1.一种晶种卡盘，所述晶种卡盘构造成容纳用于从熔融硅生长晶锭的晶种，所述晶种卡盘包括：
颈盖，所述颈盖构造成阻止热量沿所述熔融硅的向上方向排出；以及
固定部，所述固定部配置在所述颈盖的底表面上并且构造成容纳所述晶种，
其中：
所述颈盖包含连接到提升索的顶表面、底表面和构造成将所述顶表面连接到所述底表面的圆周表面；
所述圆周表面形成为相对于所述底表面具有倾斜角；并且
所述颈盖具有测量部，所述测量部是开口的，以用于测量熔融硅。
2.根据权利要求1所述的晶种卡盘，其中，所述倾斜角在39°至48°的范围内。
3.根据权利要求1所述的晶种卡盘，其中，所述晶种卡盘包含：
上部主体，所述上部主体包含所述颈盖的顶表面；
中部主体，所述中部主体包含所述颈盖的圆周表面；以及
下部主体，所述下部主体包含所述颈盖的底表面，
其中，所述上部主体可拆卸地联接至所述中部主体，且所述中部主体可拆卸地联接至所述下部主体。
4.根据权利要求1所述的晶种卡盘，其中，所述颈盖具有圆锥形状或截头圆锥形状。
5.根据权利要求1所述的晶种卡盘，其中，在所述颈盖内形成空的空间。
6.一种晶锭生长装置，所述晶锭生长装置包括：
腔室；
热区结构，所述热区结构配置在所述腔室内并且构造成容纳硅；
加热器，所述加热器构造成加热所述热区结构；
外隔热体，所述外隔热体位于所述热区结构外；
上隔热体，所述上隔热体位于所述热区结构的上方并具有晶锭穿过的孔；
晶种卡盘，所述晶种卡盘构造为容纳用于从熔融硅生长晶锭的晶种；以及
温度传感器，所述温度传感器配置在所述腔室的上方，
其中，所述晶种卡盘包含：
构造成选择性地阻挡所述孔的颈盖；以及
构造成容纳所述晶种的固定部，
其中，所述颈盖具有测量部，所述测量部是开口的以使得所述温度传感器测量熔融硅。
7.根据权利要求6所述的晶锭生长装置，其中，所述温度传感器通过所述测量部从颈盖上侧测量熔融硅。
8.根据权利要求6所述的晶锭生长装置，所述晶锭生长装置进一步包括控制器，所述控制器构造成基于由所述温度传感器测量的数据计算所述熔融硅的温度，
其中，所述控制器提取在测量周期内测量的所述温度传感器的数据中的最大值，并计算熔融硅的温度。
9.根据权利要求6所述的晶锭生长装置，其中，所述颈盖包括：
上部主体，所述上部主体包含连接到提升索的索连接部；
下部主体，所述下部主体包含构造成面向熔融硅的底表面；以及
中部主体，所述中部主体包含所述底表面和倾斜的圆周表面。
10.根据权利要求9所述的晶锭生长装置，其中，所述中部主体和所述下部主体中的每一个都具有开口的测量部。
11.根据权利要求9所述的晶锭生长装置，其中，所述中部主体可拆卸地联接到上部主体和下部主体中的至少一个。
12.根据权利要求6所述的晶锭生长装置，其中，所述测量部是沿着颈盖的外圆周以弧形形成的测量孔。
13.根据权利要求12所述的晶锭生长装置，其中：
在所述颈盖中形成有多个测量孔；并且
所述颈盖包含位于所述多个测量孔之间的桥。
14.根据权利要求6所述的晶锭生长装置，其中，所述颈盖包含：
圆周表面，所述圆周表面构造成引导流体；以及
底表面，所述底表面构造成面向所述熔融硅，
其中，所述圆周表面相对于底表面具有倾斜角，且所述倾斜角在39°至48°的范围内。
15.根据权利要求14所述的晶锭生长装置，其中，所述颈盖进一步包含平行于所述底表面的顶表面。