成膜装置及成膜方法与流程

本发明涉及对工件实施成膜处理的成膜装置及成膜方法。

背景技术：

作为在工件、特别是在基板的表面形成薄膜的成膜装置，具有化学气相沉积(chemicalvapordeposition，以下称为“cvd”。)装置和原子层沉积(atomiclayerdeposition，以下称为“ald”。)装置。cvd装置是通过热、等离子体将材料气体分解而使之在基板表面沉积的装置。ald装置是向作为成膜对象的基板上交替供给以构成膜的元素为成分的气体而在基板表面以原子层为单位形成薄膜的装置。

为了在成膜装置中进行合适的成膜处理，成膜装置具备检测成膜室内的压力的压力传感器。压力传感器例如专利文献1所示地设于成膜室的气体的排气侧。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-273031号公报

技术实现要素：

发明所要解决的课题

在专利文献1记载的成膜装置中，在成膜处理结束后，向反应室内供给吹扫气体而将反应室内的残留气体及安装有压力传感器的配管内的残留气体排出到外部。但是，压力传感器设于成膜装置的气体的排气侧，因此排放的残留气体含有的成膜物质会附着于压力传感器。

由于在压力传感器附着成膜物质，压力传感器的寿命变短，需要频繁更换压力传感器。另外，在清洗压力传感器而进行使用的情况下，需要进行用于去除所附着的成膜物质的清洗作业。

本发明是鉴于上述实际情况而做成的，其目的在于提供能够减少向压力传感器附着的成膜物质，延长压力传感器的寿命的成膜装置及成膜方法。

用于解决课题的方案

本发明的第一方案的成膜装置的特征在于，包括：成膜室，其在内部对工件实施成膜处理；原料气体供给部，其用于上述成膜处理，将含有成膜成分的原料气体向上述成膜室供给；气体配管，其用于上述成膜处理，将与上述原料气体不同的处理气体从蓄存该处理气体的处理气体蓄存部向上述成膜室供给；压力传感器，其安装于上述气体配管，对上述成膜室的内部的压力进行测量；以及控制部，其在从上述原料气体供给部向上述成膜室供给上述原料气体期间，以使上述处理气体在上述气体配管中流动而从上述处理气体蓄存部向上述成膜室供给的方式进行控制。

也可以为，在上述气体配管设有调整阀，上述调整阀调整从上述处理气体蓄存部向上述成膜室供给的上述处理气体的流量，上述控制部在从上述原料气体供给部向上述成膜室供给上述原料气体期间，以打开上述调整阀的方式进行控制。

也可以为，上述压力传感器安装于上述气体配管的比上述调整阀更靠下游侧。

也可以为，上述处理气体是与上述原料气体进行反应的反应气体或载气。

也可以为，上述压力传感器是膜片式压力传感器。

也可以为，上述成膜装置还包括向上述成膜室供给吹扫气体的吹扫气体供给部，上述压力传感器是对上述成膜室内的压力为大气压进行测量的压力传感器，在上述压力传感器测量到上述成膜室内的压力为大气压时，上述控制部以停止从上述吹扫气体供给部向上述成膜室供给的吹扫气体的供给的方式进行控制。

也可以为，上述成膜装置还包括气体淋浴器，上述气体淋浴器连接于上述气体配管的下游侧的端部，与上述成膜室内的上述工件对置地配置，且具有在与上述工件对置的对置面上形成的多个喷射孔，上述气体淋浴器将从上述气体配管供给的上述处理气体从上述喷射孔以淋浴状向上述工件的表面供给。

