专利名称：一种适用于被动元件的双面覆膜设备的制作方法
技术领域：
—种适用于被动元件的双面覆膜设备技术领域[0001]本实用新型涉及双面覆膜技术领域，尤其是有关于一种适用于被动元件的双面覆膜设备。
背景技术：
[0002]现有的被动元件双面电极层成膜设备是由网版印刷银浆于被动元件本体的表面上，之后进行150至200摄氏度的预烤，另一面电极层亦使用相同制程，再以高温炉加热约 800至900摄氏度的高温烧结此被动元件以确保银浆附着。然而，前述设备使用网版双面印刷制程需耗时接近一小时，相对于使用双面沉积方法而言不仅耗时费工成本极高之外，对于高温制程所造成的环保问题也是一大诟病。即现有的网版双面印刷制程需高温加热达数十分钟，不但耗费能源且造成环境温度升高。发明内容[0003]有鉴于习知技术的各项问题，本实用新型基于多年研究开发与诸多实务经验，提出一种适用于被动元件的双面覆膜设备，以作为改善上述缺点的实现方式与依据。[0004]依据本实用新型的上述目的，提供一种适用于被动元件之双面覆膜设备，包括一载入腔体；[0006]一等离子清洁腔体，该载入腔体以及该等离子清洁腔体之间具有一第一闸门；[0007]—第一低压腔体，该等离子清洁腔体以及该第一低压腔体之间具有一第二闸门；[0008]一包括至少一个空间的制程腔体，该第一低压腔体以及该制程腔体之间具有第三闸门，当制程腔体包括若干个空间时，各该空间分别为第一沉积空间以及第二沉积空间，该第一沉积空间以及该第二沉积空间彼此连通，该第一沉积空间以及该第二沉积空间分别具有至少一靶材，该第一沉积空间以及该第二沉积空间选择性地包括若干个子副腔体；[0009]一第二低压腔体，该制程腔体以及该第二低压腔体之间具有一第四闸门；[0010]一载出腔体，该第二低压腔体以及该载出腔体之间具有一第五闸门；以及，[0011]一输送系统，该输送系统位于该载入腔体、该等离子清洁腔体、该第一低压腔体、 该制程腔体、该第二低压腔体以及该载出腔体的内部，该输送系统输送至少一待镀物，使得该待镀物依序通过该载入腔体、该等离子清洁腔体、该第一低压腔体、该制程腔体、该第二低压腔体以及该载出腔体，该待镀物被传输而进入该制程腔体后，该待镀物依序通过该第一沉积空间以及该第二沉积空间，尔后再进入该第二低压腔体，当该待镀物于该第一沉积空间时，该待镀物的一单一表面或若干个表面被进行一沉积制程，当该待镀物于该第二沉积空间时，该待镀物之另一单一表面或若干个表面被进行另一沉积制程，该另一单一表面与该单一表面彼此背对背对应。[0012]其中，各该空间分别为一第一缓冲空间、该第一沉积空间、该第二沉积空间以及一第二缓冲空间，该第一缓冲空间、该第一沉积空间、该第二沉积空间以及该第二缓冲空间彼此连通，该待镀物被传输而进入该制程腔体后，该待镀物依序通过该第一缓冲空间、该第一沉积空间、该第二沉积空间以及该第二缓冲空间，尔后再进入该第二低压腔体，当该待镀物于该第一缓冲空间或该第二缓冲空间时，该待镀物被进行一第一缓冲动作，第一沉积空间及第二沉积空间为辉光放电沉积腔体、蒸镀腔体、离子镀腔体、电弧镀腔体或化学气相沈积腔体，第一低压腔体及第二低压腔体之压力系介于10-2托(torr)至10_6托(torr)之间， 沉积制程为辉光放电沉积制程、蒸镀制程、离子镀制程、电弧镀制程或化学气相沈积制程。[0013]其中，该第一沉积空间具有若干个靶材时，该第一沉积空间的各该靶材的材料选择性地彼此相同或相异，该第二沉积空间具有若干个靶材时，该第二沉积空间之各该靶材之材料选择性地彼此相同或相异。[0014]其中，该第一沉积空间具有一第一靶材以及一第二靶材，该第一靶材以及该第二靶材之间具有一隔绝物，以防止进行该沉积制程时，该第一靶材以及该第二靶材彼此产生材料干扰，该第二沉积空间具有一第三靶材以及一第四靶材，该第三靶材以及该第四靶材之间具有另一隔绝物，以防止进行该另一沉积制程时，该第三靶材以及该第四靶材彼此产生材料干扰。