专利名称：用于多晶硅生产的供料系统的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种用于多晶硅生产的供料系统(装置)。
背景技术：
多晶硅棒生产是制备高纯硅过程中的最重要阶段，对多晶硅的产量、质量、成本以及整个生产系统的协调性、稳定性、安全性起着不可估量的作用。目前国内多晶硅生产通常采用三氯氢硅氢还原法。经提纯和净化的氢气和三氯氢硅按照一定比例供给到还原炉中，在一定高温下进行如下化学反应，生产的硅沉积在还原炉中的硅芯上，主要的化学反应方程式为SiHCl3+H2 — Si+3HC1 ；同时还会发生SiHCl3热分解和SiCl4的还原反应4SiHCl3 — Si+3SiCl4+2H2 ；SiCl4+2H2 — Si+4HC1。由还原炉内上述反应方程式可以看出=SiHCl3反应后，会生成多晶硅和副产物四氯化硅，四氯化硅的产量越高，则硅的实收率越低。因此，选择合适的反应混合物配比，能够有利于提高硅的实收率，并使产品结晶质量提高。目前在生产过程中，为了利于提高实收率和产品质量，氢气通常选择为比化学当量值过量。供给到还原炉中的还原剂氢气和原料三氯氢硅的摩尔比(即反应混合物配比，下文简称配比)的一般范围选择在10:广3:1之间。如果选择的反应混合物配比偏大，氢气比化学当量值过量较多，生长速率低、有利于提高硅的实收率，但硅棒生长后期容易出现“玉米棒”现象。玉米棒现象为硅棒长成玉米棒状，出现此状态的多晶硅棒会出现以下缺点硅棒质量差，“玉米粒”之间由于温度过高，大量的硼(B)、磷(P)杂质及金属杂质聚集，导致产品质量下降；硅棒疏松，容易倒棒，造成更加严重的损失。大多数选择大配比的厂家，解决此现象(玉米粒的产生)的方法是在多晶硅棒生长后期增大氢气和三氯氢硅两者的进料量，但此方法会增加尾气回收系统的负荷。如果在设计期间提高系统的尾气处理能力，则会增加一次性投资成本和运行成本；如果在运行期间增加尾气处理量，则会导致尾气回收系统不能完全处理多晶硅尾气，最终导致生产效率过低，成本过高。另一方面，采用低配比，即增大SiHCl3配比浓度，则生长速率高、硅棒致密、多晶硅电耗低、硅的实收率较低、硅棒生长后期无“玉米棒”现象。但配比过小，会造成大量副产物四氯化硅的生成，导致硅的实收率变低，而现在大多数的多晶硅生产厂家没有一个有效的处理副产物四氯化硅的方法。一些厂家使用热氢化技术处理四氯化硅，但无形中增加了一次性投资和运行成本。传统混合进料方式如附图1所示氢气通入含有一定液位的三氯氢硅液体的鼓泡汽化器92，通过控制汽化器的温度和压力来控制进料混合气的配比。鼓泡汽化器92被连接到数台还原炉，例如还原炉10、20···等。因为从一台汽化器流出的混合气会分别进入数台还原炉，因此改变一台汽化器中混合气的配比，会影响所有还原炉的进料配比。当各还原炉中处于多晶硅生长过程的不同时期时，这样可能会对系统造成相当不利的影响如将配比调大，其中一台还原炉在多晶硅生长后期，则会出现玉米棒现象；将配比调小，则处在生长前期的还原炉中的硅的实收率会降低。
实用新型内容为了克服上述传统方式中各配比进料方式的缺点，本实用新型希望提供一种可变配比进料方式的多晶硅生产装置。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是加热后的氢气与过热后的三氯氢硅分别控制其各自的流量，供给到与多个还原炉分别相连的各自的静态混合器中混合以实现生产过程中变配比的目的，且其中一个静态混合器中混合气配比可以控制为与其它静态混合器中混合气配比不同，因此其中一个静态混合器中混合气配比的改变不会对其他还原炉的生产造成影响。