本发明的第二方案的成膜方法的特征在于，包括：原料气体供给工序，向成膜室供给含有成膜成分的原料气体，使该原料气体吸附于工件的表面；第一吹扫工序，供给吹扫气体，对残留于上述成膜室内的残留气体进行吹扫；薄膜形成工序，在上述第一吹扫工序后，在安装有对上述成膜室内的压力进行测量的压力传感器的气体配管中流动与上述原料气体进行反应的反应气体和载气而向上述成膜室供给，生成该反应气体的等离子体，使附着于上述工件的表面的上述原料气体和上述反应气体的等离子体进行反应，从而在上述工件的表面形成薄膜；以及第二吹扫工序，在上述薄膜形成工序后，供给上述吹扫气体，对残留于上述成膜室内的残留气体进行吹扫，在上述原料气体供给工序中，在上述气体配管中流动上述反应气体或上述载气而向上述成膜室供给。

也可以为，在上述薄膜形成工序中，在上述气体配管中始终流动上述反应气体和上述载气。

也可以为，在上述第一吹扫工序和上述第二吹扫工序中，在上述气体配管中流动上述反应气体或上述载气，并作为上述吹扫气体向上述成膜室供给。

发明效果

根据本发明，能够提供能够减少向压力传感器附着的成膜物质，延长压力传感器的寿命的成膜装置及成膜方法。

附图说明

图1是本发明的实施方式1的成膜装置的概念图；

图2是表示成膜处理的第一时序图的图；

图3是表示成膜处理的第二时序图的图；

图4是表示成膜处理的第三时序图的图；

图5是表示成膜处理的第四时序图的图；

图6是表示成膜处理的流程图的图；

图7是本发明的实施方式2的成膜装置的概念图。

具体实施方式

以下，参照附图，对本发明的成膜装置1的实施方式具体地进行说明。

(实施方式1)

参照图1～图6，对本发明的实施方式的成膜装置1进行说明。在本实施方式中，作为成膜装置1，使用ald装置、特别是使用由有机金属气体和氧等离子体反应而形成氧化膜的等离子体原子层沉积(plasmaenhancedald、以下，称为“pe-ald”。)装置来进行说明。

成膜装置1是应用pe-ald法生成氧化膜的pe-ald装置。在pe-ald法中，首先，向基板上供给以构成欲形成的膜的金属为主成分的有机金属的原料气体，使原料气体化学吸附(饱和吸附)于基板上。原料气体由于自限制(self-limiting)作用而在基板仅吸附一层。然后，吹扫未反应的原料气体及反应生成物。而且，向成膜室10供给与原料气体反应的反应气体、例如，氧气，使用氧气生成氧等离子体。利用所生成的氧等离子体，使附着于基板的原料气体的成分氧化。然后，吹扫未反应的反应物及反应生成物。将这些处理设为一个循环，通过将处理重复多个循环，从而在基板上形成设定好的厚度的膜。

如图1所示，本实施方式的成膜装置1包括成膜室10、气体蓄存部20、高频电源30、加热器40、压力传感器50、真空泵60以及控制器70。

成膜室10是在内部收纳作为工件的基板80的真空腔。在成膜室10内，在真空环境下，对基板80的表面实施成膜处理。

气体蓄存部20由原料气体蓄存部21、反应气体蓄存部22、载气蓄存部23以及吹扫气体蓄存部24构成。在本实施方式中，反应气体蓄存部22和载气蓄存部23相当于“处理气体蓄存部”。作为“处理气体蓄存部”，也可以组合吹扫气体蓄存部24。

原料气体蓄存部21是蓄存原料气体的容器，经由第一气体配管21a而连接于成膜室10。在本实施方式中，作为原料气体，使用三甲基铝(tma)气体。在第一气体配管21a安装有第一调整阀21b，该第一调整阀21b对从原料气体蓄存部21向成膜室10供给的原料气体的流量进行调整。根据预先设定好的顺序来调整第一调整阀21b的开度。

原料气体在pe-ald装置中用作前体(precursor)，将液状原料气化而从原料气体蓄存部21向成膜室10供给。

反应气体蓄存部22是对与原料气体反应的反应气体进行蓄存的容器。在本实施方式中，使用氧气作为反应气体。氧气由于被高频电源30所施加的电压而成为氧等离子体，与化学吸附于基板的原料气体反应。