[0015]其中，该第一靶材以及该第二靶材彼此的摆设方向呈现相同的样态，该第三靶材以及该第四靶材彼此的摆设方向呈现相同的样态，而该第一沉积空间的该第一靶材以及该第二靶材，其与该第二沉积空间的第三靶材以及该第四靶材彼此的摆设方向呈现相反的样态。[0016]其中，该第一靶材的材料为镍合金，该第二靶材的材料为铜或铜合金，该第三靶材的材料为镍合金，该第四靶材的材料为铜或铜合金。[0017]其中，该载入腔体及该等离子清洁腔体结合为一具有等离子清洁功能之载入腔体，且该制程腔体之该第一沉积空间以及该第二沉积空间之间更具有一第三缓冲空间，该第三缓冲空间、该第一沉积空间以及该第二沉积空间彼此连通，当该待镀物于该第三缓冲空间时， 该待镀物被进行一第二缓冲动作。[0018]其中，该第一沉积空间具有至少一第五靶材，当该第一沉积空间具有若干个第五靶材时，其中一部分第五靶材与其余另一部分的第五靶材的摆设方向呈现相反的样态，该第二沉积空间具有至少一第六靶材，当该第二沉积空间具有若干个第六靶材时，其中一部分第六靶材与其余另一部分的第六靶材之摆设方向呈现相反的样态。[0019]其中，该第一沉积空间之该第五靶材，其与该第二沉积空间的第六靶材彼此的摆设方向呈现相同或相反的样态。[0020]其中，该第五靶材的材料为镍合金，该第六靶材的材料为铜或铜合金。[0021]依据本实用新型的整体设计，待镀物于制程腔体内即可完成被动元件的双面覆膜之制程。因此本实用新型无需反复地进行破真空动作、抽真空动作或加热动作，进一步精简了被动元件的双面覆膜之制程周期，进而降低了制程的复杂度以及成本。另外，待镀物是于制程腔体内完成被动元件的双面覆膜的制程，即进行被动元件的双面覆膜的制程时，可维持制程腔体内低压的一致性，待镀物的双面覆膜层不易产生彼此的膜特征相异情形。此外， 待镀物可于第一缓冲空间、第二缓冲空间或第三缓冲空间内，被进行缓冲动作，可进一步增加进行双面覆膜制程时的流畅度。
[0022]图I为本实用新型第一较佳实施例的方块示意图。[0023]图2k 2C为本实用新型第一较佳实施例的运作步骤示意图。[0024]图3为本实用新型第一较佳实施例的实施样态示意图。[0025]图4为本实用新型第二较佳实施例的方块示意图。[0026]图5为本实用新型第二较佳实施例的实施样态示意图。[0027]图中1 :载入腔体、2 :等离子清洁腔体、3 :第一低压腔体、4 :制程腔体、41 :第一缓冲空间、42 :第一沉积空间、421 :第一靶材、422 :第二靶材、423 :第五靶材、43 :第二沉积空间、431 :第三靶材、432 :第四靶材、433 :第六靶材、44 :第二缓冲空间、45 :第三缓冲空间、 5 :第二低压腔体、6 :载出腔体、7 :输送系统、8 :具有等离子清洁功能之载入腔体、A :待镀物、B :靶材、C :闸门、D :隔绝物、100 101步驟、200 201步驟、300 301步驟、400 401步驟、 500步驟、600步驟、700步驟、800 801步驟、900 901步驟。
具体实施方式
[0028]以下将参照相关附图，说明本实用新型适用于被动元件的双面覆膜设备，为使便于理解，下述实施例中相同组件以相同的符号标示来说明。[0029]首先，请参阅图I所示，其为绘示第一较佳实施例的方块示意图。本实施例的适用于被动元件的双面覆膜设备包括载入腔体I、等离子清洁腔体2、第一低压腔体3、制程腔体4、第二低压腔体5、载出腔体6以及输送系统7。载入腔体I以及等离子清洁腔体2之间具有闸门。等离子清洁 腔体2以及第一低压腔体3之间具有闸门。第一低压腔体3以及制程腔体4之间具有闸门。制程腔体4以及第二低压腔体5之间具有闸门。