等离子显示面板的制造方法

专利名称：等离子显示面板的制造方法
技术领域：
在此被公开的技术涉及被利用于显示器件等中的等离子显示面板的制造方法。
背景技术：
等离子显示面板(以下称作rop)由前面板与背面板构成。前面板由玻璃基板、形成于玻璃基板的一个主面上的显示电极、覆盖显示电极并发挥作为电容器的作用的电介质层、以及形成于电介质层上且由氧化镁(MgO)组成的保护层构成。另一方面，背面板由玻璃基板、形成于玻璃基板的一个主面上的数据电极、覆盖数据电极的基底电介质层、形成于基底电介质层上的隔壁、以及形成于各隔壁之间且分别以红色、绿色及蓝色发光的荧光体层构成。前面板与背面板使电极形成面侧对置，并被气密密封。在由隔壁划分出的放电空 间内封入氖(Ne)及氙(Xe)的放电气体。放电气体根据选择性地施加在显示电极上的影像信号电压而放电。因放电而产生的紫外线激励各色的荧光体层。激励后的荧光体层以红色、绿色、蓝色发光。这样，PDP实现彩色图像显示(参照专利文献I)。保护层主要具有4种功能。其一，保护电介质层不会受到基于放电的离子冲击。其二，释放用于使数据放电产生的初始电子。其三，保持用于使放电产生的电荷。其四，在维持放电之际释放二次电子。通过保护电介质层不会受到离子冲击，从而可抑制放电电压的上升。通过增加初始电子释放数，从而可以降低成为图像闪烁的原因的数据放电错误。通过提高电荷保持性能，从而可以降低施加电压。通过增加二次电子释放数，从而可以降低维持放电电压。为了使初始电子释放数增加，例如正在进行向保护层的MgO中添加硅(Si)或铝(Al)等的尝试(例如参照专利文献1、2、3、4、5等)。现有技术文献专利文献专利文献I JP特开2002-260535号公报专利文献2 JP特开平11-339665号公报专利文献3 JP特开2006-59779号公报专利文献4 JP特开平8-236028号公报专利文献5 JP特开平10-334809号公报

发明内容
一种PDP的制造方法，PDP具备背面板、以及在与背面板之间设置放电空间并被密封的前面板。前面板具有电介质层和覆盖电介质层的保护层。保护层包含形成于电介质层上的基底层。在基底层，氧化镁的结晶粒子多个凝集而成的凝集粒子分散配置于整个面上。基底层至少包含第I金属氧化物与第2金属氧化物。进而，基底层在X射线衍射分析中具有至少一个峰值。基底层的峰值位于第I金属氧化物的X射线衍射分析中的第I峰值和第2金属氧化物的X射线衍射分析中的第2峰值之间。第I峰值及第2峰值表示与基底层的峰值所表示的面方位相同的面方位。第I金属氧化物及第2金属氧化物是从氧化镁、氧化钙、氧化锶及氧化钡组成的群之中选择的2种。该rop的制造方法包含以下工艺。在电介质层上形成基底层。接着，通过在基底层上涂敷使凝集粒子分散了的有机溶剂，从而形成涂敷层。接着，通过对涂敷层进行减压干燥，从而至少在基底层上形成有机溶剂的覆膜。接下来，将已经形成覆膜的前面板与背面板对置配置。接着，通过加热被对置配置的前面板与背面板而使覆膜蒸发，且将凝集粒子分散配置在基底层上，进而从放电空间中排出蒸发的覆膜的成分。接着，对覆膜已被蒸发的前面板和背面板进行密封。


图I是表示实施方式涉及的rop的构造的立体图。图2是表示实施方式涉及的前面板的构成的剖视图。 图3是表示实施方式涉及的rop的制造工序的流程图。图4是表示实施方式涉及的基底膜的X射线衍射分析结果的图。图5是表示实施方式涉及的其他构成的基底膜的X射线衍射分析结果的图。图6是实施方式涉及的凝集粒子的放大图。图7是表示实施方式涉及的I3DP的放电延迟与保护层中的钙(Ca)浓度的关系的图。图8是表示该PDP涉及的电子释放性能与Vscn点亮电压的关系的图。图9是表示实施方式涉及的凝集粒子的平均粒径与电子释放性能的关系的图。图10是表示实施方式涉及的凝集粒子的平均粒径与隔壁破损概率的关系的图。图11是表示实施方式涉及的保护层形成工序的流程图。图12是表示实施方式涉及的保护层形成工序的图。