载气蓄存部23是对将原料气体或反应气体带到成膜室10内的载气进行蓄存的容器。载气使用相对于原料气体或反应气体为非活性的气体。在本实施方式中，使用氩气作为载气。载气根据形成的薄膜的种类例如使用氮气、氢气。

反应气体蓄存部22和载气蓄存部23分别经由独立的配管而安装于第二气体配管90。第二气体配管90的一端部连接于成膜室10。蓄存于反应气体蓄存部22的反应气体和蓄存于载气蓄存部23的载气经由第二气体配管90而供给至成膜室10。

在本实施方式中，反应气体蓄存部22和载气蓄存部23经由共同的第二气体配管90而连接于成膜室10，但是也可以分别经由不同的气体配管而连接于成膜室10。

在连接第二气体配管90和反应气体蓄存部22的配管的中途安装有第二调整阀22b，该第二调整阀22b对从反应气体蓄存部22向成膜室10供给的反应气体的流量进行调整。另外，在连接第二气体配管90和载气蓄存部23的配管的中途安装有第三调整阀23b，该第三调整阀23b对从载气蓄存部23向成膜室10供给的载气的流量进行调整。第二调整阀22b和第三调整阀23b根据预先设定好的顺序调整各个阀的开度。

吹扫气体蓄存部24是蓄存吹扫气体的容器。吹扫气体蓄存部24经由第三气体配管24a而连接于成膜室10。吹扫气体是用于在原料气体供给至成膜室10而与基板80反应后，或反应气体供给至成膜室10而与原料气体反应后，将未反应的气体、反应生成气体从成膜室10排出而供给的气体。在本实施方式中，使用氮气作为吹扫气体。吹扫气体只要是对原料气体、反应气体为非活性的气体即可，也能够使用氩气等。

在第三气体配管24a安装有第四调整阀24b，该第四调整阀24b对从吹扫气体蓄存部24向成膜室10供给的吹扫气体的流量进行调整。根据预先设定好的顺序，调整第四调整阀24b的开度。

吹扫气体蓄存部24的吹扫气体用于在成膜处理结束后将成膜室10恢复压力到大气压。在成膜处理结束后，打开第四调整阀24b，向成膜室10供给作为吹扫气体的氮气。当通过压力传感器50测量到成膜室10为大气压时，控制器70进行控制，以关闭第四调整阀24b。

第一调整阀21b、第二调整阀22b、第三调整阀23b、第四调整阀24b作为能够改变流量的可变阀进行了说明及图示，但是也可以为仅能够开闭的阀。

在本实施方式中，说明了以下情况，即，原料气体蓄存部21经由第一气体配管21a而连接于成膜室10，反应气体蓄存部22和载气蓄存部23经由第二气体配管90而连接于成膜室10，吹扫气体蓄存部24经由第三气体配管24a而连接于成膜室10。本发明不限于这种配管的连接状态。例如，吹扫气体蓄存部24连接于第二气体配管90。

高频电源30连接于在成膜室10内部的上方配置的第一电极31。第一电极31与在成膜室1配置的基板80对置地配置。在基板80的下方配置有第二电极32。高频电源30和第二电极32分别接地。高频电源30向第一电极31供给预定的电力，从而在第一电极31与第二电极32之间生成等离子体。

加热器40是对基板80进行加热的装置，提高成膜处理中的基板80的反应活性。

压力传感器50是测量成膜室10内的压力的测量器。例如，应用膜片式压力传感器。在本实施方式中，使用大气压确认用数字式压力开关，其使用了不锈钢膜片，但是，也可以合适地选择压力传感器50。例如，也可以应用半导体式压力传感器等其它膜片式压力传感器。通过使用膜片式压力传感器，从而即使配置于具有气流的配管内也能够使其准确地动作。

压力传感器50安装于比第二气体配管90的第三调整阀23b靠下游侧。通过在该位置配置压力传感器50，从而将压力传感器50配置于靠近成膜室10的位置，能够准确地测量成膜室10内的压力。

