金属图案外析出防止处理剂和使用了该处理剂的印刷电路板及封装件的制备方法
【专利摘要】本发明提供一种金属图案外析出防止处理剂和使用了该处理剂的印刷电路板及封装件的制备方法，本发明的金属图案外析出防止处理剂的特征在于，该处理剂含有过氧化氢和选自醛糖、醛糖酸、醛糖二酸及其盐、其内酯体中的一种以上的化合物，且该金属图案外析出防止处理剂的pH值为7.1以上。本发明的化学镀图案外析出防止处理剂以使用直接导致Pd残渣失活的过氧化氢为前提，抑制处理剂随时间劣化，具体而言，在抑制碱性条件下的过氧化氢的消耗的同时，抑制基底金属的溶解，能够除去引起化学镀的图案外析出的Pd残渣。
【专利说明】
金属图案外析出防止处理剂和使用了该处理剂的印刷电路板 及封装件的制备方法
技术领域
[0001] 本发明涉及金属图案外析出防止处理剂和使用了该处理剂的印刷电路板及封装 件的制备方法。特别地，涉及使导致金属图案外析出的Pd残渣除去或失活的金属图案外析 出防止处理剂、以及使用了该处理剂的印刷电路板及封装件的制备方法。
【背景技术】
[0002] 基板上的印刷电路一般是通过在基材上形成金属图案，并且重复进行形成其它的 金属膜来得到。例如，在基板上形成作为所述金属图案的Cu图案，进而仅在所述Cu图案上有 选择性地进行镀Ni等来形成作为所述其它的金属膜的Ni膜。
[0003] 此时，首先为了形成Cu图案，在基板上形成作为镀覆催化剂核的钯催化剂核(镀覆 催化剂处理），接下来进行化学镀铜处理。然后，对需要的导体电路图案进行遮蔽，对不需要 的部分进行蚀刻。通过该蚀刻除去不需要部分的Cu和钯催化剂核，但钯催化剂核会存在部 分残留（以下也将金属图案以外的部分所附着的钯称为"Pd残渣"）。在该状态下，进行下一 工序的化学镀Ni时，存在在不期望的部位上也被实施了上述镀Ni等的问题。
[0004] 因此，一般地，上述Cu图案形成后，将Cu图案以外部分所附着的多余的钯去除后， 再进行下一工序的化学镀处理（如化学镀Ni等）。作为所述Pd残渣去除工序中使用的处理 剂，至今为止提出了以下方式的处理剂。
[0005] 首先，第一种方式的处理剂为以溶解Pd残渣方式的处理剂。例如专利文献1中，提 出了一种含有选自硫氰酸盐、硫代硫酸盐、氰化物、亚硫酸盐和高锰酸盐中的至少一种作为 主要成分的溶液，以除去不需要的用于化学镀的催化剂。但是，在该方式中，为了充分发挥 去除Pd残渣的效果，需要进行过量处理，存在作为基底金属的Cu图案溶解的问题。第二种方 式的处理剂为，通过在Pd残渣上吸附抑制剂，使Pd残渣失活方式的处理剂。但是，在该方式 中，存在吸附的处理剂导致的在其后的镀层中易出现空隙、斑点或特性降低的问题。
[0006] 第三种方式的处理剂为，将Pd残渣用过氧化氢氧化，得到氧化钯使其失活方式的 处理剂。以下所称的"去除Pd残渣"包含使Pd残渣失活。例如，专利文献2中公开了将树脂表 面形成的镀覆催化剂核氧化，再把被氧化的镀覆催化剂核溶解除去的镀覆催化剂核除去方 法。另外，公开了使用高锰酸盐、铬酸盐、过氧化氢、高氯酸盐、氯酸盐、亚氯酸盐、过氧酸盐 (Ο才夺：/酸塩）中的至少一种为主要成分的氧化剂对所述镀覆催化剂核进行氧化。在该 方式中，镀层中不会出现上述的空隙、斑点或特性降低，但是，在碱性条件下使用所述过氧 化氢时，所述过氧化氢的消耗显著，也即，存在处理剂随时间劣化显著、实用性差的问题。
[0007] 现有技术文献
