单晶炉热场导流筒的制作方法

本实用新型属于单晶炉技术领域，尤其涉及一种单晶炉热场导流筒。

背景技术：

目前，单晶炉使用的导流筒分为内外两层，导流筒的壁较厚，安装锥形水冷套后会影响伊尔根采集信号，导致无法正常拉晶，影响单晶硅的生长效果。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种单晶炉热场导流筒，能够避开伊尔根采集区，使籽晶正常拉晶，保证单晶硅的质量。

为解决上述技术问题，本实用新型所采取的技术方案是：一种单晶炉热场导流筒，包括导流筒和锥形水冷套，导流筒内壁下端设有环形台阶，环形台阶的环面将导流筒分为上下两部分，上部分为薄壁段，下部分为厚壁段，锥形水冷套置于导流筒的薄壁段，其外圆锥面与薄壁段的圆锥形内壁间隙配合，锥形水冷套的下端面与环形台阶的环面之间留有间隙，锥形水冷套的内圆锥面与导流筒的厚壁段的圆锥形内壁处于同一圆锥面上，锥形水冷套的上沿低于导流筒的上沿，导流筒采用固化毡制作而成。

进一步的技术方案，锥形水冷套的壁厚大于导流筒的薄壁段的壁厚。

进一步的技术方案，导流筒的薄壁段的高度大于其厚壁段的高度。

进一步的技术方案，锥形水冷套为不锈钢材质。

采用上述技术方案所产生的有益效果在于：本实用新型将导流筒分为上下两段，上段壁厚变薄，也即导流筒的外径不变，内径扩大，同时扩大锥形水冷套的内外径，这样避开伊尔根采集区，使籽晶正常拉晶，保证单晶硅的质量。

附图说明

图1是本实用新型实施例的结构示意图；

图2是本实用新型中锥形水冷套连接部位的示意图；

图中：1、导流筒；2、锥形水冷套；3、水冷套法兰；4、环形台阶；5、薄壁段；6、厚壁段；7、水管。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

本实用新型提供一种如图1所示的单晶炉热场导流筒，包括导流筒1和锥形水冷套2，导流筒1内下端设有环形台阶4，环形台阶4的环面将导流筒1分为上下两部分，上部分为薄壁段5，下部分为厚壁段6，锥形水冷套2置于导流筒1的薄壁段5，其外圆锥面与薄壁段5的圆锥形内壁间隙配合，锥形水冷套2的下端面与环形台阶4的环面之间留有间隙，锥形水冷套2的内圆锥面与导流筒1的厚壁段6的圆锥形内壁处于同一圆锥面上，锥形水冷套2的上沿低于导流筒1的上沿，本实施例中，两沿之间的距离为55mm；导流筒1采用固化毡制作而成，也即为碳碳固化材质。

本实用新型将导流筒分为上下两段，上段壁厚变薄，也即导流筒的外径不变，内径扩大，同时与其配合的锥形水冷套的内外径均扩大，这样就避开了伊尔根采集区，使籽晶正常拉晶，保证单晶硅的质量。

本实用新型中锥形水冷套2外圆锥面与薄壁段5的圆锥形内壁间隙配合，是为了方便把锥形水冷套2取出或放入，也避免对导流筒1的内壁造成摩擦损坏，该间隙可以为5mm，该数据也可大可小。

本实用新型中锥形水冷套2的壁厚为26.8mm，薄壁段5的壁厚为15.9mm，锥形水冷套2的壁厚大于导流筒1的薄壁段5的壁厚。

本实施例中，锥形水冷套2的下端面与环形台阶4的环面之间的间隙为10.5mm，当然在应用中不仅局限于该数值，锥形水冷套2的下端面与环形台阶4的环面之间留间隙是避免锥形水冷套2碰撞到导流筒1，也即避免导流筒1损坏，该间隙预留不碰到环形台阶4的环面即可，当然也可以大于本实施例列举的数据。

其中，导流筒1的薄壁段5的高度为235.5mm，大于其厚壁段6的高度107mm。

其中，锥形水冷套2为不锈钢材质。

图2给出了锥形水冷套2安装连接部位的示意图，可以看出，在锥形水冷套2的上沿设有水冷套法兰3，锥形水冷套2和水冷套法兰3焊接在一起，水冷套法兰3支撑在单晶炉不锈钢炉筒上，锥形水冷套2悬吊在导流筒1内，水管7连通到锥形水冷套2的上沿，导流筒1坐落在单晶炉整体热场的顶端。导流筒减少了炉体上部氩气流动涡胞，进而减少了加热器向上部的热损失，而本实用新型所提供的导流筒是经过改进的导流筒，导流筒的上半部分壁厚减薄，其内的锥形水冷套的内径相应的增大，从而避开了伊尔根采集区，使籽晶正常拉晶，更利于保证单晶硅的质量。

本实用新型中应用具体个例对本实用新型的实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型，应当指出，对于本技术领域的技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可对本实用新型进行若干改进，这些改进也落入本实用新型权利要求的保护范围内。