部的矩形的外形的长条状物。外侧构件42在与0型密封圈43的长度方向正交的截面中仅存在于0型密封圈43 的外侧面侧(参照图2及图3)。即，各长条状物44 47不会夹着或者收容0型密封圈43， 不束缚0型密封圈43。由此，如后述的图4所示，即使构成外侧构件的各长条状物44 47 被加热，其自由端44b 47b沿着其长度方向位移，长条状物44 47也不会扭转0型密封圈43，稳定地划分出腔室内的真空区域和大气区域50。另外，由于0型密封圈43没有被扭转，因此，能够防止0型密封圈43的损伤、磨损、劣化等。图3是表示将图2的绝缘构件装入到图1的基板处理装置中后的状态的主要部分的剖视图。在图3中，0型密封圈43的与其长度方向正交的截面形状(以下简称作“截面形状”)的高度比外侧构件42和内侧构件41的高度尺寸大一些。0型密封圈43的截面形状中的上下端分别比除上下端之外的部分更粗，且作为其一部分的下端嵌合于设置在腔室11 的底部平面51中的凹部中，由此，被稳定地支承、固定。0型密封圈43的截面形状中的上端抵接于用于形成基座12的基材13的下侧面，由此可靠地划分出腔室11内的作为处理空间 S的真空区域和由内侧构件41围成的大气区域50来维持真空区域的真空度。内侧构件41由分割成多个的构成构件的组合体构成，在各构成构件相互之间形成有用于吸收由热膨胀引起的位移的间隙41a。俯视内侧构件41时，相当于内侧构件41的矩形的角部的构成构件由L字状的分割构件构成，该L字状的分割构件具有其外侧面能够均等地支承0型密封圈43的内侧面这样的曲面。使用已装入有这样的结构的绝缘构件14的图1的基板处理装置10，对基板G实施等离子体蚀刻处理时，利用来自与处理目的相应地被加热的下部电极的导热等将绝缘构件 14加热，使其热膨胀。图4是绝缘构件的角部的局部放大图，图4的(A)及图4的(C)是表示热膨胀前的状态的图，图4的(B)及图4的(D)是表示热膨胀后的状态的图。在图4的㈧中，长条状物44的自由端44b相对于相邻的长条状物47的固定端 47a的侧面缩回规定宽度。另一方面，在表示热膨胀后的状态的图4的(B)中，长条状物44 以固定端44a(省略图示)为起点向其长度方向伸长，由此，自由端44b位移，自由端44b的端面与相邻的长条状物47的固定端47a的侧面成为所谓的一个面。采用本实施方式，用于构成外侧构件42的各长条状物44 47分别以如下述的方式无间隙地组合作为各长条状物44 47长度方向的一端的固定端的端面抵接于相邻的另一个长条状物的长度方向自由端的侧面，作为另一端的自由端的侧面抵接于作为相邻的又一个长条状物的长度方向的一端的固定端的端面，该相邻的又一个长条状物与该相邻的另一个长条状物不同，而且，利用安装在固定用的螺纹孔48中的固定螺钉可靠地固定各长条状物44 47的固定端4 47a，利用安装在支承用的螺纹孔49中的支承螺钉将作为另一端的自由端44b 47b支承为能够在热膨胀方向或者热收缩方向上位移，因此，在自由端44b 47b的移动方向上不存在其他的长条状物，由此，即使长条状物44 47热膨胀， 也不会在长条状物相互之间产生间隙和推压对方的力。因而，能够阻止等离子体向配置在外侧构件42的内部的0型密封圈43进入，能够防止因照射等离子体而导致的0型密封圈 43的劣化。