在本实用新型的第一方面，提供一种用于多晶硅生产还原炉的供料系统包括氢气加热器，其与氢气供给源连接，用于接收来自氢气供给源的氢气并加热氢气；三氯氢硅汽化器，其与三氯氢硅液体供给源相连，用于将来自三氯氢硅液体供给源的三氯氢硅液体汽化为三氯氢硅气体；至少第一和第二混合装置，每个混合装置都与氢气加热器和三氯氢硅汽化器流体连通地连接并分别从氢气加热器接收加热的氢气和从汽化器接收三氯氢硅气体，其中第一混合装置按照第一预定配比将接收的氢气和三氯氢硅气体混合为第一进料混合气，且第二混合装置按照第二预定配比将接收的氢气和三氯氢硅气体混合为第二进料混合气；至少第一和第二还原炉，分别与至少第一和第二混合装置流体连通地连接，以便第一混合装置将第一进料混合气提供到第一还原炉，并且第二混合装置将第二进料混合气提供到第二还原炉。 优选地，所述第一预定配比不同于所述第二预定配比。优选地，第一预定配比和第二预定配比各自都是可变化的。优选地，第一预定配比和第二预定配比根据相应的第一和第二还原炉的生产阶段而变化。优选地，所述供料系统还包括将氢气加热器分别流体连通地连接到至少第一和第二混合装置的至少第一氢气供给管路和第二氢气供给管路，用于向各自混合装置分别供给加热后的氢气；以及，将三氯氢硅汽化器分别流体连通地连接到至少第一和第二混合装置的至少第一三氯氢硅供给管路和第二三氯氢硅供给管路，用于向各自混合装置分别供给三氯氢硅气体。优选地，第一和第二氢气供给管路各自设置有氢气流量调节阀，以及第一和第二三氯氢硅供给管路上各自设置有三氯氢硅流量调节阀，相应的氢气流量调节阀和相应的三氯氢硅流量调节阀被调节以便分别在第一混合装置中产生具有第一预定配比的第一进料混合气和在第二混合装置中产生具有第二预定配比的第二进料混合气。[0026]优选地，所述供料系统还包括控制器，其配置为与各流量调节阀通信连接，并根据对应于各自还原炉的预先确定的配比曲线来调节相应的氢气流量调节阀和三氯氢硅流量调节阀中的至少一个。优选地，在各供给管路上分别设置流量计，用于计量通过相应管路的氢气和三氯氢硅气体之一的流量；所述供料系统还包括与各流量计和各流量调节阀通信连接的控制器，所述控制器配置为根据第一预定配比控制第一氢气供给管路上的氢气流量调节阀和第一三氯氢硅供给管路上的三氯氢硅流量调节阀以便提供第一进料混合气，根据第二预定配比控制第二氢气供给管路上的氢气流量调节阀和第二三氯氢硅供给管路上的三氯氢硅流量调节阀以便提供第二进料混合气，并且根据来自各自管路上的各流量计的信号反馈控制相应的流量调节阀。优选地，第一预定配比和第二预定配比在6 :1至4 :1之间的范围内变化。优选地，所述第一和第二混合装置是静态混合器。在本实用新型的第二方面，提供一种用于多晶硅生产还原炉的供料系统，包括多个还原炉；多个静态混合器，其中每个静态混合器的出口流体连通地连接到多个还原炉中相应一个的进料口；氢气加热器，通过第一组供给管路连接到多个静态混合器中的每一个的第一入口，并将氢气分别供给到每个静态混合器，其中所述第一组供给管路包括多个第一供给通道，每个第一供给通道将氢气加热器流体连通地连接到相应的一个静态混合器的第一入 Π ；三氯氢硅汽化器，通过第二组供给管路连接到多个静态混合器中的每一个的第二入口，并将汽化后的三氯氢硅气体分别供给到每个静态混合器，其中所述第二组供给管路包括多个第二供给通道，每个第二供给通道将三氯氢硅汽化器连通地连接到相应的一个静态混合器的第二入口；其中各静态混合器能够以不同的氢气和三氯氢硅的配比将氢气和三氯氢硅气体混合并将其供给到各相应的还原炉中。优选地，对于每个静态混合器，所述配比是可变化的。优选地，多个第一供给通道中的每一个和多个第二供给通道中的每一个上都设置有流量调节阀，用于控制流过其相应供给通道的气体流量，以便在各相应的静态混合器中按照不同的配比产生氢气和三氯氢硅混合气。优选地，所述供料系统还包括控制器，其配置为与各流量调节阀通信连接，并根据对应于各自还原炉的预先确定的配比曲线来调节相应的第一供给通道和相应的第二供给通道中的流量调节阀。本实用新型应用的更多领域将通过下文所给出的详细描述变得更加显而易见。应当理解，具体描述和特定例子仅用作解释和理解目的，但是不应该被用来限制本实用新型的范围。