[0008] 专利文献
[0009] 专利文献1:特开平8-139435号公报 [0010] 专利文献2:特开2001-342574号公报
【发明内容】
[0011] 本发明针对上述各种技术问题，其目的在于，提供一种金属图案外析出防止处理 剂，该处理剂能够抑制随时间劣化，抑制作为基底(下地)的Cu等金属图案的溶解，并且能够 充分除去(失活)作为化学镀的图案外析出源的Pd残渣。以下，也将本发明的"金属图案外析 出防止处理剂"简称为"图案外析出防止处理剂"或"处理剂"。
[0012] 为解决上述技术问题，本发明提供了一种金属图案外析出防止处理剂，其特征在 于，所述金属图案外析出防止处理剂含有过氧化氢和选自醛糖、醛糖酸、醛糖二酸以及其 盐、其内酯体中的一种以上的化合物，且所述金属图案外析出防止处理剂的pH值为7.1以 上。
[0013] 所述化合物为所述醛糖、所述醛糖酸时，碳原子数优选为3-6;所述化合物为醛糖 二酸时，碳原子数优选为4-6。所述化合物的碳原子数更优选为5和6中的至少一个。
[0014]本发明还提供了使用上述图案外析出防止处理剂的印刷电路板的制备方法。该印 刷电路板的制备方法为对形成有金属图案的基材进行化学镀处理从而制备印刷电路板的 方法，其特征在于，该方法至少包括如下顺序的工序，使所述形成有金属图案的基材与所述 金属图案外析出防止处理剂进行接触的工序，以及化学镀处理工序。优选地，在与所述金属 图案外析出防止处理剂进行接触的工序后，经过用含有氰化物的溶液进行处理的工序，然 后实施所述化学镀处理工序。
[0015] 本发明还提供了使用了上述金属图案外析出防止处理剂的封装件的制备方法。该 封装件的制备方法为对形成有金属图案的基材进行化学镀处理从而制备封装件的方法，其 特征在于，该方法至少包括如下顺序的工序，使所述形成有金属图案的基材与所述金属图 案外析出防止处理剂进行接触的工序，以及化学镀处理的工序。优选地，在与所述金属图案 外析出防止处理剂进行接触的工序后，经过用含有氰化物的溶液进行处理的工序，然后实 施所述化学镀处理工序。
[0016] 通过使用本发明的图案外析出防止处理剂，可抑制溶液随时间劣化，具体而言，由 于能够抑制在碱性条件下过氧化氢的急剧消耗，由此能够有效地除去导致金属图案外析出 的Pd残渣，有效地抑制作为基底的金属图案的溶解。
【附图说明】
[0017] 图1为基于实施例的化合物的有无以及种类来显示过氧化氢随时间劣化的图。
[0018] 图2为基于对比例的化合物的有无以及种类来显示过氧化氢随时间劣化的图。
【具体实施方式】
[0019] 本发明的发明人为解决上述技术问题进行深入研究。最终，以形成无金属图案外 析出、外观良好的化学镀膜为目的，对在化学镀处理前实施的图案外析出防止处理的处理 剂进行了研究。接下来，对本发明的处理剂进行说明。
[0020] 首先，本发明所述处理剂，为了除去Pd残渣，在碱性条件下使用过氧化氢。过氧化 氢在碱性条件下发生生成氧气的反应，所述氧气会导致Pd残渣被氧化从而失活。该反应以 Pd残渣为催化剂，由此在Pd残渣上选择性地发生，能够使Pd残渣高效地失活。另外，可使作 为基底的金属图案、例如Cu图案不被溶解地除去Pd残渣。
[0021] 但是，如上所述，在碱性条件下使用过氧化氢时，自身分解导致过氧化氢急剧消 耗，也就是说随时间劣化显著，实用性差。因此，对得到抑制处理剂的随时间劣化，具体为抑 制在碱性条件下过氧化氢的消耗，使所述过氧化氢的除去Pd残渣的效果持续发挥，实用上 能够使用的处理剂进行了深入研究。