第二低压腔体5以及载出腔体6之间具有闸门。输送系统7位于载入腔体I、等离子清洁腔体2、第一低压腔体3、制程腔体4、第二低压腔体5以及载出腔体6之内部。输送系统7可输送待镀物A(请先一并参阅图3中所示)，使得待镀物A依序通过载入腔体I、等离子清洁腔体2、第一低压腔体3、制程腔体4、第二低压腔体5以及载出腔体6。前述第一低压腔体3及第二低压腔体 5之压力系介于10-2托(torr)至10-6托(torr)之间。[0030]制程腔体4包括至少一个空间。当制程腔体包括若干个空间时，各该空间分别为第一缓冲空间41、第一沉积空间42、第二沉积空间43以及第二缓冲空间44。第一沉积空间42以及该第二沉积空间43选择性地包括若干个子副腔体。前述第一缓冲空间41、第一沉积空间42、第二沉积空间43以及第二缓冲空间44彼此连通。待镀物A被传输而进入制程腔体4后，待镀物A依序通过第一缓冲空间41、第一沉积空间42、第二沉积空间43以及第二缓冲空间44，尔后再进入第二低压腔体5。第一沉积空间42具有单个或若干个靶材B (请先一并参阅图3中所示)，当第一沉积空间42具有之靶材B为若干个时，各该靶材B之材料选择性地彼此相同或相异。同样地，第二沉积空间43具有单个或若干个靶材B，当第二沉积空间43具有之靶材B为若干个时，各该靶材之材料选择性地彼此相同或相异。前述第一沉积空间42及第二沉积空间43例如为辉光放电沉积腔体、蒸镀腔体、离子镀腔体、电弧镀腔体或化学气相沈积腔体。[0031]请再一并参阅图2A 2C所示,本实施例的运作步骤如后所述[0032]步骤100 :首先，送入待镀物于载入腔体内，并使得待镀物位于输送系统上。[0033]步骤101 :接着，进行初步抽真空动作于载入腔体。[0034]步骤200 :接着，打开载入腔体以及等离子清洁腔体之间的闸门，以使输送系统输送待镀物至等离子清洁腔体。[0035]步骤201 :接着，关闭载入腔体以及等离子清洁腔体之间的闸门，再进行等离子清洁动作于待镀物的表面。[0036]步骤300 :接着，打开等离子清洁腔体以及第一低压腔体之间的闸门，以使输送系统输送待镀物至第一低压腔体。[0037]步骤301 :接着，关闭等离子清洁腔体以及第一低压腔体之间的闸门，再进行抽高真空动作以及加热动作于第一低压腔体。[0038]步骤400 :接着，打开第一低压腔体以及制程腔体之间的闸门，以使输送系统输送待镀物至制程腔体内的第一缓冲空间。[0039]步骤401 :接着，关闭第一低压腔体以及制程腔体之间的闸门，并进行缓冲动作于待镀物。前述缓冲动作例如为于原处等待或者调整输送系统的传输速度。[0040]步骤500 :接着，使输送系统输送待镀物至制程腔体内的第一沉积空间，再进行沉积制程于待镀物的单一表面或若干个表面。[0041]前述沉积制程例如为辉光放电沉积制程、蒸镀制程、离子镀制程、电弧镀制程或化学气相沈积制程。[0042]步骤600 :接着，使输送系统输送待镀物至制程腔体内的第二沉积空间，再进行沉积制程于待镀物的另一单一表面或若干个表面。该另一表面与步骤400中该表面彼此背对背对应。[0043]前述沉积制程例如为辉光放电沉积制程、蒸镀制程、离子镀制程、电弧镀制程或化学气相沈积制程。[0044]步骤700 :接着，使输送系统输送待镀物至制程腔体内的第二缓冲空间，并进行缓冲动作于已被覆膜的待镀物。前述缓冲动作例如为于原处等待或者调整输送系统的传输速度。[0045]步骤800 :接着，打开制程腔体以及第二低压腔体之间的闸门，以使输送系统输送已被覆膜的待镀物至第二低 压腔体。[0046]步骤801 :接着，关闭制程腔体以及第二低压腔体之间的闸门。[0047]步骤900 :接着，打开第二低压腔体以及载出腔体之间的闸门，以使输送系统输送已被覆膜的待镀物至载出腔体，再进行破真空动作于载出腔体。