具体实施例方式[I. PDP的基本构造]PDP的基本构造是一般的交流面放电型TOP。如图I所示，PDPl将前面玻璃基板3等构成的前面板2和背面玻璃基板11等构成的背面板10对置配置。前面板2与背面板10的外周部被玻璃料等组成的密封材料进行气密密封。在被密封的ropi内部的放电空间16中以53kPa 80kPa的压力封入氖(Ne)及氙(Xe)等放电气体。在前面玻璃基板3上，扫描电极4及维持电极5构成的一对带状的显示电极6和黑条7互相平行地分别配置有多列。在前面玻璃基板3上，按照覆盖显示电极6与黑条7的方式，形成发挥作为电容器的作用的电介质层8。进而，在电介质层8的表面上形成有由氧化镁(MgO)等组成的保护层9。再有，如图2所示，本实施方式中的保护层9包含层叠于电介质层8上的基底层、即基底膜91以及附着于基底膜91上的凝集粒子92。扫描电极4及维持电极5分别在由铟锡氧化物(ITO)、二氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)等导电性金属氧化物组成的透明电极上层叠有包含Ag的总线电极。在背面玻璃基板11上，在与显示电极6正交的方向上互相平行地配置着由以银(Ag)为主成分的导电性材料组成的多个数据电极12。数据电极12被基底电介质层13覆盖。进而，在数据电极12间的基底电介质层13上形成有划分放电空间16的规定高度的隔壁14。在基底电介质层13上及隔壁14的侧面上，按照每个数据电极12，依次涂敷并形成借助紫外线而以红色发光的荧光体层15、以绿色发光的荧光体层15及以蓝色发光的荧光体层15。在显示电极6与数据电极12交叉的位置上形成有放电单元。具有排列在显示电极6方向上的红色、绿色、蓝色的荧光体层15的放电单元成为用于彩色显示的像素。另外，在本实施方式中，封入放电空间16中的放电气体包含10体积％以上、30%体积以下的Xe。[2. PDP的制造方法]接着，对TOPl的制造方法进行说明。首先，对前面板2的制造方法进行说明。如图3所示，在电极形成工序Sll中，通过光刻法在前面玻璃基板3上形成扫描电极4及维持电极5、与黑条7。扫描电极4及维持 电极5具有包含用于确保导电性的银(Ag)的金属总线电极4b、5b。再有，扫描电极4及维持电极5还具有透明电极4a、5a。金属总线电极4b层叠于透明电极4a上。金属总线电极5b层叠于透明电极5a上。在透明电极4a、5a的材料中，为了确保透明度与电导而利用铟锡氧化物(ITO)等。首先，通过溅射法等，在前面玻璃基板3上形成ITO薄膜。然后，通过平版印刷法形成规定图案的透明电极4a、5a。总线电极4b、5b的材料利用的是包含Ag、用于使Ag粘结的玻璃料、感光性树脂和溶剂等的白色膏剂。首先，通过丝网印刷法等在前面玻璃基板3上涂敷白色膏剂。接着，利用干燥炉除去白色膏剂中的溶剂。接着，隔着规定图案的光掩模，对白色膏剂进行曝光。接着，白色膏剂被显影而形成总线电极图案。最后，利用烧成炉，在规定的温度下烧成总线电极图案。也就是说，除去总线电极图案中的感光性树脂。再有，总线电极图案中的玻璃料熔融。熔融后的玻璃料在烧成后再次玻璃化。通过以上的工序,形成总线电极4b、5b o黑条7利用的是包含黑色颜料的材料。利用丝网印刷法等在显示电极6之间形成黑条7。接着，在电介质层形成工序S12中，形成电介质层8。电介质层8的材料利用的是包含电介质玻璃料、树脂和溶剂等的电介质膏剂。首先通过压模涂敷法等，按照覆盖扫描电极4、维持电极5及黑条7的方式，以规定的厚度在前面玻璃基板3上涂敷电介质膏剂。接着，利用干燥炉来除去电介质膏剂中的溶剂。最后，利用烧成炉，在规定的温度下烧成电介质膏剂。也就是说，电介质膏剂中的树脂被除去。再有，电介质玻璃料熔融。熔融后的玻璃料在烧成之后再次玻璃化。通过以上的工序S12而形成电介质层8。