通过下面的详细描述和附图将更完全地理解本实用新型，其中[0041]图1示意地示出了传统多晶硅生产的供料系统及其他设备。图2是根据本实用新型原理的用于多晶硅生产还原炉的供料系统的示意性方框图。图3是根据本实用新型优选实施例的用于多晶硅生产还原炉的供料系统的示意性方框图。图4为根据本实用新型的一个实施例在多晶硅生产过程中其中一个示例还原炉中的三氯氢硅和氢气进料流量的曲线图。图5为根据本实用新型的图4所示示例的还原炉中反应混合物配比的变化的曲线。
具体实施方式
多晶硅生长实际上是一个晶体生长过程，从结晶学可知，晶体生长分为成核阶段和成晶阶段。即先形成稳定的晶核，并在适当条件下，进一步成长成晶体。在单位时间内， 单位体积中所形成的核的数目称为成核速度，它决定于介质的过饱和度，过饱和度越大，成核速度就越大。提高还原炉内压力、多晶硅棒温度均有利于硅的沉积速率，但也使得多晶硅成晶速度过快，最终形成玉米棒；为了抑制成晶速度而不降低硅的沉积速率，则需要提高成核速度以抑制成晶速度。通过上一段的描述可知，这可以通过提高混合气中三氯氢硅的过饱和度来解决，即提高三氯氢硅配比浓度，也就是降低反应混合物配比。在多晶硅生产过程中，三氯氢硅与氢气的混合气按一定配比通入还原炉，在硅棒表面发生反应，部分三氯氢硅转化为硅和四氯化硅，导致混合气中三氯氢硅的过饱和度变低，成核速度下降；且硅棒直径越大，硅棒表面积越大，则单位时间过饱和度降低的越多； 为了防止成晶速度过快，则需随着多晶硅棒直径不断的变粗，提高混合气的过饱和度。其中方法有两种一种是增大混合气量，但该方法会增加尾气处理系统的负荷；另一种是不断降低配比，此方法对尾气处理系统的负荷影响极小。根据本实用新型，对于氢气和三氯氢硅的混合设置了多个混合器，例如静态混合器。每个混合器通过管路与氢气加热器和三氯氢硅汽化器相连以便从其中分别接收供给的氢气和三氯氢硅，并根据需要在各混合器中产生不同的所需配比的氢气和三氯氢硅的混合气。之后，每个混合器将具有不同的所需配比的混合气通过各自管路分别输送到多个还原炉中相应的一个，以实现在不同还原炉中多晶硅生产的最优化。在本实用新型的一个实施例中，混合器的数目可以与还原炉的数目相同。相比现有技术中只通过单独一个鼓泡汽化器向所有的还原炉提供相同混合气配比的情形，本实用新型通过提供多个混合器，每个混合器可以独立地提供不同的预定配比， 能够实现更加优化的进料配比方式。这样通过独立地调节和改变各还原炉中的反应混合物配比，本实用新型使得各还原炉中的多晶硅生产效率最大化，且多晶硅产品结晶的质量最佳。图2示出了本实用新型供料系统的原理和基本构造的示意图。在一个实施例中， 为了简要起见，仅示出了两个静态混合器A和B，以及两个还原炉10和20。但是应当理解， 本实用新型可以包括两个以上的静态混合器和两个以上的还原炉。[0052]根据本实用新型的供料系统包括氢气加热器1、三氯氢硅汽化器2，至少两个静态混合器A和B以及至少两个还原炉10和20。氢气加热器1与氢气供给源相连，且三氯氢硅汽化器2与液态三氯氢硅供给源相连。氢气加热器1的出口通过分别的供给管路分别流体连通地连接到静态混合器A和B，且汽化器2的出口也通过分别的供给管路分别流体连通地连接到静态混合器A和B。第一静态混合器A流体连通地连接到第一还原炉10，且第二静态混合器B流体连通地连接到第二还原炉20。经过净化的氢气输送到氢气加热器1中被加热。高纯三氯氢硅液体输送到三氯氢硅汽化器2被汽化成三氯氢硅气体。之后，被加热的氢气可通过分别的氢气供给管路Al、 Bl被分别输送到第一静态混合器A和第二静态混合器B中，同时，汽化后的三氯氢硅气体可通过不同的三氯氢硅供给管路A2、B2被分别输送到第一静态混合器A和第二静态混合器B 中。