[0022] 其结果发现，使处理剂同时含有所述过氧化氢与选自醛糖、醛糖酸、醛糖二酸及其 盐、其内酯体中的一种以上的化合物时，具有上述优点，由此完成了本发明。
[0023] 作为所述醛糖、所述醛糖酸各自优选使用碳原子数为3-6的化合物。具体地，作为 所述醛糖可举出：碳原子数为3的甘油醛，碳原子数为4的赤藓糖、海藻糖(卜P才口一只），碳 原子数为5的核糖、阿拉伯糖、木糖、来苏糖，碳原子数为6的阿洛糖、阿卓糖、葡萄糖、甘露 糖、古洛糖、艾杜糖、半乳糖、塔罗糖。作为所述醛糖酸可举出：碳原子数为3的甘油酸，碳原 子数为4的赤酮酸、苏糖酸，碳原子数为5的核糖酸、阿拉伯糖酸、木糖酸、来苏糖酸，碳原子 数为6的阿洛糖酸、阿卓糖酸、葡萄糖酸、甘露糖酸、古洛糖酸、艾杜糖酸、半乳糖酸、塔罗糖 酸。作为所述醛糖二酸优选使用碳原子数为4-6的化合物。具体地，可举出：碳原子数为4的 内消旋酒石酸(工リ卜y/レ酸）、（±)-酒石酸(卜レア/レ酸），碳原子数为5的里巴酸(リパ/レ酸）、 阿拉伯糖二酸、木糖二酸（夺シy/レ酸），碳原子数为6的阿洛糖二酸、阿卓糖二酸（7少卜y 少酸）、葡糖二酸、甘露糖二酸、艾杜糖二酸（Y夕'>酸）、半乳糖二酸。上述醛糖等的立体异 构体可无差别的使用。
[0024]另外，也可使用上述化合物的盐。作为盐可举出Na、K等碱金属的盐，Ca、Mg等碱土 金属的盐等。进而，可使用上述化合物的内酯体。
[0025]上述化合物中，更优选为碳原子数为5或6的化合物。也就是说，作为醛糖更优选为 碳原子数为5的核糖、阿拉伯糖、木糖、来苏糖、碳原子数为6的阿洛糖、阿卓糖、葡萄糖、甘露 糖、古洛糖、艾杜糖、半乳糖、塔罗糖。作为醛糖酸更优选为碳原子数为5的核糖酸、阿拉伯糖 酸、木糖酸、来苏糖酸，碳原子数为6的阿洛糖酸、阿卓糖酸、葡萄糖酸、甘露糖酸、古洛糖酸、 艾杜糖酸、半乳糖酸、塔罗糖酸。作为醛糖二酸更优选为碳原子数为5的里巴酸、阿拉伯糖二 酸、木糖二酸，碳原子数为6的阿洛糖二酸、阿卓糖二酸、葡糖二酸、甘露糖二酸、艾杜糖二 酸、半乳糖二酸。另外，可使用上述化合物的盐。进而，可使用上述化合物的内酯体。
[0026]上述化合物的浓度，取决于所述过氧化氢的量，例如可以含有0.0007mol/L以上， 优选含有〇.〇l〇mol/L以上，更优选含有0.07m〇VL以上。另外，由于上述化合物的含量过多 其效果达到饱和，因此上述化合物的含量的上限为7mol/L左右。该上限，优选为2mol/L以 下，更优选为lmol/L以下。例如，作为所述化合物使用葡萄糖酸钠时，葡萄糖酸钠的浓度可 以为 0.07mol/L。
[0027]本发明中，如上所述，过氧化氢是必须的。该过氧化氢的浓度例如可以为0.03mol/ L以上。所述过氧化氢的浓度优选为0.10mol/L以上，更优选为0.50mol/L以上。另外，由于过 氧化氢过多其效果达到饱和，因此含量的上限为30mol/L左右。该上限优选为20mol/L以下， 更优选为l〇mol/L以下。
[0028]本发明的处理剂，以为碱性为前提，pH值为7.1以上。pH值比该值低时，过氧化氢的 上述除去Pd残渣的效果不能充分发挥。pH值优选为7.5-10。本发明的处理剂优选为在上述 化合物和过氧化氢中加入水，并添加 pH调节剂调节至规定的pH值。pH调节剂的种类没有特 别的限定，只要能够调节至碱性即可，例如，可以使用氢氧化钠或硫酸等。在本发明中，相对 于处理剂总量，根据处理剂的组成适当地控制pH值调节剂的优选含量，得到优选的优选的 pH值即可。
