1.一种预防靶中毒的等离子体增强磁控溅射设备，包括工件架、磁控靶、热丝线、真空镀膜室、反应气体气路管、惰性气体气路管，工件设置在工件架内，四个磁控靶均布在真空镀膜室四周，热丝线、反应气体气路管、惰性气体气路管设置在真空镀膜室内，其特征在于，惰性气体气路管竖直分布在四个磁控靶两侧；反应气体气路管为两个环形气路，分别设置在真空镀膜室顶部和底部，反应气体气路管、惰性气体气路管上均设有气孔。
2.根据权利要求1所述的一种预防靶中毒的等离子体增强磁控溅射设备，其特征在于，所述的反应气体气路管、惰性气体气路管均为EP级内抛光管1/4″。
3.根据权利要求1所述的一种预防靶中毒的等离子体增强磁控溅射设备，其特征在于，所述的惰性气体气路管底部的气孔分布较疏，顶部的气孔分布较密。
4.根据权利要求1所述的一种预防靶中毒的等离子体增强磁控溅射设备，其特征在于，所述的反应气体气路管上远离真空泵的气孔分布较密，靠近真空泵的气孔分布较疏。