氢气和三氯氢硅气体向各自静态混合器A和B的输送量均可以独立地控制，使得在各自混合器A和B中可以生成不同所需配比的混合气。此后，将各自混合器A和B中具有各自的所需配比的反应混合气分别供给到对应的还原炉10和20中，进行多晶硅生成的反应。 从各还原炉排出的尾气可以进入尾气回收系统90进行处理。与图1所示的现有技术相比，本实用新型的混合气供料系统具有以下好处和优点。图1中，三氯氢硅和氢气只在鼓泡汽化器92中混合，然后混合的三氯氢硅和氢气混合气进入多个还原炉。如果改变图1的鼓泡汽化器92中的混合气配比，将影响其所供所有的还原炉中混合气配比变化。然而，不同的还原炉可能处于在多晶硅的不同的生长阶段，为了提高硅的实收率并保证产品的结晶质量较好，所需配比倾向于是不同的。因此，图1所示的供料系统对单个还原炉来讲不能单独地随时进行变配比。与之对照，图2所示的本实用新型的供料系统设置有多个独立的混合器，以便三氯氢硅和吐在进入每个还原炉之前在相应的单独的混合器中进行混合，因此可以独立地、互不影响地调节控制每个还原炉的混合气配比，这样能够实现(1)各自还原炉配比的独立控制；以及(2)对于每个还原炉，其混合气配比可以随着硅的生产阶段是可变的。可见，本实用新型的供料系统在混合气配比调节上具有很大的灵活性。图3示出了本实用新型供料装置的另一个优选实施例。除了与图2所示相同的部件之外，图3还在各自供给管路A1、B1、A2、B2上设置一个流量调节阀3，该调节阀3用于调节通过各相应供给管路中的氢气或三氯氢硅气体的量。加热后的氢气与三氯氢硅气体在各自流量调节阀控制下，按预定的所需配比进入各自静态混合器进行混合，然后被混合的混合气进入各自还原炉。例如，氢气管路Al中的调节阀3和氢气管路Bl中的调节阀3能够分别地独立控制通过管路Al和Bl的氢气流量。图3中仅示出了氢气管路Al和Bl上的调节阀3、3，而未示出设置在三氯氢硅供给管路A2和B2上的调节阀。但本领域技术人员应当理解，三氯氢硅供给管路A2和B2上同样设置有各自的流量调节阀，其布置和功能与上述氢气管路上的流量调节阀相似。控制氢气供给管路Al和三氯氢硅供给管路A2上的各自调节阀3，使得在第一静态混合器A中产生具有第一预定配比的混合气。相似地，控制氢气供给管路Bl和三氯氢硅供给管路B2上的各自调节阀3，使得在第二静态混合器B中产生具有第二预定配比的混合气。第一预定配比可以与第二预定配比不同，并可以随着对应还原炉中的生产进程分别被改变。[0057]此外，该供料装置还可以包括控制器5，与流量调节阀3通信连通。控制器5根据预先储存的对应于每个还原炉的所需配比或者氢气和三氯氢硅的流量，分别控制各氢气和三氯氢硅管路中的流量调节阀3，调节流到各混合器A、B中的氢气量和三氯氢硅的量，从而在各混合器中实现对应的预定配比的混合气、并将其分别供给至各自的还原炉10、20。图3 中的控制器5虽然被分开地示出，但控制器5可以是一个单独的控制器模块。优选地，该供料装置还可以包括设置在各供给管路A1、A2、B1、B2上的流量计4，用于测量通过各自管路中的流体流量。各流量计4与控制器5通信连接，以便将各管路中测得的氢气或三氯氢硅气体的流量信号传送到控制器5，用于对流量调节阀3进行反馈控制。 来自氢气流量计4 (例如管路Al上)的信号除以来自相对应的三氯氢硅流量计4 (例如管路 A2上)的信号计算得到对应的混合器(例如混合器A)中的实际配比值。对于每个混合器， 控制器5将该计算出的实际配比值与预先储存的期望配比值比较，然后根据该比较的结果 (差值)调整相应管路上的流量调节阀3的开度，使得达到期望配比值。图4和图5示出了根据本实用新型对于其中一个示例还原炉的混合气进料的示例，说明了根据本实用新型对于每个还原炉进行可变混合气配比的进料。在该示例中，还原炉中设置有18对棒状硅芯，硅芯长度为2米。如图所示，在多晶硅生产过程中，随着时间推移，输入还原炉中的氢气量和三氯氢硅量是变化的，并且其配比也是可变的。