另外，采用本实施方式，由于利用长条状物44 47的组合体构成外侧构件42，因此，能够将各长条状物44 47的形状做成例如大致长方形状的简单形状，由此，能够削减长条状物44 47和外侧构件42以及绝缘构件14的制作成本。在本实施方式中，优选选定长条状物44的长度，使得长条状物44的自由端44b处于相对于相邻的长条状物47的固定端47a的外侧面缩回与该长条状物44的由热膨胀引起的伸长宽度相当的长度的量的状态。由此，即使长条状物44因热膨胀而沿着其长度方向伸长，其自由端44b也不会自相邻的长条状物47的固定端47a的外侧面突出，能够避免与其他的腔室内构成部件碰撞。另外，也可以如图4的(C)所示那样预先使长条状物44的自由端44b的端部与相邻的长条状物47的固定端4 的外侧面平齐，在热膨胀时如图4的⑶所示那样自固定端 47a的侧面突出，在相邻的又一个腔室内部件上设置凹部，该凹部具有与长条状物44的由热膨胀引起的伸长宽度相当的宽度，由此，避免该相邻的又一个腔室内部件和长条状物44碰撞。在本实施方式中，如图4的(B)所示，由于长条状物44的热膨胀而在该长条状物 44和0型密封圈43之间产生间隙52，但由于能够确保长条状物44的自由端44b的侧面和长条状物47的固定端47a的端面的抵接状态，因此，不会因等离子体进入而导致0型密封圈43发生劣化。在本实施方式中，用于构成外侧构件42的长条状物44 47由绝缘性材料、例如聚四氟乙烯(商品名称Teflon(注册商标))等构成。在本实施方式中，长条状物44 47中的固定用的螺纹孔48优选位于极靠近该长条状物44 47的固定端4 47a的端面的位置，设置在距固定端的端部例如30mm 40mm的位置。在固定用的螺纹孔48和固定端的端面之间的间隔为几百mm以上时，固定用的螺纹孔48和固定端的端面之间那部分的热膨胀无法忽视，有可能在各长条状物的固定端与抵接于该固定端的另一个环构成部件的接合面中产生变形。在本实施方式中，0型密封圈43由耐热性的弹性构件、例如氟化橡胶(Viton)等构成。接着，说明本实施方式的变形例。图5是表示本发明的实施方式的绝缘构件的变形例的主要部分的图，图5的(A) 是表示第1变形例的主要部分的图，图5(B)的是表示第2变形例的主要部分的图。在图5的㈧及图5的⑶中，该绝缘构件14a及绝缘构件14b在长条状物的长度方向的一端的端面以及与该长条状物相邻的另一个长条状物的长度方向的一端的侧面的抵接部设有用于阻止等离子体进入的台阶构造的组合部。在图5的(A)中，在作为长条状物57的长度方向的一端的固定端57a的端面和作为与该长条状物57相邻的另一个长条状物M的长度方向一端的自由端54b的侧面的抵接部，设有用于阻止等离子体进入的迷宫状的台阶构造。长条状物M的自由端54b被调整为相对于长条状物57的固定端57a的侧面缩回与长条状物M的由热膨胀引起的伸长宽度相当的长度、例如IOmm 20mm的状态的长度。另外，与上述本实施方式的情况同样，如图5的(B)所示，也可以使长条状物M的自由端54b的端面和长条状物57的固定端57a的侧面平齐，在相邻的又一个腔室内部件上设置凹部，该凹部具有与长条状物M的由热膨胀引起的伸长宽度相当的宽度，由此，避免该相邻的又一个腔室内部件和长条状物M碰撞。采用本实施方式的第1变形例，由于在长条状物57的固定端57a的端面以及与该长条状物57相邻的另一个长条状物M的自由端54b的侧面的抵接部设有台阶构造的组合部，因此，能够充分确保从配置在绝缘构件14的上部的下部电极(省略图示)到配置在绝缘构件14的下部且腔室11的被接地的底部平面(省略图示)的路径的长度，由此，能够避免在下部电极和腔室11的底部平面之间的短路性放电而抑制在抵接部产生等离子体，而且，能够防止0型密封圈43劣化及附近的腔室内部件磨损。另外，采用本实施方式的第1变形例，由于在各长条状物的抵接部设有台阶构造的组合部，因此，能够更有效地阻止等离子体从各长条状物的抵接部进入，从而能够更可靠地防止配置在长条状物的内部的0型密封圈劣化。另外，在本实施方式的第1变形例中，在外侧构件42的外侧面配设有侧封堵构件18 (参照图1)，由此，能够阻止等离子体从绝缘构件14的侧面进入。图6是表示本发明的实施方式的绝缘构件的变形例的主要部分的图，图6的(A) 是表示第3变形例的主要部分的图，图6的(B)是表示第4变形例的主要部分的图。