使石墨烯顺应目标基板的制作方法
【专利摘要】通过以下方式将石墨烯层从过渡金属基板转移到目标基板的方法和装置：将位于过渡金属基板上的石墨烯层部结合到目标基板，经由化学蚀刻或电化学蚀刻去除所述过渡金属基板，通过施加流体静压使石墨烯层顺应目标基板。所述装置能够容纳目标基板和包括过渡金属基板和石墨烯层的片材，装置壳体包括：背板、保持环和可渗透织物。
【专利说明】使石墨烯顺应目标基板
【背景技术】
[0001]除非此处另有说明，否则本部分描述的方法不是本申请权利要求的现有技术，不应该由于包括在本部分就认为是现有技术。
[0002]一些处理使用中间聚合物膜，以将石墨烯从过渡金属基板转移到容纳基板。在这些处理中，石墨烯可能被三种单独材料支撑:过渡金属基板、中间聚合物膜和容纳基板。本公开注意到这种聚合物膜与过渡金属基板和容纳基板相比可能具有较差的机械稳定性，因此可能将诸如撕裂、折叠、空隙、污染等的缺陷引入到石墨烯中。
【发明内容】
[0003]本文公开的一些示例方法、装置和系统可以涉及使石墨烯层顺应目标基板。
[0004]一些示例方法可以包括设置片材。这种片材可以包括石墨烯层部和过渡金属基板部。这种石墨烯层部可以位于过渡金属基板部上。片材的石墨烯层部可以结合到目标基板。可以从片材的石墨稀层部去除片材的过渡金属基板部。可以使石墨稀层顺应目标基板，以至少部分地基于施加流体静压形成目标基板上石墨烯组件。
[0005]一些示例装置和系统可以涉及使石墨烯层顺应目标基板，可以包括壳体和可渗透织物。这种壳体可以被构造为容纳目标基板和包括过渡金属基板上的石墨烯层的片材。壳体可以包括背板和/或保持环。这种背板可以具有平坦面，其中，该平坦面可以被构造为支撑目标基板。这种保持环可以可去除地结合到背板，其中，所述保持环可以被布置为与所述背板隔开对齐。这种可渗透织物可以位于与平坦面相邻的壳体内部。所述可渗透织物可以被构造为使蚀刻溶液通过，以去除过渡金属基板。可渗透织物可以被构造为在流体静压下不会粘附到石墨烯层。
[0006]上述
【发明内容】
仅仅是例示性的并且意图并非为任何限制。除了上述例示性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图以及下面的详细描述，其它的方面、实施方式以及特征将变得明显。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]主题在说明书的结尾部分中被具体指出并清楚地要求保护。本公开以上和其它特征从如下的描述和随附的权利要求并结合附图而更全面地显而易见。应当理解，这些附图仅仅描述了根据本公开的一些实施方式，因此不能被考虑为限制其范围，本公开将通过使用附图并结合附加特性和细节来描述。
[0008]在图中:
[0009]图1是用于使石墨稀层顺应目标基板的不例组件的分解图的例不；
[0010]图2是包括石墨烯层部和过渡金属基板部的示例片材在给定的处理阶段的侧视图的例示；
[0011]图3是结合到目标基板的示例片材在给定的处理阶段的侧视图的例示；
[0012]图4是结合到目标基板的示例片材在给定的处理阶段的侧视图的例示，其中，已经去除了片材的过渡金属基板部；
[0013]图5是示例目标基板上石墨烯组件在给定的处理阶段的侧视图的例示；
[0014]图6是用于使石墨烯层顺应目标基板的示例组件在给定的处理阶段的截面侧视图的例示；
[0015]图7是用于使石墨烯层顺应目标基板的示例组件在给定的处理阶段的截面侧视图的例示；
[0016]图8是用于使石墨稀层顺应目标基板的不例处理的例不；
[0017]图9是用于使石墨稀层顺应目标基板的另一个不例处理的例不;
[0018]图10是不例计算机程序广品的例不；以及
[0019]图11是例示根据本公开的至少一些实施方式设置的示例计算装置的框图。【具体实施方式】
[0020]以下描述连同具体细节阐述了各种示例，以提供对所要求保护的主题的全面理解。然而，本领域技术人员应理解的是，可以在不包含一些或更多此处公开的特定细节的情况下实践所要求保护的主题。此外，在一些情况下，为了避免不必要地使所要求保护的主题变得模糊，没有详细地描述众所周知的方法、过程、系统、部件和/或电路。
[0021]在以下详细描述中，参照了形成说明书一部分的附图。在附图中，类似的附图标记通常表示类似部件，除非上下文有相反的说明。在详细的说明书、附图和权利要求中描述的例示性实施方式并非是限制性的。在不背离本文介绍的主题的精神或者范围的情况下，可以利用其它实施方式，并且可以进行其它改变。容易理解的是如这里总体描述并且在附图中例示的，本公开的多个方面可以按各种不同配置进行排列、替换、组合和设计，所有这些不同配置在这里是明确想得到的并且构成了本公开的一部分。
[0022]总体上，本公开特别涉及使石墨烯层顺应目标基板的方法、装置和系统。
[0023]可以通过化学气相沉积(CVD)使大面积石墨烯生长，以生产具有30英寸或更大尺寸的高质量石墨烯膜。然而，为了利用石墨烯独特的电子特性，必须首先将其转移到绝缘表面。可以通过将这些表面压紧在一起来完成从过渡金属基板直接转移到绝缘体，但是这可能由于在高温化学气相沉积(CVD)处理期间引入的过渡金属基板上的粗面加工(峰与谷)以及过渡金属基板无法顺应目标基板的容纳表面而失败。下面讨论将石墨烯膜从过渡金属基板直接转移到目标基板的容纳绝缘表面的处理，该处理可以减少一个原子厚石墨烯膜中的缺陷。
[0024]图1是用于使石墨烯层顺应目标基板的、根据本公开的至少一些实施方式设置的示例组件100的分解图的例示。在所例示的示例中，组件100可以包括壳体102和可渗透织物104。
