专利名称：成膜装置及成膜方法
技术领域：
本发明涉及利用等离子体进行成膜的成膜装置以及成膜方法，特别是涉及谋求提高成膜速率的成膜装置及成膜方法。
背景技术：
汽车及两轮摩托车等的前灯(front lamp)、后灯(rear lamp)中使用的反射器是按照以下顺序层叠构成的，即在例如由塑料等构成的衬底上依次层叠由涂漆及六甲基二硅氧烷(hexamethyl disiloxane)等构成的底涂层膜、由Al等金属构成的反射膜、由六甲基二硅氧烷等构成的外保护膜。
在制造这样的反射器时，首先涂底漆并形成底涂层膜，或者采用等离子体聚合成膜装置，在衬底上通过等离子体聚合的方法形成底涂层膜。之后，利用溅射成膜装置进行磁控溅射，在所述底涂层膜上形成反射膜。接着，再度采用等离子体聚合成膜装置，在所述反射膜上通过等离子体聚合方法形成外保护膜。
如上所述，在利用等离子体聚合方法形成底涂层膜以及外保护膜时，聚合反应的反应速率小，因此形成所希望的膜厚的膜比较费时间。因此，制造反射器的过程中，生产节奏缓慢。
又，在制造反射器时，如上所述分别采用不同的装置进行等离子体聚合成膜和磁控溅射成膜，因此需要在装置之间进行衬底的输送等，从而生产节奏更加缓慢。
本发明是为了解决上述课题而完成的，其目的在于提供能够谋求提高生产节奏的成膜装置及成膜方法。
发明内容
为了达到上述目的，本发明的成膜装置及成膜方法是在真空室内产生等离子体，采用所述等离子体在衬底的表面利用等离子体聚合方法进行成膜的成膜装置及成膜方法，具备产生发生所述等离子体用的高频电压的高频电源、所述真空室内排气用的排气装置、向所述真空室内提供产生所述等离子体用的等离子体源气体的等离子体源气体供给装置、对所述真空室的所述等离子体源气体的压力进行调整，以产生反应模式(reactive mode)的所述等离子体的控制装置、向所述真空室内提供所述等离子体聚合的聚合原料的原料供给装置、连接于所述高频电源，进行产生所述等离子体用的放电的阴极和阳极、以及在所述阴极的周围产生磁场的磁场产生装置。
如果采用这样的构成，成膜时在阴极的周围产生磁场，因此，等离子体的电子被该磁场所捕集，同时离子聚集在一起。因此，等离子体的密度增大，从而可以提高等离子体聚合成膜的成膜速率。特别是，在这种情况下即使施加的电压低，也可以实现高成膜速率。因此，可以实现高生产节奏。
所述控制装置可以通过调整由所述等离子体源气体供给装置向所述真空室内提供的所述等离子体源气体的流量从而调整所述等离子体源气体的压力，或者也可以通过控制所述排气装置，调整所述真空室内的真空度从而调整所述等离子体源气体的相对压力。
如果采用这样的构成，容易调整等离子体源气体的压力。
所述真空室内还具有磁控溅射成膜用的溅射靶，所述控制装置在采用磁控溅射方法成膜时，也可以调整所述真空室内的所述等离子体源气体的压力，产生金属模式的所述等离子体。
如果采用这样的构成，在同一装置内，不仅进行等离子体聚合成膜，也可以进行磁控溅射成膜。而且即使在磁控溅射成膜中，也可以实现高成膜速率。另外，可以通过调整真空内的等离子体源气体的压力，方便地进行等离子体聚合成膜与磁控溅射成膜之间的切换。可以这样实施两种成膜的装置能够谋求降低装置的成本，同时能够谋求装置的小型化。还有，特别是在连续进行等离子体聚合成膜和磁控溅射成膜的情况下，可以在同一装置内连续进行不同方法的成膜，因此无需像在不同装置中进行各种成膜时那样，在装置之间输送衬底，因此可以谋求生产节奏的提高。
也可以成对设置所述阴极，将所述1对阴极连接于公共的所述高频电源。
在这样的构成中，由于成对设置所述阴极，各阴极交替形成放电的正极和负极。因此，可以使与高频电源接通的电能增加，因此可以谋求在等离子体聚合成膜以及磁控溅射成膜中进一步提高成膜速率。
所述真空室也可以由导电性构件构成，将所述高频电压施加于所述1对阴极之间，利用真空室连接电路，与所述高频电压的极性变化相对应，选择所述1对阴极中作为正极发挥作用的阴极与所述真空室电连接。
该构成中，正极的面积增大，因此可以防止Al成膜时泛黄。
所述真空室连接电路最好是形成能够将所述1对阴极与所述真空室之间在电气上断开的结构。
如果采用这样的构成，可以只选择防止泛黄所必要的金属模式，使阴极和真空室之间电连接。
也可以设置多个所述阴极对。如果采用这样的构成，可以进一步提高成膜速率。
也可以还具备对配置所述阴极进行所述成膜的所述真空室内的反应部连续地提供连续膜状的所述衬底的开卷辊和卷拢辊。
如果采用这样的构成，可以连续对反应部提供衬底进行连续成膜。在这里，如上所述，可以谋求用这样构成的装置，在等离子体聚合成膜及磁控溅射成膜过程中提高成膜速率，从而可以以高速度提供衬底。因此，该装置可以对整个衬底快速进行成膜，从而加快生产节奏。
也可以所述反应部分为所述衬底的供给方向上行侧的第1反应部和所述衬底供给方向下行方的第2反应部，将连接于第1所述高频电源的所述阴极设置在所述第1反应部，同时将连接于第2所述高频电源的所述阴极设置在所述第2反应部，利用所述控制装置分别独立地调整所述第1反应部以及所述第2反应部的各所述等离子体源气体的压力，以此在所述第1及第2反应部分别独立地产生反应模式或金属模式的所述等离子体。
如果采用这样的构成，通过在各反应室中分别产生所希望的模式的等离子体，可以任意选择进行等离子体聚合成膜及磁控溅射成膜中的任意一种成膜。而且，特别是通过在各反应部中产生不同模式的等离子体，可以对每个反应室进行不同的成膜。在例如，在第1反应部产生反应模式的等离子体进行等离子体聚合成膜，在第2反应部产生金属模式的等离子体进行磁控溅射成膜的情况下，在第1反应部形成的等离子体聚合成膜的第1膜上，利用在第2反应部通过磁控溅射成膜的方法形成第2膜。因此，可以以一行的形式形成成膜方法不同的多个膜，从而提高生产节奏。
