晶圆背面研磨装置的真空吸盘的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及集成电路制造领域，特别涉及一种晶圆背面研磨装置的真空吸盘。其包括用于吸附晶圆正面的吸附区、隔离区和吹气区，由内向外依次为吸附区、隔离区和吹气区，所述吹气区设有斜向外吹气的吹气气孔。使用这种晶圆背面研磨装置的真空吸盘，使研磨后的晶面保护膜表面的洁净度得到改善，提升了保护膜撕离成功率。
【专利说明】晶圆背面研磨装置的真空吸盘
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及集成电路制造领域，特别涉及一种晶圆背面研磨装置的真空吸盘。
【背景技术】
[0002]随着半导体封装组件的薄化趋势，封装组件内的晶片亦应当符合更薄的要求，所以出现了晶圆背面研磨的制程。当前，晶圆背面研磨采用的工艺流程是:首先，晶圆正面贴上保护膜；然后，采用真空吸附的方式将晶圆吸附在研磨装置的真空吸盘上，晶圆背面裸露在外等待研磨；接着，研磨头研磨晶圆形成更薄的晶圆，研磨完毕后吹干晶圆；接下来，机械手臂把晶圆从研磨装置中取出，搬移至保护膜去除装置内，通常保护膜去除装置是通过撕离胶带撕离保护膜的；最后，清洗晶圆并进入下一道工序。
[0003]然而，晶圆背面研磨时由于混有娃粉的污水易渗入晶圆和真空吸盘之间，导致晶圆吹干之后在保护膜表面留有一圈硅粉。而撕保护膜时由于硅粉的存在，导致撕离胶带不能很好的与保护膜粘连，往往撕离胶带将硅粉粘掉而没粘住保护膜，从而导致撕膜成功率很低。为此，需要人工手动撕保护膜，大大浪费了人力，增加了产品发生异常的几率。
[0004]因此，需要设计一种新的晶圆背面研磨装置的真空吸盘，防止研磨污水渗入晶圆和真空吸盘间的缝隙，从而改善晶圆背面研磨后晶面保护膜表面的洁净度，提升撕膜成功率。
【发明内容】
[0005]本实用新型的目的在于解决晶圆背面研磨后由于硅粉残留在吸附位置的保护膜上，不能有效撕离保护膜的问题。
[0006]为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种晶圆背面研磨装置的真空吸盘，这种新的晶圆背面研磨装置的真空吸盘，包括用于吸附晶圆正面的吸附区、隔离区和吹气区，由内向外依次为吸附区、隔离区和吹气区，所述吹气区设有斜向外吹气的吹气气孔。
[0007]可选的，所述吹气区为环形。
[0008]可选的，所述晶圆的边缘位于所述吸气区内，所述吹气气孔斜向外吹出的气体在晶圆正面产生正压。
[0009]可选的，所述吹气气孔斜向外吹气的方向与晶圆正面的夹角为10?60度。
[0010]可选的，所述吹气气孔以所述真空吸盘的中心为圆心排列成圆形。
[0011]可选的，所述吹气气孔均匀排列，且相邻的吹气气孔的中心间隔为1.5?2.5mm。
[0012]可选的，所述吸附区设有吸气气孔，所述吹气气孔以所述真空吸盘的中心为圆心排列成圆形。
[0013]可选的，所述吸气气孔均匀排列，且相邻的吸气气孔的中心间隔为1.5?2.5mm。
[0014]可选的,所述吹气气孔的吹气压力值为9?11千帕,所述吸气气孔的吸气压力值为82.8?97.2千帕。[0015]与现有技术相比，本实用新型提供的晶圆背面研磨装置的真空吸盘增设了吹气区和隔离区，所述吹气区在研磨时可以不断斜向外吹出气体，使研磨时混有硅粉的污水无法渗入到晶圆与真空吸盘之间，防止污水渗入污染晶圆上的保护膜，并且，增设的隔离区防止吸附区和吹气区两区域相互影响，尽可能减小了对晶圆吸附功能的影响。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]图1是本实用新型实施例的晶圆背面研磨装置的真空吸盘的俯视示意图；
[0017]图2是图1中沿A-A’的纵向剖面示意图。
【具体实施方式】
[0018]以下结合附图详细说明本实用新型的【具体实施方式】。
[0019]如图1和图2所示，本实用新型提供一种晶圆背面研磨装置的真空吸盘100，包括用于吸附晶圆70正面的吸附区10、隔离区20和吹气区30，由内向外依次为吸附区10、隔离区20和吹气区30，所述吹气区30设有斜向外吹气的吹气气孔31。本实用新型在原来真空吸盘的基础上增设了吹气区30和隔离区20，所述吹气区30在研磨时可以不断斜向外吹出气体，使研磨时混有硅粉的污水无法渗入到晶圆70与真空吸盘之间，防止污水渗入污染晶圆70上的保护膜，并且，增设的隔离区20防止吸附区10和吹气区30两区域相互影响，尽可能减小了对晶圆吸附功能的影响。
[0020]进一步的，所述吹气区30为环形，设有多个斜向外吹气的吹气气孔31，所述吹气气孔31斜向外吹气的方向与晶圆正面的夹角为10?60度，所述吹气气孔31以所述真空吸盘100的中心为圆心排列成圆形,均勻排列,相邻的吹气气孔的中心间隔为1.5?2.5mm,以确保吹出的气体均匀，吹气效果最佳。所述晶圆70的边缘位于所述吹气区30内。当然，所述吹气区30的气孔大小、形状和分布不做限定，只要能满足吹气功能同时保证不会引起工程不良即可。
[0021]进一步的，所述吸附区10为圆形，设有多个抽气气孔11，所述抽气气孔11与吸附区10表面垂直，所述抽气气孔11以所述真空吸盘100的中心为圆心排列成圆形并均匀排列，以确保牢牢的吸附晶圆70。本实施例中，相邻的抽气气孔11的中心间隔为1.5?
