技术总结
本实用新型为一种刚玉‑石墨复合坩埚，在坩埚壁上从里向外分别是刚玉密封层、石墨层、石墨毯层、刚玉密封层。而在坩埚底部只有刚玉层。石墨层沿径向分成2到8块，每块之间留有缝隙。坩埚壁的外侧绕有水冷通电线圈。本实用新型利用交变电磁场在石墨层中感应出涡流，产生巨大的焦耳热，从而加热硅料。使用温度可以达到1650℃以上，石墨层及石墨毯层被刚玉密封层封闭，大大减缓了其氧化烧损速度，提高了使用寿命。避免在硅液面处的坩埚壁出现很大的温差，防止了热应力使坩埚产生裂纹的问题，进一步提高了使用寿命。
技术研发人员：张新军;王桥
受保护的技术使用者：中安信新材料有限公司
文档号码：201621373327
技术研发日：2016.12.15
技术公布日：2017.07.11