[0048]步骤901 :最后，取出载出腔体中已被覆膜的待镀物。[0049]请再一并参阅图3所示，本实施例的实施设备包括依序设置的载入腔体I、等离子清洁腔体2、第一低压腔体3、制程腔体4、第二低压腔体5、载出腔体6以及输送系统7。前述载入腔体I、等离子清洁腔体2、第一低压腔体3、制程腔体4、第二低压腔体5、载出腔体6 以及输送系统7彼此之相容性一致。[0050]载入腔体I以及等离子清洁腔体2之间、等离子清洁腔体2以及第一低压腔体3 之间、第一低压腔体3以及制程腔体4之间、制程腔体4以及第二低压腔体5之间、第二低压腔体5以及载出腔体6之间皆分别具有可被开启之闸门C。输送系统7位于载入腔体I、 等离子清洁腔体2、第一低压腔体3、制程腔体4、第二低压腔体5以及载出腔体6之内底部。 制程腔体4具有彼此连通且依序设置之第一缓冲空间41、第一沉积空间42、第二沉积空间43以及第二缓冲空间44。第一沉积空间42具有第一靶材421以及第二靶材422。第一靶材421以及第二靶材422之间具有隔绝物D，以防止进行沉积制程时，第一靶材421以及第二靶材422彼此产生材料干扰。第一靶材421的材料例如为镍合金等材料。第二靶材422的材料例如为铜 (Cu)或铜合金等材料。同样地，第二沉积空间43具有第三靶材431以及第四靶材432。第三靶材431以及第四靶材432之间具有隔绝物D，以防止进行沉积制程时，彼此产生材料干扰。第三靶材431的材料例如为镍合金等材料。第四靶材432的材料例如为铜(Cu)或铜合金等材料。该第一靶材421以及该第二靶材422彼此的摆设方向呈现相同的样态，该第三靶材431以及该第四靶材432彼此的摆设方向呈现相同的样态，而第一沉积空间42之第一靶材421以及第二靶材422，其与第二沉积空间43之第三靶材431以及第四靶材432 彼此的摆设方向呈现相反的样态。[0052]请再一并参阅图4所示，其为第二较佳实施例的方块示意图。与第一较佳实施例之不同处在于，本实施例包括具有等离子清洁功能的载入腔体8，而具有等离子清洁功能的载入腔体8由载入腔体I以及等离子清洁腔体2结合而成。且制程腔体4的第一沉积空间 42以及第二沉积空间43之间更具有第三缓冲空间45。前述第三缓冲空间45、第一沉积空间42以及第二沉积空间43彼此连通。而第二较佳实施例的运作步骤可由第一较佳实施例的运作步骤轻易地推敲测得知，故于此不再赘述。[0053]请再一并参阅图5所示，本实施例设备包括依序设置的具有等离子清洁功能的载入腔体8、第一低压腔体3、制程腔体4、第二低压腔体5、载出腔体6以及输送系统7。前述具有等离子清洁功能的载入腔体8、第一低压腔体3、制程腔体4、第二低压腔体5、载出腔体 6以及输送系统7彼此的相容性一致。[0054]具有等离子清洁功能的载入腔体8以及第一低压腔体3之间、第一低压腔体3以及制程腔体4之间、制程腔体4以及第二低压腔体5之间、第二低压腔体5以及载出腔体6 之间皆分别具有可被开启的闸门C。输送系统7位于具有等离子清洁功能的载入腔体8、第一低压腔体3、制程腔体4、第二低压腔体5以及载出腔体6的内部。制程腔体4具有彼此连通且依序设置的第一缓冲空间41、第一沉积空间42、第三缓冲空间45、第二沉积空间43 以及第二缓冲空间44。第一沉积空间42具有至少一第五靶材423。第五靶材423之材料为镍铬合金。同样地，第二沉积空间43具有至少一第六靶材433。第六靶材433之材料为铜或铜合金。第一沉积空间42之第五靶材423，其与第二沉积空间43的第六靶材433彼此的摆设方向呈现相同或相反的样态。[0055]需特别说明，当该第一沉积空间43具有若干个第五靶材423时，一部分这些第五靶材423与其余另一部分第五靶材423的摆设方向呈现相反的样态。