图4中示出了根据本实用新型的变化配比情况，点划线表示变化配比情况下的三氯氢硅的进料量，且实线表示变化配比情况下的氢气进料量。由图4可知，氢气进料量和三氯氢硅进料量在生产过程中分别逐渐增大，在生产后期达到各自的最大值。这是因为随着硅棒直径增大，硅棒表面积越来越大，则反应物三氯氢硅和氢气的需要量变大。传统工艺固定配比情况下，即三氯氢硅和氢气之间的比例恒定时，如图4的虚线示出了固定配比时的氢气进料量(假设三氯氢硅进料量依然保持图4的点划线所示的量)。与传统工艺相比，根据本实用新型的多晶硅生产过程中逐渐提高三氯氢硅配比浓度(即混合物配比逐渐减小)，可以优化多晶硅生产工艺，如上所述。图5示出了对应于图4的氢气与三氯氢硅的混合气配比的变化曲线。在该示例中， 混合气配比的范围从约6:1变化(降低)到约4:1。根据需要，混合气配比的范围也可以改变，例如选择配比范围为从约6:1变化到约3. 5:1。在多晶硅生产时期内降低配比的主要目的是抑制多晶硅成晶速度，而多晶硅棒的温度和还原炉内的压力对多晶硅的成晶速度有加成(提高成晶速度)，且温度和压力又有利于三氯氢硅反应生成多晶硅。综上所述，如果硅棒温度和炉内压力较高，提高了成晶速度， 则需在其他条件同等的前提下，降低配比；如果硅棒温度和炉内压力较低，相对降低了成晶速度，则可在其他条件同等的前提下，适当降低配比。如上描述了本实用新型的用于多晶硅生产还原炉的供料系统的一些实施例。可以看出，本实用新型的供料系统相对于现有技术具有如上文所述的多种优点。本实用新型的有益效果是降低了多晶硅棒停炉阶段的倒棒率，提高了产品质量，降低多晶硅单电耗约 30^50kwh/kg-si,降低多晶硅综合电耗约5(T60kwh/kg-Si，降低尾气回收负荷进而提高多晶硅产量约14%，并提高了还原与尾气回收两个系统之间的协调性、安全性及稳定性。尽管为了便于更好地理解本实用新型，已经根据优选实施例对本实用新型进行了描述，但是本领域技术人员应当理解在不背离本实用新型的原理的情况下，本实用新型能够以多种不同方式实施。因此，本实用新型应当被理解为包括所有可能的在不背离如所附权利要求限定的本实用新型的范围的情况下实施的实施例和变形。
权利要求1.一种用于多晶硅生产还原炉的供料系统，包括氢气加热器，其与氢气供给源连接，用于接收来自氢气供给源的氢气并加热氢气；三氯氢硅汽化器，其与三氯氢硅液体供给源相连，用于将来自三氯氢硅液体供给源的三氯氢硅液体汽化为三氯氢硅气体；至少第一和第二混合装置，每个混合装置都与氢气加热器和三氯氢硅汽化器流体连通地连接并分别从氢气加热器接收加热的氢气和从汽化器接收三氯氢硅气体，其中第一混合装置按照第一预定配比将接收的氢气和三氯氢硅气体混合为第一进料混合气，且第二混合装置按照第二预定配比将接收的氢气和三氯氢硅气体混合为第二进料混合气；至少第一和第二还原炉，分别与至少第一和第二混合装置流体连通地连接，以便第一混合装置将第一进料混合气提供到第一还原炉，并且第二混合装置将第二进料混合气提供到第二还原炉。
2.根据权利要求1所述的供料系统，其特征在于，所述第一预定配比不同于所述第二预定配比。
3.根据权利要求1所述的供料系统，其特征在于，第一预定配比和第二预定配比各自都是可变化的。
4.根据权利要求3所述的供料系统，其特征在于，第一预定配比和第二预定配比根据相应的第一和第二还原炉的生产阶段而变化。
5.根据权利要求1所述的供料系统，其特征在于，所述供料系统还包括将氢气加热器分别流体连通地连接到至少第一和第二混合装置的至少第一氢气供给管路和第二氢气供给管路，用于向各自混合装置分别供给加热后的氢气；以及，将三氯氢硅汽化器分别流体连通地连接到至少第一和第二混合装置的至少第一三氯氢硅供给管路和第二三氯氢硅供给管路，用于向各自混合装置分别供给三氯氢硅气体。