在此，除了对电介质膏剂进行压模涂敷的方法以外，还可以利用丝网印刷法、旋转涂敷法等。还有，也可以不利用电介质膏剂，而是通过CVD (Chemical Vapor Deposition)法等来形成作为电介质层8的膜。后述电介质层8的细节。接着，在保护层形成工序S13中，在电介质层8上形成具有基底膜91及凝集粒子92的保护层9。再有，在基底膜91上形成有机溶剂的覆膜17。后述保护层9的细节及保护层形成工序S13的细节。通过以上的工序Sll S13，在前面玻璃基板3上形成扫描电极4、维持电极5、黑条7、电介质层8、保护层9,前面板2完成。接着，对背面板制作工序S21进行说明。通过光刻法在背面玻璃基板11上形成数据电极12。数据电极12的材料利用的是包含用于确保导电性的Ag、用于使Ag粘结的玻璃料、感光性树脂以及溶剂等的数据电极膏剂。首先，通过丝网印刷法等，以规定的厚度在背面玻璃基板11上涂敷数据电极膏剂。接着，利用干燥炉除去数据电极膏剂中的溶剂。接着，隔着规定图案的光掩模来曝光数据电极膏剂。接着，数据电极膏剂被显影而形成数据电极图案。最后，利用烧成炉，在规定的温度下烧成数据电极图案。也就是说，除去数据电极图案中的感光性树脂。再有，数据电极图案中的玻璃料熔融。熔融后的玻璃料在烧成之后再次玻璃化。通过以上的工序形成数据电极12。在此，除了对数据电极膏剂进行丝网印刷的 方法以外，还可以利用溅射法、蒸镀法等。接着，形成基底电介质层13。基底电介质层13的材料利用的是包含电介质玻璃料、树脂和溶剂等的基底电介质膏剂。首先，通过丝网印刷法等，按照覆盖数据电极12的方式，以规定的厚度在已形成有数据电极12的背面玻璃基板11上涂敷基底电介质膏剂。接着，利用干燥炉来除去基底电介质膏剂中的溶剂。最后，利用烧成炉，在规定的温度下烧成基底电介质膏剂。也就是说，除去基底电介质膏剂中的树脂。再有，电介质玻璃料熔融。熔融后的玻璃料在烧成之后再次玻璃化。通过以上的工序，可形成基底电介质层13。在此，除了对基底电介质膏剂进行丝网印刷的方法以外，还可以利用压模涂敷法、旋转涂敷法等。还有，也可以不利用基底电介质膏剂，而是通过CVD法等来形成作为基底电介质层13的膜。接着，通过光刻法来形成隔壁14。隔壁14的材料利用的是包含填料、用于使填料粘结的玻璃料、感光性树脂、和溶剂等的隔壁膏剂。首先，通过压模涂敷法等，以规定的厚度在基底电介质层13上涂敷隔壁膏剂。接着，利用干燥炉来除去隔壁膏剂中的溶剂。接着，隔着规定图案的光掩模，对隔壁膏剂进行曝光。接着，隔壁膏剂被显影而形成隔壁图案。最后，利用烧成炉在规定的温度下烧成隔壁图案。也就是说，除去隔壁图案中的感光性树脂。再有，隔壁图案中的玻璃料熔融。熔融后的玻璃料在烧成之后再次玻璃化。通过以上的工序，形成隔壁14。在此，除了光刻法以外还可以利用喷砂法等。接着，形成荧光体层15。荧光体层15的材料利用的是包含荧光体、粘合剂和溶剂等的荧光体膏剂。首先，通过分配法等，以规定的厚度在邻接的隔壁14间的基底电介质层13上及隔壁14的侧面上涂敷荧光体膏剂。接着，利用干燥炉来除去荧光体膏剂中的溶剂。最后，利用烧成炉在规定的温度下烧成荧光体膏剂。也就是说，荧光体膏剂中的树脂被除去。通过以上的工序来形成荧光体层15。在此，除了分配法以外，还可以利用丝网印刷法、喷墨法等。通过以上的背面板制作工序S21，制成在背面玻璃基板11上具有规定的构成部件的背面板10。接着，在玻璃料涂敷工序S22中，通过分配法在背面板10的周围形成密封材料(未图示)。密封材料(未图示)的材料利用的是包含玻璃料、粘合剂和溶剂等的密封膏剂。然后，利用干燥炉来除去密封膏剂中的溶剂。然后，组装前面板2和背面板10。在校正工序S31中，按照使显示电极6与数据电极12正交的方式，将前面板2与背面板10对置配置。接着，在密封排气工序S32中，利用玻璃料将前面板2与背面板10的周围密封，放电空间16内被排气。