如图6的㈧及图6的⑶所示，该绝缘构件14c及绝缘构件14d与图5中的绝缘构件Ha及绝缘构件14b的不同点在于，设置在长条状物的长度方向的一端的端面以及与该长条状物相邻的另一个长条状物的长度方向的一端的侧面的抵接部的台阶构造的一部分由嵌入构件60构成，该嵌入构件60间隙配合在形成于长条状物的一端的端面以及与该长条状物相邻的另一个长条状物的一端的侧面的抵接部的凹部中。在图6的(A)中，在长条状物67的固定端67a的端面和长条状物64的自由端64b 的侧面分别设有图中下方被切削成四棱柱状的台阶部。由此，在长条状物67的固定端67a 的端面和长条状物64的自由端64b的侧面的抵接部形成由台阶部和台阶部形成的凹部。并且，嵌入构件60间隙配合状地插入到该凹部中，形成台阶构造的一部分。在嵌入构件60和凹部之间设有间隙68，该间隙68用于吸收因热膨胀而伸长的长条状物64的位移。在间隙配合状地插入有嵌入构件60的外侧构件42的侧面配置有省略图示的侧封堵构件18(参照图1)，不仅能够阻止等离子体从垂直方向进入，也能够阻止等离子体从水平方向进入。在本实施方式的第3变形例中，也与第1及第2变形例同样能够充分确保从配置在绝缘构件14的上部的下部电极(省略图示)到配置在绝缘构件14的下部且腔室的被接地的底部平面的路径的长度，由此，能够避免在下部电极和腔室的底部平面之间的短路性放电而抑制在抵接部产生等离子体，而且，能够防止0型密封圈43劣化及附近的腔室内部件磨损。另外，采用本实施方式的第3变形例，通过由嵌入构件60构成台阶构造的一部分， 能够由比较简单的形状的构件构成长条状物相互的抵接部的构造。因而，各构件易于制作， 处理时的破损的可能性也很小。在本实施方式的第3变形例中，优选嵌入构件60并不固定在长条状物64、67和腔室11的底部平面上，而以间隙配合于形成在该长条状物相互之间的凹部中的状态载置在腔室11的底部平面上。
另外，与上述本实施方式的情况同样，如图6的(B)所示，也可以使长条状物64的自由端64b的端面和长条状物67的固定端67a的侧面平齐，在相邻的又一个腔室内部件上设置凹部，该凹部具有与长条状物64的由热膨胀引起的伸长宽度相当的宽度，由此，避免该相邻的又一个腔室内部件和长条状物64碰撞。以上，利用实施方式详细说明了本发明，但本发明并不限定于这些实施方式。在上述各实施方式中，被实施等离子体处理的基板不仅是液晶显示器(LCD)用的玻璃基板，也可以是以电致发光(Electro Luminescence :EL)显示器、等离子体显示面板 (PDP)等为首的FPD (平板显示器Flat Panel Display)所采用的各种基板。另外，在上述实施方式中，对采用以平行平板电极进行的电容耦合型的等离子体产生方式的装置进行了说明，但不言而喻，即使是采用电感耦合型的等离子体产生方式等其他的等离子体产生方式的装置，只要是具有基板的载置台和屏蔽环或者与屏蔽环相当的构件的装置，就能够应用本发明。附图标记说明10、基板处理装置；11、处理室(腔室)；12、载置台(基座)；13、基材；14、绝缘构件；41、内侧构件；42、外侧构件；43、0型密封圈；44 47、长条状物；44a 47a、固定端； 44b 47b、自由端；48、固定用螺纹孔；49、支承用螺纹孔；50、大气区域；51、底部平面；G、基板。
权利要求
1.一种绝缘构件，其用于在对矩形的基板实施等离子体处理的基板处理装置的处理室内将用于载置上述基板的矩形的载置台和上述处理室的内壁面之间电绝缘，其特征在于，该绝缘构件具有内侧构件、外侧构件、环状的密封构件，该环状的密封构件配置在该内侧构件和外侧构件之间且用于划分出上述处理室内的真空区域和由上述内侧构件围成的大气区域；上述外侧构件由与上述矩形的载置台的各边相对应地配置的绝缘性的长条状物的组合体构成；各长条状物以长条状物的长度方向的一端的端面抵接于相邻的另一个长条状物的长度方向的一端的侧面、长条状物的长度方向的另一端的侧面抵接于相邻的又一个长条状物的长度方向的一端的端面的方式分别被组合，该又一个长条状物与上述另一个长条状物不同；上述各长条状物以上述长条状物的长度方向的一端借助固定用的螺纹孔固定于上述处理室的内壁面、另一端借助至少1个支承用的螺纹孔被位移自由地支承的方式被排列。