压力传感器50的安装位置只要安装于第二气体配管90即可，不限于上述的位置。例如，可以安装于第二调整阀22b与第三调整阀23b之间。另外，也可以向上游侧延长第二气体配管90，而在所延长的位置安装压力传感器50。通过在这种位置安装压力传感器50，从而能够使成膜装置1的设计自由度增大。

通过将压力传感器50安装于第二气体配管90，从而从原料气体蓄存部21供给的原料气体不流入第二气体配管90内，成膜材料不会附着于压力传感器50。

真空泵60经由排气配管61而对成膜室10内进行减压，并且对供给到成膜室10内的气体进行排放。作为真空泵60，使用涡轮分子泵等。

控制器70由处理器、存储器等构成，在存储器中存储有成膜装置1的控制程序。控制器70根据该控制程序对整个成膜装置1进行控制。

具体而言，控制器70基于由压力传感器50测定的压力值来对第四调整阀24b的开度进行调整。在供给吹扫气体期间，在由压力传感器50测定的压力值变得比预定的值更大时，控制器70判断为成为大气压。然后，控制器70以关闭第四调整阀24b的方式进行调整，以停止吹扫气体的供给的方式进行控制。

控制器70还对第一调整阀21b、第二调整阀22b、第三调整阀23b、高频电源30的电力供给的on、off、以及真空泵60的运转进行控制。

接下来，在包括这种结构的成膜装置1中，对供给成膜使用的气体的时序和供给电力的时序进行说明。

图2所示的第一时序图表示供给或停止气体或电力的时序。在第一时序图中，on表示气体或电力供给中，off表示气体或电力的供给停止中。

本实施方式中的气体的供给/停止和电力的供给/停止的一个循环包括：供给原料气体的原料气体供给工序；供给吹扫气体而使原料气体吸附于基板后残留于成膜室1的残留气体排出的第一吹扫工序；供给反应气体而生成等离子体的等离子体工序；以及供给吹扫气体而使原料气体和反应气体反应后残留于成膜室10的残留气体排出的第二吹扫工序。

当成膜处理开始时，控制器70以打开第一调整阀21b、第二调整阀22b、第三调整阀23b的方式进行控制。

第一调整阀21b打开，从而作为原料气体的tma气体的向成膜室10的供给成为on，开始原料气体供给工序。控制器70在经过预定的期间后，以关闭第一调整阀21b的方式进行控制，将tma气体的供给设置成off。之后，不供给tma气体，直至一个循环结束。

第二调整阀22b打开，从而作为反应气体的氧气的向成膜室10的供给成为on。第二调整阀22b打开，直至一个循环结束，在一个循环中始终经由第二气体配管90向成膜室10供给氧气。

第三调整阀23b打开，从而作为载气的氩气的向成膜室10的供给成为on。第三调整阀23b打开，直至一个循环结束，在一个循环中始终经由第二气体配管90向成膜室10供给氩气。

当原料气体供给工序结束时，开始第一吹扫工序。在第一吹扫工序期间，氧气和氩气作为吹扫气体而经由第二气体配管90供给至成膜室10。

当第一吹扫工序结束时，通过控制器70使高频电源30成为on，向第一电极31供给电力，开始等离子体工序。当经过预定的期间时，从高频电源30向第一电极31的电力的供给成为off，等离子体工序结束。在等离子体工序期间，氧气和氩气经由第二气体配管90供给至成膜室10。

当等离子体工序结束时，开始第二吹扫工序。在第二吹扫工序期间，氧气和氩气作为吹扫气体而经由第二气体配管90供给至成膜室10。

根据第一时序图，自成膜处理开始起，始终供给作为反应气体的氧气和作为载气的氩气，在供这些气体流动的第二气体配管90中始终流动气体。由于压力差，流入到成膜室10的气体不会向第二气体配管90逆流。因此，从原料气体蓄存部21供给的原料气体不会流入第二气体配管90内，能够抑制向在第二气体配管90所安装的压力传感器50附着成膜物质。