当该第二沉积空间43 具有若干个第六靶材433时，一部分这该些第六靶材433与其余另一部分第六靶材433的摆设方向呈现相反的样态。[0056]需特别说明，本实用新型适用于被动元件的双面覆膜设备更可搭配使用沉积冶具来装载待镀物A，以进行双面覆膜的制程。例如利用沉积冶具于制程腔体进行待镀物A之翻面动作。由于沉积冶具视需求可有多种不同的设计样态，并不为所限，且沉积冶具并非本实用新型的要点所在，故于此不再赘述。[0057]需特别说明，本实用新型所述的被动元件是指应用于微小待镀物的被动元件，例如为陶瓷电容、突波吸收器、热敏电阻等等被动元件。由于并非本实用新型的要点所在，故于此不再赘述。[0058]综上所述，本实用新型适用于被动元件的双面覆膜设备至少具有下述优点[0059]I.精简了被动元件的双面覆膜之制程周期，进而降低了制程的复杂度以及成本[0060]依据本实用新型的整体设计，待镀物于制程腔体内即可完成被动元件的双面覆膜之制程。无需于待镀物进行单面覆膜完毕后，先进行破真空动作以将待镀物取出，将待镀物翻面，再将待镀物重新置入制程腔体，并重新加热及抽真空。即本实用新型无需反复地进行破真空动作、抽真空动作或加热动作，进一步精简了被动元件的双面覆膜之制程周期，进而降低了制程的复杂度以及成本。[0061]2.进行被动元件的双面覆膜之制程时，可维持制程腔体内低压的一致性，待镀物的双面覆膜层不易产生彼此之膜特征相异的情形。[0062]3.可增加进行双面覆膜制程时的流畅度[0063 ]待镀物可于第一缓冲空间、第二缓冲空间或第三缓冲空间内，被进行缓冲动作。例如已被覆膜的待镀物于原处等待或者调整输送系统的传输速度。如此一来，可增加进行双面覆膜制程时的流畅度。[0064]4.本实用新型降低了能源损耗，节能又环保[0065]本实用新型无需高温加热，可降低能源损耗，节能又环保。[0066]以上所述仅为举例性，而非为限制性者。任何未脱离本实用新型的精神与范畴，而对其进行的等效修改或变更，均应包含于后附的申请专利范围中。
权利要求1.一种适用于被动元件的双面覆膜设备，其特征在于，包括一载入腔体；一等离子清洁腔体，该载入腔体以及该等离子清洁腔体之间具有一第一闸门；一第一低压腔体，该等离子清洁腔体以及该第一低压腔体之间具有一第二闸门； 一包括至少一个空间的制程腔体，该第一低压腔体以及该制程腔体之间具有第三闸门，当制程腔体包括若干个空间时，各该空间分别为第一沉积空间以及第二沉积空间，该第一沉积空间以及该第二沉积空间彼此连通，该第一沉积空间以及该第二沉积空间分别具有至少一靶材，该第一沉积空间以及该第二沉积空间选择性地包括若干个子副腔体；一第二低压腔体，该制程腔体以及该第二低压腔体之间具有一第四闸门；一载出腔体，该第二低压腔体以及该载出腔体之间具有一第五闸门；以及，一输送系统，该输送系统位于该载入腔体、该等离子清洁腔体、该第一低压腔体、该制程腔体、该第二低压腔体以及该载出腔体的内部，该输送系统输送至少一待镀物，使得该待镀物依序通过该载入腔体、该等离子清洁腔体、该第一低压腔体、该制程腔体、该第二低压腔体以及该载出腔体，该待镀物被传输而进入该制程腔体后，该待镀物依序通过该第一沉积空间以及该第二沉积空间，尔后再进入该第二低压腔体，当该待镀物于该第一沉积空间时，该待镀物的一单一表面或若干个表面被进行一沉积制程，当该待镀物于该第二沉积空间时，该待镀物之另一单一表面或若干个表面被进行另一沉积制程，该另一单一表面与该单一表面彼此背对背对应。