所述等离子体源气体供给装置各自独立地将所述等离子体源气体供给所述第1及第2反应部，所述控制装置，通过控制所述等离子体源气体供给装置，对每个反应部分别独立地调整供给所述第1及第2反应部的所述等离子体源气体的供给流量，因此也可以分别独立地调整各所述第1及第2反应部中的所述等离子体源气体的压力。另外，所述排气装置分别独立地进行所述第1及第2反应部的排气，所述控制装置对所述排气装置进行控制，从而对每个反应部分别独立地调整所述第1及所述第2反应部的真空度，以此也可以分别独立地调整所述第1及第2反应部中的所述等离子体源气体的压力。
如果采用这样的构成，容易分别独立地对第1及第2反应部进行等离子体源气体的压力调整。
本发明的上述目的、其他目的、特征以及优点，可以在参考附图的情况下从以下的最佳实施方式的详细说明中更加清楚了解。
图1是本发明实施方式1的成膜装置的结构的示意图。
图2是真空室内的O2气体的压力与磁控溅射成膜的成膜速率的关系图。
图3是示出图1的成膜装置中的等离子体聚合的情形的示意图。
图4是图3的等离子体聚合的反应式。
图5是示出本发明实施方式3的成膜装置的构成的示意图。
图6是示出本发明实施方式4的成膜装置的构成的示意图。
图7是示意表示本发明实施方式5的成膜装置的侧部剖面图。
图8是示意表示本发明实施方式5的变性例的成膜装置的构成的侧部剖面图。
图9是示出本发明的实施方式6的成膜装置的构成的示意图。
最佳实施方式下面参考附图对本发明的实施方式进行说明。
实施方式1
图1是本发明实施方式1的成膜装置的构成的示意图。如图1所示，成膜装置具有由导电性构件组成的真空室1、将成膜原料及等离子体源气体提供给真空室1用的原料供给装置2及供给路径3、控制原料供给装置2的控制装置25、进行真空室内的排气的排气装置14及排气路径4、阴极5、设置在阴极5背面(真空室外部一侧的面)的永久磁铁10、以及衬底保持架7。供给路径3及排气路径4与真空室内连通。另外，排气装置14采用例如扩散泵等。
这里，阴极5由Cu构成，一部分向真空室外部突出，其余部分配置在真空室内。基板保持架7配置在真空室1内，受到固定在真空室底面的支持结构(未图示)的支持而且可以旋转，并且平行地配置在真空室的底面。基板7保持架可以由导电性构件构成，也可以由非导电性构件构成。在由导电性构件构成的情况下，可以防止成膜时的异常放电。
阴极5的向真空室外部的突出部(以下称为“背面侧”)上连接电缆，通过该电缆使阴极5与高频(HF)电源11连接。这里，将绝缘构件(未图示)插入真空室1与阴极5之间，使两者绝缘。从而，在该成膜装置中使真空室1成为阳极。另外，使HF电源11及真空室1分别接地。再者，这里是对真空室1作为阳极发挥作用的情况进行说明，但是除此以外的构成也可以是另外设置阳极的构成。例如，也可以将平板状的电极作为阳极设置在真空室1内。或者通过使衬底保持架7在真空室1中电气悬浮(电气绝缘)，同时使高频冷端子与该衬底保持架7连接，这样也可以使衬底保持架7作为阳极发挥作用。
将永久磁铁10配置在阴极5的背面。对于永久磁铁10的配置，具体地说，配置数、配置位置、磁铁形状等，没有特别限定，但最好是适当地进行设定，如在后述的等离子体聚合成膜时，在阴极5的周围形成能够使等离子体的离子有效地集中的磁力线。也可以将例如环状或者棒状的永久磁铁10单独地配置在阴极5的背面中央，或者还可以沿着阴极5的外围分散配置多个永久磁铁10。
下面对该成膜装置的成膜动作进行说明。这里对采用成膜装置，使六甲基二硅氧烷(hexamethyl disiloxane，以下称“HMDSO”)等离子体聚合，进行等离子体聚合成膜，在由聚酰亚胺构成的衬底8上形成HMDSO膜的情况进行说明。
如图1所示，在形成HMDSO膜时，首先，将聚酰亚胺衬底(以下简称“衬底”)8安装在衬底保持架7上。这时，假定使原料供给装置2、排气装置14以及HF电源11处于停止状态。而且，在阴极5的背面配置永久磁铁10，因而在阴极5的周围通常产生磁场50。其后，使排气装置14动作，通过排气路径4进行真空室1内的排气，使真空室内处于规定的真空状态(例如5.0×10-3Pa)。
如上所述，在真空室内排气之后，由原料供给装置2通过供给路径3对真空室1内供给作为等离子体源的O2。这里，在成膜装置中，根据真空室内的作为等离子体源的O2气体的压力，决定真空室内产生的等离子体是磁控溅射还是等离子体聚合中使用的等离子体。以下将磁控溅射中使用的等离子体的状态称为金属模式，将聚合反应中使用的等离子体的状态称为反应模式。
图2是示意地示出真空室内的O2气体的压力与真空室内进行的磁控溅射成膜的成膜速率之间的关系的图。如图2所示，真空室内的O2气体的压力在规定压力A(例如2.0×10-1Pa)以下时，真空室内产生金属模式的等离子体，因此，利用该等离子体对构成阴极5的Cu进行磁控溅射，从而在衬底表面上形成Cu膜。另外，O2气体的压力在规定压力B(例如5.0Pa)以上时，在真空室内产生反应模式的等离子体，因此，可以采用该等离子体只进行等离子体聚合，而不溅射阴极5。此外，O2气体的压力在规定压力A与规定压力B之间(例如2.0×10-1Pa～5.0Pa)的范围时，产生的等离子体能够取等离子体金属模式和反应模式两种状态。
这样，根据作为等离子体源的O2气体的压力选择成膜方法，因此这里将真空室内的O2气体的压力调整到规定压力B以上，以在真空室内进行等离子体聚合成膜。调整真空室内的O2气体的压力的方法，在这里具体是采用控制装置25控制作为O2气体的供给源的原料供给装置2，调整供给真空室内的O2气体的供给量。再者，除调整O2气体的供给量外，有控制排气装置14从而调整真空室内的真空度，并且对真空室内的O2气体的相对压力进行调整的方法等。这样，通过对真空室内的O2气体的压力进行调整，如下所述在成膜装置中可以产生反应模式的等离子体。