通过加热前面板2与背面板10，从而覆膜17蒸发，凝集粒子92分散配置在基底膜91上。进而，蒸发的覆膜17的成分被从放电空间16排出。最后，在放电气体供给工序S33中，向放电空间16内封入包含Ne、Xe等的放电气体。通过以上的工序，制成PDP1。[3.电介质层的细节]对电介质层8详细地进行说明。电介质层8由第I电介质层81和第2电介质层82构成。第I电介质层81的电介质材料包含以下的成分。三氧化二铋(Bi2O3)为20重量％ 40重量％。从氧化钙(CaO)、氧化锶(SrO)及氧化钡(BaO)组成的群之中选择的至少I种为0. 5重量％ 12重量％。从三氧化钥(MoO3)、三氧化钨(WO3)、二氧化铈(CeO2)及二氧化锰(MnO2)组成的群之中选择的至少I种为0. I重量％ 7重量％。 另外，取代此03、冊3、0602及胞02组成的群，也可以包含0. I重量％ 7重量％的从氧化铜(CuO)、三氧化二铬(Cr2O3)、三氧化二钴(Co2O3)、七氧化二fL (V2O7)及三氧化二铺(Sb2O3)组成的群之中选择的至少I种。再有，作为上述成分以外的成分，还可以包含0重量％ 40重量％的Zn0、0重量％ 35重量％的三氧化二硼(B2O3)、0重量％ 15重量％的二氧化硅(SiO2)、0重量％ 10重量％的三氧化二铝(Al2O3)等、不含铅成分的成分。电介质材料由湿式喷射磨机或球磨机粉碎成平均粒径为0. 5 ii m 2. 5 ii m,来制作电介质材料粉末。然后，利用三根辊将55重量％ 70重量％的该电介质材料粉末、30重量％ 45重量％的粘合剂成分充分混合搅拌，制成压模涂敷用、或印刷用的第I电介质层用膏剂。粘合剂成分是乙基纤维素、或含有I重量％ 20重量％的丙烯酸树脂的萜品醇、或者丁基卡必醇乙酸酯。另外，可以根据需要，向膏剂中添加作为增塑剂的邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸二丁酯、磷酸三苯酯、磷酸三丁酯。另外，也可以添加作为分散剂的甘油单油酸酯、山梨糖醇酐倍半油酸酯、homogenoll (阴离子表面活性剂Kao Corporation公司产品名)、烧基稀丙基的憐酸酷等。若添加分散剂，则可提闻印刷特性。第I电介质层用膏剂是以覆盖显示电极6的方式通过压模涂敷法或丝网印刷法印刷在前面玻璃基板3上的。被印刷的第I电介质层用膏剂在干燥后，在比电介质材料的软化点稍高的温度、即575°C 590°C下被烧成，从而制成第I电介质层81。接着，对第2电介质层82进行说明。第2电介质层82的电介质材料包含以下的成分。Bi2O3为11重量％ 20重量％。从CaO、SrO、BaO选择的至少I种为1.6重量％ 21重量％。从Mo03、W03、Ce02选择的至少I种为0. I重量％ 7重量％。另外，也可以取代Mo03、WO3> CeO2而包含0. I重量％ 7重量％的从CuO、Cr2O3>Co2O3> V207、Sb2O3> MnO2 选择的至少 I 种。再有，作为上述成分以外的成分，也可以包含0重量％ 40重量％的Zn0、0重量％ 35重量％的B203、0重量％ 15重量％的Si02、0重量％ 10重量％的Al2O3等、不含铅成分的成分。电介质材料由湿式喷射磨机或球磨机粉碎成平均粒径为0. 5 ii m 2. 5 ii m，由此制成电介质材料粉末。然后，利用三根棍将55重量％ 70重量％的该电介质材料粉末和30重量％ 45重量％的粘合剂成分充分混合搅拌，来制作压模涂敷用、或印刷用的第2电介质层用膏剂。粘合剂成分是乙基纤维素、或含有I重量％ 20重量％的丙烯酸树脂的萜品醇、或者丁基卡必醇乙酸酯。另外，可以根据需要，向膏剂中添加作为增塑剂的邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸二丁酯、磷酸三苯酯、磷酸三丁酯。另外，也可以添加作为分散剂的甘油单油酸酯、山梨糖醇酐倍半油酸酯、homogenoll (阴离子表面活性剂Kao Corporation公司产品名)、烧基稀丙基的憐酸酷等。若添加分散剂，则可提闻印刷特性。。通过丝网印刷法或压模涂敷法，在第I电介质层81上印刷第2电介质层用膏剂。被印刷的第2电介质层用膏剂在干燥后，在比电介质材料的软化点稍高的温度、即550°C 590°C下被烧成，由此形成第2电介质层82。另外，为了确保可见光透过率，电介质层8的膜厚优选第I电介质层81与第2电