2.如权利要求I所述的适用于被动元件的双面覆膜设备，其特征在于，其中各该空间分别为一第一缓冲空间、该第一沉积空间、该第二沉积空间以及一第二缓冲空间，该第一缓冲空间、该第一沉积空间、该第二沉积空间以及该第二缓冲空间彼此连通，该待镀物被传输而进入该制程腔体后，该待镀物依序通过该第一缓冲空间、该第一沉积空间、该第二沉积空间以及该第二缓冲空间，尔后再进入该第二低压腔体，当该待镀物 于该第一缓冲空间或该第二缓冲空间时，该待镀物被进行一第一缓冲动作，第一沉积空间及第二沉积空间为辉光放电沉积腔体、蒸镀腔体、离子镀腔体、电弧镀腔体或化学气相沈积腔体，第一低压腔体及第二低压腔体之压力系介于10-2托至10-6托之间，沉积制程为辉光放电沉积制程、蒸镀制程、离子镀制程、电弧镀制程或化学气相沈积制程。
3.如权利要求I所述的适用于被动元件的双面覆膜设备，其特征在于，其中该第一沉积空间具有若干个靶材时，该第一沉积空间的各该靶材的材料选择性地彼此相同或相异， 该第二沉积空间具有若干个靶材时，该第二沉积空间之各该靶材之材料选择性地彼此相同或相异。
4.如权利要求I所述的适用于被动元件的双面覆膜设备，其特征在于，其中该第一沉积空间具有一第一祀材以及一第二祀材，该第一祀材以及该第二祀材之间具有一隔绝物， 以防止进行该沉积制程时，该第一靶材以及该第二靶材彼此产生材料干扰，该第二沉积空间具有一第三靶材以及一第四靶材，该第三靶材以及该第四靶材之间具有另一隔绝物，以防止进行该另一沉积制程时，该第三靶材以及该第四靶材彼此产生材料干扰。
5.如权利要求4所述的适用于被动元件的双面覆膜设备，其特征在于，其中该第一靶材以及该第二靶材彼此的摆设方向呈现相同的样态，该第三靶材以及该第四靶材彼此的摆设方向呈现相同的样态，而该第一沉积空间的该第一靶材以及该第二靶材，其与该第二沉积空间的第三靶材以及该第四靶材彼此的摆设方向呈现相反的样态。
6.如权利要求5所述的适用于被动元件的双面覆膜设备，其特征在于，其中该第一靶材的材料为镍合金，该第二靶材的材料为铜或铜合金，该第三靶材的材料为镍合金，该第四靶材的材料为铜或铜合金。
7.如权利要求I所述的适用于被动元件的双面覆膜设备，其特征在于，其中该载入腔体及该等离子清洁腔体结合为一具有等离子清洁功能之载入腔体，且该制程腔体之该第一沉积空间以及该第二沉积空间之间更具有一第三缓冲空间，该第三缓冲空间、该第一沉积空间以及该第二沉积空间彼此连通，当该待镀物于该第三缓冲空间时，该待镀物被进行一第二缓冲动作。
8.如权利要求7所述的适用于被动元件的双面覆膜设备，其特征在于，其中该第一沉积空间具有至少一第五靶材，当该第一沉积空间具有若干个第五靶材时，其中一部分第五靶材与其余另一部分的第五靶材的摆设方向呈现相反的样态，该第二沉积空间具有至少一第六靶材，当该第二沉积空间具有若干个第六靶材时，其中一部分第六靶材与其余另一部分的第六靶材之摆设方向呈现相反的样态。
9.如权利要求8所述的适用于被动元件的双面覆膜设备，其特征在于，其中该第一沉积空间之该第五靶材，其与该第二沉积空间的第六靶材彼此的摆设方向呈现相同或相反的样态。
10.如权利要求9所述的适用于被动元件的双面覆膜设备，其特征在于，其中该第五靶材的材料为镍合金，该第六靶材的材料为铜或铜合金。
专利摘要一种适用于被动元件的双面覆膜设备，包括载入腔体、等离子清洁腔体、第一低压腔体、制程腔体、第二低压腔体、载出腔体以及输送系统。依据本实用新型之整体设计，待镀物于制程腔体内即可完成被动元件的双面覆膜之制程。因此本实用新型精简了被动元件的双面覆膜的制程周期，进而降低了制程的复杂度以及成本。另外，本实用新型更可维持制程腔体内的低压一致性。此外，待镀物可于第一缓冲空间、第二缓冲空间或第三缓冲空间内，被进行缓冲动作，可进一步增加进行被动元件的双面覆膜的制程时的流畅度。
文档编号C23C16/54GK202658225SQ201220200689
公开日2013年1月9日 申请日期2012年5月7日 优先权日2011年12月19日
发明者李智渊, 蔡硕文, 黄耀贤, 蔡俊毅 申请人:钜永真空科技股份有限公司