然后，使衬底保持架7旋转从而使聚酰亚胺衬底8旋转，同时使HF电源11工作，通过电缆将HF电压、即20kHz以上350kHz以下的高频电压提供给阴极5和真空室1。因此，在阴极5与真空室1之间产生辉光放电，真空室1内的O2气体电离成离子和电子，从而形成反应模式的等离子体。
接着，用该反应模式的等离子体，进行等离子体聚合成膜。等离子体聚合成膜中，首先，在产生等离子体的状态下，由原料供给装置2通过供给路径3向真空室内供给作为等离子体聚合的反应原料的HMDSO气体。在得到HMDSO气体供给的真空室内进行如下所述的等离子体聚合反应。
图3是示出HMDSO的等离子体聚合反应的情形的示意图。图4是聚合反应式。如图3以及图4所示，HMDSO单体粒子受到等离子体激发，被离子化和激化(激活)，该被激化的HMDSO单体通过游离基聚合反应，成为HMDSO的聚合物。该HMDSO聚合物在衬底8的表面扩散并堆积。以此在衬底8的表面形成由HMDSO聚合物组成的HMDSO膜。在这样的游离基聚合反应中，在HMDSO的主链系方向(横向)进行聚合，同时也在分支链系方向(纵向)聚合。因此，通过这样在纵向和横向两个方向聚合，在成膜的HMDSO膜中，即使膜厚变薄也可以实现高强度。
这里，在进行所述的聚合时，由于永久磁铁10的缘故，在阴极5的周围产生磁场50。因此，等离子体的电子51被该磁场50所捕集，与此伴随的是离子聚集在一起，离子浓度增大，因此等离子体的密度增大。以此可以有效地促进聚合原料的离子化和激化，其结果是，与不产生磁场的情形相比，可以有效地谋求等离子体聚合成膜的成膜速率的提高。因此，本实施方式的装置中，可以有效地谋求生产节奏的提高。另外，在该构成中，即使施加在阴极5上的电压低，也可以实现高成膜速率，从而可以实现高生产效率。
再者，在上述情况是利用HF即20kHz～350kHz的高频进行等离子体聚合成膜，但作为本实施方式的变形例，也可以利用RF(即13.56kHz)的高频进行等离子体聚合成膜。
实施方式2本发明实施方式2的成膜装置具有与实施方式1的成膜装置相同的构成。因此下面参照图1对本实施方式进行说明。本实施方式的成膜装置与实施方式1的成膜装置同样进行等离子体聚合。而且，如下所述该成膜装置还利用在真空室内产生金属模式的等离子体进行磁控溅射成膜。
即在该成膜装置中，在等离子体聚合成膜时，如在实施方式1所述那样，通过调整真空室内的O2气体的压力并设定为规定压力B以上，以产生反应模式的等离子体，以此进行等离子体聚合成膜并形成HMDSO膜。另一方面，在磁控溅射成膜时，停止供给HMDSO，同时调整真空室内的O2气体的压力，设定为规定压力A以下(参考图2)，以使真空室内产生的等离子体成为金属模式。这里，通过用控制装置25控制原料供给装置2，将提供给真空室内的O2气体的流量调整为少于等离子体聚合成膜时的量并调整O2气体的压力。
通过这样在真空室内产生金属模式的等离子体，用该等离子体进行磁控溅射成膜。这里，由Cu组成的阴极5并非仅仅是作为电极发挥作用，还可以作为磁控溅射成膜的溅射靶发挥作用。下面对磁控溅射进行详细说明，首先，金属模式的等离子体的电子51被阴极5的周围产生的磁场50所捕集，与此伴随的是离子集中在阴极5的周围，等离子体的密度增大。然后，该离子撞击作为溅射靶的阴极5，因此使Cu原子从阴极5弹出，从而使Cu原子向衬底表面扩散并堆积形成Cu膜。
如上所述，本实施方式的成膜装置可以适用于等离子体聚合成膜和磁控溅射成膜的两者，而且在两种成膜中，可以实现高成膜速率。尤其是，在这里通过调整真空室内的O2气体的压力，可以轻易地切换成膜的方法，因此无需做成复杂的结构。
该成膜装置对仅仅进行等离子体聚合成膜的情况以及仅仅进行磁控溅射成膜的情况也有效，但是对连续进行等离子体聚合成膜和磁控溅射成膜的情况，例如依次在衬底8上形成HMDSO膜和Cu膜的情况等特别有效。在这种情况下，可以用1个装置连续进行不同方法的成膜，因此无需像利用各不相同的装置分别进行各成膜那样在装置之间进行衬底输送的工序。因此，能够谋求进一步提高生产节奏，同时能够谋求降低装置的成本，谋求装置的小型化。另外，若用公共的阴极5进行等离子体聚合成膜和磁控溅射成膜，则可以在磁控溅射成膜时将等离子体聚合成膜时附着在阴极5上的污垢去除。因此，可以抑制等离子体聚合成膜时附着在阴极5上的污垢对电极的影响，保持良好的电极特性。
实施方式3图5是示出本发明实施方式3的成膜装置的构成的示意图。本实施方式的成膜装置具有与实施方式1的成膜装置相同的结构，不同点是阴极成对配置。
即本实施方式的成膜装置具有由Cu构成的一对阴极5A、5B，将各阴极5A、5B的一部分配置在真空室内，同时将其余部分配置在真空室外部。利用绝缘构件使阴极5A、5B与真空室1绝缘。将阴极5A、5B配置成相对衬底保持架7的直径的延长线45对称，而且阴极5A、5B的主面的法线相对所述延长线45倾斜规定角度配置。将该阴极5A、5B的倾斜角度θA、θB设定为最适合等离子体聚合成膜以及磁控聚合成膜的角度，例如在15°左右。通过电缆将各阴极5A、5B连接于公共的HF电源11。再者，本实施方式中，HF电源11的1对输出端子与地面(接地端子)绝缘。另外，在各阴极5A、5B的背面分别设置永久磁铁10a、10b。
在该成膜装置中，与实施方式1的情况一样地进行等离子体聚合成膜，但以下几点不同于实施方式1。即这里在等离子体聚合成膜时通过电缆由HF电源11将HF电压提供给阴极5A、5B，借助于此，阴极5A、5B交替驱动形成交替放电的负极和正极，在阴极5A、5B之间进行辉光放电，产生反应模式的等离子体。利用该反应模式的等离子体只进行等离子体聚合成膜，以此形成HMDSO膜。
