一种手动式晶片下蜡装置的制作方法

文档序号:12385729阅读:331来源:国知局
一种手动式晶片下蜡装置的制作方法

本实用新型涉及晶片下蜡装置,特别是一种手动式晶片下蜡装置。



背景技术:

蓝宝石因具有高声速、耐高温、抗腐蚀、高硬度、高透光性、熔点高等一系列优点,而被广泛应用作LED衬底。在蓝宝石衬底的制造过程中,主要经过切片、双面研磨、铜抛和CMP抛光。在铜抛过程中,首先要用石蜡将晶片贴在陶瓷盘表面,然后到抛光机台上进行单面抛光,抛光完后需加热将石蜡融化,从而将晶片从陶瓷盘上取下。在晶片下蜡过程中,虽然石蜡已被加热融化,但晶片表面与陶瓷盘表面仍然贴合非常紧密,需要用雅阁力板将晶片一片一片的推到陶瓷盘边缘,再将晶片取下。由于陶瓷盘表面温度较高,约150°C手工操作取片很容易造成烫伤。在用雅阁力板向外推时,如果用力过大,容易造成晶片崩边,且易将晶片推出盘面而摔坏,另外一片一片的操作,效率也非常低。



技术实现要素:

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足之处,提供了一种手动式晶片下蜡装置,将晶片铜抛后的陶瓷盘放置在加热台上,加热至一定的温度,将衬底通过快速、轻便的下蜡装置完成作业,通过该装置可以节省下蜡的时间、提高工作效率,避免操作人员的烫伤。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:提供一种手动式晶片下蜡装置,包括:板簧1、手动控制把手2、扩大移位挡板3、推晶头4、底盘5、定位助力支撑轴承6、连接弹簧7、助力推杆8;板簧1位于手动控制把手2下方,板簧1与定位助力支撑轴承6连接,定位助力支撑轴承6位于底盘5的上方,底盘5的侧壁分别与连接弹簧7相接。

随着所述加热台温度的升高,达到蜡的一定融点,所述下蜡装置下压手动控制器2带动助力推杆8以一定的速度向外扩散运动;所述推晶头4开口对准所推晶片,所述板簧1在手动控制把手2下压过程中,推晶头4向外移动5mm~10mm范围,完成推晶后板簧1具备恢复原状的功能;所述助力推杆8向外扩动时最大运动范围为5mm~10mm范围,确保不同规格晶片在向外扩动时能推动晶片推至松动,但又不至于将晶片推出陶瓷盘面而造成滑落摔碎;

优选的,所述定位助力支撑轴承6与扩大移位挡板3连接,在定位助力支撑轴承6顶端压力的作用下向外扩大。

优选的,所述底盘5与定位助力支撑轴承6连接,起定位支撑和防止扩大移位挡板散架。

优选的,所述推晶头4开口对准所推晶片;所述助力推杆8向外移动在5mm~10mm范围内。

优选的,所述推晶头4为一种耐高温(200℃以上)、硬度(邵氏D50~D65)适当材质(如:铁氟龙等),保证在推动过程中,不会造成崩角。

优选的,所述推晶头4连接套在扩大移位挡板3上,降低成本可使推晶头4为可拆卸更换式。

优选的,所述的推晶头4为月牙形状,也可以是其它形状,如方形、圆形等。

优选的,所述扩大移位挡板3侧面与水平方向成15~45°倾斜角度。

优选的,所述推晶头4底部平整光滑,在作业过程中能推动较薄的晶片,晶片厚度为400μm~700μm,防止在晶片表面划过造成晶片损伤。

本实用新型的有益效果至少包括:

1、在工作过程中,一种手动式晶片下蜡装置使用节省了下蜡时间,大大提高下蜡的人工效率、加热器效率以及缩短陶瓷盘周转周期,有效降低生产成本;

2、一种手动式晶片下蜡装置可以根据不同规格的晶片进行调整,可以下蜡2寸、4寸及6寸等晶片;

3、一种手动式晶片下蜡装置节省下蜡时间,提高加热台的利用率。

以下结合附图及实施例对本实用新型作进一步详细说明;但本实用新型的一种手动式晶片下蜡装置不局限于实施例。

附图说明

附图构成本申请的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解,本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中:

图1为本实用新型的手动晶片下蜡装置示意图;

图2为本实用新型的工作示意图。

附图标注:1、板簧,2、手动控制把手,3、扩大移位挡板,4、推晶头,5、底盘,6、定位助力支撑轴承,7、连接弹簧,8、助力推杆,9、陶瓷盘,10、晶片。

具体实施方式

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本实用新型。根据下面说明和权利要求书,本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例,仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型。

实施例

蓝宝石衬底的制造,蓝宝石晶片10在研磨后,需进行一道铜抛的加工。在此铜抛工序中为了使在铜抛过程中,为保证蓝宝石晶片10能固定贴在陶瓷盘9表面的从而进行铜抛作业,会使用到蜡的介质。铜抛抛完的蓝宝石晶片10需要在陶瓷盘9上分开。

参看附图1,一种手动式晶片下蜡装置,包括:板簧1、手动控制把手2、扩大移位挡板3、推晶头4、底盘5、定位助力支撑轴承6、连接弹簧7、助力推杆8;板簧1位于手动控制把手2下方,板簧1与定位助力支撑轴承6连接,定位助力支撑轴承6位于底盘5的上方,底盘5的侧壁分别与连接弹簧7相接。所述推晶头4为一种耐高温(200℃以上)、硬度(邵氏D50~D65)适当材质(如:铁氟龙等),保证在推动过程中,不会造成崩角。所述推晶头4连接套在扩大移位挡板3上,降低成本可使推晶头4为可拆卸更换式,推晶头具有多个尺寸,能适用于2寸、4寸、6寸或者其他尺寸晶片的下蜡,推晶头4为月牙形状,也可以是其它形状,如方形、圆形等。所述扩大移位挡板3侧面与水平方向成15~45°倾斜角度。所述推晶头4底部平整光滑,在作业过程中能推动较薄的晶片,晶片厚度为400μm~700μm,防止在晶片表面划过造成晶片损伤。

所述定位助力支撑轴承6与扩大移位挡板3连接,在定位助力支撑轴承6顶端压力的作用下向外扩大。所述底盘5与定位助力支撑轴承6连接,起定位支撑和防止扩大移位挡板散架。

使用热传递的方式将陶瓷盘9放到加热台上,经过高温加热,使粘在陶瓷盘9和蓝宝石晶片10间的蜡加热到蜡的熔点,参看附图2,使用下蜡装置放在陶瓷盘9表面,推晶头4对准晶片,下压手动控制器2带动助力推杆8以一定的速度向外扩散运动;所述推晶头4开口对准所推蓝宝石晶片10;所述助力推杆8向外扩动时最大运动范围为5mm~10mm范围内,确保不同规格晶片能推动晶片推至松动,但又不至于将晶片推出陶瓷盘面而造成滑落摔碎,所述板簧1在手动控制把手2下压过程中,推晶头4向外移动5mm~10mm范围,完成推晶后板簧1具备恢复原状的功能。本实施例除了适用于蓝宝石晶片外,也适用于其他需要下蜡的晶片。

应当理解的是,上述具体实施方案为本实用新型的优选实施例,本实用新型的范围不限于该实施例,凡依本实用新型所做的任何变更,皆属本实用新型的保护范围之内。

当前第1页1 2 3 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1