2.根据权利要求1所述的绝缘构件，其特征在于，上述各长条状物以能够以上述被固定的一端为起点而沿着上述长条状物的长度方向进行热膨胀或者热收缩的方式被排列。
3.根据权利要求1或2所述的绝缘构件，其特征在于，上述固定用的螺纹孔在与该固定用的螺纹孔垂直的截面中是正圆形，上述支承用的螺纹孔在与该支承用的螺纹孔垂直的截面中是在上述长条状物的长度方向上较长的椭圆形或者两端为半圆的长圆。
4.根据权利要求3所述的绝缘构件，其特征在于，使安装在上述固定用的螺纹孔中的固定螺钉的紧固转矩大于安装在上述支承用的螺纹孔中的支承螺钉的紧固转矩。
5.根据权利要求1 4中任一项所述的绝缘构件，其特征在于，上述外侧构件在与上述环状的密封构件的长度方向正交的截面中仅存在于上述环状的密封构件的外侧面侧。
6.根据权利要求1 5中任一项所述的绝缘构件，其特征在于，上述外侧构件中的上述长条状物相互的抵接部的内侧面呈曲面，在上述长条状物的一端的侧面设有用于形成上述曲面的突出部。
7.根据权利要求1 5中任一项所述的绝缘构件，其特征在于，上述外侧构件中的上述长条状物相互的抵接部的内侧面实质上形成有直角的角部，上述长条状物具有不包括突起部的矩形的外形。
8.根据权利要求1 7中任一项所述的绝缘构件，其特征在于，在上述各长条状物的长度方向的一端的端面和上述相邻的另一个长条状物的长度方向的一端的侧面的抵接部形成有台阶构造的组合部。
9.根据权利要求8所述的绝缘构件，其特征在于，上述台阶构造的至少一部分由嵌入构件构成，该嵌入构件由间隙配合在凹部中的绝缘材料构成，该凹部形成于上述各长条状物的一端的端面和上述相邻的另一个长条状物的上述一端的侧面的抵接部。
10.根据权利要求9所述的绝缘构件，其特征在于，在上述凹部和上述嵌入构件之间设有间隙，该间隙用于吸收上述长条状物的由沿着长度方向的热膨胀或者热收缩引起的位移。
11.根据权利要求10所述的绝缘构件，其特征在于，上述凹部中的供上述嵌入构件插入的插入口利用侧封堵构件封堵。
12.根据权利要求1 11中任一项所述的绝缘构件，其特征在于， 上述环状的密封构件的一部分嵌合于设置在上述处理室的内壁面的凹部中。
13.根据权利要求1 12中任一项所述的绝缘构件，其特征在于，上述内侧构件由组合多个构成构件而成的组合体构成，在各构成构件相互之间设有用于吸收热膨胀的间隙。
14.一种基板处理装置，其特征在于，包括权利要求1 13中任一项所述的绝缘构件。
全文摘要
本发明提供绝缘构件及包括绝缘构件的基板处理装置。该绝缘构件能够防止密封构件因等离子体而劣化。在基板处理装置(10)的腔室(11)内将基座(12)和腔室的底部平面(51)绝缘的绝缘构件(14)具有内侧构件(41)、外侧构件(42)、配置在两者之间的O型密封圈(43)，外侧构件由与矩形的基座的各边相对应的长条状物(44～47)的组合体构成，各长条状物以各长条状物的一端的端面抵接于相邻的另一个长条状物的一端的侧面、另一端的侧面抵接于又一个长条状物的一端的端面的方式组合，各长条状物排列为各长条状物的一端借助固定用的螺纹孔(48)固定于腔室的底部平面、另一端借助支承用的螺纹孔(49)位移自由地支承。
文档编号H01J37/32GK102468107SQ20111036873
公开日2012年5月23日 申请日期2011年11月17日 优先权日2010年11月18日
发明者佐佐木芳彦, 田中诚治 申请人:东京毅力科创株式会社