这里，如上所述，在本实施方式的装置中，阴极5A、5B交替驱动，因此与阴极为1个的情况相比，能够接通HF电源11的电能(功率；Power)增大。因此，可以增大接通HF电源11的功率，其结果是，可以进一步有效地提高等离子体聚合成膜时的成膜速率。因此，可以进一步谋求缩短成膜时间，从而，除了实施方式1中所述的效果之外，还可以进一步谋求生产节奏的提高，无需使装置的构成发生大改变。另外，通过使用成对的阴极5A、5B，也可以溅射绝缘物。
又，本实施方式的成膜装置中，如实施方式2所述那样，调整真空室内的O2气体的压力，在真空室内产生金属模式的等离子体，从而可以将阴极5A、5B作为溅射靶进行磁控溅射成膜。进行这样的磁控溅射成膜时，与上述的等离子体聚合成膜的情况相同，阴极5A、5B交替驱动形成交替放电的负极和正极，以此在阴极5A、5B之间进行磁控放电，产生金属模式的等离子体。用该等离子体溅射作为溅射靶的阴极5A、5B，进行磁控溅射成膜，形成Cu膜。该磁控溅射成膜中，和上述的等离子体聚合的情况相同，成对地设置阴极5A、5B，因此与阴极为1个的情况相比，能够接通HF电源11的电能(功率；Power)增大。因此可以增大接通HF电源11的功率，其结果是，可以进一步有效地提高磁控溅射成膜时的成膜速率。
这样，在本实施方式的成膜装置中，可以得到实施方式2中所述的效果，同时由于采用1对阴极5A、5B，在两种成膜方法中可以实现更高的成膜率。因此，与阴极为1个的情况相比，可以谋求进一步缩短成膜时间以及生产节奏更进一步的提高。
作为本实施方式的变形例，作为溅射靶的阴极5A以及阴极5B也可以分别由不同的材料构成。这种情况下，可以通过磁控溅射形成包含不同元素的多元素膜。
实施方式4图6是示出本发明实施方式4的成膜装置的构成的示意图。如图6所示，本实施方式的成膜装置与成对配设阴极的实施方式3具有同样的构成，但在配置多组阴极对这点上不同。
即本实施方式的成膜装置中，在真空室1的外部除设置HF电源11之外，还设置HF电源11’，并且设置连接HF电源11的1对阴极5A、5B以及连接HF电源11’的1对阴极5C、5D。这些阴极5A～5D由Cu构成，在其背面分别设置10a、10b、10’c和10’d。
阴极5C和阴极5D相对于作为阴极5A和阴极5B的对称轴的上述衬底保持架7的直径的延长线45对称。而且，和阴极5A、5B相同，一部分设置在真空室内，同时其余部分设置在真空室外部，并且，阴极5C、5D的主面的法线配置成相对上述延长线45倾斜规定角度。将该倾斜角度设定成在等离子体聚合成膜以及磁控溅射成膜中最合适的角度，例如15°左右。这里，阴极5A、5B的上述倾斜角度与阴极5C、5D的上述倾斜角度相等。又利用绝缘构件使阴极5C、5D与真空室1绝缘。而且通过电缆将各阴极5C、5D连接于HF电源11’。
阴极5A和阴极5C相对于与上述阴极5C、5D的对称轴正交的衬底保持架7的直径的延长线对称。另外，阴极5B和阴极5D相对于5A、5C的对称轴对称。因此，将2对阴极5A、5B与5C、5D配置成夹着衬底保持架7且相互对置。
在本实施方式的成膜装置中，如下所述进行等离子体聚合成膜。首先，在等离子体聚合成膜时，通过电缆由HF电源11将高频电压提供给阴极5A、5B，同时通过电缆由HF电源11’将高频电压提供给阴极5C、5D。因此，阴极5A、5B交替驱动，交替形成放电的负极和正极，在阴极5A、5B进行辉光放电，产生反应模式的等离子体。又，阴极5C、5D交替驱动，交替形成放电的负极和正极，在阴极5C、5D进行辉光放电，产生反应模式的等离子体。然后，利用该反应模式的等离子体进行等离子体聚合成膜，形成HMDSO膜。在这样的等离子体聚合成膜中，如实施方式3中所述，由于阴极5A、5B成对，因此可以使接入HF电源11的电能增多。另外，对于阴极5C、5D，也同样能够增大电能。因此，在使用多组阴极对的等离子体聚合成膜中，可以谋求进一步提高成膜速率，例如可以在短时间内制造出膜厚大的膜。
又，本实施方式的成膜装置，与实施方式3的情况相同，如下所述进行，可以将各阴极5A～5D作为溅射靶进行磁控溅射成膜。也就是说，在该成膜装置中进行磁控溅射成膜时，与上述等离子体聚合成膜的情况相同，阴极5A、5B交替驱动，交替形成放电的负极和正极，以此在阴极5A、5B之间进行磁控放电，产生金属模式的等离子体，又，阴极5C、5D交替驱动，交替形成放电的负极和正极，以此在阴极5C、5D间进行磁控放电，产生金属模式的等离子体。然后，利用该金属模式的等离子体使作为溅射靶的阴极5A～5D溅射，进行磁控溅射成膜，形成Cu膜。在这样的磁控溅射成膜中，在实施方式3中如上所述，阴极5A、5B成对，因此可以使接入HF电源11的电能增大，又，对于阴极5C、5D，也可以同样增大电能。因此，在使用多组阴极对的磁控溅射成膜中，可以谋求进一步提高成膜率。
这样，在本实施方式的成膜装置中，由于采用阴极对，因此可以得到在实施方式3中所述的效果，而且由于在这里使用多组阴极对，等离子体聚合成膜以及磁控溅射成膜两者都可以实现更高的成膜速率。因此，可以谋求进一步缩短成膜时间，更进一步提高生产节奏。
再者，虽然在上面所述中对设置两组阴极对的情况进行了说明，但也可以设置两组以上的阴极对。此外，作为本实施方式的变形例，作为溅射靶的阴极5A～5D也可以由各不相同的材料构成，在这种情况下，可以通过磁控溅射成膜的方法，形成包含不同元素的多元素膜或者由不同材料组成的膜叠层的多层膜。
在上述的实施方式1～4中，阴极的配置位置并非局限于此。而且，在实施方式1～4中，虽然对配置衬底保持架7并在其上安装衬底8的构成进行了说明，但也可以采用例如将旋转轴安装于衬底本身，使衬底8能够旋转的结构，而不设置衬底保持架7。