在图2的第一时序图中，作为反应气体的氧气和作为载气的氩气在成膜处理中始终在第二气体配管90中流动，但本发明不限于这种时序图。例如，如果为图3～5所示的时序图，则同样地不会向压力传感器50附着成膜材料。以下，将图3所示的时序图称为第二时序图，将图4所示的时序图称为第三时序图，将图5所示的时序图称为第四时序图。

图3所示的第二时序图是如下时序图：作为吹扫气体，导入氮气，仅在等离子体工序将作为反应气体的氧气和作为载气的氩气的供给设为on，在原料气体供给工序中将氩气的供给设为on。在第一吹扫工序及第二吹扫工序中供给吹扫气体。在第二时序图中，设为将吹扫气体蓄存部24连接于气体配管90。在第二气体配管90中，在原料气体供给工序时流动氩气，在等离子体工序时流动氧气和氩气双方，在第一吹扫工序及第二吹扫工序时流动氮气。因此，在原料气体供给工序或等离子体工序中，原料气体或等离子体活性物质不会进入第二气体配管90，因此能够抑制向压力传感器50沉积成膜物质。

图4所示的第三时序图是如下时序图：仅在等离子体工序中将作为反应气体的氧气的供给设置成on，从原料气体供给工序开始，在之后的第一吹扫工序、等离子体工序、第二吹扫工序中，将作为载气的氩气的供给始终设为on。使用作为载气的氩气来作为吹扫气体。在第二气体配管90中，在原料气体供给工序时流动氩气，在等离子体工序时流动氧气和氩气双方，在第一吹扫工序、第二吹扫工序时流动氩气。因此，能够抑制向安装于第二气体配管90的压力传感器50附着成膜处理所生成的成膜物质。

图5所示的第四时序图是如下时序图：从原料气体供给工序开始，在之后的第一吹扫工序、等离子体工序、第二吹扫工序中将作为反应气体的氧气的供给始终设为on，仅在等离子体工序中将作为载气的氩气的供给设为on。在第二气体配管90中，在原料气体供给工序时流动氧气，在等离子体工序时流动氧气和氩气双方，在第一吹扫工序、第二吹扫工序时流动氧气。因此，能够抑制向安装于第二气体配管90的压力传感器50附着成膜处理所生成的成膜物质。

流动反应气体、载气的时序不限于上述所记载的时序。只要以在原料气体供给工序中，反应气体和载气双方的气体在第二气体配管90中流动的方式对时序进行控制即可。

接下来，参考图6，对包括这种结构的成膜装置1进行成膜处理的方法进行说明。该成膜方法受控制器70控制来执行。以基于第三时序图所示的气体的供给控制、电力的供电控制来执行的成膜方法为例进行说明。

首先，当操作者通过开关等指示开始成膜处理时，真空泵60进行驱动，成膜处理开始。

当成膜处理开始时，通过真空泵60对成膜室10内进行减压(步骤s101)。当成膜室10内成为预定的压力以下时，控制器70以打开第三调整阀23b的方式进行控制，向成膜室10内供给载气(步骤102)，控制器70以打开第一调整阀21b的方式进行控制，向成膜室10内供给作为原料气体的tma气体(步骤103)。

所供给的tma气体化学吸附于在成膜室10内配置的基板80的表面。未反应的tma气体及反应生成物作为残留气体而残留于成膜室10内。

供给tma气体，当经过预定的时间时，控制器70关闭第一调整阀21b，开始第一吹扫工序，将残留气体从成膜室10排出(步骤s104)。在第一吹扫工序期间，作为吹扫气体，从载气蓄存部23向成膜室10供给作为载气的氩气。

当控制器70根据成膜室10内的压力值或经过时间而判断为第一吹扫工序结束时，以打开反应气体蓄存部22的第二调整阀22b的方式进行控制。当第二调整阀22b打开时，向成膜室10供给作为反应气体的氧气(步骤s105)。

