专利名称：线放电加工方法、半导体晶片制造方法以及太阳能电池用单元制造方法
技术领域：
专利文献1:特开平9-248719号公报 专利文献2:特开平9-253935号/〉才艮 非专利文献1:电气加工学会志Vol.34， No.75， 2000 非专利文献2:电气加工学会志VoUO， No.65， 1996
、铌、钽等哪种金属都可以。
0039另外，如图8所示即使使用一边以掠过已整形为薄板形的 晶片的受光面的方式移动线电极一边发生放电加工了表面的晶片也 能够起到和上述同样的效果。如果采用该结构，则对于已形成为薄板 形状的晶片因为能够形成具有微细的凹凸的绒面形状，所以不仅可以 用于进行从硅块中切片加工晶片，也能够用于如带状结晶拉晶方式等那样不是切片工序的方式制造的晶片。
[0040此外，不仅是线放电加工，也可以利用如图9所示那样4吏 用了固体的工具电极8进行电火花放电加工。如果采用该结构，因为 对整个受光面一并执行来自工具电极的金属材料的附着，所以可以高 速处理。另外，也可以不是图9所示那样的四方形的工具电极，而是 在绕中心轴旋转的圆柱电极的侧面上发生放电，具有加工屑容易排出 的优点。
[0041I在以上的说明中说明了太阳能电池用单元是硅的情况，但 并不需要限于硅，如在本实施方式中说明的那样，对于伴随放电加工， 并且对该加工表面实施绒面工序来说，全部能够适用本实施方式的发 明，能够起到和本实施方式所述的效果相同的效果。对于在实施方式 1中规定的线放电加工中的条件和加工对象物的范围当适用了本实施 方式的发明的情况下，通过第0033段中记载的理由，其效果特别显 著。
权利要求
1.一种线放电加工方法，通过在线电极上施加脉冲宽度大于等于1μsec且小于等于4μsec、并且线电极在加工时的峰值电流大于等于10A且小于等于50A的脉冲电压，在上述线电极与具有大于等于0.5Ω·cm且小于等于5Ω·cm的电阻率的加工对象物之间发生放电脉冲，对上述加工对象物进行加工。
2. 根据权利要求1所述的线放电加工方法，其特征在于在以 短的周期重复了脉冲电压的施加后，将设置不施加电压的期间的脉冲 组波形施加在线电极上。
3. 根据权利要求2所述的线放电加工方法，其特征在于将不 施加电压的期间设定得比以短周期重复一组脉冲电压施加的期间长。
4. 一种半导体晶片制造方法，其特征在于通过在线电极上施 加脉冲宽度大于等于ljisec且小于等于4psec、并且线电极在加工时 的峰值电流大于等于10A且小于等于50A的脉沖电压，在上述线由 极与具有大于等于0.5ft.cm且小于等于5!l'cm的电阻率的半导体材料 之间发生放电脉冲，对上述半导体材料进行切片加工以制造薄板形的 半导体晶片。
5. 根据权利要求4所述的半导体晶片制造方法，其特征在于 半导体材料是P型硅，将该P型硅的电位设定得比线电极的电位高来 发生放电。
6. 根据权利要求4或者5所述的半导体晶片制造方法，其特征 在于在以短的周期重复了一组脉沖电压的施加后，将设置不施加电 压的期间的脉冲组波形施加在线电极上。
7. 根据权利要求6所述的半导体晶片制造方法，其特征在于 将不施加电压的期间设定得比以短的周期重复一組脉沖电压施加的 期间长。
8. —种太阳能电池用单元制造方法，通过在线电极上施加脉冲 宽度大于等于ljisec且小于等于4jisec、并且线电极在加工时的峰值电流大于等于10A且小于等于50A的脉沖电压，在上述线电极与经 历了扩散工序而成为n +层的太阳能电池用硅晶片的侧面之间发生放 电脉冲，经由通过实施除去上述n+层的加工来分离受光面与背面的扩 散层的pn分离工序来制造太阳能电池用单元。
9. 根据权利要求8所述的太阳能电池用单元制造方法，其特征 在于作为n+层的除去加工对象的太阳能电池用硅晶片的侧面包括将 多个该太阳能电池用硅晶片的受光面一侧相重叠而形成的上述太阳 能电池用硅晶片的多个侧面。
10. —种太阳能电池用单元制造方法，其特征在于在对太阳能 电池用半导体晶片的受光面实施了放电加工后，将附着在上述太阳能 电池用半导体晶片加工面上的金属成分用作掩模来实施绒面工序。
11. 根据权利要求10所述的太阳能电池用单元制造方法，其特 征在于在受光面上实施的放电加工是使用通过在线电极上施加脉冲 宽度大于等于lfisec且小于等于4,ec、并且线电极在加工时的峰值 电流大于等于10A且小于等于50A的脉沖电压，在上述线电极鸟符 有大于等于0.5Q.cm且小于等于5Q.cm的电阻率的太阳能电池用半导 体晶片之间发生放电脉冲的线放电加工。
12. 根据权利要求11所述的太阳能电池用单元制造方法，其特 征在于在太阳能电池用半导体晶片的受光面上施加的放电加工是在 用于形成太阳能电池用半导体晶片的太阳能电池用半导体材料的切 片工序中使用的线放电加工。
13. 根据权利要求10至12的任意一项所述的太阳能电池用单元 制造方法，其特征在于在绒面工序中实施使用了混酸的刻蚀处理。
14. 根据权利要求10至12的任意一项所述的太阳能电池用单元 制造方法，其特征在于在绒面工序中实施反应性离子刻蚀处理。
全文摘要
本发明涉及对太阳能电池用硅等的不良导体的线放电加工方法，和基于该线放电加工方法的半导体晶片制造方法以及太阳能电池用单元制造方法。本发明提供通过在线电极上施加脉冲宽度大于等于1μsec且小于等于4μsec、并且线电极在加工时的峰值电流大于等于10A且小于等于50A的脉冲电压，在上述线电极与加工对象物之间发生放电脉冲，对大于等于0.5Ω·cm且小于等于5Ω·cm的高电阻率硬脆材料进行放电加工的方法。
文档编号B23H7/02GK101309770SQ20058005209
公开日2008年11月19日 申请日期2005年11月16日 优先权日2005年11月16日
发明者今井祥人, 佐藤达志, 前川武之, 千代知子, 坂田刚志, 岩田高明, 松野繁, 西本阳一郎, 高桥悌史 申请人:三菱电机株式会社