[0025]壳体102可以被构造为容纳目标基板106和片材108，其中，片材108可以包括过渡金属基板上的石墨烯层。在一些示例中，壳体102可以包括背板112和/或保持环114。背板112和/或保持环114可以由例如耐蚀刻溶液的材料(诸如，不锈钢等)形成。这种背板112可以具有平坦面(如下面参照图6将更详细地讨论的)，其中，平坦面可以被构造为支撑目标基板106。
[0026]在一些示例中，保持环114可以可去除地结合到背板112，其中，在装配壳体102时，保持环114可以被布置为与背板112隔开对齐。在所例示的示例中，背板112和/或保持环114可以包括对应孔116，这些孔116可以在背板112与保持环114之间对齐。这样的孔116可以与一个或更多个紧固件紧密配合和/或容纳一个或更多个紧固件(如下面参照图6将更详细地讨论的)。
[0027]在一些示例中，可渗透织物104可以位于壳体102内部。可渗透织物104可以被构造为使蚀刻溶液通过，以去除片材108的过渡金属基板部。可渗透织物104可以被构造为在流体静压下不粘附到片材108的石墨烯层部。如本文所使用的，术语“流体静压”可以指经由液体或气体(例如，经由等静压机等)引起的压力。
[0028]密封环118可以位于保持环114与可渗透织物104之间。密封环118可以被构造为改进保持环114与可渗透织物104之间的密封。
[0029]在操作中，组件100可以用于去除片材108的过渡金属基板部，然后使片材108的石墨烯层部顺应目标基板106。下面将更详细地描述组件100的操作。
[0030]图2是根据本公开的至少一些实施方式设置的示例片材108在给定的处理阶段的侧面图的例示。在所例示的示例中，片材108可以包括石墨烯层202部和过渡金属基板204部。这种石墨烯层202可以位于过渡金属基板204上。过渡金属基板204的局部末端206(其又可防止石墨烯层202被大致光滑地设置)或者目标基板106的局部末端206可出现表面轻微凹凸。
[0031]过渡金属基板204可以含有以下物质中的一种或更多种:铜、镍、铁、钴、钼、铱、钌等和/或其组合。在一些示例中，可以通过在过渡金属基板上的化学气相沉积(CVD)使大面积的石墨烯生长。除了 CVD之外，其它处理可以用于使石墨烯膜在过渡金属基板上生长。例如，这样大面积的石墨烯可以通过化学气相沉积(CVD)而生长，以生产具有30英寸或更大尺寸的闻质量石墨稀月旲。
[0032]图3是根据本公开的至少一些实施方式设置的、结合到目标基板的示例片材108在给定的处理阶段的侧视图的例示。在所例示的示例中，片材108可以结合到目标基板106。
[0033]例如，过渡金属基板204的局部末端206或目标基板106的局部末端206可以通过二者之间的石墨烯结合。在这样的示例中，范德华力可在石墨烯层202接触目标基板106以将石墨烯层202紧靠目标基板106稳定保持的点(例如局部末端206)起作用。因此，石墨烯层202可经由这样的局部末端206基本保持到目标基板106，而无需完全顺应目标基板106。
[0034]目标基板106可以含有以下物质中的一种或更多种:基于二氧化硅的半导体、玻璃、石英、刚性聚合物材料、柔性聚合物材料等和/或其组合。在一些示例中，过渡金属基板204和/或片材108可以具有比目标基板106的直径更大的直径，以减少潜在问题和过渡金属基板204和/或片材108的边缘处的缺陷。
[0035]图4是根据本公开的至少一些实施方式设置的、结合到目标基板的示例片材108在给定的处理阶段的侧视图的例示，其中，已经去除了片材的过渡金属基板部。在所例示的示例中，已经去除了片材108的过渡金属基板部(未示出)。在从片材108的石墨烯层202部去除片材108的过渡金属基板部之后，片材108的石墨烯层202部可以保持结合到目标基板106。[0036]图5是根据本公开的至少一些实施方式设置的示例目标基板上石墨烯组件在给定的处理阶段的侧视图的例示。在所例示的示例中，可以形成目标基板上石墨烯组件508。例如，可以使石墨烯层202顺应目标基板106，以至少部分地基于施加流体静压来形成目标基板上石墨烯组件508。因此，可以使主要经由局部末端206 (参见图4)预先保持到目标基板106的石墨稀层202基本顺应目标基板106,从而基本上减少或消除这样的局部末端。
[0037]图6是根据本公开的至少一些实施方式设置的、用于使石墨烯层顺应目标基板的示例组件100在给定的处理阶段的截面侧视图的例示。在所例示的示例中，壳体102可以被构造为容纳目标基板106和片材108，其中，片材108可以包括过渡金属基板204部上的石墨烯层202部。例如，壳体102可以包括背板112和/或保持环114，其中，背板112可以具有平坦面612。这样的平坦面612可以被构造为支撑目标基板106。
[0038]如上面所讨论的，在一些示例中，保持环114可以可去除地结合到背板112，其中，保持环114可以被布置为与背板112隔开对齐。如本文所使用的，术语“隔开对齐”可以指两个或更多个物体之间的方位，其中，这些物体可以在位于通常平行平面中的同时彼此分开。在所例示的示例中，背板112和/或保持环114可以包括可适于在背板112与保持环114之间对齐的对应孔116。这样的孔116可以适于与一个或更多个紧固件616紧密配合和/或容纳一个或更多个紧固件616。这种紧固件616可以被构造为将保持环114可去除地结合到背板112。可渗透织物104可以位于与背板112的平坦面612相邻的壳体102内。
