1.一种铜-氧化铝陶瓷基板，其特征在于：包括铜片、氧化铝陶瓷和铜片与氧化铝陶瓷之间的连接层；所述连接层由氧化亚铜、过渡元素的氧化、尖晶石结构的偏铝酸盐三者形成的化合物构成。
2.根据权利要求1所述的一种铜-氧化铝陶瓷基板，其特征在于：所述过渡元素为VB、VLB、VLLB族过渡元素。
3.根据权利要求1所述的一种铜-氧化铝陶瓷基板，其特征在于：所述过渡元素为钒、锰、铁、钼或钛。
4.根据权利要求1所述的一种铜-氧化铝陶瓷基板，其特征在于：所述连接层的厚度为50～1000nm。
5.一种制备权利要求1-4任一所述的铜-氧化铝陶瓷基板的方法，其特征在于：具体步骤如下：
步骤一、在氧化铝瓷片的表面喷涂含过渡元素氧化物的涂层；
步骤二、将步骤一所述氧化铝瓷片烘干；
步骤三、使用热氧化的方法在铜片上制备氧化层；
步骤四、将步骤三所述铜片放置在步骤二所述的氧化铝陶瓷片上烧结形成权利要求1-3任一所述的铜-氧化铝陶瓷基板。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：步骤一中，所述含过渡元素氧化物的涂层为硝酸锰溶液、钼酸铵溶液或者钛酸四丁酯。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：步骤四中，将步骤三所述铜片放置在步骤二所述的氧化铝陶瓷片上，在氧分压为0-18ppm，温度为1065-1083℃的条件下烧结。
8.一种制备权利要求1-4任一所述的铜-氧化铝陶瓷基板的方法，其特征在于：具体步骤如下：
步骤一、使用液相氧化的方法，利用含过渡元素的溶液处理铜片，淋洗后烘干；
步骤二、将步骤一所述的铜片放置在氧化铝陶瓷片上，在氧分压为0-18ppm，温度为1065-1083℃的条件下烧结形成权利要求1-3任一所述的铜-氧化铝陶瓷基板。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：所述含过渡元素的溶液为高锰酸钾溶液、钼酸铵溶液或者钛酸四丁酯。