专利名称：一种Si-SiC靶材的制作方法
技术领域：
本发明属于靶材技术领域，涉及一种用于生产氧化物、氮化物和碳化物薄膜的 Si-SiC 靶材。
背景技术：
对溅射类镀膜，简单理解为利用电子或高能激光轰击靶材，并使表面组分以原子团或离子形式被溅射出来，并且最终沉积在基片表面，经历成膜过程，最终形成薄膜。溅射镀膜又分为很多种，总体看，与蒸发镀膜的不同点在于溅射速率将成为主要参数之一。溅射镀膜中的激光溅射镀膜pld，组分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相对较差(因为是脉冲溅射)，晶向(外沿)生长的控制也比较一般。以Pld为例，因素主要有靶材与基片的晶格匹配程度、镀膜氛围(低压气体氛围)、基片温度、激光器功率、脉冲频率和溅射时间，对于不同的溅射材料和基片，最佳参数需要实验确定，是各不相同的，镀膜设备的好坏主要在于能否精确控温，能否保证好的真空度，能否保证好的真空腔清洁度。现有的溅射靶材有金属靶材如钛靶Ti、铝靶Al、锡靶Su、铪靶Hf、铅靶Pb等；有合金靶材如铁钴靶FeCo、铝硅靶AlSiJi--TiSi ；有陶瓷靶材如一氧化硅靶SiO、二氧化硅靶Si02、二氧化钛靶Ti02，三氧化二钇靶Y203、五氧化二钒靶V205、五氧化二钽靶 Ta205。上述靶材价格高，耐磨性能差。
发明内容
为了克服现有技术的上述缺点，本发明提供一种制作工艺简单、制作成本低、耐磨性能好、应用范围广的Si-SiC靶材。本发明解决其技术问题所采用的技术方法是一种Si-SiC靶材，它是一种用于生产氧化物、氮化物和碳化物薄膜的Si-SiC靶材，它的化学组分和重量配比是5-95%的Si、 95-5% 的 SiC0制备上述一种Si-SiC靶材的方法是按照上述重量配比称取Si粉末和SiC粉末， 将粒度范围为O-IOOOum的Si粉末与SiC粉末进行混合均勻后，在真空状况下或氮气或氩气或含碳原子的气体中进行烧结，烧结温度为1000-1800°C，经烧结后制得Si-SiC靶材成品。本发明的有益效果是采用Si以及SiC为原料生产Si-SiC靶材，具有制作工艺简单、制作成本低、耐磨性能好、应用范围广的优点。
具体实施例方式
下面结合实施例对本发明进一步说明。实施例1 称取重量比5%Si粉末和重量比95%SiC粉末，将粒度范围为0_200um的 Si粉末与SiC粉末进行混合均勻后，在真空状况下进行烧结，烧结温度为1700°c，经烧结后制得Si-SiC靶材成品。所制得的Si-SiC靶材密度高，能够用于生产氧化物、氮化物和碳化物薄膜。实施例2 称取重量比50%Si粉末和重量比50%SiC粉末，将粒度范围为O-IOOOum 的Si粉末与SiC粉末进行混合均勻后，在氮气气氛状况下进行烧结，烧结温度为1500°C，经烧结后制得Si-SiC靶材成品。所制得的Si-SiC靶材密度高，能够用于生产氧化物、氮化物和碳化物薄膜。实施例3 称取重量比75%Si粉末和重量比25%SiC粉末，将粒度范围为0_800um的 Si粉末与SiC粉末进行混合均勻后，在氩气气氛状况下进行烧结，烧结温度为1400°C，经烧结后制得Si-SiC靶材成品。所制得的Si-SiC靶材密度高，能够用于生产氧化物、氮化物和碳化物薄膜。实施例4 称取重量比95%Si粉末和重量比5%SiC粉末，将粒度范围为O-IOOOum的 Si粉末与SiC粉末进行混合均勻后，在碳原子气氛状况下进行烧结，烧结温度为1200°C，经烧结后制得Si-SiC靶材成品。所制得的Si-SiC靶材密度高，能够用于生产氧化物、氮化物和碳化物薄膜。本发明采用Si以及SiC为原料生产Si-SiC靶材，具有制作工艺简单、制作成本低、耐磨性能好、应用范围广的优点。
权利要求
1.一种Si-SiC靶材，其特征是它是一种用于生产氧化物、氮化物和碳化物薄膜的 Si-SiC靶材，它的化学组分和重量配比是5-95%的Si、95-5%的SiC。
2.制备如权利要求1所述的Sn-Si靶材的方法，其特征是按照上述重量配比称取Si 粉末和SiC粉末，将粒度范围为O-IOOOum的Si粉末与SiC粉末进行混合均勻后，在真空状况下或氮气或氩气或含碳原子的气体中进行烧结，烧结温度为1000-1800°C，经烧结后制得 Si-SiC靶材成品。
全文摘要
本发明涉及一种Si-SiC靶材，它是一种用于生产氧化物、氮化物和碳化物薄膜的Si-SiC靶材，它的化学组分和重量配比是5-95%的Si、95-5%的SiC。本发明采用Si以及SiC为原料生产Si-SiC靶材，具有制作工艺简单、制作成本低、耐磨性能好、应用范围广的优点。
文档编号C23C14/06GK102181837SQ20111009835
公开日2011年9月14日 申请日期2011年4月20日 优先权日2011年4月20日
发明者文宏福 申请人:韶关市欧莱高新材料有限公司