介质层82合计为41 ii m以下。为了抑制与总线电极4b、5b的Ag的反应，第I电介质层81使Bi2O3的含有量比第2电介质层82的Bi2O3的含有量还多，设为20重量％ 40重量％。于是，第I电介质层81的可见光透过率比第2电介质层82的可见光透过率还低，因此第I电介质层81的膜厚比第2电介质层82的膜厚还要薄。若Bi2O3的含有量小于11重量％，则第2电介质层82难以发生着色,但在第2电介质层82中易于产生气泡。因而，并不优选使Bi2O3的含有量小于11重量％。另一方面，若Bi2O3的含有率超过40重量％，则容易发生着色，因此可见光透过率降低。因而也不优选使Bi2O3的含有量超过40重量％。再有，电介质层8的膜厚越小，则亮度的提高与放电电压的降低的效果就变得越显著。因而，在不会使绝缘耐压降低的范围内优选尽可能地将膜厚设定得较小。从以上的观点来看，在本实施方式中，将电介质层8的膜厚设定为41iim以下，将第I电介质层81设为5 ii m 15 ii m、将第2电介质层82设为20 y m 36 y m。可以确认如上这样制造出的PDPl，即便在显示电极6中利用了 Ag材料，也可以抑制前面玻璃基板3的着色现象(黄变)、及电介质层8中的气泡的产生等，可以实现绝缘耐压性能优越的电介质层8。接着，对在本实施方式的I3DPl中利用这些电介质材料来抑制第I电介质层81中黄变或气泡的产生的理由进行考察。即，公知通过在包含Bi2O3的电介质玻璃中添加MoO3、或 WO3,从而在 580°C 以下的低温容易生成 Ag2Mo04、Ag2Mo207、Ag2Mo4013、Ag2W04、Ag2W207、Ag2W4O13等化合物。在本实施方式中，由于电介质层8的烧成温度为550°C 590°C，所以在烧成中扩散到电介质层8中的银离子(Ag+)会与电介质层8中的MoO3、WO3XeO2、MnO2反应，生成稳定的化合物而变得稳定。即，Ag+不会被还原而是变得稳定，因此不会凝集在一起而生成胶体。因此，通过使Ag+稳定化，从而伴随于Ag的胶体化的氧的产生减少，电介质层8中的气泡的产生也会减少。另一方面，为了使这些效果有效，在包含Bi2O3的电介质玻璃中优选将Mo03、WO3>CeO2, MnO2的含有量设为0. I重量％以上，更优选为0. I重量％以上、7重量％以下。尤其是，若低于0. I重量％，则抑制黄变的效果会减小，若超过7重量％，则在玻璃上引起着色，因此不是优选的。
即，本实施方式的I3DPl的电介质层8，在与Ag材料构成的总线电极4b、5b相接的第I电介质层81中抑制黄变现象与气泡产生，通过设置在第I电介质层81上的第2电介质层82来实现高的光透过率。结果，作为电介质层8整体而言，能够实现气泡或黄变的产生极少且透过率高的rop。[4.保护层的细节]保护层9包含作为基底层的基底膜91和凝集粒子92。基底膜91至少包含第I金属氧化物和第2金属氧化物。第I金属氧化物及第2金属氧化物是从Mg0、Ca0、Sr0及BaO组成的群之中选择的2种。进而，基底膜91在X射线衍射分析中具有至少一个峰值。该峰值位于第I金属氧化物的X射线衍射分析中的第I峰值和第2金属氧化物的X射线衍射分析中的第2峰值之间。第I峰值与第2峰值表示与基底膜91的峰值所表示的面方位相同的面方位。[4-1.