专利名称：壳体的制作方法及由该方法制得的壳体的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种壳体的制作方法及由该方法制得的壳体。
背景技术：
随着科技的不断进步，手机及计算机等各式电子装置也迅速发展，其功能亦愈来愈丰富。为了使电子装置的外观图案设计更加丰富多彩，传统上可通过移印、印刷或激光雕刻等方式在壳体表面形成图案，或藉由喷漆方式在电子装置的壳体表面形成图案层，使其呈现良好的外观。磁控溅射技术因其环保、制备的薄膜的外观极具金属质感等特点，在装饰性镀膜领域的应用越来越广。目前，以磁控溅射技术在电子装置的壳体上形成图案层的做法通常是先于壳体上磁控溅射一颜色层，然后激光雕刻该颜色层形成所要的图案或纹路。但是，此种方法在形成微小点状的不规则图案和纹路时，加工的效果不好，且整体上加工效率不高， 严重制约了产量的提升，限制了在电子装置壳体装饰领域的竞争力。
发明内容
鉴于此，有必要提供一种具有星芒状图案的壳体制作方法。另外，还有必要提供一种由上述方法所制得的壳体。一种壳体的制造方法，包括以下步骤提供基体；采用磁控溅射方法在基体的表面形成色彩层；在该色彩层上继续以磁控溅射方法形成图案层，在金属靶材前端设置一移动的挡板，开启靶材电源，该靶材为钛靶、铬靶或锆靶中的任一靶材，加热基体至500 800°C，调节该挡板至靶材正前方，沉积1 3分钟，使靶材原子溅射到该挡板上，并使溅射的靶材原子数量和溅射速度稳定，移开挡板，继续溅射1 5分钟后关闭靶材电源，使图案层于色彩层表面的沉积停留于形核阶段。一种由上述方法制得的壳体，该壳体包括一基体、一色彩层、一图案层，所述色彩层形成于基体的表面，所述图案层形成于色彩层的表面，所述图案层为Ti、Cr或^ 膜层。本发明壳体的制作方法在形成图案层时，通过镀膜参数的控制基体使所述图案层于色彩层表面的沉积停留于形核阶段，在高温作用下，形成图案层的靶材原子持续向形核中心扩散使核心不断长大，产生一种星芒的装饰效果基体，丰富了磁控溅射层的表面装饰效果，提高了产品的外观竞争力。
图1是本发明较佳实施例的壳体的剖视示意图。图2是本发明较佳实施例制作所述壳体的流程图。主要元件符号说明
权利要求
1.一种壳体的制作方法，其包括如下步骤提供基体；采用磁控溅射方法在基体的表面形成色彩层；在该色彩层上以磁控溅射方法形成图案层，形成所述图案层的主要步骤参数为在金属靶材前端设置一移动的挡板，该靶材为钛靶、铬靶或锆靶中的任一靶材；开启靶材电源， 加热基体至500 800°C，调节该挡板至靶材正前方，沉积1 3分钟，使靶材原子溅射到该挡板上；待溅射的靶材原子数量和溅射速度稳定后，移开挡板，靶材原子溅射至基体的色彩层上约1 5分钟后关闭靶材电源，使靶材原子于色彩层表面的沉积停留于形核阶段以形成所述图案层。
2.如权利要求1所述的壳体的制作方法，其特征在于磁控溅射形成所述图案层的工艺参数具体为靶材功率为4 9kw，对基材施加偏压为-100 -300V，占空比为30 70%。
3.如权利要求1所述的壳体的制作方法，其特征在于所述图案层为11、&或& 膜层。
4.如权利要求1所述的壳体的制作方法，其特征在于磁控溅射形成色彩层的工艺参数为靶材为钛靶、铬靶或锆靶中的任一靶材，以氩气为工作气体，镀膜腔体的温度保持在 100-2000C，钛靶的功率为4 9kw，形成色彩层的膜层为Ti-N层、Cr-N层或&-N层。
5.如权利要求1所述的壳体的制作方法，其特征在于所述方法还包括在所述图案层上磁控溅射防护层的步骤，该防护层为Al-O层、Si-O层或&-0层。
6.如权利要求1所述的壳体的制作方法，其特征在于磁控溅射所述防护层的工艺参数为以氧气为反应气体，设定氧气流量为200 150s ccm，溅射形成该防护层的时间为 5 30分钟，靶材电源功率为5 12kw，对基体施加-100 -300V的偏压，占空比为30 70%，镀膜时间5 30分钟。
7.如权利要求6所述的壳体的制作方法，其特征在于所述形成保护层的靶材为钛靶、 铝靶或锆靶。
8.如权利要求1所述的壳体的制作方法，其特征在于所述基体为玻璃、陶瓷或不锈钢。
9.一种由权利要求1-8中的任一项所述的方法制得的壳体。
全文摘要
本发明提供一种壳体的制作方法，提供基体，采用磁控溅射方法在基体的表面形成色彩层，之后，在金属靶材前端设置一移动的挡板，开启靶材电源，该靶材为钛靶、铬靶或锆靶中的任一靶材，调节该挡板至靶材正前方，沉积一定时间，使靶材原子溅射到该挡板上，并当溅射到靶材原子数量和溅射速度都稳定时，移开挡板，使靶材原子溅射到基体上，继续溅射一段时间后，关闭靶材电源，使图案层于色彩层表面的沉积停留于形核阶段，以在该色彩层上形成图案层。由上述方法所制得的壳体，该壳体包括一基体、一色彩层、一图案层，所述色彩层形成于基体的表面，所述图案层形成于色彩层的表面，所述图案层为Ti、Cr或Zr膜层。
文档编号C23C14/35GK102477527SQ201010555189
公开日2012年5月30日 申请日期2010年11月23日 优先权日2010年11月23日
发明者张 成, 张新倍, 蒋焕梧, 陈文荣, 陈正士 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司