[0029] 下面，对上述处理剂用于印刷电路板和封装件的制备方法进行说明。
[0030] 本发明的印刷电路板和封装件的制备方法为，对形成有金属图案的基材，在所述 金属图案上进行用于形成其它的金属膜的化学镀处理，制备印刷电路板或封装件的方法， 其特征在于，对形成有所述金属图案的基材进行至少包括如下顺序的处理，
[0031] (i)与金属图案外析出防止处理剂进行接触的工序；
[0032] (ii)用于形成其它的金属膜的化学镀处理工序。
[0033] 所述金属图案，即构成导体电路的金属为通常使用的金属即可，例如可举出Cu、W、 Mo、Ag、Al或以这些金属为主的合金。它们中，优选使用导电性高且能够抑制成本的Cu或Cu 合金。
[0034] 下面，以作为所述金属图案使用化学镀处理法形成Cu图案，作为所述其它的金属 膜形成Ni膜的情况为例进行说明。
[0035] 使用化学镀处理法形成所述金属图案时的条件，采用通常进行化学镀的条件即 可。例如，形成Cu图案时，在基板上形成作为镀覆催化剂核的钯催化剂核（镀覆催化剂处 理），接着进行化学镀Cu处理。之后，对需要的导体电路图案进行遮蔽，对不需要的部分进行 蚀刻。接着通过下述工序，使形成有Cu图案的基材与金属图案外析出防止处理剂进行接触 处理。
[0036] (i)与金属图案外析出防止处理剂进行接触的工序
[0037]使用本发明的处理剂，进行金属图案外析出防止处理（即，Cu图案外析出防止处 理）。所述形成有Cu图案的基材表面与本发明的处理剂接触即可，例如可举出通过浸渍等方 法进tx。
[0038]对处理剂的液体温度没有特别限定，例如，可以在0-80°C的范围内，特别优选为 25-60°C的范围内。为了提高该液体温度，可举出下述实施例中实施的水浴间接加热、加热 器直接加热等方法。
[0039]与所述处理剂接触的时间（浸渍的情况下，在所述处理剂中的浸渍时间）优选为1 分钟以上且30分钟以下。不足1分钟时，处理不能充分进行，Pd残渣容易残留。另一方面，接 触时间过长会导致生产率降低，如上述一样为30分钟以下为好。
[0040] 优选地，在所述工序（i)之后，经过用含有氰化物的溶液进行处理的工序后，进行 所述工序（ii)的化学镀处理工序。作为用该含有氰化物的溶液进行处理的工序，例如可举 出在含有0.01-1.5mol/L的氰化钾等的氰化物、且液体温度例如为0-80 °C的溶液中，浸渍例 如1分钟以上且30分钟以下。
[0041] (ii)用于形成其它的金属膜的化学镀处理工序
[0042]对于实施有上述Cu图案等的基材，为了进一步形成其它的金属膜，例如Ni膜，在所 述金属图案外析出防止处理工序后(进一步优选为，在用含有氰化物的溶液进行处理的工 序后），进行化学镀Ni处理。对于该工序的条件没有特别限定，可以采用通常进行的工序。 [0043]在本发明的印刷电路板和封装件的制备方法中，对于上述没有说明的工序没有特 别限定，可以采用通常进行的工序。例如，作为实施所述化学镀Ni处理前的处理，可举出按 照如下顺序进行实施的方式:在酸性溶液或者碱性溶液的脱脂溶液中，例如在65°C下浸渍5 分钟，进行脱除表面的油脂等的脱脂工序；用硫酸或过硫酸钠等的蚀刻液使基板表面轻度 粗糙化(轻微蚀刻）后，将表面残留的残渣用硫酸等酸洗液除去的轻微蚀刻工序；用公知方 法实施的酸洗工序;形成用于形成化学镀Ni的钯催化剂核的工序等。另外，在封装件的制备 方法中，更进一步地，作为所述印刷电路板的搭载方法或树脂封闭方法可以采用通常进行 的方法。
