技术总结
本发明公开了Sc,Ce共掺杂的硅酸镥、硅酸钇镥晶体及其熔体法生长方法，分子式为Sc2xCe2yLu2(1-x-y)SiO5和Sc2xCe2yY2zLu2(1-x-y-z)SiO5。对于Sc2xCe2yLu2(1-x-y)SiO5，将Sc2O3、CeO2、Lu2O3、SiO2按比例配制并充分混合好后，压制成形，高温烧结后，用作晶体生长初始原料；对于Sc2xCe2yY2zLu2(1-x-y-z)SiO5，将Sc2O3、CeO2、Y2O3、Lu2O3、SiO2按比例配制并充分混合好后，压制成形，高温烧结后，用作晶体生长初始原料；将生长初始原料加热熔化后，用提拉法、坩埚下降法进行生长，获闪烁体单晶。
技术研发人员：张琦;王小飞;吕志萍;
受保护的技术使用者：安徽火天晶体科技有限公司;皖江新兴产业技术发展中心;
文档号码：201610087236
技术研发日：2016.02.16
技术公布日：2016.10.05