[0039]另外地或另选地，组件100可以包括一个或更多个偏置机构，它们可以被构造为将保持环114和背板112 —起偏置。在一些不例中，这种偏置机构可以由紧固件616具体实现，诸如紧固件616可以被构造为将保持环114和背板112—起偏置。在其它示例中，一个或更多个偏置机构可以与这种紧固件616分开设置。例如，这种偏置机构可以包括c形弹簧夹(未示出)，它们可以与这样的紧固件616分开设置，或者可以位于保持环114和背板112的外表面上。在这两种情况下，偏置力可以经由弹簧、弹性装置、拉紧装置等和/或其组合来提供。
[0040]在操作中，组件100可以用于在使片材108的石墨烯层202部顺应目标基板106之前，去除片材108的过渡金属基板204部。例如，可渗透织物104可以被构造为使蚀刻溶液通过，以去除片材108的过渡金属基板204部。这种蚀刻溶液可以包括硝酸铁、氯化铁等和/或其组合。这样的蚀刻处理可以包括化学蚀刻或电化学蚀刻。
[0041]图7是根据本公开的至少一些实施方式设置的、用于使石墨烯层顺应目标基板的示例组件100在给定的处理阶段的截面侧视图的例示。在所例示的示例中，壳体102可以经由顺应弹性体涂层702等来密封。顺应弹性体涂层702可以包括胶乳型膜、聚氨酯型膜等和/或其组合。
[0042]例如，在去除了片材108的过渡金属基板204部之后并且在使石墨烯层202顺应目标基板106之前，可以经由顺应弹性体涂层702来密封壳体102。过渡金属基板204可以如这里所例示的从片材108部分去除，或可以完全去除。
[0043]顺应弹性体涂层702可以能够保护目标基板106免受位于壳体102外部的液体的影响。在一些实施方式中，可以省略顺应弹性体涂层702。例如，在石墨烯层202基本上没有缺陷的情况下(例如，连续且无空隙的石墨烯膜)，石墨烯层202可以用于保护目标基板106免受壳体102外部的液体的影响。另外地或另选地，在石墨烯层202基本上没有缺陷的情况下，也可以去除过渡金属基板204并使石墨烯层202顺应目标基板106，而不使用溶液可渗透织物104和/或壳体102。
[0044]对于正确的转移，与粘附到溶液可渗透织物104相比，石墨烯层202可以更强有力地粘附到目标基板106。例如，虽然石墨烯层202可以接触溶液可渗透织物104，但是石墨烯层202可以不粘附到溶液可渗透织物104并且可以不被溶液可渗透织物104机械支撑。溶液可渗透织物104可以包括Teflon?纤维的编织物，因为Teflon?不粘附到石墨烯并且允许溶液流经足够大的孔。不粘附到石墨烯的其它材料也可以充当Teflon?的替代物。在一些示例中，溶液可渗透织物104可以被制造为使得溶液可渗透织物104不吸收水和/或蚀刻溶液，所以可以是粗筛。
[0045]在一些实施方式中，可以选择性地排除溶液可渗透织物104。在这样的示例中，可以在无溶液可渗透织物104的情况下去除过渡金属基板204。例如，在去除过渡金属基板204之后，一张剥离纸(例如，涂有Teflon或其它非粘性物质的纸张)可以与石墨烯层202相邻放置，以使石墨烯层202免受顺应弹性体涂层702的影响。
[0046]在操作中，组件100可以用于将外部流体静压(经由箭头704例示)转移到片材108的石墨烯层202部。在这种流体静压下，可以使片材108的石墨烯层202部顺应目标基板106。可渗透织物104可以被构造为在这样的流体静压下不会粘附到片材108的石墨烯层202 部。
[0047]图8是根据本公开的至少一些实施方式设置的、用于使石墨烯层顺应目标基板的示例处理的例示。在所例示的示例中，处理800和本文描述的其它处理阐述了可以被描述为处理步骤、功能操作、事件和/或动作等的各种功能块或动作。本领域技术人员根据本公开将认识到可以在各种实现方式中实践图8所示的功能块的各种替代。例如，尽管图8所示的处理800包括块或者动作的一种特定顺序,但是这些块或者动作的呈现顺序并不一定将所要求保护的主题限制为任何特定顺序。类似地，在不背离要求保护的主题的范围的情况下，可以采用图8未示出的中间动作和/或图8未示出的附加动作，和/或可以取消图8所示的一些动作。处理800可以包括块802、804、806和/或808指示的操作中的一个或更多个。
[0048]如图所示，处理800可以实现为使石墨烯层顺应目标基板。处理可以开始于操作802 “设置包括石墨烯层部和过渡金属基板部的片材”，其中，可以设置包括石墨烯层部和过渡金属基板部的片材。可以在1000°c使用甲烧和氢的化学气相沉积(CVD)在过渡金属基板上形成单层石墨烯。例如，这样的片材可以包括石墨烯层部和过渡金属基板部。这样的石墨烯层可以位于过渡金属基板上。
[0049]处理可以从操作802继续到操作804“将石墨烯层部结合到目标基板”，其中，可以将石墨烯层结合到目标基板。例如，可以将片材的石墨烯层部紧靠目标基板压紧，以经由范德华力在石墨烯层接触目标基板的点将石墨烯层部结合到目标基板。在一个示例中，在固定器(例如，图1所示的壳体102)的组装处理期间，当固定器被组装并变紧时，可以将石墨烯层紧靠目标基板压紧。
[0050]处理可以从操作804继续到操作806“去除过渡金属基板部”，其中，可以从片材去除过渡金属基板部。例如，可以经由蚀刻从片材的石墨烯层部去除片材的过渡金属基板部。蚀刻可以在含有蚀刻溶液的容器中进行，或者可以使蚀刻偏置，其中，阴极放置在蚀刻溶液中并且给予过渡金属例如正电荷。
[0051]处理可以从操作806继续到操作808“使石墨烯层顺应目标基板”，其中，可以使石墨烯层顺应目标基板。例如，可以使石墨烯层顺应目标基板，以至少部分地基于施加流体静压形成目标基板上石墨烯组件。如本文所使用的，术语“流体静压”可以指经由液体或气体(例如，经由等静压机等)引起的压力。在一个示例中，这样的流体静压可以经由高流体静压容器等来施加。
[0052]在操作中，处理800可以通过溶解掉过渡金属基板并利用流体静压形成石墨烯层与目标基板之间的基本顺应的键合，来将石墨烯层转移到目标基板。该技术可以不使用中间聚合物转移膜将石墨烯层从过渡金属基板转移到目标基板。
