一种超高纯度硒化镉多晶材料的制备方法与流程

技术特征：

1.一种超高纯度硒化镉多晶材料的制备方法，其特征在于步骤如下：

步骤1：将清洗好的石英安瓿置于真空烘箱中，在110℃温度下保温3小时后干燥；所述石英安瓿是内径为Φ10～Φ50mm的管状电子级石英安瓿；

步骤2：将的块状镉和块状硒按照摩尔比为(1.0～1.05)∶1.0装入石英安瓿中，使得石英安瓿的填满度≤50％；再按照石英安瓿容积浓度为0.01～0.05mmol·cm^-3装入CdI₂或CdCl₂或CdBr₂；抽真空除去石英安瓿中的空气，当石英安瓿中气压降为5×10^-4～5×10^-3Pa时密封石英安瓿；所述块状镉和块状硒的纯度≥99.999％；

步骤3：将密封的石英安瓿水平置于管式炉内，然后按300℃·h^-1升温至950～1000℃，保温24～72小时；保温时间结束后，按50℃·h^-1的速率冷却至室温，在石英安瓿内得到超高纯度硒化镉多晶粉体。

2.根据权利要求1所述超高纯度硒化镉多晶材料的制备方法，其特征在于：所述石英安瓿的清洗是：将石英安瓿采用王水浸泡8小时，再用自来水冲洗至中性后用丙酮浸泡安瓿8小时，然用电阻率15MΩ·cm的超纯去离子水反复冲洗3次。

3.根据权利要求1所述超高纯度硒化镉多晶材料的制备方法，其特征在于：所述CdI₂或CdCl₂或CdBr₂的纯度≥99.999％。