当向成膜室10供给氧气时，通过控制器70将高频电源30设置成on，高频电源30向第一电极31供给电力，在成膜室10内产生使用了氧气的等离子体(步骤s106)。氧气的一部分成为氧等离子体，该氧等离子体与在基板80上成为自由基状态的tma的残留部分(铝)结合，形成氧化铝薄膜(薄膜形成工序)。由tma气体的氧化而产生的水、残留氧等离子体等残留气体残留于成膜室10内。

在薄膜形成工序结束后，控制器70关闭第二调整阀22b，向成膜室10内供给作为吹扫气体的载气(氩气)。通过供给氩气，从而开始第二吹扫工序，将残留气体、未反应的反应气体、氧自由基等从成膜室10中排出(步骤s107)。

当控制器70根据成膜室10内的压力值或经过时间判断为第二吹扫工序结束时，成膜的一个循环结束。控制器70判断沉积膜是否达到了预定的膜厚，在为预定的膜厚以下的情况下(步骤s108：no)，以打开第一调整阀21b的方式进行控制，向成膜室10内供给作为原料气体的tma气体(步骤103)。之后，重复步骤103～步骤107的循环，直至达到预定的膜厚。

在达到了预定的膜厚的情况下(步骤s108：yes)，开始成膜室10的压力恢复(步骤109)。控制器70以关闭第三调整阀23b的方式进行控制。另外，控制器70以打开第四调整阀24b的方式进行控制，向成膜室10供给作为吹扫气体的氮气。通过压力传感器50测量成膜室10内的压力。当通过压力传感器50判断为成膜室10内压力回复到大气压时，控制器70以关闭第四调整阀24b的方式进行控制。

当第四调整阀24b关闭时，对成膜室10内进行压力释放，从成膜室10取出在成膜室10内配置的基板80，成膜处理结束。

压力传感器50作为能够进行压力释放的压力开关发挥功能，通过测量到成膜室10内的压力为大气压，从而停止向成膜室10内供给吹扫气体。在将压力传感器50用作这种用途的情况下，也能够抑制向压力传感器50附着成膜室10内的成膜材料。

压力传感器50可以应用始终测量成膜室10内部的压力的压力传感器，也可以应用仅在需要进行压力测量时使开关接通的压力传感器。

根据本实施方式，将测量成膜室10内部的压力的压力传感器50不设于成膜室10的排气侧，而是安装于向成膜室10供给气体的第二气体配管90，在供给原料气体时，在第二气体配管90中流动处理气体，因此，能够抑制在成膜室10内生成的成膜材料附着于压力传感器50。因此，能够推迟压力传感器50的更换时期。

根据本实施方式，反应气体蓄存部21和载气蓄存部22连接于一个第二气体配管90，在第二气体配管90安装有压力传感器50。而且，利用第二调整阀22b、第三调整阀23b来适当地控制在第二气体配管90内流动的气体的流量，从而能够抑制向压力传感器50附着成膜材料。

根据本实施方式，在薄膜形成工序中始终在气体配管中流动反应气体和载气，因此在薄膜形成工序生成的等离子体中的活性物质不会到达在气体配管中所设置的压力传感器。

根据本实施方式，在第一吹扫工序和第二吹扫工序中在气体配管中流动反应气体或载气而用作吹扫气体，因此无需另外准备吹扫气体，装置变得紧凑。另外，也能够节约气体的原料。

在本实施方式中的从第一时序图到第四时序图的说明以及成膜处理的方法的说明中，将重点放在了对成膜处理中使用的气体进行供给的时序而进行了说明，但本发明不限于仅对供给气体的时序进行控制的成膜装置。也可以控制向安装有压力传感器50的第二气体配管90供给的气体的流量。例如，也可以分别调整与第二气体配管90连接的反应气体蓄存部22的第二调整阀22b和载气蓄存部23的第三调整阀23b的开度，控制向第二气体配管90供给的气体的流量。只要由两种气体构成的气流的气体流量为预定的流量以上，就能够抑制向压力传感器50附着成膜材料。

(实施方式2)

