技术特征：
1.Sc,Ce共掺杂的硅酸镥、硅酸钇镥晶体，其特征在于，其分子式分别表示为Sc2xCe2yLu2(1-x-y)SiO5和Sc2xCe2yY2zLu2(1-x-y-z)SiO5，其中，x、y、z的取值范围为：0<x<1，0<y<1，0<z<1，且x、y满足0<x+y<1，x、y、z满足0<x+y+z<1。2.如权利要求1所述的Sc,Ce共掺杂的硅酸镥、硅酸钇镥晶体的熔体法生长方法，其特征在于，包括以下操作：(1)对于Sc2xCe2yLu2(1-x-y)SiO5，采用Sc2O3、CeO2、Lu2O3、SiO2作为原料，按下列化学反应式(Eq-1)进行配料，将按(Eq-1)反应式比例称量得到的Sc2O3、CeO2、Lu2O3、SiO2混合物的充分混合均匀，经过压制成圆饼或圆柱形块料后，在900-1300℃下煅烧24-200小时发生固相反应获得生长晶体所需的多晶原料；或者按(Eq-1)反应式比例称量得到的Sc2O3、CeO2、Lu2O3、SiO2混合物压制成圆饼或圆柱形块料后，不经额外烧结直接用作晶体生长初始原料；(2)对于Sc2xCe2yY2zLu2(1-x-y-z)SiO5，对采用Sc2O3、CeO2、Y2O3、Lu2O3、SiO2作为原料，按下列化学反应式(Eq-2)进行配料，将按(Eq-2)反应式称量得到Sc2O3、CeO2、Y2O3、Lu2O3、SiO2混合物充分混合均匀，经过压制成圆饼或圆柱形块料后，在900-1300℃下煅烧24-200小时发生固相反应获得生长晶体所需的多晶原料；或者按(Eq-2)反应式称量得到Sc2O3、CeO2、Y2O3、Lu2O3、SiO2混合物压制成圆饼或圆柱形块料后，不经额外烧结直接用作晶体生长初始原料；(3)将上述制备的晶体生长初始原料分别放入生长铱坩埚、钼坩埚或钨坩埚内，通过感应加热或电阻加热并充分熔化，获得晶体生长熔体；然后采用熔体法晶体生长工艺-提拉法、坩埚下降法、温梯法、热交换法、泡生法、顶部籽晶法、\t助熔剂晶体生长方法、微下拉法(μ-PD)进行生长。3.根据权利要求2所述的Sc,Ce共掺杂的硅酸镥、硅酸钇镥晶体的熔体法生长方法，其特征在于，所述的生长气氛可以为空气气氛、氧化气氛、氩气气氛、氮气气氛、CO2气氛或CO气氛。4.根据权利要求2所述的Sc,Ce共掺杂的硅酸镥、硅酸钇镥晶体的熔体法生长方法，其特征在于：所述的熔体法晶体生长包括不采用籽晶生长和采用用籽晶定向生长；对于采用籽晶定向生长，籽晶为Sc2xCe2yLu2(1-x-y)SiO5或Sc2xCe2yY2zLu2(1-x-y-z)SiO5单晶，或者采用硅酸镥Lu2SiO5单晶、Y2uLu2(1-u)SiO5(0<u<1)单晶，籽晶方向为<100>、<010>或<001>方向。5.根据权利要求2所述的Sc,Ce共掺杂的硅酸镥、硅酸钇镥晶体的熔体法生长方法，其特征在于，所述的配料中，所用原料Sc2O3、CeO2、Y2O3、Lu2O3、SiO2，可采用相应的Sc、Ce、Y、Lu、Si的其它化合物代替，原料合成方法包括高温固相反应、液相合成、气相合成方法，但需满足能通过化学反应能最终形成化合物Sc2xCe2yLu2(1-x-y)SiO5和Sc2xCe2yY2zLu2(1-x-y-z)SiO5这一条件。