[0053]图9是根据本公开的至少一些实施方式设置的、用于使石墨烯层顺应目标基板的另一个示例处理的例示。在所例示的示例中，处理900可以包括由示例操作902、903、904、906、907、908、910和/或912指示的功能操作中的一个或更多个。
[0054]如图所示，处理900可以被实现为使石墨烯层顺应目标基板。处理可以开始于操作902“设置包括石墨烯层部和过渡金属基板部的片材”，其中，可以设置包括石墨烯层部和过渡金属基板部的片材。如上面参照处理800所讨论的，在一些示例中，这样的片材可以包括石墨烯层部和过渡金属基板部。这样的石墨烯层可以位于过渡金属基板上。
[0055]处理可以从操作902继续到操作903 “将片材和目标基板放置在多孔固定器中”，其中，可以将片材和目标基板放置在多孔固定器中。如本文所使用的，术语“多孔固定器”可以指能够容纳目标基板和片材、使蚀刻溶液通过以从石墨烯层去除过渡金属基板和/或在使石墨烯层顺应目标基板期间保持目标基板和石墨烯层的任何装置(例如，图1所示的壳体102等)。例如，在去除过渡金属基板之前，可以将片材和目标基板放置在多孔固定器中(例如，图1所示的壳体102)。在一些示例中，多孔固定器可以被松弛地组装(例如，如图6所示)，并且被抽空，以消除石墨烯层与目标基板之间的任何滞留空气。然后，可以闭合多孔固定器。例如，可以手动或自动地(例如，经由机械臂等)来放置片材和目标基板。
[0056]处理可以从操作903继续到操作904“将石墨烯层部结合到目标基板”，其中，可以将石墨烯层结合到目标基板。如上面参照处理800所讨论的，在一些实施方式中，可以将片材的石墨烯层部紧靠目标基板而压紧，以经由在石墨烯层接触目标基板的表面末端的范德华力将石墨烯层部结合到目标基板。在该处理中，这样的范德华力可以将在这些表面末端的石墨烯层结合到目标基板，提供了结构支撑，但石墨烯层未完全顺应目标基板。在一些实施方式中，将石墨烯层部结合到目标基板这样的压紧可以至少部分地基于与组装和/或闭合多孔固定器有关的力。
[0057]处理可以从操作904继续到操作906“去除过渡金属基板部”，其中，可以从片材去除过渡金属基板部。如上面参照处理800所讨论的，在一些示例中，可以经由蚀刻溶液从片材的石墨烯层部去除片材的过渡金属基板部。例如，在片材和目标基板位于多孔固定器中的同时，可以通过多孔固定器的溶液可渗透盖部(例如，图1所示的可渗透织物104)来接收蚀刻溶液。在去除过渡金属基板之后，可以冲洗多孔固定器，以去除蚀刻溶液。
[0058]另外地或另选地，可以电化学地从片材的石墨烯层部去除片材的过渡金属基板部。例如，阴极可以放置在蚀刻溶液中，并且可以经由阴极给予过渡金属基板正电荷。这种电化学蚀刻可以允许用最低限度的搅拌来去除过渡金属基板。在该步骤期间，溶液可渗透盖可以在为石墨烯层提供某种机械保护的同时允许过渡金属离子进入蚀刻溶液中。
[0059]处理可以从操作906继续到操作907“密封多孔固定器”，其中，可以密封多孔固定器。例如，可以经由顺应弹性体涂层来密封多孔固定器。在一些示例中，可以通过将弹性体囊放置在整个多孔固定器上方、确保石墨烯层上没有褶皱；通过在固化步骤之前用液体弹性体膜来涂布多孔固定器等，来密封多孔固定器。在一些示例中，顺应弹性体涂层可以永远不接触石墨烯层并且可以在后面的处理步骤被去除，而不污染石墨烯层。可以例如化学地(经由化学浴)、手动地(例如，将弹性体囊手动放置在整体多孔固定器上方)或者通过自动涂敷(例如，经由机械臂等将弹性体囊放置在整个多孔固定器上方)，来执行顺应弹性体涂层的涂敷。
[0060]处理可以从操作907继续到操作908“使石墨烯层顺应目标基板”，其中，可以使石墨烯层顺应目标基板。如上面参照处理800所讨论的，在一些示例中，可以使石墨烯层顺应目标基板，以至少部分地基于施加流体静压形成目标基板上石墨烯组件。在一些示例中，可以在片材和目标基板位于多孔固定器的同时，来执行去除过渡金属基板和/或使石墨烯层顺应目标基板。
[0061]在一些示例中，可以将多孔固定器放置在液压机中。液压机的液体可以在多孔固定器和石墨烯层的整个区域上方施加均匀压力，其中，顺应弹性体涂层可以保护多孔固定器和/或石墨烯层不受液体的影响。在这一点上，石墨烯层可以大致均匀地横越目标基板的容纳表面而顺应，并且在每个地方可以接收相同的压力。可以使用各种压力，诸如比大约0.5兆帕斯卡(MPa)(仅作为一个示例)大或与其相等的压力。另外，上升或降低的温度可以可选地用于促进这样的顺应；然而，根据所使用的液体，一些温度可能是不可用的。
[0062]处理可以从操作908继续到操作910“将多孔固定器开封”，其中，可以将多孔固定器开封。例如，通过去除顺应弹性体涂层可以将多孔固定器开封。在一些示例中，可以从多孔固定器机械剥离顺应弹性体涂层。可以例如化学地(例如，经由化学浴)、手动剥离涂层，或者通过自动剥离涂层(例如，经由机械臂等)来执行顺应弹性体涂层的去除。
[0063]处理可以从操作910继续到操作912 “去除目标基板上石墨烯组件”，其中，可以去除目标基板上石墨烯组件。例如，可以从开封的多孔固定器去除目标基板上石墨烯组件。在一些示例中，在从固定器去除目标基板上石墨烯组件期间，由于溶液可渗透盖可能较差地粘附到石墨烯，所以溶液可渗透盖(例如，图1所示的可渗透织物104)在拆开多孔固定器期间可能自由下落。结果可能是上大致均匀且良好地结合的目标基板上石墨烯组件。可以例如手动或自动地(例如，经由机械臂等)来执行去除目标基板上石墨烯组件。