2.5mm，吸附效果最佳。可以理解的是，所述吸附区10的抽气气孔11大小、形状和分布不做限定，只要能满足吸气功能同时保证不会引起工程不良即可。
[0022]此外，所述吸附区10和吹气区30的下部为对应的密封腔体，通过连接气管，进行抽气和吹气动作达到吸附和吹气功能，抽气压力和吹气压力根据晶圆大小研磨速度等调整。于本实用新型一较佳实施例中，所述吹气气孔31的吹气压力值为9?11千帕，所述抽气气孔的抽气压力值为82.8?97.2千帕。所述吹气区30吹气压力相对于抽气区10抽气压力很低，确保了晶圆70 —直被牢牢吸附在真空吸盘100上而不产生翘起或形变，同时又能满足风斜向外吹，吹出去的气体还可防止污水渗入污染晶圆上的保护膜，改善晶背研磨后晶面保护膜表面的洁净度，提升撕膜成功率。
[0023]本实用新型的晶圆背面研磨装置的真空吸盘100可适用于不同尺寸的晶圆，例如，8英寸或12英寸，并且，对三个功能区大小不作限定，可根据具体的晶圆尺寸来适应性选择合适的吸附区10、隔离区20和吹气区30大小。[0024]综上所述，使用本实用新型的晶圆背面研磨装置的真空吸盘，在晶圆背面研磨时可以使研磨时混有硅粉的污水无法渗入到晶圆与真空吸盘之间，改善晶背研磨后晶面保护膜表面的洁净度，从而使撕膜时撕离胶带与保护膜充分的接触粘和，降低生产成本和工程师的负担，提升生广效率。
[0025]显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
【权利要求】
1.一种晶圆背面研磨装置的真空吸盘，其特征在于，所述真空吸盘包括用于吸附晶圆正面的吸附区、隔离区和吹气区，由内向外依次为吸附区、隔离区和吹气区，所述吹气区设有斜向外吹气的吹气气孔。
2.如权利要求1所述的晶圆背面研磨装置的真空吸盘，其特征在于，所述吹气区为环形。
3.如权利要求2所述的晶圆背面研磨装置的真空吸盘，其特征在于，所述晶圆的边缘位于所述吹气区内，所述吹气气孔斜向外吹出的气体在晶圆正面产生正压。
4.如权利要求1所述的晶圆背面研磨装置的真空吸盘，其特征在于，所述吹气气孔斜向外吹气的方向与晶圆正面的夹角为10?60度。
5.如权利要求1所述的晶圆背面研磨装置的真空吸盘，其特征在于，所述吹气气孔以所述真空吸盘的中心为圆心排列成圆形。
6.如权利要求5所述的晶圆背面研磨装置的真空吸盘，其特征在于，所述吹气气孔均匀排列，且相邻的吹气气孔的间隔为1.5?2.5mm。
7.如权利要求1所述的晶圆背面研磨装置的真空吸盘，其特征在于，所述吸附区设有抽气气孔，所述抽气气孔以所述真空吸盘的中心为圆心排列成圆形。
8.如权利要求7所述的晶圆背面研磨装置的真空吸盘，其特征在于，所述抽气气孔均勻排列，且相邻的抽气气孔的间隔为1.5?2.5mm。
9.如权利要求1至8中任意一项所述的晶圆背面研磨装置的真空吸盘，其特征在于，所述吹气气孔的吹气压力值为9?11千帕，所述吸气气孔的吸气压力值为82.8?97.2千帕。
【文档编号】B24B55/06GK203542342SQ201320717932
【公开日】2014年4月16日 申请日期:2013年11月14日 优先权日:2013年11月14日
【发明者】胡晓宇 申请人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司