技术特征：
1.圆柱形石墨烯增强SiCN陶瓷温度传感器的制备方法，其特征在于包括如下步骤：1)将氧化石墨烯放入容器中，加入DMF溶液后封口，将容器放入超声机中超声，得氧化石墨烯DMF分散液A；2)将聚硅氮烷溶液放入容器中，加入步骤1)得到的氧化石墨烯DMF分散液A，再加入过氧化二异丙苯后封口，超声后得混合溶液B；3)将混合溶液B在惰性气氛中进行热交联，使淡黄色的液体变为黑色的聚硅氮烷与氧化石墨烯复合的固体，球磨成粉末，然后用压片模具将粉末压成圆片，将圆片在惰性气体保护下热解，退火处理后得非晶态的石墨烯增强SiCN陶瓷圆片；4)在步骤3)得到的非晶态的石墨烯增强SiCN陶瓷圆片表面钻两个孔，在两个孔中插入铂丝，再将聚硅氮烷注入非晶态的石墨烯增强SiCN陶瓷圆片中，放入管式炉中，在氮气气氛下热解，即得圆柱形石墨烯增强SiCN陶瓷温度传感器。2.如权利要求1所述圆柱形石墨烯增强SiCN陶瓷温度传感器的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述氧化石墨烯和DMF溶液的配比为5mg∶5ml，其中氧化石墨烯以质量计算，DMF溶液以体积计算。3.如权利要求1所述圆柱形石墨烯增强SiCN陶瓷温度传感器的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述超声机的功率为200～250W，优选220W，超声的时间为1～2h，优选1h；所述氧化石墨烯DMF分散液A的质量浓度可为0.5～3mg/ml，优选1mg/ml。4.如权利要求1所述圆柱形石墨烯增强SiCN陶瓷温度传感器的制备方法，其特征在于在步骤2)中，所述聚硅氮烷溶液、氧化石墨烯DMF分散液A、过氧化二异丙苯的配比为3g∶1ml∶(0.07～0.15)g，其中，聚硅氮烷溶液、过氧化二异丙苯以质量计算，氧化石墨烯DMF分散液A以体积计算。5.如权利要求1所述圆柱形石墨烯增强SiCN陶瓷温度传感器的制备方法，其特征在于在步骤2)中，所述超声的时间为30～60min，优选30min。6.如权利要求1所述圆柱形石墨烯增强SiCN陶瓷温度传感器的制备方法，其特征在于在步骤3)中，所述惰性气氛为氮气或氩气；所述热交联的温度可为140～400℃，热交联的升温速率可为0.5～1℃/min。7.如权利要求1所述圆柱形石墨烯增强SiCN陶瓷温度传感器的制备方法，其特征在于在步骤3)中，所述球磨时间为15～45min；所述压片模具的直径可为13mm；所述将粉末压\t成圆片的压力可为10～20MPa，优选10MPa；所述圆片的厚度可为8mm厚的圆片。8.如权利要求1所述圆柱形石墨烯增强SiCN陶瓷温度传感器的制备方法，其特征在于在步骤3)中，所述热解的温度为1000～1500℃，热解的升温速率为1～5℃/min；所述退火处理的时间可为1～5h；所述非晶态的石墨烯增强SiCN陶瓷圆片的厚度可为5～10mm。9.如权利要求1所述圆柱形石墨烯增强SiCN陶瓷温度传感器的制备方法，其特征在于在步骤4)中，所述两个孔的孔深度为1～2mm，优选1.5mm，直径为0.3～0.7mm，优选0.5mm，两孔之间的距离为2～6mm，优选3mm；所述铂丝的直径可为0.3～0.7mm，优选0.5mm。10.如权利要求1所述圆柱形石墨烯增强SiCN陶瓷温度传感器的制备方法，其特征在于在步骤4)中，所述将聚硅氮烷注入非晶态的石墨烯增强SiCN陶瓷圆片中是利用真空浸渍工艺，其步骤为：将插入铂丝的非晶态的石墨烯增强SiCN陶瓷圆片放入装有聚硅氮烷倒入容器中，并放入真空干燥皿中，最后将真空干燥皿抽真空，保压10min后放入空气，反复3次；所述热解的温度可为1000～1500℃，优选1000℃，热解的时间可为1～5h，优选4h。