[0064]在操作中，通过溶解掉过渡金属基板并且使用流体静压来在石墨烯层与目标基板之间形成基本顺应的键合，处理900可以将石墨烯层有效地转移到目标基板。该转移技术可以省略利用中间聚合物转移膜将石墨烯层从过渡金属基板转移到目标基板。处理900和/或800可以调整和/或适于目标基板的不同尺寸和形状。
[0065]图10例示了根据本公开的至少一些示例设置的示例计算机程序产品1000。程序产品1000可以包括信号承载介质1002。信号承载介质1002可以包括一个或更多个机器可读指令1004，这些指令如果由一个或更多个处理器执行，则可操作地使得计算装置能够提供以上参照图8和/或图9描述的功能。由此，例如，一个或更多个计算装置可以响应于由介质1002传递的指令1004采取图8和/或图9所示的一个或更多个动作，以经由图1的系统生成图5的目标基板上石墨烯组件。
[0066]在一些实现方式中，信号承载介质1002可以包括永久的计算机可读介质1006，例如但不限于硬盘驱动器、光盘(⑶)、数字多功能光盘(DVD)、数字磁带、存储器等。在一些实现方式中，信号承载介质1002可以包括可记录介质1008，例如但不限于存储器、读/写(R/W)⑶、R/W DVD等等。在一些实现方式中，信号承载介质1002可以包括通信介质1010，例如但不限于数字和/或模拟通信介质(例如，光缆、波导、有线通信链路、无线通信链路等)。
[0067]图11是例示了可以由本领域技术人员实施的、根据本公开的至少一些实施方式设置的示例计算装置1100的框图。在一个示例配置1101中，计算装置1100可以包括一个或更多个处理器1110和系统存储器1120。存储器总线1130可以用于处理器1110与系统存储器1120之间的通信。
[0068]根据期望的配置，处理器1110可以是任何类型，包括但不限于微处理器(μ P)、微控制器(μ C)、数字信号处理器(DSP)或者其任意组合。处理器1110可以包括一级或更多级高速缓存(诸如一级高速缓存1111和二级高速缓存1112)、处理器核心1113和寄存器1114。处理器核心1113可以包括算术逻辑单元(ALU)、浮点单元(FPU)、数字信号处理核心(DSP核心)或者其任意组合。存储器控制器1115还可以与处理器1110 —起使用，或者在一些实施方式中存储器控制器1115可以是处理器1110的内部部件。
[0069]根据期望的配置，系统存储器1120可以是任何类型，包括但不限于易失性存储器(例如RAM)、非易失性存储器(例如ROM、闪存等)或它们的任意组合。系统存储器1120可以包括操作系统1121、一个或更多个应用程序1122以及程序数据1124。应用程序1122可以包括用于使石墨烯层顺应目标基板的目标基板上石墨烯组件算法1123，该算法1123被设置为执行这里所述的包括参照图8的处理800和/或图9的处理900描述的功能块和/或动作的功能。程序数据1124可以包括用于与目标基板上石墨烯组件算法1123 —起使用的数据1125。在一些示例实施方式中，应用程序1122被设置为与程序数据1124 —起操作在操作系统1121上，使得可以提供如本文所述的使石墨烯层顺应目标基板的实现方式。例如，一个或更多个计算装置1100可以能够执行应用程序1122的全部或一部分，使得可以提供如本文所述的使石墨烯层顺应目标基板的实现方式。所描述的该基本配置在图11中由虚线1101内的那些组件例示。
[0070]计算装置1100可以具有用于促进基本配置1101与任何所需设备和接口之间的通信的附加特征或功能以及附加接口。例如，总线/接口控制器1140可以用于经由存储接口总线1141促进基本配置1101和一个或多个数据存储装置1150之间的通信。数据存储装置1150可以是可移除存储装置1151、不可移除存储装置1152或其组合。可移除存储和不可移除存储装置的示例包括磁盘设备(例如，软盘驱动器和硬盘驱动器(HDD))、光盘驱动器(例如，压缩盘(⑶)驱动器或数字通用盘(DVD)驱动器)、固态驱动器(SSD)以及磁带驱动器。示例计算机存储介质可以包括以任何方法或技术实现的用于存储信息(例如，计算机可读指令、数据结构、程序模块或其它数据)的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质。
[0071]系统存储器1120、可移除存储器1151和不可移除存储器1152都是计算机存储介质的示例。计算机存储介质包括但不限于RAM、ROM、EEPR0M、闪存或其它存储技术、CD-ROM、数字通用盘(DVD)或其它光存储器、磁带盒、磁带、磁盘存储器或其它磁性存储设备，或可以用于存储期望信息并且可以被计算装置1100访问的任何其它介质。任何这些计算机存储介质可以是装置1100的一部分。
[0072]计算装置1100还可以包括用于促进经由总线/接口控制器1140从各种接口设备(例如，输出接口、外围接口和通信接口)到基本配置1101的通信的接口总线1142。示例输出接口 1160包括可以被配置为经由一个或更多个A/V端口 1163与各种外部设备(例如，显示器或扬声器)通信的图形处理单元1161和音频处理单元1162。示例外围接口 1160可以包括可被配置为经由一个或更多个I/O端口 1173与诸如输入设备的外部设备(例如，键盘、鼠标、笔、语音输入设备、触摸输入设备等)或其它外围设备(例如，打印机、扫描仪等)通信的串行接口控制器1171或并行接口控制器1172。示例通信接口 1180包括可以被设置为促进经由一个或更多个通信端口 1182通过网络通信与一个或更多个其它计算设备1190通信的网络控制器1181。通信连接是通信介质的一个示例。通信介质典型地可以体现为计算机可读指令、数据结构、程序模块或调制数据信号中的其它数据(例如，载波或其它传输机构)，并可以包括任何信息传递介质。“经调制的数据信号”可以是具有以对信号中的信息编码的方式设置或改变的一个或多个自身特征的信号。通过举例但并非限制，通信介质可以包括有线介质(例如有线网络或直接有线连接)和无线介质(例如声学、射频(RF)、红外(IR)和其它无线介质)。这里使用的术语计算机可读介质可以包括存储介质和通信介质两者。