实施方式5图7是示意表示本发明的实施方式5的成膜装置的构成的侧剖面图。如图7所示，本实施方式的成膜装置是具有两组阴极对的辊涂(roll coater)式装置，具备内部设置衬底输送结构13的真空室1、对衬底输送结构13进行旋转驱动的旋转驱动装置12、将成膜原料及等离子体源气体提供给真空室内的反应室20用的原料供给装置2和供给路径3、控制原料供给装置2的控制装置25、对真空室内进行抽气用的排气装置14和排气路径4、以及通过电缆分别连接配置在反应室20的阴极对5A、5B和5C、5D的HF电源11、11’。HF电源11、11’以及真空室1分别接地。
用隔板22对真空室1的内部进行区分，以此形成反应室20。反应室20通过供给路径3与原料供给装置2连接，并配置两组阴极对5A、5B和5C、5D。在该反应室20中，如下所述进行等离子体聚合成膜。配置在反应室20的各阴极5A～5D由Cu构成，具有沿着后述的滚筒(can roll)17的旋转轴延伸的矩形。这样的阴极5A～5D沿着滚筒17的滚筒面配置，利用例如支持结构(未图示)支持于真空室1的侧壁。在各阴极5A～5D的背面(即与滚筒17相反的一侧的面)配置永久磁铁10a、10b、10’c、10’d。永久磁铁10a、10b、10’c、10’d的配置没有特别限定，但最好是进行适当的配置，以在阴极5A～5D的周围形成可以有效地捕集等离子体中的电子，提高等离子体密度的磁力线。
又，在真空室内设置使卷绕的膜状连续衬底8’流向反应室20的衬底输送结构13。具体地说，衬底输送结构13由把旋转着将衬底8’送往反应室20的开卷辊15、将由开卷辊15送出的衬底8’导向滚筒17的旋转自如的发送侧导向辊16、配置成与反应室20对置，并且从背面(即成膜面的相反侧的面)接触支撑衬底8’，使衬底8’的表面(成膜面)与阴极5A～5D对置的，旋转自如的滚筒17、夹着滚筒17在水平方向上与发送侧导向辊16对置，卷绕通过滚筒17的衬底8’，将其卷绕辊19的旋转自如的卷绕侧导向辊18、以及夹着滚筒17在水平方向上与开卷辊15对置，并且旋转以卷绕衬底8’的卷绕辊19构成。
开卷辊15和卷绕辊19具有相同形状，发送侧导向辊16和卷绕侧导向辊18具有相同的形状。与反应室20对应形成大直径的滚筒17，使反应室20与衬底8’之间的对置的面积增大。又将开卷辊15和卷绕辊19连接到设置在真空室外部的旋转驱动装置12。旋转驱动装置12具备电动机(未图示)，通过控制该电动机的旋转，对开卷辊15和卷绕辊19的旋转进行控制。以此对衬底8’的输送速度及张力进行调整。发送侧以及卷绕侧导向辊16、18和滚筒17相应于开卷辊15及卷绕辊19旋转输送的衬底8’的动作旋转。将冷却衬底8’用的冷却盘管21配置在滚筒17的内部。各辊15～19由绝缘性构件构成，两端利用例如支持结构(未图示)支持于真空室1的侧壁。各辊15～19配置得使旋转轴水平。
下面对用该成膜装置进行等离子体聚合成膜的情况进行说明。在等离子体聚合成膜时，首先将衬底8’配置在开卷辊15上，同时，经过发送侧导向辊16、滚筒17以及卷绕侧导向辊18，将该衬底8’张挂在卷绕辊19上。这时，使原料供给装置2、排气装置14以及HF电源11、11’处于停止状态。接着，使排气装置14动作，通过排气路径4进行排气，使真空室内处于规定的真空状态(例如5.0×10-3Pa)。
接着，由原料供给装置2通过供给路径3对反应室20供给作为等离子体源的O2，气体。在这里，如上所述，为了产生等离子体聚合中使用的反应模式的等离子体，控制装置25控制原料供给装置2，调整O2气体的供给流量，使反应室20内的O2气体的压力达到规定压力B以上。
接着，使HF电源11、11’工作，通过电缆将HF电压提供给各阴极5A～5D。因此，与实施方式4的情况相同，在反应室20中，在阴极5A、5B之间以及阴极5D、5C之间产生辉光放电，从而产生反应模式的等离子体。然后，在产生这样的等离子体的情况下，由原料供给装置2通过供给路径3对反应室20供给HMDSO气体。然后，通过使旋转驱动装置12动作，使开卷辊15和卷绕辊19旋转，从开卷辊15一侧连续地向卷绕辊19一侧输送衬底8’。
如上所述，在反应室20产生反应模式的等离子体，因此，通过对反应室20供给HMDSO气体，能够进行等离子体聚合成膜。以此在通过反应室20的衬底8’的表面上形成HMDSO膜。然后，利用衬底输送结构13连续地将衬底8’提供给进行等离子体聚合成膜的反应室20，从而可以在膜状衬底8’上连续地形成HMDSO膜。
在这里，若反应室20中的等离子体聚合成膜时的成膜速率不高，则用上述那样的衬底输送结构13进行连续成膜(具体地说为滚涂式)的构成无法使用，但在本实施方式的成膜装置中，可以如实施方式4中所述，利用配置在阴极5A～5D背面的永久磁铁10a、10b、10’c、10’d谋求成膜速率的提高，同时也可以通过采用多组成对的阴极使成膜速率提高，因此可以使用这样的构成。而且，由于可以这样进行连续成膜，因此在本实施方式的成膜装置中，可以有效地谋求生产效率的提高。
另外，在本实施方式的成膜装置中，与实施方式4的情况相同，不限于进行上述的等离子体聚合成膜，还可以进行磁控溅射成膜。例如，在卷绕辊19一侧暂且对通过上述的等离子体聚合成膜连续形成HMDSO膜的衬底8’进行卷绕，其后，重新配置在开卷辊15上。这时，将衬底8’配置成HMDSO膜形成的面与反应室20相对。然后，在使排气装置14动作对真空室排气之后，使原料供给装置2动作，提供O2气体。在这里，在进行磁控溅射成膜时，利用控制装置25对原料供给装置2进行控制，使反应室20内产生金属模式的等离子体，又调整O2气体的供给流量，将反应室20内的O2气体的压力调整为规定压力A以下。