[0044] 本发明的金属图案外析出防止处理剂，除了如上述示例一样对实施有Cu图案的基 材使用以外，例如，还可以在形成所述Ni膜后，在该Ni膜上更进一步地形成其它的金属膜， 例如金膜的情况下使用。也就是说，对于形成有Ni膜的基材，在进行用于更进一步地形成其 它的金属膜(金膜）的化学镀金处理之前，用所述处理剂进行处理，去除用于化学镀Ni处理 所使用的Pd的残渣。
[0045] 实施例
[0046] 以下，通过实施例对本发明进行更加具体地说明，但本发明不受下述实施例的限 制，可在上下文所述的内容范围内进行适当地变更后实施，这样的实施方式也包含在本发 明的技术范围内。另外，实施例中，虽然作为金属图案形成Cu图案，但本发明也可适用于Cu 以外的金属图案。
[0047][实施例1]
[0048] 实施例1中，对化合物的种类与过氧化氢的消耗率的关系进行了探讨。
[0049] 具体地，通过下述步骤求得过氧化氢的消耗率。
[0050] 1、各烧杯中，加入表1的化合物0.07mol/L，加入去离子水(DI水)使其完全溶解。
[0051 ] 2、上述1的溶液中，加入过氧化氢水使过氧化氢浓度为3mol/L，接着添加氢氧化钠 调节pH值为9,加入去离子水使各烧杯的液面一致。
[0052] 3、将上述2的烧杯置入设定为40°C的水浴中，使液体温度为40°C，在该40°C的状态 下放置6小时。并且，从放置开始直至6小时（6h)结束每1小时（lh)，测定上述过氧化氢的浓 度：以所述过氧化氢浓度3mo 1 /L为100 %时的过氧化氢的浓度的比例。其结果如图1和图2所 示。另外，求出放置6小时后，过氧化氢的消耗率。该过氧化氢的消耗率用下述公式求得，100 X [(放置开始时的过氧化氢浓度)_(6小时后过氧化氢的浓度）]/(放置开始时的过氧化氢 浓度）。其结果如表1所述。
[0053]表 1
[0055] 由表1、图1和图2可知如下情况。也就是说，使用本发明的化合物时，放置开始后过 氧化氢的消耗几乎不发生，经过6小时后仍有8成以上的过氧化氢存在。特别是表1中的实施 例1-8的化合物，经过6小时后，过氧化氢的消耗率为1%，几乎没有消耗。本发明规定的化合 物与过氧化氢共同使用时，不随时间劣化而能够持续发挥过氧化氢对上述Pd残渣的去除效 果。另外，图1的结果表明，化合物的碳原子数多时能够获得更好的效果。
[0056] 与之相对，不添加化合物的空白组(对比例1)，如图1及图2所示，放置开始后不久， 过氧化氢的消耗开始，3小时（3h)后为50 %以下，6小时后消耗70 %。此外，由图2的结果可 知，对比例2-5的情况与前述对比例1的空白组相同，从放置开始后不久过氧化氢的消耗的 开始，3小时后为50%以下，6小时后消耗70%。也就是说，对比例2和对比例3中，具有羧酸的 柠檬酸或乙酸没有效果。另外，表1和图2中未示出的甲酸也没有效果。由以上结果可知，糖 类系统以外的羧酸得不到效果。另外，由比较例4所示可知，使用具有羧酸且不具有羟基的 碳原子数为5的戊二酸也得不到效果。更进一步地，由对比例5所示可知，具有羟基但不具有 醛基和羧基的葡萄糖醇等的醛醇也得不到效果。