[0073]计算装置1100可以被实现为小型便携式(或移动)电子设备(例如，蜂窝电话、个人数据助理(PDA)、个人媒体播放器设备、无线网络观察设备、个人头戴式耳机设备、特定应用设备或者可以包括任意上述功能的混合设备)的一部分。计算装置1100还可以被实现为包括膝上型计算机和非膝上型计算机配置的个人计算机。另外，计算装置1100可以被实现为无线基站或者其它无线系统或设备的一部分。
[0074]前面的详细描述的一些部分呈现为算法或者在计算系统存储器(例如，计算存储器)内存储的数据比特或者二进制数字信号上操作的符号表示。这些算法的描述或表示是在数据处理领域中本领域技术人员用以向本领域其它技术人员传送他们的工作内容的技术的示例。这里算法一般地被视为生成期望结果的自洽(self-consistent)的操作序列或相似处理。关于这点，操作或处理包含物理量的物理处理。典型地，尽管非必要地，这些量可以采用能够被存储、传送、组合、比较或其它处理的电或磁信号的形式。已经证明，主要是为了公共使用的原因，把这些信号称为以比特、数据、值、元件、符号、字符、术语、数字、数值等经常是方便的。然而，应当理解，所有这些以及类似的术语与合适的物理量相关联且仅仅是方便的标记。除非明确地另有说明，如从下面讨论中明显的，可以理解的是在整个说明书中，使用例如“处理”、“估算”、“推算”、“确定”等术语的讨论指代计算装置的动作或处理，该计算装置处理或变换在存储器、寄存器或者其它信息存储设备、发射设备、或计算设备的显示设备内的被表示为物理的电量或磁量的数据。
[0075]要求保护的主题在范围上不限于本文描述的特定实现方式。例如，一些实现方式可以是以诸如被用以操作在装置或者装置组合上的硬件实现，例如，而其它实现方式可以是以软件和/或固件实现。类似地，尽管要求保护的主题在范围上不限于这个方面，一些实现方式可以包括一个或更多个制品(诸如信号承载介质、存储介质和/或存储媒介)。例如，该存储介质(诸如CD-ROM、计算机光盘、闪存等)可以在其上存储有指令，当这些指令被诸如计算系统、计算平台或者其它系统这样的计算装置执行时，可以使得处理器根据要求保护的主题(例如，先前描述的实现方式中的一个实现方式)运行。作为一种可能性，计算装置可以包括一个或更多个处理单元或处理器、一个或更多个输入/输出设备(诸如显示器、键盘和/或鼠标)以及一个或更多个存储器(诸如静态随机存取存储器、动态随机存取存储器、闪存存储器和/或硬盘驱动器)。
[0076]系统方面的硬件实现方式和软件实现方式之间几乎没有区别；使用硬件或者软件一般(但并非总是，在特定环境中硬件和软件之间的选择可能非常重要)是设计选择，代表成本-效率折衷。存在可以实现本文描述的处理和/或系统和/或其它技术的各种载体(例如，硬件、软件和/或固件)，并且优选载体将随着实施处理和/或系统和/或其它技术的环境而变化。例如，如果实施者确定速度和准确性是重要的，则实施者可以选择主要的硬件和/或固件载体；如果灵活性重要的，则实施者可以选择主要的软件实现方式；或者再次另选地，实施者可以选择硬件、软件和/或固件的一些组合。
[0077]上述详细描述已经由使用框图、流程图和/或示例阐述了设备和/或处理的各种实施方式。在这样的框图、流程图和/或示例包含一个或多个功能和/或操作的情况下，本领域技术人员将要理解的是，这样的框图、流程图和/或示例内的每个功能和/或操作可以由范围广泛的硬件、软件、固件或几乎其任何组合单独地和/或共同地实现。在一个实施方式中，本文所描述的主题的多个部分可以经由专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)、数字信号处理器(DSP)或其它集成格式来实现。然而，本领域技术人员将认识到，本文所公开的实施方式的一些方面可以全部或部分地在集成电路中等效地实现为在一个或更多个计算机上运行的一个或多个计算机程序(例如，在一个或多个计算机系统上运行的一个或多个程序)、实现为在一个或多个处理器上运行的一个或更多个程序(例如，作为在一个或多个微处理器上运行的一个或多个程序)、实现为固件、或者实现为几乎它们的任何组合，并且将认识到，根据该公开，设计电路和/或针对软件或固件编写代码完全属于在本领域技术人员的技术之内。此外，在本领域中的技术人员将会理解，本文中描述的主题的机构能够分配为各种形式的程序产品，并且，本文中描述的主题的例示性实施方式的应用与用于实际进行分配的信号承载介质的特定类型无关。信号承载介质的示例包括但不限于:诸如软盘、硬盘驱动器(HDD)、光盘(⑶)、数字通用盘(DVD)、数字磁带、计算机存储器等的可记录型介质，以及诸如数字和/或模拟通信介质(例如，光纤线缆、波导、有线通信链路、无线通信链路等)的传输型介质。
[0078]本领域技术人员将认识到，以这里所阐述的方式描述设备和/或处理，并此后使用工程实践来将这样描述的设备和/或处理集成到数据处理系统中在本领域是常见的。即，这里描述的设备和/或处理中的至少一部分可以经由合理数量的实验被集成到数据处理系统中。本领域技术人员将认识到，典型的数据处理系统通常包括系统单元外壳、视频显示设备、诸如易失性和非易失性存储器的存储器、诸如微处理器和数字信号处理器的处理器、诸如操作系统、驱动器、图形用户界面和应用程序的计算实体、诸如触摸板或屏幕的一个或多个交互设备、和/或包括反馈回路和控制电机(例如感测位置和/或速度的反馈；移动和/或调整部件和/或数量的控制电机)的控制系统中的一个或多个。典型的数据处理系统可以采用任何适当的商业可用部件(例如，那些通常出现在数据计算/通信和/或网络计算/通信系统中的可用部件)来实现。