在本实施方式1中，作为生成等离子体的机构应用了平行平板电极，本发明不限于这种电极。也可以设置从成膜室10内的上方供给原料气体、反应气体、载气的气体淋浴器，将高频电源与该气体淋浴器连接。

图7表示包括气体淋浴器的成膜装置1。成膜装置1包括成膜室10、气体蓄存部20、高频电源30、加热器40、压力传感器50、真空泵60、控制器70以及气体淋浴器100。成膜室10、气体蓄存部20、高频电源30、加热器40、压力传感器50、真空泵60、控制器70的结构与实施方式1相同，因此在本实施方式中省略说明。

气体淋浴器100是将原料气体和处理气体形成淋浴状而向在成膜室10配置的基板80供给的气体供给部件。气体淋浴器100是包括与基板80对置的对置面101的板状部件，在对置面101上形成有多个喷射孔102。另外，气体淋浴器100由硅、烃等对等离子体处理具有耐性的部件形成。

气体淋浴器100与高频电源30连接，从高频电源30向气体淋浴器90供给预定的电力。当高频电源30供电时，在气体淋浴器100与基板80之间生成等离子体。

气体蓄存部20与实施方式1同样地由原料气体蓄存部21、反应气体蓄存部22、载气蓄存部23以及吹扫气体蓄存部24构成。但是，在实施方式1中，反应气体蓄存部22和载气蓄存部23连接于第二气体配管90，原料气体蓄存部21连接于第一气体配管21a，吹扫气体蓄存部24连接于第三气体配管24a。在本实施方式中，原料气体蓄存部21、反应气体蓄存部22、载气蓄存部23连接于共同的气体配管、即第四气体配管120。而且，经由第四气体配管120，原料气体、反应气体、载气供给至气体淋浴器100，从气体淋浴器100向成膜室10内供给各气体。

在本实施方式中，经由气体淋浴器100供给原料气体和处理气体(反应气体、载气)，因此，在等离子体处理中能够防止在成膜室10内所生成的等离子体侵入设有压力传感器50的第四气体配管120内。因此，在第四气体配管120设置的压力传感器50不暴露于等离子体中，从而能够可靠地防止膜向压力传感器50沉积。

在第四气体配管120内的下游侧(成膜室10侧)连接原料气体蓄存部21，在上游侧连接载气蓄存部23及压力传感器50，在原料气体供给工序中，将载气和原料气体同时导入成膜室10内，从而能够抑制向压力传感器50附着原料气体。另外，也可以将原料气体蓄存部21连接于与第四气体配管120不同的系统的气体配管。

以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明不限所说明的实施方式，包含添加合适变更而成的方式。

在本实施方式1、2中，以使用氧化气体(氧气)来形成氧化膜为例进行了说明，但本发明不限于这种氧化气体。例如，也能够应用于使用氮化气体来形成氮化膜的成膜装置。

在本实施方式1、2中，使用pe-ald装置来说明了成膜装置，但只要是进行气体状的成膜处理的成膜装置，就不限于pe-ald装置。例如，本发明对成膜装置1也能够应用于cvd装置。

在本实施方式1、2中，使用基板80作为工件的例而进行了说明，但能够使用本发明的成膜装置来成膜的对象不限于基板80。例如，能够使用于燃料电池、有机el、太阳能电池、显示器、led、压电元件等各种工件。

生产上的可利用性

本发明能够用于包括对成膜室的内部的压力进行测量的压力传感器的成膜装置。

符号说明

1-成膜装置，10-成膜室，20-气体蓄存部，21-原料气体蓄存部，21a-第一气体配管，21b-第一调整阀，22-反应气体蓄存部，22b-第二调整阀，23-载气蓄存部，23b-第三调整阀，24-吹扫气体蓄存部，24a-第三气体配管，24b-第四调整阀，30-高频电源，31-第一电极，32-第二电极，40-加热器，50-压力传感器，60-真空泵，61-排气配管，70-控制器，80-基板，90-第二气体配管，100-气体淋浴器，101-对置面，102-喷射孔，120-第四气体配管。