[0057][实施例2]
[0058]实施例2中，作为化合物使用葡萄糖酸钠，改变该葡萄糖酸钠的浓度、过氧化氢的 浓度、溶液性质，调查对作为基底金属的Cu的溶解量、过氧化氢的消耗率以及图案外析出和 镀膜外观导致的影响。
[0059] 通过下述的顺序配制处理剂。
[0060] (1)各烧杯中，加入葡萄糖酸钠，加入去离子水(DI水)使其完全溶解，使葡萄糖酸 钠的浓度为表2所示的浓度。
[0061] (2)在上述1中的溶液中，加入过氧化氢使其成为表2所示的浓度，进而，在实施例 1-8和对比例4中加入氢氧化钠调节pH值，在对比例3中加入硫酸调节pH值，并加入去离子水 使各烧杯的液面一致。
[0062] (3)将上述2的烧杯置入设定为与表2所示液体温度相同温度的水浴中，使处理剂 的液体温度为如表2所示的液体温度。
[0063] 另外，作为对比例1，准备以下处理剂:代替上述过氧化氢和葡萄糖酸钠，使用了氰 化钾:0.25mol/L(15g/L)的处理剂;作为对比例2，准备以下处理剂:代替上述过氧化氢和葡 萄糖酸钠，使用了硫脲〇. 〇25mol/L(2g/L)、浓盐酸0.6mol/L以及硝酸铵0. lmol/L的处理剂。
[0064] 〔过氧化氢的消耗率〕
[0065] 将各处理剂在表2所示的液体温度下放置1小时。求出放置1小时后的过氧化氢的 消耗率。该过氧化氢的消耗率由下式求出：1〇〇Χ [(放置开始时的过氧化氢的浓度)-(1小时 后的过氧化氢的浓度）]/(放置开始时的过氧化氢的浓度）。过氧化氢的消耗率不足20 %时 评价为合格。
[0066]接下来，准备在尺寸为5cm X 5cm的铜板上形成有0.7mg/dm2的Pd膜的铜板作为被 处理物。使该被处理物在上述处理剂中以表2所示的处理时间浸渍。另外，表2的实施例8中， 在上述处理剂中浸渍后，继续用氰化钾0.25m 〇l/L(40°C)浸渍1分钟。上述处理剂浸渍后、实 施例8中在上述氰化钾溶液中浸渍后，经洗净后得到评价用样品。
[0067]利用该评价用样品，以下述要点测定作为基底金属的Cu的溶解量。进而，用下述方 法进行图案外析出的有无和镀膜外观的观察。
[0068]〔作为基底金属的Cu的溶解量〕
[0069]以每1升处理剂浸渍5000cm2的方式使铜板浸渍30分钟后，测定处理剂中的铜浓 度。并且，在该处理剂中的铜浓度为l〇mg/L以下时，基底金属的溶解被抑制评价为合格。
[0070] 〔图案外析出的有无和镀膜外观的观察〕
[0071] 图案外析出的评价，通过制作下面的样品进行。也就是说，准备以下样品：在3cmX 3cm的玻璃环氧树脂基板上，使用Pd催化剂形成化学镀Cu层，实施蚀刻后形成线宽和线距 (y彳^ K只<一只）（L/S) = 50μπι/50μπι的Cu图案的样品。接着，使该样品在上述处理 剂中以表2所示的处理时间浸渍。然后，经过洗净后，进行化学镀Ni处理，形成厚度为7μπι的 化学镀Ni层。另外，表2中的实施例8中，在上述处理剂中浸渍后，继续用氰化钾0.25mol/L (40°C)浸渍1分钟。此后，经过洗净，进行化学镀Ni处理，形成厚度为7μπι的化学镀Ni层。 [0072]然后，在Cu图案外未形成镀Ni层的情况为合格，评定为0K，在Cu图案外形成有镀Ni 层的情况为不合格，评定为NG。另外，镀膜外观用肉眼观察，未出现斑点的情况为镀膜外观 合格，评定为0K，出现斑点的情况为镀膜外观不合格，评定为NG。
