专利名称：含异三聚氰酸环的末端乙烯基聚硅氧烷的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种两末端具有乙烯基硅烷氧基，形成耐热性、机械强度、电绝缘性等 电特性、耐水蒸气透过性等透气性、透明性等光学特性、耐化学品性、耐水性优异的硬化物 的含异三聚氰酸环的有机聚硅氧烷。
背景技术：
以往，应用加成硬化反应的硬化性硅酮橡胶组成物被广泛利用。这种硬化性硅 酮橡胶组成物的耐候性、耐热性、电绝缘性优异、被广泛用作电气电子零件的衬垫材料 (gasket material)、灌封材料(potting material)、涂敷材料(coating material)、棍材 料(roll material)、造型材料等成形材料、电线包覆用材料及汽车用零件材料。另外，发挥 其光学特性而被有效用作光半导体的密封材料或粘接剂。但是，这种硬化性硅酮橡胶组成物具有硅酮所特有的硅氧烷键，因此由于其离子 键性，在高温加湿等极为严酷的使用环境下使用，可能无法发挥出耐化学品性、耐水性、透 气性等硅酮的优异特性。另外，亦存在硬化物的表面有粘性、易附着粉尘等的缺点。特别是 含有硅氧烷键的聚合物，其透气性优异，而被有效用作氧富集膜，但是作为半导体的密封材 料，其水蒸气透过性成问题。关于含有异三聚氰酸环的聚合体、聚合物、密封材料，已知有多种多样。以下 材料广为人知利用环氧基的开环反应使含异三聚氰酸基的聚硅氧烷硬化而成的材料， 其中该含异三聚氰酸基的聚硅氧烷是使二烯丙基单缩水甘油基异三聚氰酸酯(diallyl monoglycidyl isocyanurate)与含Si-Η的聚硅氧烷进行加成反应而成(专利文献1)；使 含异三聚氰酸环的聚硅氧烷与含Si-H的聚硅氧烷进行加成反应并硬化而成的材料(专利 文献2、；使三烯丙基异三聚氰酸酯与含Si-H的聚硅氧烷进行加成反应并硬化而成的材料 (专利文献幻；使含有异三聚氰酸环及Si-H的聚硅氧烷与含烯基的化合物进行加成反应并 硬化而成的材料(专利文献4 专利文献6)。但是，专利文献1及专利文献2的含异三聚氰酸环的聚合体在主链上含有硅氧烷 键，因此虽然具有柔软性，但是与交联剂的相容性差。另外，专利文献1及专利文献2的含 异三聚氰酸环的聚合体由于烯基的存在位置不确定，所以难以利用加成反应来进行硬化， 发挥不出硅氢化(加成反应)的特征(迅速的硬化反应)。专利文献3 专利文献6的含 异三聚氰酸环的聚合体的交联密度高，刚直而缺乏柔软性。通过含异三聚氰酸环的聚硅氧烷与含Si-H的聚硅氧烷的加成反应而获得，且柔 软性、硬化特性、相容性优异，光学特性、耐水蒸气透过性优异的硬化物并不存在。[专利文献1]日本专利特开2008-143954号公报[专利文献2]日本专利特开2008-150506号公报[专利文献3]日本专利特开平9491214号公报[专利文献4]日本专利第4073223号公报[专利文献5]日本专利特开2006-291044号公报
[专利文献6]日本专利特开2007-9041号公报
发明内容
本发明是鉴于所述情况研发而成，本发明人进行了努力研究，结果发现，本发明的 有机聚硅氧烷形成所述特性优异的硬化物。本发明的目的在于提供一种可以形成发挥硅氢 化(加成反应)的特征的硬化物、适合用于光半导体周密封材料等的含异三聚氰酸环的有 机聚硅氧烷。S卩，本发明是一种有机聚硅氧烷，其是由下述式(1)所表示，在分子中具有至少一 个异三聚氰酸环，且在两末端具有乙烯基硅烷氧基，
权利要求
1.-种有机聚硅氧烷，其特征在于其是由下述式(1)所表示，在分子中具有至少一 1异三聚氰酸环，且在两末端具有乙烯基硅烷氧基， [化1]
2.根据权利要求1所述的有机聚硅氧烷，其特征在于所述式(1)中的X为碳数1 4 的烷基。
3.一种有机聚硅氧烷的制造方法，其特征在于通过使下述式的化合物与下述式 (5)的化合物反应，来制造根据权利要求1或2所述的有机聚硅氧烷，[化2]
全文摘要
本发明提供一种含异三聚氰酸环的有机聚硅氧烷，其可以形成发挥硅氢化(加成反应)的特征的硬化物，适用于光半导体用密封材料等。本发明的有机聚硅氧烷是由下述式(1)所表示，在分子中具有至少一个异三聚氰酸环，且在两末端具有乙烯基硅烷氧基。(X彼此独立为不含不饱和键的一价有机基，R1、R2彼此独立为甲基或苯基，P为1～30的整数)。
文档编号C07F7/10GK102050950SQ20101053217
公开日2011年5月11日 申请日期2010年10月29日 优先权日2009年11月4日
发明者柏木努, 田中隼人, 盐原利夫 申请人:信越化学工业株式会社