[0079]这里描述的主题有时示出包含在不同的其它部件中的或与不同的其它部件连接的不同部件。应该理解这些描述的架构仅为示例，实际上实现相同功能的很多其它架构可以被实现。在概念方面，实现相同功能的部件的任何设置是有效地“相关联”的，从而实现期望的功能。因此，这里组合以实现特定功能的任何两个部件可以看做是彼此“相关联”的，从而实现期望的功能，而与架构或中间部件无关。同样地，任何这样关联的两个部件还可以视为是彼此“可操作地连接”或“可操作地结合”，以实现期望的功能，并且能够这样相关的任何两个部件还可以视为是彼此“可操作地可结合的”，以实现期望的功能。可操作地结合的特定示例包括但不限于物理匹配的和/或物理交互的部件和/或无线可交互和/或无线交互部件和/或逻辑交互的和/或逻辑可交互的部件。
[0080]关于这里的实质上任意复数和/或单数术语的使用，为适于上下文和/或应用，本领域技术人员可以将复数转换为单数和/或将单数转换为复数。为了清楚起见，这里可以明确地阐述各种单数/复数置换。
[0081]本领域技术人员应该理解，通常，这里使用的术语，尤其是所附权利要求书中使用的术语(例如所附权利要求书的主体部分)通常意在作为“开放式”术语(例如，术语“包括”应该被解释为“包括但不限于”，术语“具有”应该被解释为“至少具有”，术语“包含”应该被解释为“包含但不限于”等)。本领域技术人员应进一步理解，如果目的在于引入特定数目的权利要求记载，这样的目的应该明确地记载于权利要求中，如果没有这样的记载，则这样的目的不存在。例如，为了便于理解，下述的所附权利要求可以包含引导语“至少一个”和“一个或多个”的使用以引入权利要求记载。然而，即使同一个权利要求包括引导语“一个或更多个”或“至少一个”以及不定冠词例如“一个”或“一”(例如，“一个”或“一”通常应该被解释为表示“至少一个”或“一个或更多个”)，这些短语的使用也不应该被解释为暗示通过不定冠词“一个”或“一”的权利要求记载的引导对任何包括这样引入的权利要求记载的特定权利要求限制为仅包括一个这样的记载的发明；对于用于引入权利要求记载的定冠词也同样适用。此外，即使明确记载了特定数量的引入权利要求记载，本领域技术人员也应该认识到这样的记载通常应该被解释为表示至少为所记载数量(例如，没有其它修改地简单记载“两个记载”通常表示至少两个记载或者两个或更多个记载)。此外，在使用类似约定“A、B和C等中的至少一个”的那些示例中，通常这样的结构意在在某种意义上让本领域技术人员能够理解约定(例如“具有A、B和C中的至少一个的系统”应该包括但不限于只有A、只有B、只有C、有A和B、有A和C、有B和C、和/或有A、B和C等的系统)。在使用“A、B或C等中的至少一个”的类似约定的那些示例中，通常这样的结构意在在某种意义上让本领域技术人员能够理解约定(例如，“具有A、B或C中的至少之一的系统”应该包括但不限于只有A、只有B、只有C、有A和B、有A和C、有B和C、和/或有A、B和C等的系统)。本领域技术人员还应该理解，表示两个或更多个另选术语的几乎任何转折词和/或词组，无论在说明书、权利要求书还是在附图中，都应该被理解为预想到包括术语中的一个、术语中的另一个或两个术语的可能性。例如，词组“A或B”应该理解为包括“A”或“B”或“A和B”的可能性。
[0082]在说明书中对“实现方式”、“一个实现方式”、“一些实现方式”或“其它实现方式”的引用可以指与一个或更多个实现方式相关描述的特定特征、结构或特性，可以包括在至少一些实现方式中，但并非必须包括在所有的实现方式中。前面描述中出现的各种“实现方式”、“一个实现方式”或“一些实现方式”的并非必须地都指代相同的实现方式。
[0083]尽管这里使用不同的方法和系统已经描述并示出了一些示例技术，本领域的技术人员应当理解，在不背离所要求保护的主题的情况下，可以做出各种其它修改，且可以等效替换。另外，在不背离此处描述的中心思想的情况下，可以做出许多修改以使得特定的情形适应于所要求保护的主题的教导。因此，目的在于，所要求的主题不限制为公开的特定示例，但这些所要求保护的主题还可以包括所附权利要求范围内的所有实施方式及其等同物。
【权利要求】
1.一种方法，该方法包括以下步骤: 设置片材，所述片材包括石墨烯层部和过渡金属基板部，其中，所述石墨烯层部位于所述过渡金属基板部上； 将所述片材的所述石墨烯层部结合到目标基板； 从所述片材的所述石墨烯层部去除所述片材的所述过渡金属基板部；以及 使所述石墨烯层顺应所述目标基板，以至少部分地基于施加流体静压形成目标基板上石墨烯组件。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述过渡金属基板的步骤包括经由化学蚀刻或电化学蚀刻去除所述过渡金属基板。
3.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤:在去除所述过渡金属基板之前，将所述片材和所述目标基板放置在多孔固定器中，其中，在所述片材和所述目标基板位于所述多孔固定器中的同时，执行去除所述过渡金属基板的步骤和使所述石墨烯层顺应所述目标基板的步骤这两者。