接着，使HF电源11、11’工作，通过电缆对各阴极5A～5D提供HF电压。因此，在反应室20中，与实施方式4的情况相同，在阴极5A、5B间以及阴极5D、5C间产生磁控放电，形成金属模式的等离子体。然后，在产生该等离子体的情况下，使旋转驱动装置12动作，以此使开卷辊15和卷绕辊19旋转，从开卷辊15一侧连续向卷绕辊19一侧输送衬底8’。在反应室20中，利用金属模式的等离子体溅射作为溅射靶的阴极5A～5D，以此还在上述HMDSO膜上利用磁控溅射方法形成Cu膜。然后，通过对进行磁控成膜的反应室20连续提供衬底8’，可以在膜状衬底8’上连续形成Cu膜。
在这里，如实施方式4中所述，将永久磁铁10a、10b、10’c、10’d配置在阴极5A～5D的背面，同时，利用在设置多组阴极对5A、5B和5C、5D的装置的构成，可以在上述磁控溅射成膜的过程中有效地谋求成膜率的提高，因此能够使用要求高成膜率的辊涂式的结构。而且，采用滚涂式的成膜装置，可以在膜状的衬底8’上连续进行成膜，因而可以有效地谋求生产效率的提高。
如以上所述，采用本实施方式的成膜装置，可以用相同的装置进行等离子体聚合成膜和磁控溅射成膜，而且，两种成膜方法可以实现高成膜率。特别是采用这样的滚涂式结构的情况下，可以利用衬底输送机构13连续地向反应室20提供衬底8’，因此可以实现高生产效率。
以上对同时用两对阴极5A、5B、5C、5D进行等离子体聚合成膜或者磁控溅射成膜的情况进行了说明，但除此之外，作为本实施方式的变形例，也可以用例如衬底输送方向上行侧的阴极对5A、5B，利用等离子体聚合成膜的方法形成HMDSO膜，而且，与此同时，也可以采用下行侧的阴极对5C、5D，在从上行侧(即阴极5A、5B侧)输送来的衬底8’的HMDSO膜上利用磁控溅射成膜方法形成Cu膜。以下对变形例进行详细说明。
图8是本实施方式的变形例的成膜装置的构成的侧部剖面示意图。如图8所示，本例的成膜装置具有和图7的成膜装置相同的构成，但以下几点不同。即本例中，将位于衬底输送方向上行侧的第1的反应室20a和位于下行侧的第2反应室20b设置在真空室内，将1对阴极5A、5B配置在第1反应室20a，将1对阴极5C、5D配置在第2反应室20b。此外，除了设置进行整个真空室的排气用的排气装置14以及排气路径4外，还分别设置进行第1反应室20a的排气用的排气装置14a以及排气路径4a和进行第2反应室20b的排气用的排气装置14b以及排气路径4b。排气装置14a、14b使用例如涡轮分子泵等。又在第1反应室20a设置提供HMDSO和O2气体的原料供给装置2a以及供给路径3a，同时在第2反应室20b设置提供O2气体的原料供给装置2b以及供给路径3b。然后，利用控制装置25控制原料供给装置2a、2b以及排气装置14a、14b。
上述构成的成膜装置中，在第1以及第2反应室20a、20b中，可以如下所述各自独立地调整O2气体的压力。以此可在第1反应室20a产生反应模式的等离子体，在第2反应室20b产生金属模式的等离子体。即本例的装置中，在第1以及第2反应室20a、20b中分别配设排气装置14a、14b，因此可以用控制装置25分别独立控制各排气装置14a、14b，以此能够对每一反应室进行真空度调整，而且在第1以及第2反应室20a、20b分别设置原料供给装置2a、2b，因此通过使用控制装置25分别独立地对各原料供给装置2a、2b进行控制，可以对每个反应室调整O2气体的供给流量。这样，在第1以及第2反应室20a、20b中，通过分别独立地调整真空度以及O2气体供给流量，以此可以在各反应室20a、20b分别独立地调整O2气体的压力。因此，在这里，在第1反应室20a中，将O2气体的压力设定在规定压力B以上，以产生反应模式的等离子体，另一方面，在第2反应室20b中，将O2气体的压力设定在规定压力A以下，以产生金属模式的等离子体。
采用这样的构成，在第1反应室20a中，利用采用反应模式的等离子体的等离子体聚合成膜的方法，可以形成HMDSO膜。另一方面，在第2反应室20b中，利用采用金属模式的等离子体的磁控溅射成膜的方法，可以形成Cu膜。而且，通过向第2反应室20b连续提供经过第1反应室20a的衬底8’，可以在第2反应室20b中，使Cu膜形成于在第1反应室20a中形成的HMDSO膜上。因此，采用本例的装置，可以用1条流水线形成层叠有HMDSO膜和Cu膜的多层膜。
本实施方式及其变形例中，阴极的配置(位置及配置数等)并非局限于上述情况。也可以是例如与衬底相比将阴极配置在装置的中心一侧的结构。这时，在配置阴极的一侧的衬底表面上形成膜。另外，也可以如实施方式1所述，单独配置阴极而不成对设置。或者也可以配置两对或两对以上的阴极对。还有，也可以沿着衬底输送方向设置两个或两个以上的反应室。
实施方式6采用实施方式3，可以如上述得到高成膜速率。然而，实施方式3中，在金属模式中形成Al膜时，存在形成的膜泛黄的问题。更正确地说，虽然可以不泛黄的成膜，但不产生那样的泛黄的成膜条件的范围狭窄，因此容易偏移该条件而泛黄。
本件发明人对该泛黄的原因进行分析后得出的结果表明，根据在通常的DC溅射成膜(用1个阴极，并且使阴极以及真空室分别作为负极及正极发挥作用的溅射成膜)中不发生泛黄，而在实施方式3中发生泛黄的事实，得出该泛黄是由于通常的DC溅射成膜与实施方式3之间在构成上存在不同，即放电时的正极的面积小所致的结论。可以认为是，若正极的面积小，则易于发现作为正极发挥作用的阴极5A、5B的反应性，因此发生泛黄。因此，通过扩大金属模式的放电时的正极的面积，可以防止泛黄。
本发明的实施方式6是举例说明防止这种泛黄的实施方式。
图9是本发明实施方式6的成膜装置的构成的示意图。图9中，与图5相同的符号表示相同或者相当的部分。
图9中，在本实施方式中，设置真空室连接电路31，使一对阴极5A、5B在其正极时分别与真空室1电连接。其他方面与实施方式3相同。