基底膜的细节] 在图4中示出构成本实施方式的I3DPl的保护层9的基底膜91面的X射线衍射结果。再有，图4中也示出MgO单体、CaO单体、SrO单体、及BaO单体的X射线衍射分析的结果。在图4中，横轴为布拉格衍射角(20)，纵轴为X射线衍射波的强度。衍射角的单位以将I周设为360度的度来表示,强度以任意单位(arbitrary unit)来表示。以带括号的形式示出特定方位面、即结晶方位面。如图4所示，在(111)的面方位中，CaO单体在衍射角32. 2度具有峰值。MgO单体在衍射角36. 9度具有峰值。SrO单体在衍射角30. 0度具有峰值。BaO单体在衍射角27. 9度具有峰值。在本实施方式的I3DPl中，保护层9的基底膜91包含有从MgO、CaO、SrO及BaO组成的群之中选择的至少2种以上的金属氧化物。在图4中示出构成基底膜91的单体成分为2种成分的情况下的X射线衍射结果。A点是作为单体成分而利用MgO与CaO的单体来形成的基底膜91的X射线衍射结果。B点是作为单体成分而利用MgO与SrO的单体来形成的基底膜91的X射线衍射结果。C点是作为单体成分而利用MgO与BaO的单体来形成的基底膜91的X射线衍射结果。如图4所示，A点在(111)的面方位中，在衍射角36. I度具有峰值。成为第I金属氧化物的MgO单体在衍射角36. 9度具有峰值。成为第2金属氧化物的CaO单体在衍射角32. 2度具有峰值。即，A点的峰值存在于MgO单体的峰值与CaO单体的峰值之间。同样，B点的峰值为衍射角35. 7度,存在于成为第I金属氧化物的MgO单体的峰值和成为第2金属氧化物的SrO单体的峰值之间。C点的峰值为衍射角35. 4度，也存在于成为第I金属氧化物的MgO单体的峰值和成为第2金属氧化物的BaO单体的峰值之间。再有，在图5中示出构成基底膜91的单体成分为3种成分以上时的X射线衍射结果。D点是作为单体成分而利用Mg0、Ca0及SrO来形成的基底膜91的X射线衍射结果。E点是作为单体成分而利用MgO、CaO及BaO来形成的基底膜91的X射线衍射结果。F点是作为单体成分而利用CaO、SrO及BaO来形成的基底膜91的X射线衍射结果。如图5所示，关于D点，在(111)的面方位中，在衍射角33. 4度具有峰值。成为第I金属氧化物的MgO单体在衍射角36. 9度具有峰值。成为第2金属氧化物的SrO单体在衍射角30. 0度具有峰值。即，D点的峰值存在于MgO单体的峰值和SrO单体的峰值之间。同样，E点的峰值为衍射角32. 8度,存在于成为第I金属氧化物的MgO单体的峰值和成为第2金属氧化物的BaO单体的峰值之间。F点的峰值为衍射角30. 2度，也存在于成为第I金属氧化物的CaO单体的峰值和成为第2金属氧化物的BaO单体的峰值之间。因此，本实施方式的I3DPl的基底膜91至少包含第I金属氧化物和第2金属氧化物。进而，基底膜91在X射线衍射分析中具有至少一个峰值。该峰值位于第I金属氧化物的X射线衍射分析中的第I峰值和第2金属氧化物的X射线衍射分析中的第2峰值之间。第I峰值和第2峰值表不与基底膜91的峰值所表不的面方位相同的面方位。第I金属氧化物及第2金属氧化物是从MgO、CaO、SrO及BaO组成的群之中选择的2种。另外，在上述的说明中，作为结晶的面方位面，虽然以(111)为对象进行了说明，但即便在将其他面方位作为对象的情况下，金属氧化物的峰值的位置也与上述是同样的。CaO、SrO及BaO的距离真空度(vacuum level)的深度,和MgO相比存在于较浅的 区域内。因而，在驱动I3DPl的情况下，认为当存在于Ca0、Sr0、Ba0的能级中的电子向Xe离子的基态跃迁之际，基于俄歇效应而被释放的电子数，与从MgO的能级开始跃迁时相比会有所增多。再有，如上所述，本实施方式的基底膜91的峰值位于第I金属氧化物的峰值和第2金属氧化物的峰值之间。即，认为基底膜91的能级存在于单体的金属氧化物之间，基于俄歇效应而被释放的电子数，与从MgO的能级开始跃迁时相比有所增多。结果，在基底膜91中，与MgO单体相比，可以发挥良好的二次电子释放特性，由此可以降低维持电压。因而，尤其是在为了提高亮度而提高了作为放电气体的Xe分压的情况下，能够实现降低了放电电压、低电压且高亮度的PDPI。表I中表示在本实施方式的I3DPl中封入60kPa的Xe及Ne的混合气体(Xe、15%)并改变了基底膜91的构成时的维持电压的结果。表I
