一种ito靶材的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种ITO靶材，包括靶材本体，其特征在于：所述靶材本体由分体式设置的外圈溅射区及设置于溅射区内侧的非溅射区构成，所述溅射区与非溅射区之间拼接连接。本实用新型靶材由分体式的溅射区和非溅射区构成，两者之间拼接连接，溅射完成后非溅射区可再次利用，降低了靶材的成本，提高了资源的利用率。
【专利说明】 一种ITO朝材
【技术领域】
[0001 ] 本实用新型涉及一种ITO靶材。
【背景技术】
[0002]随着科技的进步，触摸屏手机、触摸屏笔记本、GPS导航仪、POS机触摸屏、KTV触摸屏、触摸屏一体机、多媒体查询机、工控触摸屏等触控产品在各个领域的广泛应用，各类触摸屏的需求急剧增加，从而使ITO导电膜上升到新的技术层面，其需求量也随之急剧上升。ITO靶材是制备ITO导电膜的原料，这种透明导电薄膜对可见光透过率> 85%，红外光反射率达90%，且导电性好，有优良的化学稳定性、热稳定性和刻蚀性，是一种用途十分广泛的透明导电薄膜材料。
[0003]目前ITO导电膜通常是采用磁控溅射的方法，在透明靶材上溅射氧化铟锡(ITO)导电薄膜镀层并经高温退火处理得到。先期使用的溅射材料，即ITO靶材，具体参见图1、2所示,一整块靶材由5块小块的ITO材料拼接为一个整体，ITO靶材的溅射区1，分布在靶材的边缘及两端部分，即图中阴影部分，靶材的中间部分为非溅射区2，基本没有损耗。然而在实际的生产过程中，靶材中间部分非溅射区虽然在溅射中基本没有损耗，但是在溅射结束后也无法被再次使用，导致靶材的成本较高，同时对资源的利用也较为不合理。
【发明内容】
[0004]本实用新型目的是提供一种ITO靶材，通过对结构的改进，降低了靶材的成本，提高了资源的利用率。
[0005]本实用新型的技术方案是:一种ITO靶材，包括靶材本体，所述靶材本体由分体式设置的外圈溅射区及设置于溅射区内侧的非溅射区构成，所述溅射区与非溅射区之间拼接连接。
[0006]进一步的技术方案，所述溅射区包括对称设置的上、下各四块的基板及两端各一块的端部基板，所述基板与基板间及基板与端部基板间拼接连接。
[0007]进一步的技术方案，所述非溅射区包括四块拼接连接的基板。
[0008]进一步的技术方案，所述基板尺寸为0.4mX0.042m,所述端部基板的尺寸为
0.15mX 0.127m。
[0009]本实用新型的优点是:
[0010]1.本实用新型ITO靶材由分体式的溅射区及设置于溅射区内侧非溅射区构成，非溅射区与溅射区之间拼接连接，当磁控溅射完成，非溅射区可从溅射区内侧拆卸下来，再次利用，从而降低了靶材的成本，提高了资源的利用率；
[0011]2.本实用新型无需对现有技术进行大规模改变，易于实现，适合推广使用。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述:[0013]图1为现有技术中靶材结构示意图；
[0014]图2为现有技术中靶材中溅射区的示意图；
[0015]图3为本实用新型实施例一的结构示意图；
[0016]图4为本实用新型实施例一中溅射区与非溅射区的示意图。
[0017]其中:1、溅射区；2、非溅射区；3、溅射区；4、非溅射区；5、基板；6、端部基板。
【具体实施方式】
[0018]实施例一:参见图3、4所示，一种ITO靶材，包括靶材本体，所述靶材本体由分体式设置的外圈溅射区3及设置于溅射区3内侧的非溅射区4构成，所述溅射区3与非溅射区4之间拼接连接。
[0019]上述的溅射区3包括对称设置的上、下各四块的基板5及两端各一块的端部基板6，所述基板与基板间及基板与端部基板间拼接连接。
[0020]上述的非溅射区4包括四块拼接连接的基板5。
[0021]上述基板尺寸为0.4mX0.042m，端部基板的尺寸为0.15mX0.127m。
[0022]本实施例中，整块靶材本体由于12块0.4mX0.042m的基板和2块0.15mX0.127m的端部基板拼接而成，该拼接可为绑定。靶材本体的中间部分为非溅射区，在溅射的过程中消耗量几乎为零，非溅射区为中间4块0.4mX 0.042m的基板，这4快基板消耗量几乎为零。靶材溅射完毕后,整块靶材本体解绑,将中间4块0.4mX 0.042m的非溅射区的基板分离下来，再和其他新的基板重新绑定，进行再次利用，从而降低了靶材的成本，提高了资源的利用率。
[0023]当然上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型主要技术方案的精神实质所做的修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种ITO靶材，包括靶材本体，其特征在于:所述靶材本体由分体式设置的外圈溅射区(3)及设置于溅射区(3)内侧的非溅射区(4)构成，所述溅射区(3)与非溅射区(4)之间拼接连接。
2.根据权利要求1所述的一种ITO靶材，其特征在于:所述溅射区(3)包括对称设置的上、下各四块的基板(5)及两端各一块的端部基板(6)，所述基板与基板间及基板与端部基板间拼接连接。
3.根据权利要求1所述的一种ITO靶材，其特征在于:所述非溅射区(4)包括四块拼接连接的基板(5)。
4.根据权利要求2或3所述的一种ITO靶材，其特征在于:所述基板(5)尺寸为.0.4mX0.042m，所述端部基板(6)的尺寸为0.15mX0.127m。
【文档编号】C23C14/35GK203782225SQ201420024561
【公开日】2014年8月20日 申请日期:2014年1月15日 优先权日:2014年1月15日
【发明者】胡业新 申请人:昆山日久新能源应用材料有限公司