真空室连接电路31由一对二极管D1、D2和通/断开关SW构成。具体地说，使二极管D1的p侧端子连接于HF电源11的一个输出端子与阴极5A之间的配线上，使二极管D2的p侧端子连接于HF电源11的另一个输出端子与阴极5B之间的配线上。然后，通过通/断开关SW使二极管D1以及二极管D2的n侧端子与真空室1连接。通过手动或者未图示的控制装置的控制使通/断开关SW动作。
接着，对如上所述构成的真空成膜装置的动作进行说明。
在反应模式的整个期间，使通/断开关SW维持在断开状态。以此使阴极5A、5B与真空室1电气断开。
另一方面，在金属模式的整个期间，使通/断开关SW维持在导通状态。然后，利用HF电源将HF电压施加于阴极5A、5B上，则在阴极5A为正极且阴极5B为负极时，二极管D1导通，同时二极管D2断开。以此使阴极5A与真空室1电连接，使阴极5B与真空室1电断开。这样，阴极5A以及真空室1作为正极发挥作用，另一方面，阴极5B作为负极发挥作用，在阴极5A及真空室1与阴极5B之间产生放电。
另一方面，在阴极5B为正极且阴极5A为负极时，二极管D2导通，同时二极管D1断开，因此使阴极5B与真空室1电连接，使阴极5A与真空室1电断开。这样，阴极5B以及真空室1作为正极发挥作用，另一方面阴极5A作为负极发挥作用，在阴极5B及真空室1与阴极5A之间产生放电。
这样，阴极5A及阴极5B都作为正极发挥作用时，真空室1也同时作为正极发挥作用。因此，在金属模式的放电中，正极具有较大的面积，其结果是，即使进行Al的成膜时，也可以防止其泛黄。
再者，真空室连接电路31并非局限于上述的构成，也可以是使一对阴极5A、5B在其正极时分别与真空室1电气连接。也可以如下所述构成真空室连接电路31，即例如，通过一对通/断开关SW使阴极5A、5B连接于真空室1，根据HF电压极性交替接通/断开地控制这一对通/断开关SW。
在上述的实施方式1～6中，虽然是在阴极的背面设置永久磁铁，但也可以采用在例如阴极的内部设置永久磁铁的结构，另外，产生磁场的手段并非局限于永久磁铁，也可以使用例如电磁铁。还有，最好是在磁控溅射成膜过程中，对永久磁铁及电磁铁等磁场发生手段进行配置，使得溅射靶消耗部分(erosion；侵蚀)的形状均等。
又，在上述的实施方式1～6中，对O2气体用作等离子体源气体的情况进行了说明，但除O2气体之外，也可以将Ar气体等作为等离子体源气体提供，这时，通过调整所提供的等离子体源气体的压力，可以选择产生的等离子体的模式。
另外，在上面所述中已经对使用本发明的成膜装置，利用等离子体聚合成膜的方法形成HMDSO膜的情况进行了说明，但即使在形成除此以外的等离子体聚合膜，例如由六甲基二硅烷基胺(hexamethyl disilazane；HMDS)、六甲基乙硅烷(hexamethyl disilane；HMDSN)、以及三甲氧基硅烷(trimethoxysilane；TMS)等的等离子体聚合物构成的有机硅化合物膜的情况下，本发明的成膜装置也有效。而且，本发明的成膜装置，除了利用磁控溅射成膜方法形成Cu膜之外，即使在形成例如Al膜、Ti膜、Cr膜、SUS膜等的情况下也有效。还有，在上面所述中，虽然已经对进行等离子体聚合成膜之后进行磁控溅射成膜的情况进行了说明，但等离子体聚合成膜和磁控溅射成膜的顺序并非局限于此，也可以在进行磁控溅射成膜之后进行等离子体聚合成膜。另外，也可以交替重复进行这些成膜方法。
根据上述说明，本发明的很多改良和其他实施方式对于所属技术领域的技术人员来说已很清楚。因此，上述说明应只是作为范例解释，提供的目的是向所属技术领域的技术人员演示实行本发明的最佳方式。可以实质性地变更其结构以及/或者功能的细节而无需脱离本发明的精神。
产业上利用的可能性本发明的成膜装置作为使用等离子体成膜的成膜装置是有用的。
本发明的成膜方法作为使用等离子体成膜的成膜方法是有用的。
权利要求
1.一种成膜装置，是在真空室内产生等离子体，利用所述等离子体在衬底的表面用聚合成膜方法进行成膜的成膜装置，其特征在于，具备产生发生所述等离子体用的高频电压的高频电源、所述真空室内排气用的排气装置、向所述真空室内提供产生所述等离子体用的等离子体源气体的等离子体源气体供给装置、对所述真空室的所述等离子体源气体的压力进行调整，以产生反应模式的所述等离子体的控制装置、向所述真空室内提供所述等离子体聚合的聚合原料的原料供给装置、连接于所述高频电源，进行产生所述等离子体用的放电的阴极和阳极、以及在所述阴极的周围产生磁场的磁场产生装置。
2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，所述控制装置通过调整由所述等离子体源气体供给装置向所述真空室内提供的所述等离子体源气体的流量，调整所述等离子体源气体的压力。
3.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，所述控制装置通过控制所述排气装置调整所述真空室内的真空度，调整所述等离子体源气体的相对压力。
4.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，所述真空室内还具有磁控溅射成膜用的溅射靶，所述控制装置在磁控溅射成膜时，调整所述真空室内的所述等离子体源气体的压力，产生金属模式的所述等离子体。
5.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，成对设置所述阴极，将所述1对阴极连接于公共的所述高频电源。
6.根据权利要求5所述的成膜装置，其特征在于，所述真空室由导电性构件构成，将所述高频电压施加于所述1对阴极之间，设置与所述高频电压的极性变化相对应选择所述1对阴极中作为正极发挥作用的阴极，与所述真空室电连接的真空室连接电路。
7.根据权利要求6所述的成膜装置，其特征在于，所述真空室连接电路形成能够将所述1对阴极与所述真空室之间在电气上断开的结构。