6.根据权利要求5所述的供料系统，其特征在于，第一和第二氢气供给管路各自设置有氢气流量调节阀，以及第一和第二三氯氢硅供给管路上各自设置有三氯氢硅流量调节阀，相应的氢气流量调节阀和相应的三氯氢硅流量调节阀被调节以便分别在第一混合装置中产生具有第一预定配比的第一进料混合气和在第二混合装置中产生具有第二预定配比的第二进料混合气。
7.根据权利要求6所述的供料系统，其特征在于，所述供料系统还包括控制器，其配置为与各流量调节阀通信连接，并根据对应于各自还原炉的预先确定的配比曲线来调节相应的氢气流量调节阀和三氯氢硅流量调节阀中的至少一个。
8.根据权利要求6所述的供料系统，其特征在于，在各供给管路上分别设置流量计， 用于计量通过相应管路的氢气和三氯氢硅气体之一的流量；所述供料系统还包括与各流量计和各流量调节阀通信连接的控制器，所述控制器配置为根据第一预定配比控制第一氢气供给管路上的氢气流量调节阀和第一三氯氢硅供给管路上的三氯氢硅流量调节阀以便提供第一进料混合气，根据第二预定配比控制第二氢气供给管路上的氢气流量调节阀和第二三氯氢硅供给管路上的三氯氢硅流量调节阀以便提供第二进料混合气，并且根据来自各自管路上的各流量计的信号反馈控制相应的流量调节阀。
9.根据权利要求1一 8中任意一项所述的供料系统，其特征在于，第一预定配比和第二预定配比在6 :1至4 :1之间的范围内变化。
10.根据权利要求1一 8中任意一项所述的供料系统，其特征在于，所述第一和第二混合装置是静态混合器。
11.一种用于多晶硅生产还原炉的供料系统，包括多个还原炉；多个静态混合器，其中每个静态混合器的出口流体连通地连接到多个还原炉中相应一个的进料口；氢气加热器，通过第一组供给管路连接到多个静态混合器中的每一个的第一入口，并将氢气分别供给到每个静态混合器，其中所述第一组供给管路包括多个第一供给通道，每个第一供给通道将氢气加热器流体连通地连接到相应的一个静态混合器的第一入口；三氯氢硅汽化器，通过第二组供给管路连接到多个静态混合器中的每一个的第二入口，并将汽化后的三氯氢硅气体分别供给到每个静态混合器，其中所述第二组供给管路包括多个第二供给通道，每个第二供给通道将三氯氢硅汽化器连通地连接到相应的一个静态混合器的第二入口；其中各静态混合器能够以不同的氢气和三氯氢硅的配比将氢气和三氯氢硅气体混合并将其供给到各相应的还原炉中。
12.根据权利要求11所述的供料系统，其特征在于，对于每个静态混合器，所述配比是可变化的。
13.根据权利要求11所述的供料系统，其特征在于，多个第一供给通道中的每一个和多个第二供给通道中的每一个上都设置有流量调节阀，用于控制流过其相应供给通道的气体流量，以便在各相应的静态混合器中按照不同的配比产生氢气和三氯氢硅混合气。
14.根据权利要求13所述的供料系统，其特征在于，所述供料系统还包括控制器，其配置为与各流量调节阀通信连接，并根据对应于各自还原炉的预先确定的配比曲线来调节相应的第一供给通道和相应的第二供给通道中的流量调节阀。
专利摘要本实用新型涉及用于多晶硅生产还原炉的供料系统，包括氢气加热器，用于加热氢气；三氯氢硅汽化器，用于将三氯氢硅液体汽化为三氯氢硅气体；至少第一和第二混合装置，每个混合装置都与氢气加热器和三氯氢硅汽化器相连接并分别接收加热的氢气和三氯氢硅气体，其中第一混合装置按照第一预定配比将接收的氢气和三氯氢硅气体混合为第一进料混合气，且第二混合装置按照第二预定配比将接收的氢气和三氯氢硅气体混合为第二进料混合气；至少第一和第二还原炉，分别与至少第一和第二混合装置流体连通地连接，以便第一混合装置将第一进料混合气提供到第一还原炉，并且第二混合装置将第二进料混合气提供到第二还原炉。
文档编号C01B33/035GK202226672SQ20112029111
公开日2012年5月23日 申请日期2011年8月11日 优先权日2011年8月11日
发明者刘占卿, 陈琳, 齐林喜 申请人:内蒙古盾安光伏科技有限公司