4.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤: 在去除所述过渡金属基板之前，将所述片材和所述目标基板放置在多孔固定器中，其中，在所述片材和所述目标基板位于所述多孔固定器中的同时执行去除所述过渡金属基板的步骤； 密封所述多孔固定器，其中，在所述石墨烯层和所述目标基板位于密封的多孔固定器中的同时，执行使所述石墨烯层顺应所述目标基板的步骤； 将所述多孔固定器开封；以及 从开封的多孔固定器去除目标基板上石墨烯组件。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述过渡金属基板含有以下物质中的一种或更多种:铜、镇、铁、钻、怕、依和/或钉。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述目标基板含有以下物质中的一种或更多种:基于二氧化硅的半导体、玻璃、石英、刚性聚合物材料和/或柔性聚合物材料。
7.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤: 在去除所述过渡金属基板之前，将所述片材和所述目标基板放置在多孔固定器中，其中，去除所述过渡金属基板的步骤包括:在所述片材和所述目标基板位于所述多孔固定器中的同时，经由通过所述多孔固定器的溶液可渗透盖部接收到的蚀刻溶液来去除所述过渡金属基板； 经由顺应弹性体涂层来密封所述多孔固定器，其中，使所述石墨烯层顺应所述目标基板的步骤包括:在所述石墨烯层和所述目标基板位于密封的多孔固定器中的同时，使所述石墨烯层顺应所述目标基板； 将所述多孔固定器开封；以及 从开封的多孔固定器去除目标基板上石墨烯组件。
8.一种装置，该装置包括: 壳体，该壳体被构造为容纳目标基板和包括过渡金属基板上的石墨烯层的片材，所述壳体包括: 背板，该背板具有平坦面，所述平坦面被构造为支撑目标基板，以及保持环，该保持环可去除地结合到所述背板，所述保持环被布置为与所述背板隔开对齐；以及 可渗透织物，该可渗透织物位于与所述平坦面相邻的所述壳体内，所述可渗透织物被构造为使蚀刻溶液通过，以去除所述过渡金属基板，并且其中，所述可渗透织物被构造为在流体静压下不会粘附到所述石墨烯层。
9.根据权利要求8所述的装置，该装置还包括一个或更多个紧固件，所述一个或更多个紧固件被构造为将所述保持环可去除地结合到所述背板。
10.根据权利要求8所述的装置，该装置还包括一个或更多个偏置机构，所述一个或更多个偏置机构被构造为将所述保持环和所述背板一起偏置。
11.根据权利要求8所述的装置，该装置还包括一个或更多个紧固件，所述一个或更多个紧固件被构造为将所述保持环可去除地结合到所述背板，其中，所述一个或更多个紧固件被构造为将所述保持环和所述背板一起偏置。
12.根据权利要求8所述的装置，该装置还包括位于所述保持环与所述可渗透织物之间的密封环。
13.根据权利要求8所述的装置，该装置还包括: 一个或更多个紧固件，所述一个或更多个紧固件被构造为将所述保持环可去除地结合到所述背板； 一个或更多个偏置机构，所述一个或更多个偏置机构被构造为将所述保持环和所述背板一起偏置；以及 密封环，该密封环位于所述保持环与所述可渗透织物之间。
14.一种方法，该方法包括以下步骤: 设置片材，所述片材包括石墨烯层部和过渡金属基板部，其中，所述石墨烯层部位于所述过渡金属基板部上； 将所述片材的所述石墨烯层部结合到目标基板； 从所述片材的所述石墨烯层部去除所述片材的所述过渡金属基板部；以及 使所述石墨烯层顺应所述目标基板，以形成目标基板上石墨烯组件。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，去除所述过渡金属基板的步骤包括经由化学蚀刻或电化学蚀刻去除所述过渡金属基板。
16.根据权利要求14所述的方法，该方法还包括在去除所述过渡金属基板之前，将所述片材和所述目标基板放置在多孔固定器中，其中，在所述片材和所述目标基板位于所述多孔固定器中的同时，执行去除所述过渡金属基板的步骤和使所述石墨烯层顺应所述目标基板的步骤这两者。
17.根据权利要求14所述的方法，该方法还包括以下步骤: 在去除所述过渡金属基板之前，将所述片材和所述目标基板放置在多孔固定器中，其中，在所述片材和所述目标基板位于所述多孔固定器中的同时执行去除所述过渡金属基板的步骤； 密封所述多孔固定器，其中，在所述石墨烯层和所述目标基板位于密封的多孔固定器中的同时，执行使所述石墨烯层顺应所述目标基板的步骤； 将所述多孔固定器开封；以及从开封的多孔固定器去除目标基板上石墨烯组件。
18.根据权利要求14所述的方法，其中，所述过渡金属基板含有以下物质中的一种或更多种:铜、镍、铁、钴、钼、铱和/或钌。
19.根据权利要求14所述的方法，其中，所述目标基板含有以下物质中的一种或更多种:基于二氧化硅的半导体、玻璃、石英、刚性聚合物材料和/或柔性聚合物材料。
20.根据权利要求14所述的方法，该方法还包括以下步骤: 在去除所述过渡金属基板之前，将所述片材和所述目标基板放置在多孔固定器中，其中，去除所述过渡金属基板的步骤包括:在所述片材和所述目标基板位于所述多孔固定器中的同时，经由通过所述多孔固定器的溶液可渗透盖部接收到的蚀刻溶液来去除所述过渡金属基板； 经由顺应弹性体涂层来密封所述多孔固定器，其中，使所述石墨烯层顺应所述目标基板的步骤包括:在所述石墨烯层和所述目标基板位于密封的多孔固定器中的同时，使所述石墨烯层顺应所述目标基板； 将所述多孔固定器开封；以及 从开封的多孔固定器去除 目标基板上石墨烯组件。
【文档编号】C01B31/04GK103460364SQ201180069687
【公开日】2013年12月18日 申请日期:2011年4月13日 优先权日:2011年4月13日
【发明者】T·A·亚格尔 申请人:英派尔科技开发有限公司