专利名称：抗静电led封装结构的制作方法
技术领域：
抗静电LED封装结构技术领域[0001]本实用新型涉及LED领域，尤其涉及LED的封装结构，特别是关于降低光损耗方面的改进，在IPC分类号可以归属于F21S2/00大类。
背景技术：
[0002]LED (Light Emitting Diode，发光二极管)是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，它可以直接把电能转化为光能。LED作为一种新的照明光源材料被广泛应用着。[0003]普通LED封装结构中，当LED晶片两个电极之间受到一个感应或者传导，积累到一定程度后，这个反向(一定是反向的)的能量就能在LED两个电极之间迅速将LED晶片两个电极层之间最近(电阻最低的路径)的路径烧熔LED，这个瞬间温度达到1400度以上，而使 LED被静电击损。因此，为了避免静电烧毁LED晶片的发生，一种抗静电LED是在封装结构中加入了齐纳二极管，它就能将这个产生在LED芯片之间的静电消灭掉，并且是灭在萌芽之时，由于我们日常中静电能量都很小，齐纳二极管足够吸收这些静电电量。[0004]参阅图1所示，已有的抗静电LED封装结构是在支架杯的底面和LED晶片并排固化一个齐纳二极管(Zener)，并和LED晶片一样通过金丝焊接至电极上。这种已有抗静电 LED封装结构存在的不足之处在于齐纳二极管设置于支架杯底面会影响到LED的发光。实用新型内容[0005]因此，本实用新型针对已有LED封装结构的不足，提出一种改进的LED封装结构， 可以避免齐纳二极管对LED晶片发光的影响，提高LED发光效率，同时可以实现抗静电的效^ ο[0006]本实用新型的技术方案是[0007]抗静电LED封装结构，包括一支架杯，支架杯的底面固化一 LED晶片，LED晶片的正、负极分别通过金线焊接至支架杯正、负极上，位于正、负极下方的支架内埋设有一齐纳二极管，该齐纳二极管的两端电性焊接在正、负极。[0008]进一步的，所述的支架杯采用的是碗杯状结构，LED晶片是固化于碗杯底面上，碗杯状结构的支架杯结构紧凑，且利于封装操作。[0009]本实用新型采用如上技术方案，通过在位于正、负极下方的支架内埋设有一齐纳二极管，因此不会同已有的抗静电LED封装结构内齐纳二极管的设置位置一样会影响到 LED晶片的发光，因而实现抗静电的同时提高了 LED的发光效率。
[0010]图1是已有的LED封装结构剖视图；[0011]图2是本实用新型的LED封装结构剖视图。
具体实施方式
[0012]现结合附图和具体实施方式
对本实用新型进一步说明。[0013]参阅图2所示，本实用新型的抗静电LED封装结构，抗静电LED封装结构，包括一支架杯1，支架杯1的底面固化一 LED晶片2，LED晶片2的正、负极分别通过金线焊接至支架杯正、负极3上，位于正、负极3下方的支架1内埋设有一齐纳二极管4，该齐纳二极管4 的两端电性焊接在正、负极3。齐纳二极管4可以通过贴片方式形成或者通过半导体沉积形成。[0014]优选的，所述的支架杯1同样也是采用已有的碗杯状结构，LED晶片2是固化于碗杯底面上。[0015]尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本实用新型，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本实用新型的精神和范围内，在形式上和细节上可以对本实用新型做出各种变化，均为本实用新型的保护范围。
权利要求1.抗静电LED封装结构，包括一支架杯，支架杯的底面固化一LED晶片，LED晶片的正、 负极分别通过金线焊接至支架杯正、负极上，位于正、负极下方的支架内埋设有一齐纳二极管，该齐纳二极管的两端电性焊接在正、负极。
2.根据权利要求1所述的抗静电LED封装结构，其特征在于所述的支架杯是碗杯状结构。
专利摘要本实用新型涉及LED领域，尤其涉及LED的封装结构，特别是关于降低光损耗方面的改进，在IPC分类号可以归属于F21S2/00大类。抗静电LED封装结构，包括一支架杯，支架杯的底面固化一LED晶片，LED晶片的正、负极分别通过金线焊接至支架杯正、负极上，位于正、负极下方的支架内埋设有一齐纳二极管，该齐纳二极管的两端电性焊接在正、负极。本实用新型是一种LED封装结构的改进，实现抗静电的同时提高了LED的发光效率。
文档编号H01L33/48GK202332954SQ20112046367
公开日2012年7月11日 申请日期2011年11月21日 优先权日2011年11月21日
发明者李儒維, 李昇哲, 林信泰 申请人:厦门煜明光电有限公司