8.根据权利要求5所述的成膜装置，其特征在于，设置多对所述阴极对。
9.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，还具备对配置所述阴极进行所述成膜的所述真空室内的反应部连续地提供连续膜状的所述衬底的开卷辊以及卷拢辊。
10.根据权利要求9所述的成膜装置，其特征在于，所述反应部分为所述衬底的供给方向上行侧的第1反应部和所述衬底供给方向下行侧的第2反应部，将连接于第1所述高频电源的所述阴极设置在所述第1反应部，同时将连接于所述第2高频电源的所述阴极设置在所述第2反应部，利用所述控制装置分别独立地调整所述第1反应部及所述第2反应部的各所述等离子体源气体的压力，以此在所述第1及第2反应部分别独立地产生反应模式或金属模式的所述等离子体。
11.根据权利要求10所述的成膜装置，其特征在于，所述等离子体源气体供给装置分别独立地将所述等离子体源气体供给所述第1及第2反应部，所述控制装置，通过控制所述等离子体源气体供给装置，对每个反应部分别独立地调整提供给所述第1及第2反应部的所述等离子体源气体的供给流量，以此分别独立地调整各所述第1及第2反应部中的所述等离子体源气体的压力。
12.根据权利要求10所述的成膜装置，其特征在于，所述排气装置分别独立地进行所述第1及第2反应部的排气，所述控制装置对所述排气装置进行控制，从而对每个反应部分别独立地调整所述第1及所述第2反应部的真空度，以此分别独立地调整所述第1及第2反应部中的所述等离子体源气体的压力。
13.一种成膜方法，是在真空室内产生等离子体，利用所述等离子体在衬底的表面用聚合成膜方法进行成膜的成膜方法，其特征在于，具备在所述真空室内配设所述衬底的工序、对所述真空室内排气的工序、向所述真空室内提供产生所述等离子体用的等离子体源气体，同时对所述真空室的所述等离子体源气体的压力进行调整，以产生反应模式的等离子体的工序、向所述真空室内配设的阴极和阳极提供高频电压，从所述等离子体源气体产生所述反应模式的等离子体的工序、向所述真空室内提供所述等离子体聚合的聚合原料的工序、以及一边使所述阴极的周围产生磁场一边用所述反应模式的等离子体，利用所述等离子体聚合进行所述成膜的工序。
14.根据权利要求13所述的成膜方法，其特征在于，还具备在所述真空室内配置磁控溅射成膜用的溅射靶的工序、调整所述真空室内的所述等离子体源气体的压力，以发生金属模式的等离子体的工序、对配设于所述真空室内的所述阴极和所述阳极提供高频电压，以从所述等离子体源气体产生所述金属模式的等离子体的工序、以及一边使所述阴极的周围产生磁场一边用所述金属模式的等离子体，使所述溅射靶溅射，进行磁控溅射成膜的工序。
15.根据权利要求13所述的成膜方法，其特征在于，在调整所述等离子体源气体的压力的工序中，调整所述等离子体源气体的供给量，以此进行所述压力调整。
16.根据权利要求13所述的成膜方法，其特征在于，在调整所述等离子体源气体的压力的工序中，控制所述排气工序的排气量，调整所述真空室内的真空度，以此调整所述真空室内的所述等离子体源气体的相对压力。
17.根据权利要求13所述的成膜方法，其特征在于，成对设置所述阴极，将所述一对阴极连接于公共的所述高频电源上。
18.根据权利要求17所述的成膜方法，其特征在于，所述真空室由导电性构件构成，将所述高频电压施加于所述1对阴极之间，利用真空室连接电路，与所述高频电压的极性变化相对应选择所述1对阴极中作为正极发挥作用的阴极，与所述真空室电连接。
19.根据权利要求18所述的成膜方法，其特征在于，所述真空室连接电路形成能够将所述1对阴极与所述真空室之间在电气上断开的结构。
20.根据权利要求17所述的成膜方法，其特征在于，设置多对所述阴极对。
21.根据权利要求13所述的成膜方法，其特征在于，所述衬底是连续膜状的衬底，还具备对配置所述阴极进行所述成膜的所述真空室内的反应部连续地提供所述衬底的衬底供给工序。
22.根据权利要求21所述的成膜方法，其特征在于，将所述反应部分为所述衬底的供给方向上行侧的第1反应部和所述衬底供给方向下行侧的第2反应部，将连接于第1所述高频电源的所述阴极设置于所述第1反应部，同时将连接于所述第2高频电源的所述阴极设置在所述第2反应部，在调整所述等离子体源气体的压力的工序中，对所述第1和第2反应部，分别独立地调整该气体的压力。
23.根据权利要求22所述的成膜方法，其特征在于，在对所述等离子体源气体的压力的调整工序中，对提供给所述第1和第2反应部的所述等离子体源气体的供给流量，对所述第1及第2反应部分别独立地进行调整，以此对所述第1和第2反应部独立地调整所述第1和所述第2反应部的各等离子体源气体的压力。
24.根据权利要求22所述的成膜方法，其特征在于，在所述排气工序中，所述第1和第2反应部的排气分别独立进行，在调整所述等离子体源气的压力的工序中，分别独立控制所述排气工序中所述第1和所述第2反应部各自的排气量，对所述第1反应部和所述第2反应部分别独立地调整真空度，以此调整所述真空室内的所述等离子体源气体的相对压力。
全文摘要
本发明的成膜装置及方法是由HF电源(11)对背面配置有永久磁铁(10)的阴极(5)提供高频电压，使其产生反应模式的等离子体，使用该等离子体进行等离子体聚合成膜。又，调整真空室(1)内的等离子体源气体的压力，产生金属模式的等离子体而非反应模式的等离子体，使用该等离子体，使作为溅射靶的阴极(5)溅射，进行磁控溅射成膜。
文档编号C23C14/00GK1701131SQ20048000079
公开日2005年11月23日 申请日期2004年5月25日 优先权日2003年5月26日
发明者能势功一, 笹川孝市, 古塚毅士, 泷川志朗, 小泉康浩 申请人:新明和工业株式会社