权利要求
1.一种等离子显示面板的制造方法， 该等离子显示面板具备背面板、以及与所述背面板之间设置放电空间并被密封的前面板， 所述前面板具有电介质层和覆盖所述电介质层的保护层， 所述保护层包含形成于所述电介质层上的基底层， 在所述基底层上，由氧化镁的结晶粒子多个凝集而成的凝集粒子分散配置在整个面上， 所述基底层至少包含第I金属氧化物与第2金属氧化物， 进而，所述基底层在X射线衍射分析中具有至少一个峰值， 所述峰值位于第I金属氧化物的X射线衍射分析中的第I峰值和第2金属氧化物的X射线衍射分析中的第2峰值之间， 所述第I峰值及所述第2峰值表示与所述峰值所表示的面方位相同的面方位， 所述第I金属氧化物及所述第2金属氧化物是从氧化镁、氧化钙、氧化锶及氧化钡组成的群之中选择的2种， 在该制造方法中， 在所述电介质层上形成所述基底层； 接着，通过在所述基底层上涂敷使所述凝集粒子分散了的有机溶剂而形成涂敷层；接着，通过对所述涂敷层进行减压干燥，从而至少在所述基底层上形成所述有机溶剂的覆膜； 接下来，将已形成所述覆膜的前面板与所述背面板对置配置； 接着，通过加热被对置配置的前面板与背面板而使所述覆膜蒸发，且将所述凝集粒子分散配置在所述基底层上，进而从所述放电空间中排出蒸发的覆膜的成分； 接着，对所述覆膜已被蒸发的前面板和所述背面板进行密封。
2.根据权利要求I所述的等离子显示面板的制造方法，其中， 通过对所述涂敷层减压至50Pa以下的压力进行干燥，从而至少在所述基底层上形成所述有机溶剂的覆膜。
3.根据权利要求2所述的等离子显示面板的制造方法，其中， 通过对所述涂敷层在5分钟以内从大气压减压至50Pa以下的压力进行干燥，从而至少在所述基底层上形成所述有机溶剂的覆膜。
4.根据权利要求I所述的等离子显示面板的制造方法，其中， 通过对被对置配置的前面板与背面板进行加热且对所述放电空间进行排气，从而使所述覆膜蒸发，且在所述基底层上分散配置所述凝集粒子，进而从所述放电空间中排出蒸发的覆膜的成分。
5.根据权利要求I所述的等离子显示面板的制造方法，其中， 仅在所述基底层的表面形成所述有机溶剂的覆膜。
6.根据权利要求I所述的等离子显示面板的制造方法，其中， 至少在所述基底层上形成平均膜厚为Inm以上、50nm以下的所述有机溶剂的覆膜。
7.根据权利要求I所述的等离子显示面板的制造方法，其中， 通过在所述基底层上涂敷使所述凝集粒子分散了的有机溶剂，从而形成平均膜厚为8nm以上、12nm以下的涂敷层 。
全文摘要
本发明提供一种包括有包含金属氧化物的基底层和分散配置在基底层上的凝集粒子的等离子显示面板的制造方法，该方法包含以下的工艺。在电介质层上形成基底层。接着，通过在基底层上涂敷使凝集粒子分散了的有机溶剂，从而形成涂敷层。接着，通过对涂敷层进行减压干燥，从而至少在基底层上形成有机溶剂的覆膜。接下来，将已经形成覆膜的前面板与背面板对置配置。接着，通过加热被对置配置的前面板与背面板而使覆膜蒸发，且将凝集粒子分散配置在基底层上，进而从放电空间中排出蒸发的覆膜的成分。接着，对覆膜已被蒸发的前面板和背面板进行密封。
文档编号H01J11/12GK102822936SQ20118001615
公开日2012年12月12日 申请日期2011年3月16日 优先权日2010年3月26日
发明者武田英治, 辻田卓司, 桥本润, 后藤真志 申请人:松下电器产业株式会社