技术总结
本实用新型涉及一种预防靶中毒的等离子体增强磁控溅射设备，包括工件架、磁控靶、热丝线、真空镀膜室、反应气体气路管、惰性气体气路管，工件设置在工件架内，四个磁控靶均布在真空镀膜室四周，热丝线、反应气体气路管、惰性气体气路管设置在真空镀膜室内，惰性气体气路管竖直分布在四个磁控靶两侧；反应气体气路管为两个环形气路，分别设置在真空镀膜室顶部和底部，反应气体气路管、惰性气体气路管上均设有气孔。优点是：由两路充气系统构成，反应气体气路不锈钢管上距真空泵较远处气孔较密、近处气孔较疏，实现反应气流流向控制，平衡磁控阴极靶放电电离惰性气体，有效预防了靶面反应气体粒子的聚集。
技术研发人员：周艳文;孟见成;吴川;高健波;李建伟;赵卓;佟欣儒;郭媛媛;吴法宇;王晓明
受保护的技术使用者：辽宁科技大学
文档号码：201620609335
技术研发日：2016.06.20
技术公布日：2016.11.30