技术总结
本发明涉及一种超高纯度硒化镉多晶材料的制备方法，原料使用纯度≥99.999％的高纯块状镉和纯度≥99.999％的块状硒，组成成分镉/硒为1.0:(1.0～1.03)，接近理想化学计量比，可直接用作硒化镉单晶体生长原料。选用内径介于Φ10～Φ50mm的管状电子级石英安瓿，并将石英安瓿水平置于管式炉内制备超高纯度硒化镉多晶材料。本发明方法硒化镉多晶粉体材料制备过程一步完成，保温时间短，产率高，无需提纯，因而工艺简单，成本低，具有实现超高纯度硒化镉规模制备的前景。
技术研发人员：李焕勇;张家豪
受保护的技术使用者：西北工业大学
文档号码：201610901396
技术研发日：2016.10.17
技术公布日：2017.03.08