基板层激光开孔方法及应用于该方法的基板的制作方法
【专利摘要】本发明涉及基板层激光开孔方法及应用于该方法的基板，该方法的步骤包括：S1：将基板进行黑氧化处理；S2：对基板进行激光钻孔。本发明通过将基板黑氧化处理的方式使得基板表面的铜箔能够吸收大量的激光，所述大量激光转化后的热量能够将铜箔融化，达到一次性将铜箔和有机介层都烧蚀掉的效果，流程短、成本低；且本发明省略了刻蚀的工艺步骤，利用激光钻孔机直接定位钻孔，不会出现定位偏差，进而导致开孔位置不准确的问题。
【专利说明】基板层激光开孔方法及应用于该方法的基板
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种基板层激光开孔的方法及应用于该方法的基板。
【背景技术】
[0002]目前,ELIC (任意层互连,英文全称:Every layer inner connect)产品在做基板层激光开孔时，其流程如图1a至Id所示，具体地，如图1a所示，所述基板原始状态包括上下两层的铜箔1，两层铜箔I之间为有机介层2 ;首先，需在上层铜箔I上刻蚀出窗口 3，如图1b所示；再利用激光钻孔机对准所述窗口 3发射激光4进行烧蚀，如图1c所示；最终，烧蚀后的基板形成微导孔5，如图1d所示。
[0003]众所周知，在刻蚀处理过程中，至少需要前处理、设置感光材料、曝光、显影、刻蚀、去膜等工艺步骤，流程长、成本高；另外，在刻蚀过程中，干膜、底片的伸缩变形会导致开孔位置不精确，影响整个基板层激光开孔的质量。
【发明内容】
[0004]本发明提供一种基板层激光开孔方法及应用于该方法的基板，以解决现有的基板层激光开孔方法流程长、成本高以及开孔位置精度不足的问题。
[0005]为解决上述技术问题，本发明提供基板层激光开孔方法，其步骤包括:
[0006]S1:将基板进行黑氧化处理；
[0007]S2:对基板进彳T激光钻孔。
[0008]较佳地，所述基板包括上层铜箔和底层铜箔，所述上层铜箔和底层铜箔之间设有有机介层，所述上层铜箔的厚度小于所述底层铜箔的厚度。
[0009]较佳地，在S2步骤中，以所述上层铜箔为入射面对基板进行激光钻孔。
[0010]较佳地，所述上层铜箔的厚度在12微米以下，所述底层铜箔的厚度在17微米以上。
[0011]本发明还提供了一种用于上述的基板层激光开孔方法的基板，所述基板包括上层铜箔和底层铜箔，所述上层铜箔和底层铜箔之间设有有机介层，所述上层铜箔的厚度小于所述底层铜箔的厚度。
[0012]较佳地，所述上层铜箔的厚度在12微米以下，所述底层铜箔的厚度在17微米以上。
[0013]本发明提供的基板层激光开孔方法及应用于该方法的基板，该方法的步骤包括:S1:将基板进行黑氧化处理；S2:对基板进行激光钻孔。本发明通过将基板黑氧化处理的方式使得基板表面的铜箔能够吸收大量的激光，所述大量激光转化后的热量能够将铜箔融化，达到一次性将铜箔和有机介层都烧蚀掉的效果，流程短、成本低；且本发明省略了刻蚀的工艺步骤，利用激光钻孔机直接定位钻孔，不会出现定位偏差，进而导致开孔位置不准确的问题。【专利附图】
【附图说明】
[0014]图1a至Id为现有的基板层激光开孔方法中各步骤中基板的状态示意图；
[0015]图2为本发明一【具体实施方式】的基板层激光开孔方法的流程图；
[0016]图3a至3d为本发明一【具体实施方式】的基板层激光开孔方法中各步骤中基板的状态示意图。
[0017]图1a至Id中:1-铜箔、2_有机介层、3-窗口、4_激光、5_微导孔；
[0018]图2至3d中:10_上层铜箔、20-有机介层、30-底层铜箔、40-黑化层、50-激光、60-微导孔。
【具体实施方式】
[0019]为了更详尽的表述上述发明的技术方案，以下列举出具体的实施例来证明技术效果；需要强调的是，这些实施例用于说明本发明而不限于限制本发明的范围。
[0020]请参考图2和图3a至3d，本发明提供的基板层激光开孔方法，其步骤包括:
[0021]S1:将基板进行黑氧化(Black Oxide)处理，具体地，该步骤中需将整个基板浸入黑氧化溶液中，所述黑氧化溶液的具体成分和配比均采用现有技术，此处不再赘述，进行黑氧化处理后，基板的上下表面会产生黑化层40，可以消除表面反光。
[0022]S2:对基板进行激光50钻孔，具体地，直接利用激光钻孔机对准定位好的位置发射激光4进行烧蚀，由于基板表面的铜箔上覆盖有消除表面反光的黑化层40，所述黑化层40能够大量吸收激光50，激光50转化为足够的热量将上层铜箔10烧蚀掉，达到一次性将上层铜箔10和有机介层20都烧蚀掉的效果，最终形成微导孔60，流程短、成本低；且本发明省略了刻蚀的工艺步骤，利用激光钻孔机直接定位钻孔，不会出现定位偏差，进而导致开孔位置不准确的问题。
[0023]较佳地，请重点参考图3a，所述基板包括上层铜箔10和底层铜箔30，所述上层铜箔10和底层铜箔30之间设有有机介层20，所述上层铜箔10的厚度小于所述底层铜箔30的厚度，在S2步骤中，以所述上层铜箔10 (即厚度较薄的一层铜箔)为入射面对基板进行激光钻孔，具体地，现有技术中基板上下层铜箔的厚度均为18微米，可通过采用药水腐蚀的方式将上层铜箔10减薄；较佳地，所述上层铜箔10的厚度在12微米以下，以确保激光50能够顺利将上层铜箔10烧蚀掉；所述底层铜箔30的厚度在17微米以上，避免底层铜箔30也被激光50穿透，造成不良。
[0024]需要说明的是，采用激光开孔方式时，需要对烧蚀后产生的烧渣等杂质进行清理，在清理的过程中也需将基板上剩余的黑化层40清理掉，避免影响后续的电镀等流程，进而影响基板品质。
[0025]本发明还提供了一种用于上述的基板层激光开孔方法的基板，所述基板包括上层铜箔10和底层铜箔30，所述上层铜箔10和底层铜箔30之间设有有机介层20，所述上层铜箔10的厚度小于所述底层铜箔30的厚度。
[0026]较佳地，所述上层铜箔20的厚度在12微米以下，所述底层铜箔30的厚度在17微米以上。
[0027]综上所述，本发明提供的基板层激光开孔方法及应用于该方法的基板，该方法的步骤包括:S1:将基板进行黑氧化处理；S2:对基板进行激光钻孔。本发明通过将基板黑氧化处理的方式使得基板表面的铜箔能够吸收大量的激光，所述大量激光转化后的热量能够将铜箔融化，达到一次性将铜箔和有机介层20都烧蚀掉的效果，流程短、成本低；且本发明省略了刻蚀的工艺步骤，利用激光钻孔机直接定位钻孔，不会出现定位偏差，进而导致开孔位置不准确的问题。
[0028]显然，本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包括这些改动和变型在内。
【权利要求】
1.一种基板层激光开孔方法，其特征在于，其步骤包括: S1:将基板进行黑氧化处理； S2:对基板进行激光钻孔。
2.如权利要求1所述的基板层激光开孔方法，其特征在于，所述基板包括上层铜箔和底层铜箔，所述上层铜箔和底层铜箔之间设有有机介层，所述上层铜箔的厚度小于所述底层铜箔的厚度。
3.如权利要求2所述的基板层激光开孔方法，其特征在于，在S2步骤中，以所述上层铜箔为入射面对基板进行激光钻孔。
4.如权利要求2或3所述的基板层激光开孔方法，其特征在于，所述上层铜箔的厚度在12微米以下，所述底层铜箔的厚度在17微米以上。
5.一种用于权利要求1所述的基板层激光开孔方法的基板，其特征在于，所述基板包括上层铜箔和底层铜箔，所述上层铜箔和底层铜箔之间设有有机介层，所述上层铜箔的厚度小于所述底层铜箔的厚度。
6.如权利要求5所述的基板，其特征在于，所述上层铜箔的厚度在12微米以下，所述底层铜箔的厚度在17微米以上。
【文档编号】B23K26/382GK103659000SQ201310601711
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2013年11月25日 优先权日:2013年11月25日
【发明者】彭栋纯, 吕鹏, 武金柱, 朱小磊, 孙连顺 申请人:昆山鼎鑫电子有限公司