[0073]以上结果一起记载在表2中。
[0074]表 2
[0076] ※丨氰酸钾 〇.25mol/L(15g/L)
[0077] ※2硫脲0 · 025mol/L(2g/L)+浓盐酸0 · 6mol/L+硝酸铵0 · lmol/L
[0078] ※3在处理剂中浸渍后，在氰酸钾0.25mol/L(40°C)中浸渍1分钟
[0079] 由表2可知如下结果。对比例1为代替本发明中规定的过氧化氢和化合物使用以往 使用的Pd残渣去除剂(氰化钾水溶液)的例子。在该对比例1中，作为基底金属的Cu的溶解量 变多。对比例2为代替本发明中规定的过氧化氢和化合物使用含有吸附系添加剂的Pd残渣 去除剂(含有硫脲、浓盐酸以及硝酸铵的水溶液）的例子。在该对比例2中，作为基底金属的 Cu的溶解量变多。另外，镀膜外观可见斑点的出现。
[0080] 在对比例3中，虽然使用了本发明规定的过氧化氢和化合物，但是由于溶液为酸 性，作为基底金属的Cu的溶解量变多。溶液为酸性时，主要是过氧化氢使Cu溶出。另外，过氧 化氢的Pd去除效果不能发挥，Pd残渣较多残留，出现图案外析出。进而，由于外观还出现了 斑点，镀膜外观变差。
[0081] 对比例4为使用过氧化氢而未使用规定的化合物的例子。在该对比例4中，过氧化 氢的消耗率非常高，实际使用中无法使用。
[0082]与此相对，在实施例1-8中，由于使用本发明规定的处理剂，处理剂不发生随时间 劣化，能够很好地去除导致化学镀的图案外析出的Pd残渣，抑制基底金属的溶解。
【主权项】
1. 一种金属图案外析出防止处理剂，其特征在于，该处理剂含有过氧化氢和选自醛糖、 醛糖酸、醛糖二酸及其盐、其内酯体中的一种以上的化合物，且所述金属图案外析出防止处 理剂的pH值为7.1以上。2. 根据权利要求1所述金属图案外析出防止处理剂，其中，所述化合物为所述醛糖、所 述醛糖酸时，碳原子数为3-6;所述化合物为所述醛糖二酸时，碳原子数为4-6。3. 根据权利要求1所述金属图案外析出防止处理剂，其中，所述化合物的碳原子数为5 和6中的至少一个。4. 一种印刷电路板的制备方法，该方法为对形成有金属图案的基材进行化学镀处理从 而制备印刷电路板的方法，其特征在于，该制备方法至少包括如下顺序的工序， 使所述形成有金属图案的基材与权利要求1-3中任意一项所述金属图案外析出防止处 理剂进行接触的工序，和化学镀处理工序。5. 根据权利要求4所述印刷电路板的制备方法，其中，在与所述金属图案外析出防止处 理剂进行接触的工序后，经过用含有氰化物的溶液进行处理的工序，然后实施所述化学镀 处理工序。6. -种封装件的制备方法，该方法为对形成有金属图案的基材进行化学镀处理从而制 备封装件的方法，其特征在于，该制备方法至少包括如下顺序的工序， 使所述形成有金属图案的基材与权利要求1-3中的任意一项所述金属图案外析出防止 处理剂进行接触的工序，和化学镀处理工序。7. 根据权利要求6所述的封装件的制备方法，其中，在与所述金属图案外析出防止处理 剂进行接触的工序后，经过用含有氰化物的溶液进行处理的工序，然后实施所述化学镀处 理工序。
【文档编号】C23F1/40GK105970226SQ201610131098
【公开日】2016年9月28日
【申请日】2016年3月8日
【发明人】田边克久, 北岛晃太, 染矢立志, 小田幸典, 能津雅浩
【申请人】上村工业株式会社